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QUERVERWEIS
AUF VERWANDTE ANMELDUNG
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Diese
Anmeldung beansprucht die Priorität der am 19. März 2001
eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 2001-14093, deren
Inhalt hier in durch Bezugnahme mit enthalten ist.
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HINTERGRUND
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Waferuntersuchungssystem zum
Untersuchen eines Halbleiterwafers.
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Beschreibung
des Standes der Technik
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Da
eine Halbleitervorrichtung hoch-integriert ist, fallen die auf dem
Halbleiterwafer ausgebildeten Schichten verschiedenartig aus und
verbleibende Schichten auf einem Rand-Abschnitt und ein Abschnitt
mit einer vorbestimmten Dicke (im folgenden als Fasen-Abschnitt
bezeichnet) des Halbleiterwafers sind schwieriger zu entfernen.
Diese verbleibenden Schichten auf dem Rand-Abschnitt und dem Fasen-Abschnitt
des Halbleiterwafers erstrecken sich während eines Trockenätzverfahrens
und eines Naßätzverfahrens
in den Chip-Abschnitt des Halbleiterwafers aus und stellen Partikel
dar, die zahlreiche Defekte auf dem Halbleiterwafer verursachen.
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1 zeigt
eine Draufsicht, die einen typischen Halbleiterwafer darstellt,
und 2 zeigt eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie II-II der 1. Der Halbleiterwafer wird
zahlreichen Verfahren unterzogen, wie beispielsweise einem Verfahren zum
Abscheiden einer Schicht auf seiner Oberfläche, einem Verfahren zum Mustern
bzw. Maskieren der abgeschiedenen Schicht, und ein Verfahren zum
Ionenimplantieren von Störstellen.
Jedoch werden diese Verfahren nicht nur auf einer Oberfläche des
Wafers W durchgeführt.
Mit anderen Worten, eine Schicht kann an einem Rand-Abschnitt E,
einem Fasen-Abschnitt B und sogar auf einem Bodenabschnitt L des
Halbleiterwafers abgeschieden werden. Die Restschicht auf dem Rand-Abschnitt
E, dem Fasen-Abschnitt B und dem Bodenabschnitt L wird als eine
Quelle von Partikeln, die einen Chip-Abschnitt C des Halbleiterwafers W beeinflussen
und zahlreiche Defekte, wie beispielsweise eine Kontamination bzw. Verschmutzung
des Halbleiterwafers, verursachen, wodurch die Herstellungsausbeute
verringert wird.
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Um
das Problem zu lösen,
ist ein Verfahren zum Zuschneiden des Fasen-Abschnitts B unter Verwendung
einer Oxid-Naßätztechnik
hinzugefügt
worden, um den Defekt des Halbleiterwafers zu unterdrücken. Jedoch
weist dies ein Problem dahingehend auf, daß ein Verfahren kompliziert
ist und es kann einen grundlegenden Wert der Defekte, die aus dem Rand-Abschnitt
und dem Fasen-Abschnitt des Halbleiterwafers resultieren, nicht
lösen.
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3 zeigt
ein Verfahren zum Untersuchen eines Halbleiterwafers unter Verwendung
eines herkömmlichen
Mikroskops. Um Defekte auf dem Halbleiterwafer zu untersuchen wird
als erstes der Halbleiterwafer W, der die Defekte aufweist, die
aus einem Rand-Abschnitt E und seinem Fasen-Abschnitt B resultieren,
in einem Analyseraum befördert.
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Der
defekte bzw. fehlerhafte Halbleiterwafer W wird auf eine Probestückbühne 1 gelegt
und anschließend
werden fehlerhafte Abschnitte und ein Rand-Abschnitt E unter Verwendung
eines Mikroskops 5 untersucht. Die Probestückbühne 1 ist
so aufgebaut, daß lediglich
eine horizontale Verschiebung und eine vertikale Verschiebung, d.h.,
x- Achsen-Richtung
(links und rechts), y-Achse (vorne und hinten) und z-Achsen-Bewegungen
(hoch und runter) durchgeführt
werden können.
Jedoch besitzt die Probestückbühne 1 keine
horizontale oder vertikale Drehfunktion.
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Um
daher den Fasen-Abschnitt B des Halbleiterwafers W zu untersuchen,
wird ein Stück
des Halbleiterwafers W, der untersucht werden soll, unter Verwendung
eines Diamantmessers 2 manuell geschnitten. Der Schnitteil
des Halbleiterwafers W wird auf einer Waferhaltevorrichtung 3 mit
einem vorbestimmten Neigungswinkel unter Verwendung eines Kohlenstoffbandes
befestigt. Mit anderen Worten, um den Fasen-Abschnitt B des Halbleiterwafers
W zu untersuchen, werden zahlreiche Waferhaltevorrichtungen 3 mit
unterschiedlichen Neigungswinkeln benötigt.
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4 zeigt
eine Fotografie, die einen Rand-Abschnitt des Halbleiterwafer darstellt,
und 5 zeigt eine Fotografie, die den Fasen-Abschnitt des
Halbleiterwafers darstellt. Wie in 4 und 5 gezeigt,
sind in dem Rand-Abschnitt und dem Fasen-Abschnitt des Halbleiterwafers
W Defekte zu finden. Derartige Defekte erstrecken sich in den Chip-Abschnitt
C des Halbleiterwafers W fort und bilden Verunreinigungselemente,
die den Chip-Abschnitt C des Halbleiterwafers W kontaminieren.
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Das
oben beschriebene herkömmliche
Mikroskop weist folgende Nachteile auf. Erstens, da die Probestückbühne lediglich
eine horizontale und eine vertikale Verschiebung durchführt, ist
es unmöglich gleichzeitig
den Rand-Abschnitt und den Fasen-Abschnitt
des Halbleiterwafers zu untersuchen, wodurch die Waferuntersuchungszeit
erhöht
wird. Zweitens, während
der Behandlung eines Waferprobestücks, wie beispielsweise einem
Transportieren und Schneiden eines defekten Halbleiterwafers, kann eine
andere Kontamination des Waferprobestücks auftreten, wodurch die
Untersuchungsdaten Fehler enthalten können. Drittens, da ein regelmäßiges Überprüfen während eines
Herstellungsverfahrens des Halbleiters nicht durchgeführt wird,
ist es schwierig, im vorhinein Defekte zu finden und zu verhindern. Viertens,
um verschiedene Neigungen des Fasen-Abschnitts des Halbleiterwafers
zu untersuchen, sind viele Waferhaltevorrichtungen mit jeweils unterschiedlichen
Neigungswinkeln erforderlich. Zu guter letzt ist es schwierig, den
Halbleiterwafer mit Defekten in dem Rand-Abschnitt und dem Fasen-Abschnitt genau
zu untersuchen und klar zu analysieren oder Defektfaktoren zu bestimmen,
und ebenso ist die Untersuchungszeit lang, so daß eine geeignete Abhilfe nicht
durchgeführt
werden kann.
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Die
US-Patent 4,938,654 offenbart ein Waferuntersuchungssystem gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
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KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
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Es
ist daher eine Aufgabe der Erfindung, die zuvor beschriebenen Probleme
zu lösen.
Bevorzugte Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sehen ein Waferuntersuchungssystem zum
Untersuchen eines Halbleiterwafers vor, das eine genaue Untersuchung,
ein klares Analysieren oder Bestimmen von Defektfaktoren durchführen kann,
wodurch die Herstellungsausbeute erhöht wird.
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Ein
weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es, ein Waferuntersuchungssystem
zur Unter suchung eines Halbleiterwafers mit einer kurzen Untersuchungszeit
vorzusehen.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die
Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
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Um
die obige Aufgabe zu lösen,
sehen die bevorzugten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung ein Waferuntersuchungssystem zum Untersuchen
eines Halbleiterwafers vor, das aufweist: ein Mikroskop mit einer
optischer Einheit einschließlich
Objektlinsen und Okularen zum Beobachten bzw. Observieren des Halbleiterwafers;
eine Anzeigeeinheit zum Vergrößern und
Anzeigen einer Abbildung des Halbleiterwafers, der durch die optische
Einheit beobachtet wird; eine Probestückbühne, die den Halbleiterwafer
hält; eine
Bühnenbewegungseinheit zum
Bewegen des Halbleiterwafers in einer x-Achsen-Richtung, einer y-Achsen-Richtung und/oder
einer z-Achsen-Richtung; eine Bühnendreheinheit
zum Drehen des Halbleiterwafers in einer horizontalen Richtung;
eine Bühnenneigungseinheit
zum Neigen des Halbleiterwafers; und eine Steuervorrichtung für einen
Steuerbetrieb des Mikroskops.
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Die
Bühnenneigungseinheit
enthält
eine Drehwelle zum drehbaren Lagern der Pobestückbühne und einen Motor zum Erzeugen
von Leistung zum vertikalen Drehen der Drehwelle. Vorteilhafterweise ist
der Motor der Bühnenneigungseinheit
ein Schrittmotor. Die Probestückbühne enthält zumindest
einen Wafererfassungsensor zum Erfassen, ob der Halbleiterwafer
auf der Probestückbühne liegt
oder nicht. Die Probestückbühne enthält zumindest
zwei Waferstopper in einem Radiusabstand eines rundes Abschnitts
des Halbleiterwafers von einem zentralen Schwenkpunkt bzw. der Drehachse
des Halbleiterwafers. Die Probestückbühne enthält einen Flachzonenerfassungssensor
zum Erfassen einer flachen Zone des Halbleiterwafers. Die Bühnendreheinheit enthält eine
Vakuumleitung, eine Vakuumeinspannvorrichtung, die einen Vakuumabsorber
zum Halten des Halbleiterwafers unter Einsatz von Unterdruck enthält, und
einen Motor zum Erzeugen einer Leistung zum Drehen der Vakuumeinspannvorrichtung. Vorteilhafterweise
ist der Motor der Bühnendreheinheit
ein Gleichstrommotor.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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Für ein vollständigeres
Verständnis
der vorliegende Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgenden
Beschreibungen in Zusammenhang mit der begleitenden Zeichnung Bezug
genommen, in welcher ähnliche
Bezugszeichen ähnliche
Teile bezeichnen und in welcher:
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1 eine
Draufsicht zeigt, die einen typischen Halbleiterwafer darstellt;
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2 eine
Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II in 1 zeigt;
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3 ein
Verfahren zum Testen eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines
herkömmlichen Mikroskops;
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4 eine
Fotografie zeigt, die einen Rand-Abschnitt des Halbleiterwafers
darstellt; und
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5 eine
Fotografie, die einen Fasen-Abschnitt des Halbleiterwafers darstellt;
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6 eine
schematische Ansicht zeigt, die ein Waferuntersuchungssystem gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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7 eine
Vorderansicht zeigt, die ein Mikroskop gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung darstellt;
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8 eine
Seitenansicht zeigt, die das Mikroskop gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung darstellt;
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9 eine
Draufsicht zeigt, die eine Probestückbühne gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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10 einen
Querschnittsansicht zeigt, die eine Dreheinheit gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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11 den
Betrieb einer Neigungseinheit gemäß der bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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12 eine
vergrößerte Ansicht
zeigt, die einen Abschnitt A in 9 darstellt;
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13 eine
Draufsicht zeigt, die eine Steuervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Es
wird nun auf bevorzugte Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung, von denen Beispiele in den begleitenden
Zeichnungen dargestellt sind, detailliert Bezug genommen.
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6 zeigt
eine schematische Ansicht, die ein Wafertest- bzw. Prüfsystem
darstellt, das ein Mikroskop zum Prüfen eines Halbleiterwafers
benutzt. 7 zeigt eine Vorderansicht,
die das Mikroskop der 6 darstellt, und 8 zeit
eine Seitenansicht, die das Mikroskop der 6 darstellt.
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Das
Mikroskop 100 enthält
eine optische Einheit 110, eine Anzeigeneinheit 120,
eine Probestückbühne 130,
eine Steuervorrichtung 170, eine Dreheinheit 180 und
eine Bühnenbewegungseinheit 200.
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Die
optische Einheit 110 enthält eine Objektlinse 111 und
ein Okular 113, und es wird zum Beobachten eines Waferprobestücks, das
auf der Probestückbühne 130 liegt,
durch die Objektlinse 110 und das Okular 113 benutzt.
Die Anzeigeeinheit 120 vergrößert das Bild des durch die
optische Einheit 110 beobachteten Probestückwafers
und zeigt es an. Die Dreheinheit 180 dreht den Probestückwafer
auf der Probestückbühne 130 in
einer horizontalen Richtung. Die Bühnenbewegungseinheit 200 enthält eine
Achsenrichtungsbewegungseinheit 210 und eine Neigungseinheit 240.
Die Achsenrichtungsbewegungseinheit 210 bewegt die Probestückbühne 130 in
einer x-Achsenrichtung, einer y-Achsenrichtung oder einer z-Achsenrichtung.
Die Neigungseinheit 240 neigt die Probestückbühne 130 zu
einem gewünschten
Neigungswinkel. Das heißt,
die Neigungseinheit 240 dreht die Probestückbühne 130 in
einer vertikalen Richtung. Die Steuervorrichtung 170 steuert
alle Komponenten des Mikroskops 100.
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Wie
in 7 und 8 gezeigt, enthält die Achsenrichtungsbewegungseinheit 210 x-,
y- und z-Achsenmotoren 211, 221 und 231,
x-, y- und z-Achsenkugelschraubenwellen 212a, 222a und 232a,
x-, y- und z-Achsenbewegungsschraubenmuttern 212b, 222b und 232b,
x-, y- und z-Achsenbewegungsblöcke 214, 224, 234 und
x-, y- und z-Achsenlinearbewegungsführungen 215, 225 und 235.
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Die
x-, y- und z-Achsenmotoren 211, 221 und 231 erzeugen
Leistung. Die x-, y- und
z-Achsenkugelschraubenwellen 212a, 222a und 232a werden durch
die von den x-, y- und z-Achsenmotoren 211, 221 bzw. 231 erzeugten
Leistung gedreht. Die x-, y- und z-Bewegungsschraubenmuttern 212b, 222b und 232b führen eine
lineare Bewegung durch und die x-, y- und z-Achsenbewegungsblöcke 214, 224 und 234 sind
mit den x-, y- und z-Achsenbewegungsschraubenmuttern 212b, 222b bzw. 232b durch
entsprechende Kopplungsklammern gekuppelt und führen eine lineare Bewegung
durch. Bei den 7 und 8 bezeichnen
Bezugszeichen 213 und 223 Kopplungsklammern, die
mit den x- und y- Bewegungsschraubenmuttern 212b und 222b korrespondieren,
und eine Kopplungsklammer, die mit der z-Bewegungsschraube 232b korrespondiert,
wird nicht gezeigt. Die x-, y- und z-Achsenlinearbewegungsführungen 215, 225 und 235 führen die
lineare Bewegung der x-, y- und z-Achsenbewegungsblöcke 214, 224 bzw. 234.
Die Achsenrichtungsbewegungseinheit 214, die wie voranstehend
beschrieben aufgebaut ist, bewegt die Probestückbühne 130 in einer horizontalen
Richtung oder einer vertikalen Richtung.
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Die
Probestückbühne 130 ist
mit dem z-Achsenbewegungsblock 234 gekoppelt. Der z-Achsenbewegungsblock 234 weist
die Form des Buchstabens "L" auf und plaziert
die Probestückbühne 130 unter
der Objektlinse 111.
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Eine
Bezugsnummer 217 bezeichnet eine Kopplungsklammer, die
mit dem z-Achsenmotor 231 gekoppelt ist. Die Kopplungsklammer 217 ist
ebenso mit dem y-Achsenbewegungsblock 224 gekoppelt und
führt somit
eine lineare Bewegung durch, um die Probestückbühne 130 in einer x-Achsensrichtung oder
einer y-Achsenrichtung zu bewegen, wenn der x-Achsenbewegungsblock 214 oder
der y-Achsenbewegungsblock 224 eine lineare Bewegung durchführt. Die
Kopplungsklammer 270 ist strukturell von dem z-Achsenbewegungsblock 234 getrennt
und bewegt sich somit nicht, wenn der z-Achsenbewegungsblock 234 eine
lineare Bewegung durchführt.
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Der
Betrieb der Achsenrichtungsbewegungseinheit 210 wird nachstehend
detaillierter beschrieben.
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Wenn
der x-Achsenmotor 211 zum Drehen der x-Achsenkugelschraubenwelle 212a angetrieben wird,
um die Probestückbühne 130 in
einer x-Achsenrichtung zu bewegen. führt die x-Achsenbewegungsschraubenmutter 212b,
die an einem äußeren Umfang
der x-Achsenkugelschraubenwelle 212a gekoppelt ist, eine
lineare Bewegung durch. Der x-Achsenbewegungsblock 214,
der mit der x-Achsenbewegungsschraubenmutter 212b gekoppelt
ist, bewegt sich entlang der x-Achsenlinearbewegungsführung 215 vorwärts oder
rückwärts. Die
y-Achsenrichtungsbewegungseinheit, d. h., der y-Achsenmotor 221 und der y-Achsenbewegungsblock 224,
die über
dem x-Achsenbewegungsblock 214 angeordnet sind, führen eine
Vorwärtsbewegung
oder eine Rückwärtsbewegung
zusammen mit einer Vorwärtsbewegung oder
einer Rückwärtsbewegung
des x-Achsenbewegungsblocks 214 durch. Die z-Achsenbewegungseinheit,
d. h., der z-Achsenmotor 231 und
der z-Achsenbewegungsblock 234, die mit dem y-Achsenbewegungsblock 224 durch
die Kopplungsklammer 217 gekoppelt sind, führen eine
Vorwärtsbewegung
oder eine Rückwärtsbewegung
zusammen mit dem y-Achsenbewegungsblock 224 durch. Folglich
bewegt sich die Probestückbühne 130,
die mit dem z-Achsenbewegungsblock 234 gekoppelt
ist, in einer x-Achsenrichtung. In der Zeichnung ist ein Kopplungszustand
des y-Achsenbewegungsblocks 234 nicht gezeigt.
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Um
die Probestückbühne 130 in
einer y-Achsenrichtung zu bewegen, bewegt sich währenddessen die Kupplungsklammer 217,
die mit dem y-Bewegungsblock 224 gekoppelt ist, vorwärts oder
rückwärts in einer
y-Achsenrichtung nach dem gleichen Prinzip, wie vorangehend beschrieben.
Daher bewegt sich der z-Achsenmotor 231 und der z-Achsenblock 234,
die mit der Kupplungsklammer 217 gekoppelt sind, in einer
y-Achsenrichtung. Folglich bewegt sich die Probestückbühne 130,
die mit dem z-Achsenbewegungsblock 234 gekoppelt ist, in
einer y-Achsenrichtung. Da der y-Achsenbewegungsblock 224 so
aufgebaut ist, um in einen Zustand zu gleiten, bei dem er auf dem
z-Achsenbewegungsblock 234 liegt,
beeinflußt
zu diesem Zeitpunkt der y-Achsenbewegungsblock 224 eine
x-Achsenrichtungsbewegung nicht im geringsten.
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Wenn
der z-Achsenmotor 231 zum Drehen der z-Achsenkugelschraubenwelle 232a angetrieben wird,
um die Probestückbühne 130 in
einer z-Achsenrichtung zu be wegen, bewegt sich ebenso die z-Achsenbewegungsschraubenmutter 232b nach
oben oder unten. Der z-Achsenbewegungsblock 234, der mit
der z-Achsenbewegungsschraubenmutter 232b gekoppelt ist,
bewegt sich nach oben oder unten. Folglich bewegt sich die Probestückbühne 130,
die mit dem z-Achsenbewegungsblock 234 gekoppelt ist, in
einer z-Achsenrichtung. An diesem Punkt ist ein Sensor (nicht dargestellt)
an der z-Achsenlinearbewegungsführung 235 angeordnet,
um einen z-Achsenrichtungsbewegungsabstand zu steuern, um zu verhindern,
daß der
Halbleiterwafer die Objektlinse 111 während einer z-Achsenrichtungsbewegung
berührt.
Der z-Achsenbewegungsblock 234 beeinflußt eine x-Achsenbewegungsrichtung
oder eine y-Achsenbewegungsrichtung nicht im geringsten.
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Die
Dreheinheit 180 enthält
eine Vakuumeinspannvorrichtung 185, wie in 9 und 10 gezeigt. Die
Vakuumeinspannvorrichtung 185 enthält eine Vakuumleitung 185a und
einen Vakuumabsorber 185b, und hält den Halbleiterwafer W unter
Einsatz von Unterdruck. Die Vakuumeinspannvorrichtung 185 ist
an einer Basis der Probestückbühne 130 angeordnet und
ist mit einem Motor 183 durch ein Kopplungsteil 181 gekoppelt.
Die Vakuumeinspannvorrichtung 185 dreht den Halbleiterwafer
W durch die von dem Motor 183 erzeugte Leistung horizontal.
Vorzugsweise wird als der Motor 183 ein Gleichstrommotor
verwendet.
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Die
Neigungseinheit 240 enthält eine Drehwelle 241 und
einen Motor 233, wie in 7 und 11 gezeigt.
Die Drehwelle 241 lagert die Probestückbühne 130 drehbar. Der
Motor 243 erzeugt eine Leistung zum vertikalen Drehen der
Drehwelle 241. Vorzugsweise wird als der Motor 241 ein
Schrittmotor verwendet. Die Neigungseinheit 240 kann die
Probestückbühne 130 vertikal
von 0 Grad bis 180 Grad drehen, wodurch ein vertikaler Drehwinkel
(d. h. ein Neigungswinkel) durch den Benutzer manuell oder automatisch
bestimmt wird.
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Durch
Benutzen der Neigungseinheit 240 werden keine Waferhaltevorrichtungen
benötigt
und somit wird ein Waferuntersuchungsverfahren vereinfacht, wodurch
eine Waferuntersuchungszeit verringert wird. Ebenso wird es möglich, einen
Fasen-Ab schnitt des Halbleiterwafers, ebenso wie einen Rand-Abschnitt
des Halbleiterwafers W zu untersuchen.
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Wie
es in den 8, 9 und 12 gezeigt
ist, enthält
die Probestückbühne 130 mindestens
einen Wafererfassungssensor 131 und mindestens zwei Waferstopper 133.
Der Wafererfassungssensor 131 tastet ab, ob der Halbleiterwafer
W auf der Probestückbühne 130 plaziert
ist oder nicht. Die beiden Waferstopper 133 sind in einem
Radiusabstand des runden Abschnitts R des Halbleiterwafers W von
dem zentralen Schwenkpunkt der Vakuumeinspannvorrichtung 185 angeordnet.
Wenn der Halbleiterwafer W auf der Probestückbühne 130 derart angeordnet
ist, daß die
zwei Waferstopper 133 kontaktiert werden, wird daher der
Mittelpunkt des Halbleiterwafers genau auf den zentralen Schwenkpunkt der
Vakuumeinspannvorrichtung 185 gelegt. Die Waferstopper 133 sind
so aufgebaut, daß sie
durch Betrieb der entsprechenden Luftzylinder 135 nach
vorne oder rückwärts bewegt
werden. Wenn der Halbleiterwafer genau mit der Vakuumeinspannvorrichtung 185 ausgerichtet
ist, bewegen sich die Waferstopperstifte 133 durch Betrieb
der Luftzylinder 135 rückwärts, um
nicht zu verhindern, daß der
Fasen-Abschnitt
des Halbleiterwafers untersucht werden kann. Das heißt, der
Ausrichtungsstift 133 wird durch den Betrieb der Luftzylinder 135 aus
einem Kontaktieren des Fasen-Abschnitts des Halbleiterwafers W gelöst.
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Da
der Halbleiterwafer W mit der Probestückbühne 130 durch die
Waferstopper 133 richtig ausgerichtet ist, ist es möglich, die
Probestückbühne 130 ohne
eine Beschädigung
des Mikroskops zu drehen oder zu neigen. Wenn z. B. ein Mittelpunkt
des Halbleiterwafers nicht richtig mit dem zentralen Schwenkpunkt
der Vakuumeinspannvorrichtung 185 ausgerichtet ist, ist
ein Arbeitsabstand zwischen der Objektlinse 111 und dem
Halbleiterwafer W, welche von der Verstärkungsleitung der Objektlinse 111 abhängt, nicht
sichergestellt, worauf die Objektlinse 111 während eines
horizontalen Drehvorgangs oder eines Neigungsvorgangs beschädigt werden
kann. Außerdem
ist es schwierig, die Objektlinse auf dem Halbleiterwafer W zu fokussieren,
wodurch die Fokussierungszeit sich erhöht.
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Währenddessen
kann der Wafererfassungssensor 131 eine Funktion zum Erfassen,
ob der Halbleiterwafer W richtig mit der Vakuumeinspannvorrichtung 185 ausgerichtet
ist oder nicht, aufweisen. Ansonsten kann ein Sensor, der einen
Ausrichtungszustand des Halbleiterwafers W erfaßt, zusätzlich angeordnet sein.
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Wie
in 9 gezeigt, ist ein Flachzonenerfassungssensor 137 an
einer vorbestimmten Stelle der Probestückbühne 130 zum Erfassen
einer flachen Zone FZ des Halbleiterwafers W angeordnet. Vorzugsweise
wird ein Photo-sensor, der einen lichtemittierenden Abschnitt und
einen lichtabsorbierenden Abschnitt enthält, als Flachzonenerfassungssensor 137 verwendet.
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Der
Photo-sensor 137 erfaßt
die flache Zone des Halbleiterwafers wie folgt: wenn ein runder
Abschnitt R des Halbleiterwafers W zwischen dem lichtemittierenden
Abschnitt und dem lichtabsorbierenden Abschnitt des Photo-sensors 137 positioniert
ist, kann das von dem lichtemittierenden Abschnitt emittierte Licht
nicht den lichtabsorbierenden Abschnitt erreichen. Wenn jedoch die
flache Zone FZ des Halbleiterwafers W richtig zwischen dem lichtemittierenden
Abschnitt und dem lichtabsorbierenden Abschnitt des Photo-sensors 137 positioniert
ist, ist es möglich
die flache Zone FZ des Halbleiterwafers zu erfassen, da das von
dem lichtemittierenden Abschnitt emittierte Licht bei dem lichtabsorbierenden Abschnitt
ankommt.
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Der
runde Abschnitt R des Halbleiterwafers W wird während der Halbleiterwafer W
sich dreht untersucht. Danach wird die flache Zone FZ des Halbleiters
untersucht. In diesem Fall ist die Objektlinse 111 nicht
auf die flache Zone FZ des Halbleiterwafers W Fokussiert, da die
flache Zone und der gerundete Abschnitt des Halbleiterwafers einen
unterschiedlichen Radius besitzen. Daher muß die Radiusdifferenz zwischen
dem runden Abschnitt R und der flachen Zone FZ kompensiert werden.
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Wenn
die flache Zone FZ des Halbleiterwafers W durch den Flachzonenerfassungssensor 137 erfaßt wird,
gibt der Flachzonenerfassungssender 137 ein Signal zu einem
Mikroprozessor oder einer programmierbaren Logiksteuereinrichtung
(PLC) aus, um die z-Achsenbewegungseinheit (d. h., den z-Achsenmotor
und den z-Achsenbewegungsblock) um soviel zu bewegen, wie es einem
ursprünglichen Einstellungswert
entspricht, d. h. einer Radiusdifferenz zwischen dem runden Abschnitt
R und der Flachzone FZ. Folglich wird die Probestückbühne 130 durch
die z-Achsenbewegungseinheit nach oben bewegt und die Objektlinse 111 wird
auf die Probestückbühne 130 fokussiert.
Um auch die bleibenden Abschnitte der flachen Zone FZ, die noch
nicht untersucht worden sind, zu untersuchen, bewegt sich die Probestückbühne 130 in
einer y-Achsenrichtung.
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13 zeigt
die Steuervorrichtung 170. Die Steuervorrichtung 170 enthält einen
Bewegungsmodusauswahlabschnitt 171, einen Neigungswinkelauswahlabschnitt 173,
einen Leistungsauswahlabschnitt 175, einen Bereichslampenein/aus-Auswahlabschnitt 177 und
einen Linsendrehabschnitt 179.
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Der
Bewegungsmodusauswahlabschnitt 171 wird zum Auswählen einer
X-Achsenrichtungbewegung, einer Y-Achsenrichtungbewegung, einer Z-Achsenrichtungsbewegung
oder einer horizontalen Drehung des Halbleiters W verwendet. Ein
Joystick "J" wird zum Auswählen eines
Bewegungsmodus, wie beispielsweise einer X-Achsenrichtungsbewegung,
einer Y-Achsenrichtungsbewegung, einer Z-Achsenrichtungsbewegung
und einer horizontalen Drehung des Halbleiterwafers W verwendet.
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Ein
Bewegungsmoduswechselschalter 171a wird zum Wechseln des
Bewegungsmodus von einer x-Achsenbewegungsrichtung zu einer horizontalen Drehung
oder von einer y-Achsenrichtungsbewegung zu einer z-Achsenrichtungsbewegung
verwendet. Ein Bewegungsgeschwindigkeitsveränderungsknopf 171b wird
zum Steuern einer Bewegungsgeschwindigkeit des Halbleiterwafers
W verwendet.
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Der
Neigungswinkelauswahlabschnitt 173 wird zum Auswählen eines
Neigungswinkelzustands der Probestückbühne 130 verwendet.
Der Neigungswinkelauswahlabschnitt 173 enthält eine
Vielzahl von Neigungswinkelauswahlknöpfen 173a, von denen
jeder einem unterschiedlichen vorbestimmten Neigungswinkel entspricht,
und einen Neigungswinkelbenutzereingabeknopf 173c. Ein
Benutzer kann einen gewünschten
Neigungswinkel durch Auswählen eines
vorbestimmten Neigungswinkels mit den Neigungswinkelauswahlknöpfen 173a oder
durch Eingeben eines bestimmten gewünschten Neigungswinkels mit
dem Neigungswinkelbenutzereingabeknopf 173c auswählen. Der
Neigungswinkelauswahlabschnitt 173 enthält ferner einen Geschwindigkeitssteuerknopf 173e zum
Steuern einer Neigungsvorgangsgeschwindigkeit. Der Neigungswinkelauswahlknopf 173a der 13 enthält sechs
(6) Neigungswinkelknöpfe
mit Neigungswinkel 0°,
35°, 45°, 90°, 125° und 180° und daher
kann der gesamte Abschnitt des Halbleiterwafers einschließlich eines Rand-Abschnitts,
eines Fasen-Abschnitts und eines runden Abschnitts untersucht werden.
Wenn die Probestückbühne 130 beispielsweise
einen Neigungswinkel von 0° aufweist,
kann die Oberfläche
und der Rand-Abschnitt des Halbleiterwafers W untersucht werden.
Wenn die Probestückbühne 139 um
einen Neigungswinkel von 180° geneigt
ist, kann der Bodenabschnitt des Halbleiterwafers W untersucht werden.
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Der
Leistungsauswahlabschnitt 175 wird zum Ein- und Ausschalten
des Mikroskops 100 verwendet. Der Linsendrehabschnitt 179 wird
zum Drehen der Objektlinse in einer vorbestimmten Richtung verwendet.
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Das
vorhergehend beschriebene Mikroskop weist einen oder mehrere der
folgenden Vorteile auf: Erstens, da die Probestückbühne Dreh- und Neigungsvorgänge durchführen kann,
ebenso wie eine horizontale Verschiebung und eine vertikale Verschiebung,
ist es möglich,
gleichzeitig den Rand-Abschnitt und den Fasen-Abschnitt des Halbleiterwafers
zu untersuchen, wodurch die Waferuntersuchungszeit verringert ist.
Ebenso werden keine Waferhaltevorrichtungen benötigt, die jeweils einen unterschiedlichen
Neigungswinkel aufweisen. Ebenso treten keine Kontaminationen aufgrund
der Behandlung des Waferprobestücks,
wie beispielsweise dem Befördern
und Schneiden des defekten Halbleiterwafers auf, wodurch die Untersuchungsdaten
eine Zuverlässigkeit
aufweisen können.
Da über
dies eine regelmäßige Überwachung
während
eines Herstellungsverfahrens des Halbleiterwafers durchgeführt wird,
ist es möglich,
Defekte im Vorhinein zu finden und zu verhindern. Schlußendlich
ist es möglich,
den Halbleiterwafer, der Defekte in dem Rand-Abschnitt und den Fasen-Abschnitt aufweist,
genau zu untersuchen und klar zu analysieren oder Defektfaktoren zu
bestimmen, und ebenso ist die Untersuchungszeit kurz, wodurch eine
geeignete Abhilfe durchgeführt werden
kann, was zu einer hohen Herstellungsausbeute führt.
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Obwohl
die Erfindung genau gezeigt und mit Bezug auf ihre bevorzugten Ausführungsformen
beschrieben worden ist, ist es für
den Fachmann ersichtlich, daß die
vorhergehenden und anderen Veränderungen
in Form und Detail gemacht werden können, ohne von dem Grundgedanken
und Umfang der Erfindung abzuweichen.