DE10211922A1 - Mikroskop zur Untersuchung von Halbleiterwafern - Google Patents
Mikroskop zur Untersuchung von HalbleiterwafernInfo
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Abstract
Ein Mikroskop zum Untersuchen eines Halbleiterwafers enthält eine optische Einheit einschließlich Objektivlinsen und Okulare zum Observieren des Halbleiterwafers; eine Anzeigeeinheit zum Vergrößern und Anzeigen einer Abbildung des Halbleiterwafers, der durch die optische Einheit observiert wird; eine Probenstückbühre, die den Halbleiterwafer hält; eine Bühnenbewegungseinheit zum Bewegen des Halbleiterwafers in einer x-Achsenrichtung, einer y-Achsenrichtung oder einer z-Achsenrichtung; eine Bühendreheinheit zum Drehen des Halbleiterwafers in einer horizontalen Richtung; eine Bühnenneigungseinheit zum Neigen des Halbleiterwafers; und eine Steuervorrichtung zum Steuern des Betriebs des Mikroskops.
Description
Diese Anmeldung beansprucht die Vergünstigung, die Paragraph 119 des 35. Ge
setzes der Vereinigten Staaten der am 19. März 2001 eingereichten koreanischen Pa
tentanmeldung Nr. 2001-14093 gewährt wird, deren Gesamtheit hierdurch für alle
Zwecke, wie sie hierin vollständig dargelegt sind, durch Bezugnahme mit enthalten
sind.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Mikroskop zum Untersuchen eines Halb
leiterwafers.
Da eine Halbleitervorrichtung hoch-integriert ist, fallen die auf dem Halbleiterwa
fer ausgebildeten Schichten verschiedenartig aus und verbleibende Schichten auf einem
Rand-Abschnitt und ein Abschnitt mit einer vorbestimmten Dicke (im folgenden als
Fasen-Abschnitt bezeichnet) des Halbleiterwafers sind schwieriger zu entfernen. Diese
verbleibenden Schichten auf dem Rand-Abschnitt und dem Fasen-Abschnitt des
Halbleiterwafers erstrecken sich während eines Trockenätzverfahrens und eines
Naßätzverfahrens in den Chip-Abschnitt des Halbleiterwafers aus und stellen Partikel
dar, die zahlreiche Defekte auf dem Halbleiterwafer verursachen.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht, die einen typischen Halbleiterwafer darstellt, und Fig.
2 zeigt eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II der Fig. 1. Der Halbleiterwafer
wird zahlreichen Verfahren unterzogen, wie beispielsweise einem Verfahren zum Ab
scheiden einer Schicht auf seiner Oberfläche, einem Verfahren zum Mustern bzw.
Maskieren der abgeschiedenen Schicht, und ein Verfahren zum Ionenimplantieren von
Störstellen. Jedoch werden diese Verfahren nicht nur auf einer Oberfläche des Wafers
W durchgeführt. Mit anderen Worten, eine Schicht kann an einem Rand-Abschnitt E,
einem Fasen-Abschnitt B und sogar auf einem Bodenabschnitt L des Halbleiterwafers
abgeschieden werden. Die Restschicht auf dem Rand-Abschnitt E, dem Fasen-Abschnitt
B und dem Bodenabschnitt L wird als eine Quelle von Partikeln, die einen Chip-
Abschnitt C des Halbleiterwafers W beeinflussen und zahlreiche Defekte, wie beispiels
weise eine Kontamination bzw. Verschmutzung des Halbleiterwafers, verursachen,
wodurch die Herstellungsausbeute verringert wird.
Um das Problem zu lösen, ist ein Verfahren zum Zuschneiden des Fasen-Ab
schnitts B unter Verwendung einer Oxid-Naßätztechnik hinzugefügt worden, um den
Defekt des Halbleiterwafers zu unterdrücken. Jedoch weist dies ein Problem dahinge
hend auf, daß ein Verfahren kompliziert ist und es kann einen grundlegenden Wert der
Defekte, die aus dem Rand-Abschnitt und dem Fasen-Abschnitt des Halbleiterwafers
resultieren, nicht lösen.
Fig. 3 zeigt ein Verfahren zum Untersuchen eines Halbleiterwafers unter Verwen
dung eines herkömmlichen Mikroskops. Um Defekte auf dem Halbleiterwafer zu unter
suchen wird als erstes der Halbleiterwafer W, der die Defekte aufweist, die aus einem
Rand-Abschnitt E und seinem Fasen-Abschnitt B resultieren, in einem Analyseraum
befördert.
Der defekte bzw. fehlerhafte Halbleiterwafer W wird auf eine Probestückbühne 1
gelegt und anschließend werden fehlerhafte Abschnitte und ein Rand-Abschnitt E unter
Verwendung eines Mikroskops 5 untersucht. Die Probestückbühne 1 ist so aufgebaut,
daß lediglich eine horizontale Verschiebung und eine vertikale Verschiebung, d. h., x-
Achsen-Richtung (links und rechts), y-Achse (vorne und hinten) und z-Achsen-Bewe
gungen (hoch und runter) durchgeführt werden können. Jedoch besitzt die Probestück
bühne 1 keine horizontale oder vertikale Drehfunktion.
Um daher den Fasen-Abschnitt B des Halbleiterwafers W zu untersuchen, wird
ein Stück des Halbleiterwafers W, der untersucht werden soll, unter Verwendung eines
Diamantmessers 2 manuell geschnitten. Der Schnitteil des Halbleiterwafers W wird auf
einer Waferhaltevorrichtung 3 mit einem vorbestimmten Neigungswinkel unter Ver
wendung eines Kohlenstoffbandes befestigt. Mit anderen Worten, um den Fasen-Ab
schnitt B des Halbleiterwafers W zu untersuchen, werden zahlreiche Waferhaltevor
richtungen 3 mit unterschiedlichen Neigungswinkeln benötigt.
Fig. 4 zeigt eine Fotografie, die einen Rand-Abschnitt des Halbleiterwafer dar
stellt, und Fig. 5 zeigt eine Fotografie, die den Fasen-Abschnitt des Halbleiterwafers
darstellt. Wie in Fig. 4 und 5 gezeigt, sind in dem Rand-Abschnitt und dem Fasen-Ab
schnitt des Halbleiterwafers W Defekte zu finden. Derartige Defekte erstrecken sich in
den Chip-Abschnitt C des Halbleiterwafers W fort und bilden Verunreinigungs
elemente, die den Chip-Abschnitt C des Halbleiterwafers W kontaminieren.
Das oben beschriebene herkömmliche Mikroskop weist folgende Nachteile auf.
Erstens, da die Probestückbühne lediglich eine horizontale und eine vertikale Verschie
bung durchführt, ist es unmöglich gleichzeitig den Rand-Abschnitt und den Fasen-
Abschnitt des Halbleiterwafers zu untersuchen, wodurch die Waferuntersuchungszeit
erhöht wird. Zweitens, während der Behandlung eines Waferprobestücks, wie beispiels
weise einem Transportieren und Schneiden eines defekten Halbleiterwafers, kann eine
andere Kontamination des Waferprobestücks auftreten, wodurch die Untersuchungs
daten Fehler enthalten können. Drittens, da ein regelmäßiges Überprüfen während eines
Herstellungsverfahrens des Halbleiters nicht durchgeführt wird, ist es schwierig, im
vorhinein Defekte zu finden und zu verhindern. Viertens, um verschiedene Neigungen
des Fasen-Abschnitts des Halbleiterwafers zu untersuchen, sind viele Waferhalte
vorrichtungen mit jeweils unterschiedlichen Neigungswinkeln erforderlich. Zu guter
letzt ist es schwierig, den Halbleiterwafer mit Defekten in dem Rand-Abschnitt und dem
Fasen-Abschnitt genau zu untersuchen und klar zu analysieren oder Defektfaktoren zu
bestimmen, und ebenso ist die Untersuchungszeit lang, so daß eine geeignete Abhilfe
nicht durchgeführt werden kann.
Um die zuvor beschriebenen Probleme zu lösen, sehen bevorzugte Ausführungs
formen der vorliegenden Erfindung ein Mikroskop zum Untersuchen eines Halbleiter
wafers vor, das eine genaue Untersuchung, ein klares Analysieren oder Bestimmen von
Defektfaktoren durchführen kann, wodurch die Herstellungsausbeute erhöht wird.
Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Mikroskop zur Unter
suchung eines Halbleiterwafers mit einer kurzen Untersuchungszeit vorzusehen.
Um die obige Aufgabe zu lösen, sehen die bevorzugten Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung ein Mikroskop zum Untersuchen eines Halbleiterwafers vor,
das aufweist: eine optische Einheit einschließlich Objektlinsen und Okularen zum Beob
achten bzw. Observieren des Halbleiterwafers; eine Anzeigeeinheit zum Vergrößern
und Anzeigen einer Abbildung des Halbleiterwafers, der durch die optische Einheit
beobachtet wird; eine Probestückbühne, die den Halbleiterwafer hält; eine Bühnenbewe
gungseinheit zum Bewegen des Halbleiterwafers in einer x-Achsen-Richtung, einer y-
Achsen-Richtung und/oder einer z-Achsen-Richtung; eine Bühnendreheinheit zum Dre
hen des Halbleiterwafers in einer horizontalen Richtung; eine Bühnenneigungseinheit
zum Neigen des Halbleiterwafers; und eine Steuervorrichtung für einen Steuerbetrieb
des Mikroskops.
Die Bühnenneigungseinheit enthält eine Drehwelle zum drehbaren Lagern der Po
bestückbühne und einen Motor zum Erzeugen von Leistung zum vertikalen Drehen der
Drehwelle. Vorteilhafterweise ist der Motor der Bühnenneigungseinheit ein Schrittmo
tor. Die Probestückbühne enthält zumindest einen Wafererfassungsensor zum Erfassen,
ob der Halbleiterwafer auf der Probestückbühne liegt oder nicht. Die Probestückbühne
enthält zumindest zwei Waferstopper in einem Radiusabstand eines rundes Abschnitts
des Halbleiterwafers von einem zentralen Schwenkpunkt des Halbleiterwafers. Die
Probestückbühne enthält einen Flachzonenerfassungssensor zum Erfassen einer flachen
Zone des Halbleiterwafers. Die Bühnendreheinheit enthält eine Vakuumleitung, eine
Vakuumeinspannvorrichtung, die einen Vakuumabsorber zum Halten des Halblei
terwafers unter Einsatz von Unterdruck enthält, und einen Motor zum Erzeugen einer
Leistung zum Drehen der Vakuumeinspannvorrichtung. Vorteilhafterweise ist der
Motor der Bühnendreheinheit ein Gleichstrommotor.
Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegende Erfindung und ihrer Vorteile
wird nun auf die folgenden Beschreibungen in Zusammenhang mit der begleitenden
Zeichnung Bezug genommen, in welcher ähnliche Bezugszeichen ähnliche Teile be
zeichnen und in welcher:
Fig. 1 eine Draufsicht zeigt, die einen typischen Halbleiterwafer darstellt;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II in Fig. 1 zeigt;
Fig. 3 ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterwafers unter Verwendung
eines herkömmlichen Mikroskops;
Fig. 4 eine Fotografie zeigt, die einen Rand-Abschnitt des Halbleiterwafers
darstellt; und
Fig. 5 eine Fotografie, die einen Fasen-Abschnitt des Halbleiterwafers
darstellt;
Fig. 6 eine schematische Ansicht zeigt, die ein Waferuntersuchungssystem
gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung darstellt;
Fig. 7 eine Vorderansicht zeigt, die ein Mikroskop gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 8 eine Seitenansicht zeigt, die das Mikroskop gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 9 eine Draufsicht zeigt, die eine Probestückbühne gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 10 einen Querschnittsansicht zeigt, die eine Dreheinheit gemäß einer be
vorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 11 den Betrieb einer Neigungseinheit gemäß der bevorzugten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 12 eine vergrößerte Ansicht zeigt, die einen Abschnitt A in Fig. 9 dar
stellt;
Fig. 13 eine Draufsicht zeigt, die eine Steuervorrichtung gemäß einer bevor
zugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
Es wird nun auf bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, von
denen Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind, detailliert Bezug ge
nommen.
Fig. 6 zeigt eine schematische Ansicht, die ein Wafertest- bzw. Prüfsystem dar
stellt, das ein Mikroskop zum Prüfen eines Halbleiterwafers benutzt. Fig. 7 zeigt eine
Vorderansicht, die das Mikroskop der Fig. 6 darstellt, und Fig. 8 zeigt eine
Seitenansicht, die das Mikroskop der Fig. 6 darstellt.
Das Mikroskop 100 enthält eine optische Einheit 110, eine Anzeigeneinheit 120,
eine Probestückbühne 130, eine Steuervorrichtung 170, eine Dreheinheit 180 und eine
Bühnenbewegungseinheit 200.
Die optische Einheit 110 enthält eine Objektlinse 111 und ein Okular 113, und es
wird zum Beobachten eines Waferprobestücks, das auf der Probestückbühne 130 liegt,
durch die Objektlinse 110 und das Okular 113 benutzt. Die Anzeigeeinheit 120 vergrö
ßert das Bild des durch die optische Einheit 110 beobachteten Probestückwafers und
Zeit es an. Die Dreheinheit 180 dreht den Probestückwafer auf der Probestückbühne
130 in einer horizontalen Richtung. Die Bühnenbewegungseinheit 200 enthält eine
Achsenrichtungsbewegungseinheit 210 und eine Neigungseinheit 240. Die Achsenrich
tungsbewegungseinheit 210 bewegt die Probestückbühne 130 in einer x-Achsenrich
tung, einer y-Achsenrichtung oder einer z-Achsenrichtung. Die Neigungseinheit 240
neigt die Probestückbühne 130 zu einem gewünschten Neigungswinkel. Das heißt, die
Neigungseinheit 240 dreht die Probestückbühne 130 in einer vertikalen Richtung. Die
Steuervorrichtung 170 steuert alle Komponenten des Mikroskops 100.
Wie in Fig. 7 und 8 gezeigt, enthält die Achsenrichtungsbewegungseinheit 210 x-,
y- und z-Achsenmotoren 211, 221 und 231, x-, y- und z-Achsenkugelschraubenwellen
212a, 222a und 232a, x-, y- und z-Achsenbewegungsschraubenmuttern 212b, 222b und
232b, x-, y- und z-Achsenbewegungsblöcke 214, 224, 234 und x-, y- und z-Achsenline
arbewegungsführungen 215, 225 und 235.
Die x-, y- und z-Achsenmotoren 211, 221 und 231 erzeugen Leistung. Die x-, y-
und z-Achsenkugelschraubenwellen 212a, 222a und 232a werden durch die von den x-,
y- und z-Achsenmotoren 211, 221 bzw. 231 erzeugten Leistung gedreht. Die x-, y- und
z-Bewegungsschraubenmuttern 212b, 222b und 232b führen eine lineare Bewegung
durch und die x-, y- und z-Achsenbewegungsblöcke 214, 224 und 234 sind mit den x-,
y- und z-Achsenbewegungsschraubenmuttern 212b, 222b bzw. 232b durch entspre
chende Kopplungsklammern gekuppelt und führen eine lineare Bewegung durch. Bei
den Fig. 7 und 8 bezeichnen Bezugszeichen 213 und 223 Kopplungsklammern, die mit
den x- und y- Bewegungsschraubenmuttern 212b und 222b korrespondieren, und eine
Kopplungsklammer, die mit der z-Bewegungsschraube 232b korrespondiert, wird nicht
gezeigt. Die x-, y- und z-Achsenlinearbewegungsführungen 215, 225 und 235 führen die
lineare Bewegung der x-, y- und z-Achsenbewegungsblöcke 214, 224 bzw. 234. Die
Achsenrichtungsbewegungseinheit 214, die wie voranstehend beschrieben aufgebaut ist,
bewegt die Probestückbühne 130 in einer horizontalen Richtung oder einer vertikalen
Richtung.
Die Probestückbühne 130 ist mit dem z-Achsenbewegungsblock 234 gekoppelt.
Der z-Achsenbewegungsblock 234 weist die Form des Buchstabens "L" auf und plaziert
die Probestückbühne 130 unter der Objektlinse 111.
Eine Bezugsnummer 217 bezeichnet eine Kopplungsklammer, die mit dem z-Ach
senmotor 231 gekoppelt ist. Die Kopplungsklammer 217 ist ebenso mit dem y-Achsen
bewegungsblock 224 gekoppelt und führt somit eine lineare Bewegung durch, um die
Probestückbühne 130 in einer x-Achsenrichtung oder einer y-Achsenrichtung zu bewe
gen, wenn der x-Achsenbewegungsblock 214 oder der y-Achsenbewegungsblock 224
eine lineare Bewegung durchführt. Die Kopplungsklammer 270 ist strukturell von dem
z-Achsenbewegungsblock 234 getrennt und bewegt sich somit nicht, wenn der z-Ach
senbewegungsblock 234 eine lineare Bewegung durchführt.
Der Betrieb der Achsenrichtungsbewegungseinheit 210 wird nachstehend detail
lierter beschrieben.
Wenn der x-Achsenmotor 211 zum Drehen der x-Achsenkugelschraubenwelle
212a angetrieben wird, um die Probestückbühne 130 in einer x-Achsenrichtung zu be
wegen, führt die x-Achsenbewegungsschraubenmutter 212b, die an einem äußeren Um
fang der x-Achsenkugelschraubenwelle 212a gekoppelt ist, eine lineare Bewegung
durch. Der x-Achsenbewegungsblock 214, der mit der x-Achsenbewegungsschrauben
mutter 212b gekoppelt ist, bewegt sich entlang der x-Achsenlinearbewegungsführung
215 vorwärts oder rückwärts. Die y-Achsenrichtungsbewegungseinheit, d. h., der y-
Achsenmotor 221 und der y-Achsenbewegungsblock 224, die über dem x-Achsenbewe
gungsblock 214 angeordnet sind, führen eine Vorwärtsbewegung oder eine Rückwärts
bewegung zusammen mit einer Vorwärtsbewegung oder einer Rückwärtsbewegung des
x-Achsenbewegungsblocks 214 durch. Die z-Achsenbewegungseinheit, d. h., der z-
Achsenmotor 231 und der z-Achsenbewegungsblock 234, die mit dem y-Achsenbewe
gungsblock 224 durch die Kopplungsklammer 217 gekoppelt sind, führen eine Vor
wärtsbewegung oder eine Rückwärtsbewegung zusammen mit dem y-Achsenbewe
gungsblock 224 durch. Folglich bewegt sich die Probestückbühne 130, die mit dem z-
Achsenbewegungsblock 234 gekoppelt ist, in einer x-Achsenrichtung. In der Zeichnung
ist ein Kopplungszustand des y-Achsenbewegungsblocks 234 nicht gezeigt.
Um die Probestückbühne 130 in einer y-Achsenrichtung zu bewegen, bewegt sich
währenddessen die Kupplungsklammer 217, die mit dem y-Bewegungsblock 224 ge
koppelt ist, vorwärts oder rückwärts in einer y-Achsenrichtung nach dem gleichen Prin
zip, wie vorangehend beschrieben. Daher bewegt sich der z-Achsenmotor 231 und der
z-Achsenblock 234, die mit der Kupplungsklammer 217 gekoppelt sind, in einer y-Ach
senrichtung. Folglich bewegt sich die Probestückbühne 130, die mit dem z-Achsenbe
wegungsblock 234 gekoppelt ist, in einer y-Achsenrichtung. Da der y-Achsenbewe
gungsblock 224 so aufgebaut ist, um in einen Zustand zu gleiten, bei dem er auf dem z-
Achsenbewegungsblock 234 liegt, beeinflußt zu diesem Zeitpunkt der y-
Achsenbewegungsblock 224 eine x-Achsenrichtungsbewegung nicht im geringsten.
Wenn der z-Achsenmotor 231 zum Drehen der z-Achsenkugelschraubenwelle
232a angetrieben wird, um die Probestückbühne 130 in einer z-Achsenrichtung zu be
wegen, bewegt sich ebenso die z-Achsenbewegungsschraubenmutter 232b nach oben
oder unten. Der z-Achsenbewegungsblock 234, der mit der z-Achsenbewegungsschrau
benmutter 232b gekoppelt ist, bewegt sich nach oben oder unten. Folglich bewegt sich
die Probestückbühne 130, die mit dem z-Achsenbewegungsblock 234 gekoppelt ist, in
einer z-Achsenrichtung. An diesem Punkt ist ein Sensor (nicht dargestellt) an der z-
Achsenlinearbewegungsführung 235 angeordnet, um einen z-Achsenrichtungsbewe
gungsabstand zu steuern, um zu verhindern, daß der Halbleiterwafer die Objektlinse 111
während einer z-Achsenrichtungsbewegung berührt. Der z-Achsenbewegungsblock 234
beeinflußt eine x-Achsenbewegungsrichtung oder eine y-Achsenbewegungsrichtung
nicht im geringsten.
Die Dreheinheit 180 enthält eine Vakuumeinspannvorrichtung 185, wie in Fig. 9
und 10 gezeigt. Die Vakuumeinspannvorrichtung 185 enthält eine Vakuumleitung 185a
und einen Vakuumabsorber 185b, und hält den Halbleiterwafer W unter Einsatz von
Unterdruck. Die Vakuumeinspannvorrichtung 185 ist an einer Basis der Probestück
bühne 130 angeordnet und ist mit einem Motor 183 durch ein Kopplungsteil 181
gekoppelt. Die Vakuumeinspannvorrichtung 185 dreht den Halbleiterwafer W durch die
von dem Motor 183 erzeugte Leistung horizontal. Vorzugsweise wird als der Motor 183
ein Gleichstrommotor verwendet.
Die Neigungseinheit 240 enthält eine Drehwelle 241 und einen Motor 233, wie in
Fig. 7 und 11 gezeigt. Die Drehwelle 241 lagert die Probestückbühne 130 drehbar. Der
Motor 243 erzeugt eine Leistung zum vertikalen Drehen der Drehwelle 241. Vorzugs
weise wird als der Motor 241 ein Schrittmotor verwendet. Die Neigungseinheit 240
kann die Probestückbühne 130 vertikal von 0 Grad bis 180 Grad drehen, wodurch ein
vertikaler Drehwinkel (d. h. ein Neigungswinkel) durch den Benutzer manuell oder au
tomatisch bestimmt wird.
Durch Benutzen der Neigungseinheit 240 werden keine Waferhaltevorrichtungen
benötigt und somit wird ein Waferuntersuchungsverfahren vereinfacht, wodurch eine
Wafenintersuchungszeit verringert wird. Ebenso wird es möglich, einen Fasen-Ab
schnitt des Halbleiterwafers, ebenso wie einen Rand-Abschnitt des Halbleiterwafers W
zu untersuchen.
Wie es in den Fig. 8, 9 und 12 gezeigt ist, enthält die Probestückbühne 130 min
destens einen Wafererfassungssensor 131 und mindestens zwei Waferstopper 133. Der
Wafererfassungssensor 131 tastet ab, ob der Halbleiterwafer W auf der Probestückbühne
130 plaziert ist oder nicht. Die beiden Waferstopper 133 sind in einem Radiusabstand
des runden Abschnitts R des Halbleiterwafers W von dem zentralen Schwenkpunkt der
Vakuumeinspannvorrichtung 185 angeordnet. Wenn der Halbleiterwafer W auf der
Probestückbühne 130 derart angeordnet ist, daß die zwei Waferstopper 133 kontaktiert
werden, wird daher der Mittelpunkt des Halbleiterwafers genau auf den zentralen
Schwenkpunkt der Vakuumeinspannvorrichtung 185 gelegt. Die Waferstopper 133 sind
so aufgebaut, daß sie durch Betrieb der entsprechenden Luftzylinder 135 nach vorne
oder rückwärts bewegt werden. Wenn der Halbleiterwafer genau mit der Vakuum
einspannvorrichtung 185 ausgerichtet ist, bewegen sich die Waferstopperstifte 133
durch Betrieb der Luftzylinder 135 rückwärts, um nicht zu verhindern, daß der Fasen-
Abschnitt des Halbleiterwafers untersucht werden kann. Das heißt, der Ausrichtungsstift
133 wird durch den Betrieb der Luftzylinder 135 aus einem Kontaktieren des Fasen-Ab
schnitts des Halbleiterwafers W gelöst.
Da der Halbleiterwafer W mit der Probestückbühne 130 durch die Waferstopper
133 richtig ausgerichtet ist, ist es möglich, die Probestückbühne 130 ohne eine Beschä
digung des Mikroskops zu drehen oder zu neigen. Wenn z. B. ein Mittelpunkt des
Halbleiterwafers nicht richtig mit dem zentralen Schwenkpunkt der Vakuumeinspann
vorrichtung 185 ausgerichtet ist, ist ein Arbeitsabstand zwischen der Objektlinse 111
und dem Halbleiterwafer W, welche von der Verstärkungsleitung der Objektlinse 111
abhängt, nicht sichergestellt, worauf die Objektlinse 111 während eines horizontalen
Drehvorgangs oder eines Neigungsvorgangs beschädigt werden kann. Außerdem ist es
schwierig, die Objektlinse auf dem Halbleiterwafer W zu fokussieren, wodurch die Fo
kussierungszeit sich erhöht.
Währenddessen kann der Wafererfassungssensor 131 eine Funktion zum Erfassen,
ob der Halbleiterwafer W richtig mit der Vakuumeinspannvorrichtung 185 ausgerichtet
ist oder nicht, aufweisen. Ansonsten kann ein Sensor, der einen Ausrichtungszustand
des Halbleiterwafers W erfaßt, zusätzlich angeordnet sein.
Wie in Fig. 9 gezeigt, ist ein Flachzonenerfassungssensor 137 an einer vorbe
stimmten Stelle der Probestückbühne 130 zum Erfassen einer flachen Zone FZ des
Halbleiterwafers W angeordnet. Vorzugsweise wird ein Photorsensor, der einen licht
emittierenden Abschnitt und einen lichtabsorbierenden Abschnitt enthält, als Flachzo
nenerfassungssensor 137 verwendet.
Der Photorsensor 137 erfaßt die flache Zone des Halbleiterwafers wie folgt: wenn
ein runder Abschnitt R des Halbleiterwafers W zwischen dem lichtemittierenden Ab
schnitt und dem lichtabsorbierenden Abschnitt des Photorsensors 137 positioniert ist,
kann das von dem lichtemittierenden Abschnitt emittierte Licht nicht den lichtabsorbie
renden Abschnitt erreichen. Wenn jedoch die flache Zone FZ des Halbleiterwafers W
richtig zwischen dem lichtemittierenden Abschnitt und dem lichtabsorbierenden Ab
schnitt des Photorsensors 137 positioniert ist, ist es möglich die flache Zone FZ des
Halbleiterwafers zu erfassen, da das von dem lichtemittierenden Abschnitt emittierte
Licht bei dem lichtabsorbierenden Abschnitt ankommt.
Der runde Abschnitt R des Halbleiterwafers W wird während der Halbleiterwafer
W sich dreht untersucht. Danach wird die flache Zone FZ des Halbleiters untersucht. In
diesem Fall ist die Objektlinse 111 nicht auf die flache Zone FZ des Halbleiterwafers W
fokussiert, da die flache Zone und der gerundete Abschnitt des Halbleiterwafers einen
unterschiedlichen Radius besitzen. Daher muß die Radiusdifferenz zwischen dem
runden Abschnitt R und der flachen Zone FZ kompensiert werden.
Wenn die flache Zone FZ des Halbleiterwafers W durch den Flachzonenerfas
sungssensor 137 erfaßt wird, gibt der Flachzonenerfassungssender 137 ein Signal zu
einem Mikroprozessor oder einer programmierbaren Logiksteuereinrichtung (PLC) aus,
um die z-Achsenbewegungseinheit (d. h., den z-Achsenmotor und den z-Achsen
bewegungsblock) um soviel zu bewegen, wie es einem ursprünglichen Einstellungswert
entspricht, d. h. einer Radiusdifferenz zwischen dem runden Abschnitt R und der Flach
zone FZ. Folglich wird die Probestückbühne 130 durch die z-Achsenbewegungseinheit
nach oben bewegt und die Objektlinse 111 wird auf die Probestückbühne 130 fokussiert.
Um auch die bleibenden Abschnitte der flachen Zone FZ, die noch nicht untersucht
worden sind, zu untersuchen, bewegt sich die Probestückbühne 130 in einer y-Achsen
richtung.
Fig. 13 zeigt die Steuervorrichtung 170. Die Steuervorrichtung 170 enthält einen
Bewegungsmodusauswahlabschnitt 171, einen Neigungswinkelauswahlabschnitt 173,
einen Leistungsauswahlabschnitt 175, einen Bereichslampenein/aus-Auswahlabschnitt
177 und einen Linsendrehabschnitt 179.
Der Bewegungsmodusauswahlabschnitt 171 wird zum Auswählen einer X-Ach
senrichtungbewegung, einer Y-Achsenrichtungbewegung, einer Z-Achsenrichtungsbe
wegung oder einer horizontalen Drehung des Halbleiters W verwendet. Ein Joystick "J"
wird zum Auswählen eines Bewegungsmodus, wie beispielsweise einer X-Achsenrich
tungsbewegung, einer Y-Achsenrichtungsbewegung, einer Z-Achsenrichtungsbewegung
und einer horizontalen Drehung des Halbleiterwafers W verwendet.
Ein Bewegungsmoduswechselschalter 171a wird zum Wechseln des Bewe
gungsmodus von einer x-Achsenbewegungsrichtung zu einer horizontalen Drehung oder
von einer y-Achsenrichtungsbewegung zu einer z-Achsenrichtungsbewegung verwen
det. Ein Bewegungsgeschwindigkeitsveränderungsknopf 171b wird zum Steuern einer
Bewegungsgeschwindigkeit des Halbleiterwafers W verwendet.
Der Neigungswinkelauswahlabschnitt 173 wird zum Auswählen eines Neigungs
winkelzustands der Probestückbühne 130 verwendet. Der Neigungswinkelauswahlab
schnitt 173 enthält eine Vielzahl von Neigungswinkelauswahlknöpfen 173a, von denen
jeder einem unterschiedlichen vorbestimmten Neigungswinkel entspricht, und einen
Neigungswinkelbenutzereingabeknopf 173c. Ein Benutzer kann einen gewünschten
Neigungswinkel durch Auswählen eines vorbestimmten Neigungswinkels mit den Nei-
gungswinkelauswahlknöpfen 173a oder durch Eingeben eines bestimmten gewünschten
Neigungswinkels mit dem Neigungswinkelbenutzereingabeknopf 173c auswählen. Der
Neigungswinkelauswahlabschnitt 173 enthält ferner einen Geschwindigkeitssteuerknopf
173e zum Steuern einer Neigungsvorgangsgeschwindigkeit. Der Neigungswinkelaus
wahlknopf 173a der Fig. 13 enthält sechs (6) Neigungswinkelknöpfe mit Neigungswin
kel 0°, 35°, 45°, 90°, 125° und 180° und daher kann der gesamte Abschnitt des
Halbleiterwafers einschließlich eines Rand-Abschnitts, eines Fasen-Abschnitts und
eines runden Abschnitts untersucht werden. Wenn die Probestückbühne 130
beispielsweise einen Neigungswinkel von 0° aufweist, kann die Oberfläche und der
Rand-Abschnitt des Halbleiterwafers W untersucht werden. Wenn die Probestückbühne
130 um einen Neigungswinkel von 180° geneigt ist, kann der Bodenabschnitt des
Halbleiterwafers W untersucht werden.
Der Leistungsauswahlabschnitt 175 wird zum Ein- und Ausschalten des Mikro
skops 100 verwendet. Der Linsendrehabschnitt 179 wird zum Drehen der Objektlinse in
einer vorbestimmten Richtung verwendet.
Das vorhergehend beschriebene Mikroskop weist einen oder mehrere der folgen
den Vorteile auf: Erstens, da die Probestückbühne Dreh- und Neigungsvorgänge
durchführen kann, ebenso wie eine horizontale Verschiebung und eine vertikale
Verschiebung, ist es möglich, gleichzeitig den Rand-Abschnitt und den Fasen-Abschnitt
des Halbleiterwafers zu untersuchen, wodurch die Waferuntersuchungszeit verringert
ist. Ebenso werden keine Waferhaltevorrichtungen benötigt, die jeweils einen
unterschiedlichen Neigungswinkel aufweisen. Ebenso treten keine Kontaminationen
aufgrund der Behandlung des Waferprobestücks, wie beispielsweise dem Befördern und
Schneiden des defekten Halbleiterwafers auf, wodurch die Untersuchungsdaten eine
Zuverlässigkeit aufweisen können. Da über dies eine regelmäßige Überwachung
während eines Herstellungsverfahrens des Halbleiterwafers durchgeführt wird, ist es
möglich, Defekte im Vorhinein zu finden und zu verhindern. Schlußendlich ist es
möglich, den Halbleiterwafer, der Defekte in dem Rand-Abschnitt und den Fasen-
Abschnitt aufweist, genau zu untersuchen und klar zu analysieren oder Defektfaktoren
zu bestimmen, und ebenso ist die Untersuchungszeit kurz, wodurch eine geeignete
Abhilfe durchgeführt werden kann, was zu einer hohen Herstellungsausbeute führt.
Obwohl die Erfindung genau gezeigt und mit Bezug auf ihre bevorzugten Ausfüh
rungsformen beschrieben worden ist, ist es für den Fachmann ersichtlich, daß die vor
hergehenden und anderen Veränderungen in Form und Detail gemacht werden können,
ohne von dem Grundgedanken und Umfang der Erfindung abzuweichen.
Claims (17)
1. Mikroskop zur Untersuchung eines Halbleiterwafers, das aufweist:
eine optische Einheit, die Objektlinsen und Okulare zum Observieren des Halb leiterwafers enthält;
eine Anzeigeeinheit zum Vergrößern und Anzeigen einer Abbildung des Halblei terwafers, der durch die optische Einheit observiert wird;
eine Probestückbühne, die den Halbleiterwafer hält;
eine Bühnenbewegungseinheit zum Bewegen des Halbleiterwafers in einer x-Ach senrichtung, einer y-Achsenrichtung und/oder eine z-Achsenrichtung;
eine Bühnendreheinheit zum Drehen des Halbleiterwafers in einer horizontalen Richtung;
eine Bühnenneigungseinheit zum Neigen des Halbleiterwafers; und
eine Steuervorrichtung zum Steuern des Betriebs des Mikroskops.
eine optische Einheit, die Objektlinsen und Okulare zum Observieren des Halb leiterwafers enthält;
eine Anzeigeeinheit zum Vergrößern und Anzeigen einer Abbildung des Halblei terwafers, der durch die optische Einheit observiert wird;
eine Probestückbühne, die den Halbleiterwafer hält;
eine Bühnenbewegungseinheit zum Bewegen des Halbleiterwafers in einer x-Ach senrichtung, einer y-Achsenrichtung und/oder eine z-Achsenrichtung;
eine Bühnendreheinheit zum Drehen des Halbleiterwafers in einer horizontalen Richtung;
eine Bühnenneigungseinheit zum Neigen des Halbleiterwafers; und
eine Steuervorrichtung zum Steuern des Betriebs des Mikroskops.
2. Mikroskop nach Anspruch 1, wobei die Bühnenneigungseinheit enthält:
eine Drehwelle zum drehbaren Lagern der Probestückbühne; und
einen Motor zum Erzeugen einer Leistung, um die Drehwelle vertikal zu drehen.
eine Drehwelle zum drehbaren Lagern der Probestückbühne; und
einen Motor zum Erzeugen einer Leistung, um die Drehwelle vertikal zu drehen.
3. Mikroskop nach Anspruch 2, wobei der Motor der Bühnenneigungseinheit ein
Schrittmotor ist.
4. Mikroskop nach Anspruch 1, wobei die Probestückbühne mindestens einen Wa
fererfassungssensor zum Erfassen, ob der Halbleiterwafer auf der Probestück
bühne liegt, enthält.
5. Mikroskop nach Anspruch 1, wobei die Probestückbühne mindestens zwei Wafer
stopper in einem Radiusabstand eines runden Abschnitts des Halbleiterwafers von
einem zentralen Schwenkpunkt des Halbleiterwafers aus enthält.
6. Mikroskop nach Anspruch 1, wobei die Probestückbühne einen Flachzonenerfas
sungssensor zum Erfassen einer flachen Zone des Halbleiterwafers enthält.
7. Mikroskop nach Anspruch 1, wobei die Bühnendreheinheit eine Vakuumleitung,
eine Vakuumeinspannvorrichtung einschließlich eines Vakuumabsorbers zum
Halten des Halbleiterwafers durch Einsatz von Unterdruck und einen Motor zum
Erzeugen einer Leistung zum Drehen der Vakuumeinspannvorrichtung enthält.
8. Mikroskop nach Anspruch 7, wobei der Motor der Bühnendreheinheit ein Gleich
strommotor ist.
9. Untersuchungsstation für einen Halbleiterwafer, die aufweist:
eine Plattform zum Halten des Halbleiterwafers darauf;
eine Dreheinrichtung zum Drehen des Halbleiterwafers zu einem gewünschten Neigungswinkel;
eine Steuervorrichtung zum Einstellen des Neigungswinkel des Halbleiterwafers; und
eine optische Einheit zum Ansehen einer Abbildung von zumindest einem Ab schnitt des Halbleiterwafers, um darauf eine Untersuchung durchzuführen.
eine Plattform zum Halten des Halbleiterwafers darauf;
eine Dreheinrichtung zum Drehen des Halbleiterwafers zu einem gewünschten Neigungswinkel;
eine Steuervorrichtung zum Einstellen des Neigungswinkel des Halbleiterwafers; und
eine optische Einheit zum Ansehen einer Abbildung von zumindest einem Ab schnitt des Halbleiterwafers, um darauf eine Untersuchung durchzuführen.
10. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, die ferner eine Anzeigeeinheit zum An
zeigen der Abbildung des Abschnitts des Halbleiterwafers aufweist.
11. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, die ferner eine Plattformbewegungsein
heit zum Bewegen der Plattform entlang von mindestens zwei Achsen aufweist.
12. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, wobei die Dreheinrichtung ferner auf
weist:
eine Vakuumeinspannvorrichtung zum Halten des Halbleiterwafers auf der Platt form; und
einen Motor zum Zuführen von Leistung zu der Vakuumeinspannvorrichtung.
eine Vakuumeinspannvorrichtung zum Halten des Halbleiterwafers auf der Platt form; und
einen Motor zum Zuführen von Leistung zu der Vakuumeinspannvorrichtung.
13. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, wobei der Motor ein Schrittmotor ist.
14. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, wobei die Plattform mindestens einen
Wafererfassungssensor zum Erfassen, ob der Halbleiterwafer auf der Plattform
liegt, enthält.
15. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, wobei die Plattform mindestens einen
Waferstopper zum Ausrichten des Halbleiterwafers auf der Plattform enthält.
16. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, wobei die Steuervorrichtung eine Ein
richtung zum Auswählen eines gewünschten Neigungswinkel des Halbleiterwa
fers enthält.
17. Untersuchungsstation nach Anspruch 9, wobei die Steuervorrichtung eine Ein
richtung zum Steuern einer Geschwindigkeit enthält, mit welcher der Neigungs
winkel des Halbleiterwafers geändert wird.
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