JP2001298003A - 切削装置 - Google Patents

切削装置

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JP2001298003A
JP2001298003A JP2000113674A JP2000113674A JP2001298003A JP 2001298003 A JP2001298003 A JP 2001298003A JP 2000113674 A JP2000113674 A JP 2000113674A JP 2000113674 A JP2000113674 A JP 2000113674A JP 2001298003 A JP2001298003 A JP 2001298003A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 被加工物を切削する場合において、被加工物
の表面に透明な膜が形成されている場合や、被加工物自
体が透明体である場合にも、被加工物の表面に傷をつけ
ることなくその表面の位置を検出して所定深さの溝を形
成する。 【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブル１
５と、チャックテーブルに保持された被加工物を切削す
る切削手段とを少なくとも含む切削装置であって、チャ
ックテーブル１５の移動範囲に、被加工物の切削に先立
ってチャックテーブル１５に保持された被加工物の表面
の位置を検出する背圧式センサー１６を配設し、背圧式
センサー１６を用いて被加工物の表面の位置を測定し、
その位置を基準として切削溝を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の被加工物を切削する切削装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウェーハの切削時は、図６
に示すように、切削しようとする半導体ウェーハＷは、
保持テープＴを介してフレームＦと一体となり、この状
態で図７に示すようにチャックテーブル７０に保持さ
れ、チャックテーブル７０がＸ軸方向に移動しながら、
高速回転する回転ブレード７１が半導体ウェーハＷに形
成されたストリートに切り込むことによって当該ストリ
ートが切削され、更にすべてのストリートが縦横に切削
されることにより個々のチップに分割される。従って、
回転ブレード７１が深く切り込みすぎるとチャックテー
ブル７１の表面を損傷させてしまうことがあるため、切
り込み深さは精密に制御する必要がある。
【０００３】また、図８に示すように、切削に先立ち半
導体ウェーハＷの表面にＶ溝７２を形成しておき、形成
されたＶ溝７２を更に切削することにより、面取りされ
たチップ７３を形成する場合もあるが、この場合も、全
てのチップ７３に同一の面取りを施すためには、切り込
み深さが一定になるように制御する必要がある。
【０００４】更に、図９に示すように、半導体ウェーハ
Ｗの表面に所定深さの切り溝７４を形成しておき、裏面
を上にしてチャックテーブル７５に半導体ウェーハＷを
載置し、裏面側からその切り溝が表出されるまで研削砥
石７６を用いて研削して個々のチップに分割する場合に
は、裏面からの研削により全ての切り溝７４が裏面側に
表出されるよう、切り溝７４の深さは一定でなければな
らない。
【０００５】一方、半導体ウェーハの厚さは必ずしも一
定ではないため、精密な切削を行うためには、個々の半
導体ウェーハごとに予め厚さを測定し、その厚さに応じ
た切り込み深さの制御を行う必要がある。
【０００６】そこで、半導体ウェーハの切削前には、例
えばレーザー測定器を用いて半導体ウェーハＷの表面の
位置を検出したり、顕微鏡のオートフォーカス機能によ
って半導体ウェーハの表面の位置を検出したり、触針式
の測定器を用いて半導体ウェーハの表面の位置を検出し
たりすることにより、検出した表面の位置から一定の深
さに回転ブレードを切り込ませる制御を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ー測定器または顕微鏡のオートフォーカス機能による表
面の検出では、例えば半導体ウェーハの表面にガラス等
の透明な膜が積層されている場合や被加工物自体が透明
体である場合には、光が透過してしまうために表面の位
置を正確に検出することができないという問題がある。
【０００８】また、触針式の測定器による表面の検出で
は、上記のような問題は起こらないが、半導体ウェーハ
の表面に検出針を接触させるため、半導体ウェーハの表
面に傷がついて品質を低下させるという問題がある。
【０００９】従って、被加工物を切削する場合において
は、被加工物の表面に透明な膜が形成されている場合
や、被加工物自体が透明体である場合にも、被加工物の
表面に傷をつけることなくその表面の位置を検出して所
定深さの溝を形成することに課題を有している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持するチャ
ックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工
物を切削する切削手段とを少なくとも含む切削装置であ
って、チャックテーブルの移動範囲には、被加工物の切
削に先立ってチャックテーブルに保持された被加工物の
表面の位置を検出する背圧式センサーが配設される切削
装置を提供する。
【００１１】そしてこの切削装置は、背圧センサーが、
チャックテーブルに保持された被加工物の表面に気体を
吹き付ける検出ノズルと、検出ノズルに圧縮気体を送り
込む気体供給パイプと、気体供給パイプに連結され圧縮
気体を供給する圧縮気体供給源と、圧縮気体供給源に供
給され圧縮気体を大気に開放する気体開放パイプと、気
体供給パイプと気体開放パイプとに連結され気体供給パ
イプ内の圧力と気体開放パイプ内の圧力との差を検出す
る微差圧力計と、微差圧力計の計測結果を表示する計測
結果表示部と、計測結果に対応する検出ノズルと被加工
物の表面との距離を予め記憶する記憶部とから構成さ
れ、被加工物の表面の位置は、検出ノズルの先端が被加
工物の表面に接近した際の微差圧力計の測定結果に基づ
いて検出されること、微差圧力計が、気体供給パイプに
連結する第一の気体室と、気体開放パイプに連結する第
二の気体室と、第一の気体室と第二の気体室とを仕切る
ダイヤフラムと、ダイヤフラムの変位を検出する歪みゲ
ージとから構成され、微差圧力計の計測結果は、歪みゲ
ージの抵抗値に対応する電圧値であり、電圧値と記憶部
に記憶された情報とによって被加工物の表面の位置が検
出されること、チャックテーブルの表面と検出ノズルの
先端とが接触する位置を原点とし、検出ノズルが、原点
を基準とする自身の位置を認識しながらチャックテーブ
ルに対して接近及び離反する方向に移動可能に構成され
ており、検出ノズルの原点を基準とする相対位置から、
被加工物の表面と検出ノズルの先端との間の距離を減算
し、原点を基準とする被加工物の表面の相対位置を求め
ること、切削手段は、被加工物を切削する回転ブレード
を備え、チャックテーブルの表面と回転ブレードとが接
触する位置を原点として自身の位置を認識しながらチャ
ックテーブルに対して接近及び離反する方向に移動可能
に構成されており、回転ブレードの被加工物に対する切
り込み深さは、背圧式センサーによって検出された被加
工物の表面の位置に基づいて制御されることを付加的要
件とする。
【００１２】このように構成される切削装置によれば、
背圧式センサーによって被加工物の表面の位置を個別に
検出することができるため、被加工物の表面にガラス等
の透明な膜が積層されている場合や被加工物自体が透明
体である場合でも確実に被加工物の表面の位置を検出す
ることができる。
【００１３】また、背圧式ノズルが被加工物に接触する
ことなく表面の位置を検出することができるため、被加
工物の表面を傷つけることがない。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、図１
に示す切削装置１０を例に挙げて説明する。この切削装
置１０を用いて半導体ウェーハの切削をする場合は、切
削しようとする半導体ウェーハＷは、保持テープＴを介
してフレームＦに保持された状態でカセット１１に複数
収容される。そして、カセット１１から搬出入手段１２
によって半導体ウェーハＷが１枚ずつ仮置き領域１３に
搬出されてから搬送手段１４によってチャックテーブル
１５に搬送される。
【００１５】チャックテーブル１５はＸ軸方向に移動可
能であり、半導体ウェーハＷを保持すると、＋Ｘ方向に
移動することによって、まず半導体ウェーハＷを背圧式
センサー１６の直下に位置付ける。
【００１６】ここで、背圧式センサー１６は、チャック
テーブル１５の移動範囲の上方に配設され、図１及び図
２に示すように、下方にエアーを吹き付ける検出ノズル
１７を備えている。この検出ノズル１７は支持部１８に
よって支持され、支持部１８に備えたナット（図示せ
ず）は垂直方向（Ｚ軸方向）に配設されたボールネジ１
９に螺合しており、更にボールネジ１９はパルスモータ
２０に連結されていてパルスモータ２０の駆動により回
転する。即ち、パルスモータ２０の駆動によりボールネ
ジ１９が回転すると、支持部１８に支持された検出ノズ
ル１７が昇降する構成となっている。
【００１７】検出ノズル１７は、オリフィスである気体
供給パイプ２１を介して圧縮気体供給源２２に連結され
ており、圧縮気体供給源２２から気体供給パイプ２１を
通じて検出ノズル１７に圧縮気体が送り込まれる構成と
なっている。
【００１８】また、圧縮気体供給源２２は、気体開放パ
イプ２３を介して大気に通じており、圧縮気体供給源２
２からは、気体供給パイプ２１と気体開放パイプ２３と
に等しい割合で圧縮気体が供給され、気体開放パイプ２
３に供給された圧縮気体は大気に開放される構成となっ
ている。
【００１９】更に、気体供給パイプ２１と気体開放パイ
プ２３とは、気体供給パイプ２１を流通する圧縮気体と
気体開放パイプ２３を流通する圧縮気体との間に生じる
圧力差を測定する微差圧力計２４を介して連結されてい
る。また、微差圧力計２４は、計測結果を表示する計測
結果表示部の一例である電圧計２５に接続され、電圧計
２５は、被加工物の厚さを算出するギャップ検出手段２
６に接続され、ギャップ検出手段２６は、計測結果に対
応する検出ノズル１７と被加工物の表面との距離を予め
記憶する記憶部２７に接続されている。
【００２０】図３に示すように、微差圧力計２４には気
体供給パイプ２１に連通する第一の気体室２８と気体開
放パイプ２３に連通する第二の気体室２９とを備えてお
り、第一の気体室２８と第二の気体室２９とはダイヤフ
ラム３０によって仕切られている。そして、ダイヤフラ
ム３０には歪みゲージ３１が貼着され、第一の気体室２
８の気圧と第二の気体室２９の気圧に差が生じてダイヤ
フラム３０に変位が生じた場合には、歪みゲージ３１の
抵抗値が変化する構成となっている。
【００２１】歪みゲージ３１は、図３に示した電源３
２、固定抵抗３３と共に直列に接続されており、歪みゲ
ージ３１における電圧降下を電圧計２５で測定すること
によって、ダイヤフラム３０の動き、即ち第一の気体室
２８と第二の気体室２９との気圧のバランスの変化を検
出することができる。
【００２２】検出ノズル１７から噴出される０．１２〜
０．１５ＭＰａ程の圧縮気体は、その下方にある物体に
反射し、検出ノズル１７とその下方に位置する物体との
距離に応じて反射量も異なるため、これに対応して気体
供給パイプ２１の内部の圧力も変化する。一方、気体開
放パイプ２３の内部の圧力は常に一定に維持されてい
る。従って、検出ノズル１７とその下方に位置する物体
との距離に応じて第一の気体室２８と第二の気体室２９
との間で圧力差が生じる。そして、この圧力差によって
ダイヤフラム３０が変位し、それに対応して歪みゲージ
３１の抵抗値が変化し、その変化が電圧計２５の測定値
として検出される。
【００２３】切削しようとする半導体ウェーハの厚さは
個々に若干異なるため、切り込み深さを精密に制御する
ためには、図２に示したように、半導体ウェーハＷが背
圧式センサー１６の直下に位置付けられた際は、その都
度その厚さを測定する必要がある。
【００２４】ここで、半導体ウェーハＷの厚さを測定す
るにあたっては、その前の段階として、検出ノズル１７
の下端をチャックテーブル１５の表面に接触させ、この
位置を原点とし、所定の高さからパルスモータ２０の駆
動によって検出ノズル１７を徐々に下降させ、チャック
テーブル１５の表面と検出ノズル１７との間隔を狭めて
いき、その間隔ごとに電圧計２５における電圧値の変化
を測定し、Ｚ2＝ｆ（Ｖ）の関数を求める。例えば、歪
みがない状態における歪みゲージ３１の抵抗値が１Ω
で、電源３２の電圧が１０Ｖ、固定抵抗３３の抵抗値が
９９Ωであるとすると、第一の気体室２８の気圧と第二
の気体室２９の気圧とが等しい場合において、歪みゲー
ジ３１の抵抗値を１Ωとすると、電圧計２５で測定され
る電圧値は０．１Ｖとなる。
【００２５】一方、第一の気体室２８の気圧と第二の気
体室２９の気圧とが等しくない場合は、その差に応じて
ダイヤフラム３０が変位し、歪みゲージ３１の抵抗値も
変化するため、これに対応して電圧計２５における電圧
の測定値も変化する。このようにして検出ノズル１７の
任意の位置における電圧値が求まる。
【００２６】検出ノズル１７の原点を基準とするＺ軸方
向の位置は、パルスモータ２０のパルス数によって認識
することができるため、電圧計２５の測定値である電圧
値と、検出ノズル１７とその下方に位置する物体との距
離であるギャップＺ2との関係を求めたところ、表１に
示したような結果となった。また、こうして求めた結果
をグラフにプロットすると、図２に示すグラフとなり、
この対応関係を記憶部２７に記憶させておく。図２から
わかるように、Ｚ2が２００μｍ以上のときは電圧Ｖは
０．１Ｖで一定となっており、Ｚ2が２００μｍより小
さくなると、それにしたがって電圧は大きくなってい
る。
【００２７】
【表１】
【００２８】このような対応関係が記憶部２７に記憶さ
れたら、検出ノズル１７の下端をチャックテーブル１５
の表面に接触させ、それからパルスモータ２０の駆動に
より検出ノズル１７を上昇させていき、載置される半導
体ウェーハの表面より上の一定位置において検出ノズル
１７の上昇を停止させ、このときの検出ノズル１７の下
端からチャックテーブル１５の表面（原点）までの距離
Ｚ1をパルスモータ２０のパルス数から算出する。そし
て、算出されたＺ1の値をＺ1認識部３４に記憶させてお
く。
【００２９】次に、チャックテーブル１５に保持された
半導体ウェーハＷを検出ノズル１７の直下に位置付け、
上記一定位置に位置付けた検出ノズル１７から半導体ウ
ェーハＷにエアーを吹き付けて検出ノズル１７の下端か
ら半導体ウェーハＷの表面までの距離であるギャップＺ
2を測定する。このＺ2の値は、記憶部２７に記憶された
グラフに基づき、電圧計２５の計測値から求めることが
できる。
【００３０】こうしてＺ1及びＺ2の値が求まると、厚さ
算出手段３５において（Ｚ1−Ｚ2）の値を算出し、その
結果を半導体ウェーハＷの厚さの値として図２に示す制
御手段３６を構成する厚さ記憶部３７に記憶させる。
【００３１】制御手段３６は、厚さ算出手段３５におい
て求めた被加工物の厚さを記憶する厚さ記憶部３７と、
図１に示した切削装置１０の全面側に設けたオペレーシ
ョンパネル４０からオペレータによって入力された切り
込み量Ｚ3を記憶した切り込み量記憶部３８と、後述す
る切削手段５６を昇降させるパルスモータの駆動を制御
する切り込み量制御部３９とから構成される。
【００３２】図４を参照して説明を続けると、チャック
テーブル１５は、Ｘ軸移動テーブル５０によって回転可
能に支持され、Ｘ軸移動テーブル５０はＸ軸スライダー
５１によってＸ軸方向に移動可能に支持されている。
【００３３】ここで、Ｘ軸スライダー５１は、切削方向
であるＸ軸方向に配設されたＸ軸ガイドレール５２と、
Ｘ軸ガイドレール５２に摺動可能に支持されたＸ軸移動
基台５３と、Ｘ軸移動基台５３に形成されたナット部
（図示せず）に螺合するＸ軸ボールネジ５４と、Ｘ軸ボ
ールネジ５４を回転駆動するＸ軸パルスモータ５５とか
ら構成されており、チャックテーブル１５を回転可能に
支持するＸ軸移動テーブル５０はＸ軸移動基台５３に固
定されている。
【００３４】一方、チャックテーブル１５に保持された
被加工物に切削を施す切削手段５６は、回転ブレード５
７を回転可能に支持するスピンドルユニット５８と、ス
ピンドルユニット５８を割り出し方向であるＹ軸方向に
移動可能に支持するＹ軸スライダー５９と、スピンドル
ユニット５８を切り込み方向であるＺ軸方向に移動可能
に支持するＺ軸スライダー６０とから構成される。
【００３５】ここで、Ｙ軸スライダー５９は、Ｙ軸方向
に配設されたＹ軸ガイドレール６１と、Ｙ軸ガイドレー
ル６１に摺動可能に支持されたＹ軸移動基台６２と、Ｙ
軸移動基台６２に形成されたナット部（図示せず）に螺
合するＹ軸ボールネジ６３と、Ｙ軸ボールネジ６３を回
転駆動するＹ軸パルスモータ６４とから構成される。
【００３６】一方、Ｚ軸スライダー６０は、壁部６５の
側面においてＺ軸方向に配設されたＺ軸ガイドレール６
６と、スピンドルユニット５８を支持すると共にＺ軸ガ
イドレール６６に摺動可能に支持された昇降部６７と、
Ｚ軸方向に配設されて昇降部６７に形成されたナット部
（図示せず）に螺合するＺ軸ボールネジ（図示せず）
と、Ｚ軸ボールネジを回転駆動するＺ軸パルスモータ６
８とから構成される。
【００３７】チャックテーブル１５に保持された半導体
ウェーハＷを切削する際は、Ｘ軸パルスモータ５５に駆
動されてＸ軸ボールネジ５４が回動することによってチ
ャックテーブル１５が＋Ｘ方向に移動すると共に、Ｙ軸
パルスモータ６４に駆動されてＹ軸ボールネジ６３が回
動することによってスピンドルユニット５８がＹ軸方向
に移動して回転ブレード５７が適宜の位置に位置付けら
れ、更にＺ軸パルスモータ６４に駆動されてＺ軸ボール
ネジが回動することによってスピンドルユニット５８が
下降して高速回転する回転ブレード５７が半導体ウェー
ハＷの所定の位置に切り込んでいく。
【００３８】即ち、制御手段３６によるＺ軸パルスモー
タ６４の駆動制御によって半導体ウェーハＷに対する切
り込み量が制御される。そして、図２に示した制御手段
３６の厚さ記憶部３７には、半導体ウェーハＷの厚さが
記憶されているため、切り込み量制御部３９において
は、この厚さに応じた制御を行うことによって所望の深
さの切削溝を形成することができる。
【００３９】具体的には、図５に示すように、厚さ記憶
部３７に記憶されている半導体ウェーハＷの厚さである
（Ｚ1−Ｚ2）の値から、切り込み量記憶部３８に記憶さ
れた値であるＺ3を減算し、即ち、（Ｚ1−Ｚ2）−Ｚ3を
計算することにより、この計算によって求まった値は、
形成しようとする切削溝６９の最下部の位置Ｚaとな
る。この位置Ｚaは、原点Ｏを基準とする位置として求
まる。
【００４０】即ち、このようにして求めた位置は、半導
体ウェーハＷの厚さに対応した切り溝の最下部の位置を
表すため、半導体ウェーハＷの厚さにバラツキがあって
もそれに対応した所定深さ（Ｚ3）の切削溝６９を形成
することができる。
【００４１】また、表面に透明な層が形成されている場
合や被加工物自体が透明体である場合においても、透明
な層または透明体の厚さを考慮して計測が行われるた
め、透明な層の厚さを考慮した切削を行うことができ
る。
【００４２】更に、触針式の測定器のように表面に傷を
つけることもないため、被加工物の品質を低下させるこ
ともない。
【００４３】なお、本実施の形態においては、背圧式セ
ンサー１６を構成するパルスモータ２０と切削手段５６
を構成するＺ軸パルスモータ６４とは個別に存在してい
るが、両パルスモータを兼用する構成とすることも可能
である。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る切削
装置は、背圧式センサーによって被加工物の表面の位置
を個別に検出するよう構成したことにより、被加工物の
表面にガラス等の透明な膜が積層されている場合や被加
工物自体が透明体である場合でも確実に被加工物の表面
の位置を検出することができるため、被加工物の厚さに
バラツキがあっても検出した表面の位置から所定深さの
切削溝を形成することができる。
【００４５】また、背圧式ノズルが被加工物に接触する
ことなく表面の位置を検出することで、被加工物の表面
を傷つけることがないため、品質の低下を招くことがな
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る切削装置の実施の形態の一例を示
す斜視図である。
【図２】同切削装置を構成する背圧センサー及び制御手
段の構成を示す説明図である。
【図３】同背圧センサーを構成する微差圧力計の構成を
示す説明図である。
【図４】同背圧センサーによる検出結果に基づき制御さ
れる切削手段の構成を示す斜視図である。
【図５】同背圧センサーによる検出結果に基づき形成さ
れる切り溝の位置を示す説明図である。
【図６】保持テープを介してフレームと一体となった半
導体ウェーハを示す斜視図である。
【図７】半導体ウェーハを切削する様子を示す説明図で
ある。
【図８】表面にＶ溝を形成した半導体ウェーハを示す正
面図である。
【図９】表面に切り溝を形成した半導体ウェーハの裏面
を研削する様子を示す説明図である。
【符号の説明】
１０…切削装置 １１…カセット １２…搬出入手段 １３…仮置き領域 １４…搬送手段 １５…チャックテーブル １６…背圧センサー １７…検出ノズル １８…支持部 １９…ボールネジ ２０…パルスモータ ２１…気体供給パイプ ２２…圧縮気体供給源 ２３…気体開放パイプ ２４…微差圧力計 ２５…電圧計 ２６…ギャップ検出手段 ２７…記憶部 ２８…第一の気体室 ２９…第二の気体室 ３０…ダイヤフラム ３１…歪みゲージ ３２…電源 ３３…固定抵抗 ３４…Ｚ1認識部 ３５…厚さ算出手段 ３６…制御手段 ３７…厚さ記憶部 ３８…切り込み量記憶部 ３９…切り込み量制御部 ４０…オペレーションパネル ５０…Ｘ軸移動テーブル ５１…Ｘ軸スライダー ５２…Ｘ軸ガイドレール ５３…Ｘ軸移動基台 ５４…Ｘ軸ボールネジ ５５…Ｘ軸パルスモータ ５６…切削手段 ５７…回転ブレード ５８…スピンドルユニット ５９…Ｙ軸スライダー ６０…Ｚ軸スライダー ６１…Ｙ軸ガイドレール ６２…Ｙ軸移動基台 ６３…Ｙ軸ボールネジ ６４…Ｙ軸パルスモータ ６５…壁部 ６６…Ｚ軸ガイドレール ６７…昇降部 ６８…Ｚ軸パルスモータ ６９…切削溝 ７０…チャックテーブル ７１…回転ブレード ７２…Ｖ溝 ７３…チップ ７４…切り溝 ７５…チャックテーブル ７６…研削砥石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山銅 英之 東京都大田区東糀谷２−14−３ 株式会社 ディスコ内 Ｆターム(参考） 3C029 BB06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被加工物を保持するチャックテーブル
    と、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削す
    る切削手段とを少なくとも含む切削装置であって、 該チャックテーブルの移動範囲には、被加工物の切削に
    先立って該チャックテーブルに保持された被加工物の表
    面の位置を検出する背圧式センサーが配設される切削装
    置。
  2. 【請求項２】 背圧センサーは、チャックテーブルに保
    持された被加工物の表面に気体を吹き付ける検出ノズル
    と、該検出ノズルに圧縮気体を送り込む気体供給パイプ
    と、該気体供給パイプに連結され圧縮気体を供給する圧
    縮気体供給源と、該圧縮気体供給源に供給され圧縮気体
    を大気に開放する気体開放パイプと、該気体供給パイプ
    と該気体開放パイプとに連結され該気体供給パイプ内の
    圧力と該気体開放パイプ内の圧力との差を検出する微差
    圧力計と、該微差圧力計の計測結果を表示する計測結果
    表示部と、該計測結果に対応する該検出ノズルと該被加
    工物の表面との距離を予め記憶する記憶部とから構成さ
    れ、 該被加工物の表面の位置は、該検出ノズルの先端が該被
    加工物の表面に接近した際の該微差圧力計の測定結果に
    基づいて検出される請求項１に記載の切削装置。
  3. 【請求項３】 微差圧力計は、気体供給パイプに連結す
    る第一の気体室と、気体開放パイプに連結する第二の気
    体室と、該第一の気体室と該第二の気体室とを仕切るダ
    イヤフラムと、該ダイヤフラムの変位を検出する歪みゲ
    ージとから構成され、 該微差圧力計の計測結果は、該歪みゲージの抵抗値に対
    応する電圧値であり、該電圧値と記憶部に記憶された情
    報とによって被加工物の表面の位置が検出される請求項
    ２に記載の切削装置。
  4. 【請求項４】 チャックテーブルの表面と検出ノズルの
    先端とが接触する位置を原点とし、該検出ノズルは、該
    原点を基準とする自身の位置を認識しながら該チャック
    テーブルに対して接近及び離反する方向に移動可能に構
    成されており、 該検出ノズルの該原点を基準とする位置から、被加工物
    の表面と該検出ノズルの先端との間の距離を減算し、該
    原点を基準とする該被加工物の表面の位置を求める請求
    項３に記載の切削装置。
  5. 【請求項５】 切削手段は、被加工物を切削する回転ブ
    レードを備え、チャックテーブルの表面と該回転ブレー
    ドとが接触する位置を原点として自身の位置を認識しな
    がら該チャックテーブルに対して接近及び離反する方向
    に移動可能に構成されており、 該回転ブレードの被加工物に対する切り込み深さは、背
    圧式センサーによって検出された被加工物の表面の位置
    に基づいて制御される請求項１乃至４に記載の切削装
    置。
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