JPH0414849A - チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 - Google Patents
チャック機構における半導体ウエハの取外し方法Info
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- JPH0414849A JPH0414849A JP2117485A JP11748590A JPH0414849A JP H0414849 A JPH0414849 A JP H0414849A JP 2117485 A JP2117485 A JP 2117485A JP 11748590 A JP11748590 A JP 11748590A JP H0414849 A JPH0414849 A JP H0414849A
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は研削盤等のチャック機構において、該チャック
機構から脆性で極薄化、拡径化された半導体ウェハを安
全に取外す方法に関するものである。
機構から脆性で極薄化、拡径化された半導体ウェハを安
全に取外す方法に関するものである。
本発明に係るこの種の半導体ウェハにおいては。
コンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器等の集積
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と。
回路に使用されており、その開発は日々進歩しており機
器そのものの小型化に伴う極薄化と。
より超高精度の質性と、作業性の観点からより一層の拡
径化が要求されてきている。
径化が要求されてきている。
従来の研削盤等のバキューム吸着機能を有するチャック
機構においては、先ず、半導体ウェハをバキューム吸着
し研削研磨加工を施して、加工後にバキューム吸着を開
放し、エアーを逆送して半導体ウェハを浮上さるように
して吸着パットで吸着し移送アームを上昇させることに
よって剥がしているが、エアーの噴流のみでは乗載台等
の上面に付着する研削研磨肩等の微粒異物は充分に除去
できず１乗載台の上面に残留したままであり１通常の厚
みの半導体ウェハであれば多少の微粒異物が残留したま
ま再びバキューム吸着させても半導体ウェハの上面が歪
んだり破損したりする等の問題点は殆ど発生しなかった
。
機構においては、先ず、半導体ウェハをバキューム吸着
し研削研磨加工を施して、加工後にバキューム吸着を開
放し、エアーを逆送して半導体ウェハを浮上さるように
して吸着パットで吸着し移送アームを上昇させることに
よって剥がしているが、エアーの噴流のみでは乗載台等
の上面に付着する研削研磨肩等の微粒異物は充分に除去
できず１乗載台の上面に残留したままであり１通常の厚
みの半導体ウェハであれば多少の微粒異物が残留したま
ま再びバキューム吸着させても半導体ウェハの上面が歪
んだり破損したりする等の問題点は殆ど発生しなかった
。
然し乍ら、昨今要求されている極薄化、拡径化された半
導体ウェハではチャック機構の乗載台の上面に研削屑等
の微粒異物が僅かに残留していてもバキューム吸着する
と脆性で極薄化、拡径化された半導体ウェハは折損した
り、半導体ウエノ）そのものが微粒異物によって歪んで
研削研磨加工する上面の平坦精度がでなかったり、又、
極薄化、拡径化された半導体ウェハでは研削研磨後の鏡
面仕上された上面を吸着パットで吸着しチャック機構の
上面から剥がす場合もチャック機構の上面に付着してい
る液体の表面張力による吸着作用によって、半導体ウェ
ハの損傷が頻繁に発生し、しかも高速度回転で研削研磨
加工するので摩擦熱による半導体ウェハへのダメージが
引き起こされる等の諸問題が出てきている。
導体ウェハではチャック機構の乗載台の上面に研削屑等
の微粒異物が僅かに残留していてもバキューム吸着する
と脆性で極薄化、拡径化された半導体ウェハは折損した
り、半導体ウエノ）そのものが微粒異物によって歪んで
研削研磨加工する上面の平坦精度がでなかったり、又、
極薄化、拡径化された半導体ウェハでは研削研磨後の鏡
面仕上された上面を吸着パットで吸着しチャック機構の
上面から剥がす場合もチャック機構の上面に付着してい
る液体の表面張力による吸着作用によって、半導体ウェ
ハの損傷が頻繁に発生し、しかも高速度回転で研削研磨
加工するので摩擦熱による半導体ウェハへのダメージが
引き起こされる等の諸問題が出てきている。
その為に研削加工後にその都度別の洗浄装置で洗浄する
方法も取られているが時間的なロスが大きいものであっ
た。
方法も取られているが時間的なロスが大きいものであっ
た。
本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研鍛の結果。
これらのチャック機構の間隙部へ一時的に噴流する水を
滞溜させ、静止状態の水の表面張力を破壊する水量の水
を有孔物質から成る乗載台を浸透させ上面に噴流させて
、半導体ウェハの下面全体を均等に浮上させた状態で移
送アームに備えた吸着パットで吸着させると共に、水を
吸引させて水の表面張力による吸着作用の影響を受ける
ことなく取外す方法を提供する目的である。
滞溜させ、静止状態の水の表面張力を破壊する水量の水
を有孔物質から成る乗載台を浸透させ上面に噴流させて
、半導体ウェハの下面全体を均等に浮上させた状態で移
送アームに備えた吸着パットで吸着させると共に、水を
吸引させて水の表面張力による吸着作用の影響を受ける
ことなく取外す方法を提供する目的である。
斯る目的を達成した本発明の研削盤等のチャック機構に
おける半導体ウェハの取外し方法の実施例を以下図面を
用いて説明する。
おける半導体ウェハの取外し方法の実施例を以下図面を
用いて説明する。
第１図は本発明の実施による研削盤等のチャック機構の
一部分の構成要部を現した概要説明図であって、第２図
は水流によって半導体ウェハの浮上させた状態を現した
概要説明図であり、第３図は移送アームの吸着パットで
半導体ウェハを吸着させた概要説明図アあり、第４図は
注排水口へ水を吸引させた概要説明図である。
一部分の構成要部を現した概要説明図であって、第２図
は水流によって半導体ウェハの浮上させた状態を現した
概要説明図であり、第３図は移送アームの吸着パットで
半導体ウェハを吸着させた概要説明図アあり、第４図は
注排水口へ水を吸引させた概要説明図である。
本発明は研削盤等のチャック機構１において。
該チャック機構１から脆性で極薄化、拡径化された半導
体ウェハＡを安全に取外す方法に関するものであり、チ
ャック機構１の上方辺へ先端部に吸着パット２を備えた
移送アーム３を昇降自在に設けると共に、該チャック機
構１へは円筒状の凹陥部４を形設し、該凹陥部４の底面
に間隙部５を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台６
を回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する排気
口兼注排水ロアを設けた極薄化、拡径化された半導体ウ
ェハＡを研削加工するためにバキューム吸着機能を有す
るチャック機ｉｌｌを用いて、前記乗載台６へ載置され
た研削研磨加工後の極薄化、拡径化された半導体ウェハ
Ａのバキューム吸着を解除すると同時に前記注排水ロア
より水を噴流させて間隙部５へ一時的に滞溜させ、該乗
載台６の上面へ静止状態でできる水層の表面張力を破壊
する水量の水を有孔物質から成る乗載台６を浸透させ、
該乗載台６の上面に噴流して半導体ウェハＡの下面全体
を均等に浮上させた状態で前記移送アー４３に備えた吸
着パット２で吸着させると共に、前記注排水ロアより水
を吸引させて半導体ウェハＡの下面とチャック機構１の
上面との間の水の表面張力による吸着作用の影響を受け
ることなく取外す方法である。
体ウェハＡを安全に取外す方法に関するものであり、チ
ャック機構１の上方辺へ先端部に吸着パット２を備えた
移送アーム３を昇降自在に設けると共に、該チャック機
構１へは円筒状の凹陥部４を形設し、該凹陥部４の底面
に間隙部５を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台６
を回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する排気
口兼注排水ロアを設けた極薄化、拡径化された半導体ウ
ェハＡを研削加工するためにバキューム吸着機能を有す
るチャック機ｉｌｌを用いて、前記乗載台６へ載置され
た研削研磨加工後の極薄化、拡径化された半導体ウェハ
Ａのバキューム吸着を解除すると同時に前記注排水ロア
より水を噴流させて間隙部５へ一時的に滞溜させ、該乗
載台６の上面へ静止状態でできる水層の表面張力を破壊
する水量の水を有孔物質から成る乗載台６を浸透させ、
該乗載台６の上面に噴流して半導体ウェハＡの下面全体
を均等に浮上させた状態で前記移送アー４３に備えた吸
着パット２で吸着させると共に、前記注排水ロアより水
を吸引させて半導体ウェハＡの下面とチャック機構１の
上面との間の水の表面張力による吸着作用の影響を受け
ることなく取外す方法である。
即ち、本発明を実施する装置は、第１図に図示の如く、
研削盤等のチャック機構１へは円筒状で平坦な底面を有
する凹陥部４を形設し、該凹陥部４の底面とポーラス状
セラミック等の有孔物質から成る円盤状の乗載台６の下
面との間の凹陥部４に段部等を形成する手段等によって
適宜な容積を有する間隙部５を設けて乗載台６を回転自
在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する排気口兼注排
水ロアを設け、該排気口兼注排水ロアはチャック機構１
を貫いて真空ポンプ及び送水ポンプと接続されているも
ので、真空ポンプ、を可動させて負荷をかけ極薄化、拡
径化された半導体ウェハＡをバキューム吸着するチャッ
ク機構１の上方辺へ先端に吸着パット２を備えた移送ア
ーム３を昇降自在に設けた装置を用いて実施するもので
ある。
研削盤等のチャック機構１へは円筒状で平坦な底面を有
する凹陥部４を形設し、該凹陥部４の底面とポーラス状
セラミック等の有孔物質から成る円盤状の乗載台６の下
面との間の凹陥部４に段部等を形成する手段等によって
適宜な容積を有する間隙部５を設けて乗載台６を回転自
在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する排気口兼注排
水ロアを設け、該排気口兼注排水ロアはチャック機構１
を貫いて真空ポンプ及び送水ポンプと接続されているも
ので、真空ポンプ、を可動させて負荷をかけ極薄化、拡
径化された半導体ウェハＡをバキューム吸着するチャッ
ク機構１の上方辺へ先端に吸着パット２を備えた移送ア
ーム３を昇降自在に設けた装置を用いて実施するもので
ある。
先ず、本発明は乗載台６へ載置された研削研磨加工後の
極薄化、拡径化された半導体ウェハＡのバキューム吸着
を真空ポンプを停止、或いは、バキューム管系のバルブ
等を閉鎖させて解除すると同時に、前記排気口兼注排水
ロアより送水ポンプを可動させるか、或いは、注水管系
のバルブを開放させて水を噴流させると、水は容積を有
する間隙部５へ一時的に滞溜するものであり、更に送水
を続けると水は該間隙部５を満たし一気に多量の水がポ
ーラス状セラミック等の有孔物質から成る乗載台６を浸
透させ上面に噴流させるものであるが、該乗載台６の上
面へ静止状態でできる水層の表面張力を破壊させるに充
分な水量を噴流させるものである。
極薄化、拡径化された半導体ウェハＡのバキューム吸着
を真空ポンプを停止、或いは、バキューム管系のバルブ
等を閉鎖させて解除すると同時に、前記排気口兼注排水
ロアより送水ポンプを可動させるか、或いは、注水管系
のバルブを開放させて水を噴流させると、水は容積を有
する間隙部５へ一時的に滞溜するものであり、更に送水
を続けると水は該間隙部５を満たし一気に多量の水がポ
ーラス状セラミック等の有孔物質から成る乗載台６を浸
透させ上面に噴流させるものであるが、該乗載台６の上
面へ静止状態でできる水層の表面張力を破壊させるに充
分な水量を噴流させるものである。
次に、半導体ウェハＡの下面全体を該水量によって均等
に浮上させた状態で移送アーム３に備えた吸着パット２
で吸着させると共に、注排水ロアより水を吸引させると
半導体ウェハＡとチャック機構１の上面との間の水は水
層と成り、該水層の外周縁から大気圧に押されると共に
吸引されるため表面張力による水の吸着作用の影響を受
けることなく半導体ウェハＡを取り外すことが可能と成
るものであり、その後、移送アーム３を上昇させること
によって、極薄化、拡径化された半導体ウェハＡの破損
を無く別のシステムに搬送され格納されるものであり、
水流を噴流させた状態で吸着パット２で吸着させた時間
を若干延ばすと半導体ウェハＡの下面と乗載台６等のチ
ャック機構１の上面とは洗浄され同時に加工による摩擦
熱を冷却させるものである。
に浮上させた状態で移送アーム３に備えた吸着パット２
で吸着させると共に、注排水ロアより水を吸引させると
半導体ウェハＡとチャック機構１の上面との間の水は水
層と成り、該水層の外周縁から大気圧に押されると共に
吸引されるため表面張力による水の吸着作用の影響を受
けることなく半導体ウェハＡを取り外すことが可能と成
るものであり、その後、移送アーム３を上昇させること
によって、極薄化、拡径化された半導体ウェハＡの破損
を無く別のシステムに搬送され格納されるものであり、
水流を噴流させた状態で吸着パット２で吸着させた時間
を若干延ばすと半導体ウェハＡの下面と乗載台６等のチ
ャック機構１の上面とは洗浄され同時に加工による摩擦
熱を冷却させるものである。
この様にして静止状態でできる水層の表面張力を破壊さ
せるに充分な水量を噴流させて、且つ。
せるに充分な水量を噴流させて、且つ。
大気圧と吸引力を利して取外すので、時間的なロスをす
ることなく安全確実に半導体ウェハＡを取外すことがで
き、且つ、水流によって洗浄され、更に、研削すること
により引き起こされる摩擦熱を蓄えることなく冷却させ
る取外し方法であって。
ることなく安全確実に半導体ウェハＡを取外すことがで
き、且つ、水流によって洗浄され、更に、研削すること
により引き起こされる摩擦熱を蓄えることなく冷却させ
る取外し方法であって。
取外した半導体ウェハＡを別のシステム装置へ移送した
後、次の未研削の半導体ウェハＡは効率よく充分に洗浄
され、摩擦熱も解消されたチャック機構１の上面へバキ
ューム吸着され、順次研削することができるものである
。
後、次の未研削の半導体ウェハＡは効率よく充分に洗浄
され、摩擦熱も解消されたチャック機構１の上面へバキ
ューム吸着され、順次研削することができるものである
。
以上の如く、本発明は極薄化、拡径化された半導体ウェ
ハを時間的なロスをすることなく、然も、加工後の鏡面
に何等障害を及ぼさずに取外しができるだけでなく、半
導体ウェハの下面及びチャック機構の上面の洗浄を行い
１合わせて研削研磨加工による摩擦熱を冷却できるもの
であって、其の貢献性は計り知れないものがあり、極め
て有意義な効果を奏するものである。
ハを時間的なロスをすることなく、然も、加工後の鏡面
に何等障害を及ぼさずに取外しができるだけでなく、半
導体ウェハの下面及びチャック機構の上面の洗浄を行い
１合わせて研削研磨加工による摩擦熱を冷却できるもの
であって、其の貢献性は計り知れないものがあり、極め
て有意義な効果を奏するものである。
第１図は本発明の実施による研削盤等のチャック機構本
体の一部分の構成要部を現した概要説明図である。第２
図は水流によって半導体ウェハの浮上させた状態を現し
た概要説明図である。第３図は移送アームの吸着パット
で半導体ウェハを吸着させた概要説明図である。第４図
は注排水口へ水を吸引させた概要説明図である。 Ａ−半導体ウェハ。 １−チャック機構、２−吸着パット、３−移送アーム、
４−凹陥部、５〜間隙部、６〜乗載台、７−排気口兼注
排水口。 特許出願人 芝山機械株式会社 表取締役 石 村 吉 男 第１図 第：３図 第４図
体の一部分の構成要部を現した概要説明図である。第２
図は水流によって半導体ウェハの浮上させた状態を現し
た概要説明図である。第３図は移送アームの吸着パット
で半導体ウェハを吸着させた概要説明図である。第４図
は注排水口へ水を吸引させた概要説明図である。 Ａ−半導体ウェハ。 １−チャック機構、２−吸着パット、３−移送アーム、
４−凹陥部、５〜間隙部、６〜乗載台、７−排気口兼注
排水口。 特許出願人 芝山機械株式会社 表取締役 石 村 吉 男 第１図 第：３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チャック機構の上方辺へ先端部に吸着パットを備えた移
送アームを昇降自在に設けると共に、該チャック機構へ
は円筒状の凹陥部を形設し、該凹陥部の底面に間隙部を
設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台を回転自在に軸
承固定し、該軸の中心部を貫通する排気口兼注排水口を
設けた極薄化、拡径化された半導体ウェハを研削加工す
るためにバキューム吸着機能を有するチャック機構を用
いて、 前記乗載台へ載置された研削研磨加工後の極薄化、拡径
化された半導体ウェハのバキューム吸着を解除すると同
時に前記注排水口より水を噴流させて間隙部へ一時的に
滞溜させ、該乗載台の上面へ静止状態でできる水層の表
面張力を破壊する水量の水を有孔物質から成る乗載台を
浸透させ、該乗載台の上面に噴流して半導体ウェハの下
面全体を均等に浮上させた状態で前記移送アームに備え
た吸着パットで吸着させると共に、前記注排水口より水
を吸引させて半導体ウェハの下面とチャック機構の上面
との間の水の表面張力による吸着作用の影響を受けるこ
となく取外すことを特徴とするチャック機構における半
導体ウェハの取外し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117485A JPH0414849A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117485A JPH0414849A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414849A true JPH0414849A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14712879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117485A Pending JPH0414849A (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414849A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274121A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェハ研磨装置 |
| KR100823565B1 (ko) * | 1997-09-19 | 2008-04-21 | 이네오스 헬스케어 리미티드 | 인산염 결합제로서의 혼합 또는 황산화된 금속 화합물 |
| KR20130039487A (ko) * | 2011-10-12 | 2013-04-22 | 한국후꼬꾸 주식회사 | 토셔널 바이브레이션 댐퍼 |
| WO2018077914A1 (en) | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Covestro Deutschland Ag | Method for producing a polyurethane foam molded article |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP2117485A patent/JPH0414849A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100823565B1 (ko) * | 1997-09-19 | 2008-04-21 | 이네오스 헬스케어 리미티드 | 인산염 결합제로서의 혼합 또는 황산화된 금속 화합물 |
| JP2001274121A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェハ研磨装置 |
| KR20130039487A (ko) * | 2011-10-12 | 2013-04-22 | 한국후꼬꾸 주식회사 | 토셔널 바이브레이션 댐퍼 |
| WO2018077914A1 (en) | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Covestro Deutschland Ag | Method for producing a polyurethane foam molded article |
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