DE10108358B4 - Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung (1) mit einer Indexeinheit (2) zur Beförderung einer Halbleiterscheibe (10) von einer Kassette (21) zu einer Belade-/Entladeeinheit (3), wobei die Belade-/Entladeeinheit (3) der Weitergabe der Halbleiterscheibe (10) von der Indexeinheit (2) zu einer Poliereinheit (4) und von der Poliereinheit (4) zu einer Wascheinheit (5) dient, wobei die Poliereinheit (4) zum Polieren der Halbleiterscheibe (10) dient und die Wascheinheit (5) zum Waschen der Halbleiterscheibe (10) nach dem Polieren dient, und mit Warteeinheiten (43), wobei:
die Warteeinheiten (43) jeweils einen Halbleiterscheibenauflegetisch (431, 432) mit einer zweistufigen Oben-/Unten-Struktur umfassen, um die von der Belade-/Entladeeinheit (3) zum Polierkopf (42) oder vom Polierkopf (42) zur Belade-/Entladeeinheit (3) transportierte Halbleiterscheibe (10) zeitweilig darauf zu legen, und wobei sowohl der Halbleiterscheibenauflegetisch (431) der oberen Stufe als auch der Halbleiterscheibenauflegetisch (432) der unteren Stufe unabhängig voneinander gleiten können.

Description

  • Diese Erfindung betrifft eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung. Insbesondere betrifft diese Erfindung eine Poliervorrichtung für Halbleiterscheiben ("wafer"), welche chemisch-mechanische Poliervorgänge (CMP) verwendet. Eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung, wie sie gemäß Stand der Technik häufig verwendet wird, ist beispielsweise in der EP 0 827 809 A1 beschrieben.
  • Die Miniaturisierung von ICs (integrierten Schaltungen) hat in den letzten Jahren große Fortschritte gemacht, und IC-Muster werden auf mehreren Schichten gebildet. Die Oberfläche der Schicht, auf der ein solches Muster geformt wird, besitzt unvermeidlicherweise eine bestimmte Unregelmäßigkeit. Bei der aus dem Stand der Technik bekannten Technologie wird daher ein Muster auf der vorhergehenden Schicht gebildet. Je größer die Anzahl der Schichten und je geringer die Breite der Linien und der Durchmesser der Löcher, um so schwieriger wird es, zufriedenstellende Muster zu bilden und um so wahrscheinlicher wird das Auftreten von Mängeln und Defekten. Daher ist es allgemein üblich, die Oberfläche einer Schicht, auf der ein Muster gebildet wird, zu glätten, und danach das Muster auf der nächsten Schicht zu bilden. Eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung (CMP-Vorrichtung), welche eine CMP-Methode verwendet, wird bislang zum Polieren einer Halbleiterscheibe während der Bildung eines solchen IC-Musters verwendet.
  • In der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß dem oben beschriebenen Stand der Technik wurden die Schritte des Aufnehmens einzelner Halbleiterscheiben durch einen Kopf von einer Kassette, in der sie gelagert sind, des Polierens und Waschens der Halbleiterscheibe, des Entfernens der Halbleiterscheibe vom Kopf und des Einlegens der Halbleiterscheibe in die Kassette stoßweise durchgeführt. Daher weist die herkömmliche Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung das Problem eines geringen Durchsatzes und somit einer niedrigen Produktivität auf.
    •
  • Angesichts der oben beschriebenen Probleme ist es daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung mit verbessertem Durchsatz und höherer Produktivität zu schaffen.
  • Die zuvor hergeleitete und aufgezeigte Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung mit einer Indexeinheit zur Beförderung einer Halbleiterscheibe von einer Kassette zu einer Belade-/Entladeeinheit, wobei die Belade-/Entladeeinheit der Weitergabe der Halbleiterscheibe von der Indexeinheit zu einer Poliereinheit und von der Poliereinheit zu einer Wascheinheit dient, wobei die Poliereinheit zum Polieren der Halbleiterscheibe dient und die Wascheinheit zum Waschen der Halbleiterscheibe nach dem Polieren dient, und mit Warteeinheiten, wobei die Warteeinheiten jeweils einen Halbleiterscheibenauflegetisch mit einer zweistufigen Oben-/Unten-Struktur umfassen, um die von der Belade-/Entladeeinheit zum Polierkopf oder vom Polierkopf zur Belade-/Entladeeinheit transportierte Halbleiterscheibe zeitweilig darauf zu legen, und wobei sowohl der Halbleiterscheibenauflegetisch der oberen Stufe als auch der Halbleiterscheibenauflegetisch der unteren Stufe unabhängig voneinander gleiten können.
  • Vorteilhafte Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
    •
  • Die vorliegende Erfindung kann besser aus der untenstehenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sowie aus den begleitenden Zeichnungen verstanden werden.
  • In den Zeichnungen ist:
  • 1 eine schematische Draufsicht einer Gesamtkonstruktion einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine Draufsicht einer Warteeinheit mit einer zweistufigen Oben-/Unten-Struktur als Teil einer Poliereinheit der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine Schnittansicht in Längsrichtung der Warteeinheit mit der in 2 gezeigten zweistufigen Oben-/Unten-Struktur;
  • 4 eine Seitenansicht der Warteeinheit mit der in 2 gezeigten zweistufigen Oben-/Unten-Struktur;
  • 5 eine Ansicht, welche eine positionsmäßige Beziehung zwischen einer Spindel-Wascheinheit der Warteeinheit und einem Wasserbehälter erklärt;
  • 6 eine Schnittansicht in Längsrichtung der Spindel-Wascheinheit gemäß der Erfindung, welche an einem unteren Abschnitt der Warte-Einheit angeordnet ist; und
  • 7 eine Draufsicht der in 6 dargestellten Spindel-Wascheinheit.
  • Eine Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen erklärt.
  • 1 ist eine schematische Draufsicht einer Gesamtkonstruktion einer Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 1 umfaßt fünf Einheiten, nämlich eine Indexeinheit 2, eine Belade-/Entladeeinheit 3, eine Poliereinheit 4, eine Wascheinheit 5 und eine Elektroinstallationseinheit 6. Befestigungsvorrichtungen befestigen diese Einheiten jeweils individuell.
  • Die Indexeinheit 2 ist dermaßen gestaltet, daß eine Vielzahl an Kassetten 21 darin geladen werden kann. Ein Roboter 22 ist so an der Indexeinheit 2 befestigt, daß er die in den Kassetten 21 untergebrachten Halbleiterscheiben 10 herausnehmen und sie zur Belade-/Entladeeinheit 3 tragen kann. Der Roboter 22 nimmt die Halbleiterscheiben 10 nach dem Polieren und Waschen von der Wascheinheit 5 in Empfang und gibt sie in die jeweiligen Kassetten 21 zurück.
  • Die Belade-/Entladeeinheit 3 umfaßt zwei Transportroboter 31 und 32, nämlich einen oberen und einen unteren. Der Transportroboter 31 der oberen Stufe wird zum Beladen verwendet, während der Transportroboter 32 der unteren Stufe zum Entladen verwendet wird. Jede Halbleiterscheibe 10 aus der Indexeinheit 2 wird zu einem Arm 33 des Transportroboters 31 der oberen Stufe geliefert. Ein nicht dargestellter Vor-Ausrichtetisch innerhalb der Belade-/Entladeeinheit 3 führt die Zentrierung durch und die Halbleiterscheibe 10 wird danach zur Poliereinheit 4 transportiert.
  • Die Poliereinheit 4 umfaßt drei Platten 41 und zwei Polierköpfe 42. Eine Warteeinheit 43 mit einem Halbleiterscheibenauflegetisch mit einer zweiteiligen Oben-/Untenstruktur ist zwischen den einzelnen Platten angeordnet. Jede Halbleiterscheibe 10, die zur Poliereinheit 4 übertragen wird, wird von den Polierköpfen 42 durch die Warteeinheit 43 zu den Platten 41 befördert und dort poliert. Nach dem Polieren wird die Halbleiterscheibe 10 aus dem Transportroboter 32 der unteren Stufe der Belade-/Entladeeinheit wiederum durch die Warteeinheit 43 entnommen und danach zur Wascheinheit 5 transportiert.
  • Nachdem der Waschvorgang abgeschlossen ist, nimmt der Roboter 22 der Indexeinheit 2 die Halbleiterscheibe 10 in die Kassette 21 auf.
  • Die voranstehenden Absätze erklären die Grundlagen der Verarbeitungsschritte der in 1 gezeigten Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung 1.
  • Als nächstes wird die Konstruktion der Poliereinheit 4 als Merkmal der Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung der vorliegenden Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf 2 bis 7 beschrieben.
  • Die Poliereinheit 4 umfaßt, wie voranstehend beschrieben, die drei Platten 41 und zwei Polierköpfe 42. Sowohl die rechte als auch die linke Platte 41 verwenden die selbe Art der Schmirgelpulver-Emulsion, während die mittlere Platte eine andere Art der Schmirgelpulver-Emulsion verwendet, so daß die Poliereigenschaften verändert werden können. Die Polierköpfe 42 zum Halten der Halbleiterscheibe 10 können sich linear zwischen den Platten sowie nach oben und nach unten bewegen.
  • Des weiteren ist die Poliereinheit 4 mit zwei Warteeinheiten 43 zwischen den einzelnen Plattenpaaren 41 ausgestattet. Jede Warteeinheit 43 besitzt einen Halbleiterscheibenauflegetisch mit einer zweistufigen Oben-/Untenstruktur.
  • Wie in 2 und 3 dargestellt, umfaßt jede Warteeinheit 43 Halbleiterscheibenauflegetische 431 und 432 mit oberen und unteren Stufen. Jeder Halbleiterscheibenauflegetisch ist über ein Verbindungselement 433 mit einem stangenlosen Zylinder 434 verbunden. Daher können sich die Halbleiterscheibenauflegetische 431 und 432 linear bewegen, wenn der stangenlose Zylinder 434 diese antreibt.
  • Eine ringförmige Nut 435 ist an der Oberfläche des Halbleiterscheibenauflegetisches 431 der oberen Stufe ausgebildet. Eine Wasserzufuhrpassage 436 ist innerhalb des Halbleiterscheibenauflegetisches 431 der oberen Stufe so angeordnet, daß sie mit der Nut 435 kommuniziert, und sie ist mit einem Wasserzufuhrventil 437 verbunden, das an der Warteeinheit 43 angeordnet ist, wenn sich der Halbleiterscheibenauflegetisch 431 in die Beladeposition bewegt. Wenn daher die Halbleiterscheibe 10 auf den Halbleiterscheibenauflegetisch 431 der oberen Stufe gelegt wird und die Beladeposition erreicht, in welcher der Polierkopf 42 die Halbleiterscheibe 10 hält, fließt Wasser aus der Nut des Halbleiterscheibenauflegetisches 431 und stützt die Halbleiterscheibe 10. In der Folge kann der Polierkopf 42 die Halbleiterscheibe 10 leicht halten. Anfänglich kann auch der Halbleiterscheibenauflegetisch 432 der unteren Stufe die selbe Konstruktion aufweisen, und der stangenlose Zylinder 434 kann eine bekannte Bauart besitzen.
  • Eine Spindel-Wascheinheit 44, die in 6 und 7 dargestellt ist, befindet sich an der Poliereinheit 4. Die Spindel-Wascheinheit 44 ist an einem unteren Teil des Bewegungspfades des Halbleiterscheibenauflegetisches 431 über der Warteeinheit 43 angeordnet, wie dies aus 3 ersichtlich ist, um Einbauplatz zu sparen. In anderen Worten ist ein kreisförmiger Tank 441, der ausreichend groß ist, damit der Polierkopf 42 als Spindel eintreten kann, unterhalb des Halbleiterscheibenauflegetisches 432 der unteren Stufe an der Beladeposition des Halbleiterscheibenauflegetisches 431 angeordnet. Eine kreisförmige Bürste 442, deren Durchmesser etwa die Hälfte des Durchmessers des Tanks 441 beträgt, ist exzentrisch relativ zum Tank 441 innerhalb dieses Tanks 441 angeordnet. Des weiteren ist eine Trennwand 443, die niedriger ist als die Höhe der Bürste 442, innerhalb des Tanks 441 auf solche Weise angebracht, daß sie den Bürstenabschnitt 442 trennt. Der Tank 441 enthält eine Vielzahl an Einspritzdüsen 44, um Wasser zur Waschoberfläche eines jeden Polierkopfs 42 durch die Bürste 442 einzuspritzen. Der Tank 441 besitzt eine Wasserzufuhröffnung 445 und eine Wasserablaßöffnung 446 um seinen äußeren Umfang herum, sowie ein ringförmiges Führungselement 447, um die polierten Köpfe 42 an der inneren umfänglichen Oberfläche zu führen.
  • Ein Wasserbehälter 438, der zur endgültigen Aufnahme des Waschwassers dient, ist unter der Warteeinheit 43 der Poliereinheit 4 angeordnet, wie dies in 5 dargestellt ist, und etwa in seiner Mitte mit einem Ablaßrohr 439 verbunden.
  • Die Poliereinheit 4 der Wasserpoliervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung mit der oben beschriebenen Konstruktion arbeitet auf folgende Art und Weise.
  • Jede Halbleiterscheibe 10, die von der Belade-/Entladeeinheit 3 zur Poliereinheit 3 transportiert wird, wird zuerst auf den Halbleiterscheibenauflegetisch 431 der oberen Stufe der Warteeinheit 43 gelegt. Danach arbeitet der stangenlose Zylinder 434 und bewegt den Halbleiterscheibenauflegetisch 431, welcher die Halbleiterscheibe 10 zu jener Position (Beladeposition) transportiert, an der die Halbleiterscheibe 10 zum Polierkopf 42 befördert wird. Zu diesem Zeitpunkt wird der Halbleiterscheibenauflegetisch 431 mit dem Wasserzufuhrventil 437 verbunden, das an der Warteeinheit 43 vorhanden ist, und Wasser fließt aus der Oberfläche des Halbleiterscheibenauflegetisches 431, auf welchem die Halbleiterscheibe 10 liegt, und hebt die Halbleiterscheibe 10 hoch. Jeder Polierkopf 42 senkt sich unter diesem Zustand ab, nimmt die Halbleiterscheibe 10, hält diese und trägt die Halbleiterscheibe 10 auf die Platte 41, wo die Halbleiterscheibe 10 poliert wird.
  • Nachdem er die Halbleiterscheibe 10 heruntergebracht hat, kehrt der Halbleiterscheibenauflegetisch 431 in seine ursprüngliche Position zurück und nimmt einen Wartezustand ein, um die nächste Halbleiterscheibe 10 aufzunehmen. Auf ähnliche Weise arbeitet der stangenlose Zylinder 434 und bewegt den Halbleiterscheibenauflegetisch 432 der unteren Stufe der Warteeinheit, und der Halbleiterscheibenauflegetisch 432 der unteren Stufe stoppt an der Position (Entladeposition), an welcher er die polierte Halbleiterscheibe 10 vom Polierkopf 42 aufnimmt. Bei Empfang der polierten Halbleiterscheibe 10 vom Polierkopf 42 kehrt der Halbleiterscheibenauflegetisch 432 der unteren Stufe in seine ursprüngliche Position zurück. Die polierte Halbleiterscheibe 10 wird zur Belade-/Entladeeinheit 3 transportiert und danach zur nächsten Wascheinheit 5 befördert.
  • Nachdem die Halbleiterscheibe 10 zum Halbleiterscheibenauflegetisch 432 der unteren Stufe transportiert wurde, senkt sich der Polierkopf 42 ab, bis seine Oberfläche mit der kreisförmigen Bürste 442 des Spindel-Waschkopfs 44 in Berührung kommt, nachdem sich der Halbleiterscheibenauflegetisch 432 der unteren Stufe bewegt hat, und der Polierkopf 42 wird gewaschen. Die Einspritzdüse 444 spritzt Waschwasser während des Waschvorgangs ein. Der so gewaschene Polierkopf 42 kann die nächste Halbleiterscheibe 10 an der selben Position halten.
  • Ein Betriebszyklus der Poliereinheit 4 wird auf diese Weise ausgeführt. Dieselbe Operation wird an einer anderen Warteeinheit 43 ausgeführt.
  • Wie voranstehend beschrieben umfaßt die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung die obere und untere Warteeinheit mit zweistufiger Struktur, um die Halbleiterscheiben zeitweilig auf die Poliereinheit zu legen, und kann somit den Durchsatz und die Produktivität verbessern.
  • Wenn der Halbleiterscheibenauflegetisch die Halbleiterscheibe zum Polierkopf führt, wird die Halbleiterscheibe vom Wasser gehalten. Infolgedessen kann der Polierkopf die Halbleiterscheibe leicht halten. Da des weiteren die Spindel-Wascheinheit unterhalb der Warteeinheit angeordnet ist, kann die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung sehr kompakt ausgeführt werden. Da die Vorrichtung die Halbleiterscheibe an der selben Position aufnehmen kann, kann sie ohne Leerlaufzeit kontinuierlich arbeiten. Da der Polierkopf immer dann auch gewaschen wird, wenn auch die Halbleiterscheibe poliert wird, kann die Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung das Glätten und Polieren mit hoher Präzision ausführen.
  • Wenngleich die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf eine bestimmte Ausführung beschrieben wurde, die zum Zwecke der Veranschaulichung ausgewählt wurde, sollte doch offensichtlich sein, daß zahlreiche Modifizierungen von Fachleuten dieses Bereiches daran vorgenommen werden können, ohne dadurch vom grundlegenden Konzept und vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
    • 1
    Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung
    2
    Indexeinheit
    3
    Belade-/Entladeeinheit
    4
    Poliereinheit
    5
    Wascheinheit
    6
    Elektroinstallationseinheit
    21
    Kassetten
    22
    Roboter
    31,32
    Transportroboter
    41
    Platten
    42
    Polierköpfe
    43
    Warteeinheit
    431,432
    Halbleiterscheibenauflegetische
    433
    Verbindungselement
    434
    Zylinder
    435
    Nut
    436
    Wasserzufuhrpassage
    437
    Wasserzufuhrventil
    438
    Wasserbehälter
    439
    Ablaßrohr
    44
    Spindel-Wascheinheit
    441
    Tank
    442
    Bürste
    443
    Trennwand
    444
    Einspritzdüse
    445
    Wasserzufuhröffnung
    446
    Wasserablaßöffnung
    447
    Führungselement

Claims (5)

  1. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung (1) mit einer Indexeinheit (2) zur Beförderung einer Halbleiterscheibe (10) von einer Kassette (21) zu einer Belade-/Entladeeinheit (3), wobei die Belade-/Entladeeinheit (3) der Weitergabe der Halbleiterscheibe (10) von der Indexeinheit (2) zu einer Poliereinheit (4) und von der Poliereinheit (4) zu einer Wascheinheit (5) dient, wobei die Poliereinheit (4) zum Polieren der Halbleiterscheibe (10) dient und die Wascheinheit (5) zum Waschen der Halbleiterscheibe (10) nach dem Polieren dient, und mit Warteeinheiten (43), wobei: die Warteeinheiten (43) jeweils einen Halbleiterscheibenauflegetisch (431, 432) mit einer zweistufigen Oben-/Unten-Struktur umfassen, um die von der Belade-/Entladeeinheit (3) zum Polierkopf (42) oder vom Polierkopf (42) zur Belade-/Entladeeinheit (3) transportierte Halbleiterscheibe (10) zeitweilig darauf zu legen, und wobei sowohl der Halbleiterscheibenauflegetisch (431) der oberen Stufe als auch der Halbleiterscheibenauflegetisch (432) der unteren Stufe unabhängig voneinander gleiten können.
  2. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei es sich bei dem Halbleiterscheibenauflegetisch (431) der oberen Stufe der Warteeinheit (43) um einen Nur-Beladen-Tisch handelt, um die Halbleiterscheibe (10) zum Polierkopf (42) zu befördern, und wobei es sich bei dem Halbleiterscheibenauflegetisch (432) der unteren Stufe der Warteeinheit (43) um einen Nur-Entladen-Tisch handelt, um die Halbleiterscheibe (10) nach dem Polieren vom Polierkopf (42) aufzunehmen.
  3. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei der Halbleiterscheibenauflegetisch (431) der oberen Stufe der Warteeinheit (43) mit einem Wasserzufuhrrohr (436) kommuniziert, wenn eine Position erreicht wird, an welcher der Halbleiterscheibenauflegetisch (431) die darauf liegende Halbleiterscheibe (10) zum Polierkopf (42) liefert, und einen Wasserfilm auf dem Halbleiterscheibenauflegetisch (431) der oberen Stufe der Warteeinheit (43) bildet, und die Halbleiterscheibe (10) aufschwimmen läßt.
  4. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung (1) nach Anspruch 2, wobei der Halbleiterscheibenauflegetisch (431) der oberen Stufe der Warteeinheit (43) mit einem Wasserzufuhrrohr (436) kommuniziert, wenn eine Position erreicht wird, an welcher der Halbleiterscheibenauflegetisch (431) die darauf liegende Halbleiterscheibe (10) zum Polierkopf (42) liefert, und einen Wasserfilm auf dem Halbleiterscheibenauflegetisch (431) der oberen Stufe der Warteeinheit (43) bildet und das Wasser trägt.
  5. Halbleiterscheiben-Poliervorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei an der Poliereinheit (4) weiters eine Warteeinheit (43) mit Halbleiterscheibenauflegetischen (431, 432), welche eine zweistufige Oben-/Untenstruktur besitzen und in der Lage sind, unabhängig voneinander zu gleiten, vorhanden ist.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001064391A2 (en) * 2000-02-29 2001-09-07 Applied Materials, Inc. Planarization system with a wafer transfer corridor and multiple polishing modules
JP4197103B2 (ja) * 2002-04-15 2008-12-17 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JP4207153B2 (ja) * 2002-07-31 2009-01-14 旭硝子株式会社 基板の研磨方法及びその装置
KR100814474B1 (ko) 2007-04-05 2008-03-17 주식회사지이티-피씨 블록의 연마가공방법 및 연마가공시스템
KR101587226B1 (ko) 2008-07-31 2016-01-20 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 웨이퍼의 연마 방법 및 양면 연마 장치
JP5123329B2 (ja) * 2010-01-07 2013-01-23 株式会社岡本工作機械製作所 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法
JP7111604B2 (ja) * 2018-12-17 2022-08-02 株式会社東京精密 ウエハ研磨装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
EP0827809A1 (de) * 1996-09-04 1998-03-11 Ebara Corporation Poliervorrichtung

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4141180A (en) * 1977-09-21 1979-02-27 Kayex Corporation Polishing apparatus
JPH02301137A (ja) * 1989-05-15 1990-12-13 Toshiba Mach Co Ltd ポリシング装置
JPH0414849A (ja) * 1990-05-09 1992-01-20 Shibayama Kikai Kk チャック機構における半導体ウエハの取外し方法
US5329732A (en) 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JP2655975B2 (ja) * 1992-09-18 1997-09-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5827110A (en) 1994-12-28 1998-10-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing facility
KR100390293B1 (ko) 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
JPH08153693A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Toshiba Mach Co Ltd ローダ装置
JP3644706B2 (ja) * 1994-11-29 2005-05-11 東芝機械株式会社 ポリッシング装置
KR100487590B1 (ko) 1995-08-21 2005-08-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
JP3631554B2 (ja) * 1996-02-28 2005-03-23 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JPH1092781A (ja) * 1996-06-04 1998-04-10 Ebara Corp 基板の搬送方法及び装置
JPH09326379A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Sony Corp 半導体基板の研磨方法および装置
JP3231659B2 (ja) * 1997-04-28 2001-11-26 日本電気株式会社 自動研磨装置
KR100253085B1 (ko) * 1997-07-10 2000-04-15 윤종용 측정장치를구비한웨이퍼폴리싱장치및폴리싱방법
US6213853B1 (en) * 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces
JP2870537B1 (ja) * 1998-02-26 1999-03-17 日本電気株式会社 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法
TW393378B (en) 1998-04-08 2000-06-11 Applied Materials Inc Apparatus and methods for slurry removal in chemical mechanical polishing
JPH1179390A (ja) * 1998-07-17 1999-03-23 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ搬出入手段
JP2000040728A (ja) 1998-07-22 2000-02-08 Nippon Asm Kk ウェハ搬送機構

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
EP0827809A1 (de) * 1996-09-04 1998-03-11 Ebara Corporation Poliervorrichtung

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