JPH04267540A - チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 - Google Patents
チャック機構における半導体ウエハの取外し方法Info
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- JPH04267540A JPH04267540A JP3048651A JP4865191A JPH04267540A JP H04267540 A JPH04267540 A JP H04267540A JP 3048651 A JP3048651 A JP 3048651A JP 4865191 A JP4865191 A JP 4865191A JP H04267540 A JPH04267540 A JP H04267540A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は研削盤等のチャック機構
において、該チャック機構から脆性で極薄化、拡径化さ
れた半導体ウエハを安全に取外す方法に関するものであ
る。
において、該チャック機構から脆性で極薄化、拡径化さ
れた半導体ウエハを安全に取外す方法に関するものであ
る。
【０００２】
【発明の背景】本発明に係るこの種の半導体ウエハにお
いては、コンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器
等の集積回路に使用されており、その開発は日々進歩し
ており機器そのものの小型化に伴う極薄化と、より超高
精度の質性と、作業性の観点からより一層の拡径化が要
求されてきている。
いては、コンピュータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器
等の集積回路に使用されており、その開発は日々進歩し
ており機器そのものの小型化に伴う極薄化と、より超高
精度の質性と、作業性の観点からより一層の拡径化が要
求されてきている。
【０００３】
【従来技術とその問題点】従来の研削盤等のバキューム
吸着機能を有するチャック機構においては、先ず、半導
体ウエハをバキューム吸着し研削研磨加工を施して、加
工後にバキューム吸着を開放し、直ぐに、エアを逆送し
て半導体ウエハを浮上さるようにして吸着パットで吸着
し移送アームを上昇させることによって剥がしているが
、エアーの噴流のみでは乗載台等の上面に付着する研削
研磨屑等の微粒異物は充分に除去できず、乗載台の上面
に残留したままであり、通常の厚みの半導体ウエハであ
れば多少の微粒異物が残留したまま再びバキューム吸着
させても半導体ウエハの上面が歪んだり破損したりする
等の問題点は殆ど発生しなかった。
吸着機能を有するチャック機構においては、先ず、半導
体ウエハをバキューム吸着し研削研磨加工を施して、加
工後にバキューム吸着を開放し、直ぐに、エアを逆送し
て半導体ウエハを浮上さるようにして吸着パットで吸着
し移送アームを上昇させることによって剥がしているが
、エアーの噴流のみでは乗載台等の上面に付着する研削
研磨屑等の微粒異物は充分に除去できず、乗載台の上面
に残留したままであり、通常の厚みの半導体ウエハであ
れば多少の微粒異物が残留したまま再びバキューム吸着
させても半導体ウエハの上面が歪んだり破損したりする
等の問題点は殆ど発生しなかった。
【０００４】然し乍ら、昨今要求されている極薄化、拡
径化された半導体ウエハではチャック機構の乗載台の上
面に研削屑等の微粒異物が僅かに残留していてもバキュ
ーム吸着すると脆性で極薄化、拡径化された半導体ウエ
ハは折損したり、半導体ウエハそのものが微粒異物によ
って歪んで研削研磨加工する上面の平坦精度がでなかっ
たり、又、極薄化、拡径化された半導体ウエハでは研削
研磨後の鏡面仕上された上面を吸着パットで吸着しチャ
ック機構の上面から剥がす場合もチャック機構の上面に
付着している液体の表面張力による吸着作用によって、
半導体ウエハの損傷が頻繁に発生し、しかも高速度回転
で研削研磨加工するので摩擦熱による半導体ウエハへの
ダメージが引き起こされる等の諸問題が出てきている。
径化された半導体ウエハではチャック機構の乗載台の上
面に研削屑等の微粒異物が僅かに残留していてもバキュ
ーム吸着すると脆性で極薄化、拡径化された半導体ウエ
ハは折損したり、半導体ウエハそのものが微粒異物によ
って歪んで研削研磨加工する上面の平坦精度がでなかっ
たり、又、極薄化、拡径化された半導体ウエハでは研削
研磨後の鏡面仕上された上面を吸着パットで吸着しチャ
ック機構の上面から剥がす場合もチャック機構の上面に
付着している液体の表面張力による吸着作用によって、
半導体ウエハの損傷が頻繁に発生し、しかも高速度回転
で研削研磨加工するので摩擦熱による半導体ウエハへの
ダメージが引き起こされる等の諸問題が出てきている。
【０００５】その為に研削加工後にその都度別の洗浄装
置で洗浄する方法も取られているが時間的なロスが大き
いものであった。
置で洗浄する方法も取られているが時間的なロスが大き
いものであった。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研鑚の
結果、これらのチャック機構の間隙部へ一時的に噴流す
る液体を滞溜させ、静止状態の液体の表面張力を破壊す
る水量の液体を有孔物質から成る乗載台を浸透させ上面
に噴流させて、半導体ウエハの下面全体を均等に浮上さ
せた状態で移送アームに備えた吸着パットで吸着させる
と共に、液体の噴流を停止させると同時にエアを噴気さ
せて液体の表面張力による吸着作用の影響を受けること
なく取外す方法を提供する目的である。
結果、これらのチャック機構の間隙部へ一時的に噴流す
る液体を滞溜させ、静止状態の液体の表面張力を破壊す
る水量の液体を有孔物質から成る乗載台を浸透させ上面
に噴流させて、半導体ウエハの下面全体を均等に浮上さ
せた状態で移送アームに備えた吸着パットで吸着させる
と共に、液体の噴流を停止させると同時にエアを噴気さ
せて液体の表面張力による吸着作用の影響を受けること
なく取外す方法を提供する目的である。
【０００７】
【発明の実施例】斯る目的を達成した本発明の研削盤等
のチャック機構における半導体ウエハの取外し方法の実
施例を以下図面を用いて説明する。
のチャック機構における半導体ウエハの取外し方法の実
施例を以下図面を用いて説明する。
【０００８】図１は本発明の実施による研削盤等のチャ
ック機構の一部分の構成要部を現した概要説明図であっ
て、図２は水流によって半導体ウエハの浮上させた状態
を現した概要説明図であり、図３は移送アームの吸着パ
ットで半導体ウエハを吸着させて液体を噴流させている
概要説明図であり、図４は給排気口兼注排水口よりのエ
アを噴気させた状態の概要説明図である。
ック機構の一部分の構成要部を現した概要説明図であっ
て、図２は水流によって半導体ウエハの浮上させた状態
を現した概要説明図であり、図３は移送アームの吸着パ
ットで半導体ウエハを吸着させて液体を噴流させている
概要説明図であり、図４は給排気口兼注排水口よりのエ
アを噴気させた状態の概要説明図である。
【０００９】本発明は研削盤等のチャック機構１におい
て、該チャック機構１から脆性で極薄化、拡径化された
半導体ウエハＡを安全に取外す方法に関するものであり
、チャック機構１の上方辺へ先端部に吸着パット２を備
えた移送アーム３を昇降自在に設けると共に、該チャッ
ク機構１へは円筒状の凹陥部４を形設し、該凹陥部４の
底面に間隙部５を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載
台６を回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する
給排気口兼注排水口７を設けた極薄化、拡径化された半
導体ウエハＡを研削加工するためにバキューム吸着機能
を有するチャック機構１を用いて、前記乗載台６へ載置
された研削研磨加工後の極薄化、拡径化された半導体ウ
エハＡのバキューム吸着を解除すると同時に前記給排気
口兼注排水口７より液体を噴流させて間隙部５へ一時的
に滞溜させ、該乗載台６の上面へ静止状態でできる液体
層の表面張力を破壊する水量の液体を有孔物質から成る
乗載台６を浸透させ、該乗載台６の上面に噴流して半導
体ウエハＡの下面全体を均等に浮上させた状態で前記移
送アーム３に備えた吸着パット２で吸着させると共に、
前記給排気口兼注排水口７よりの液体を噴流を停止させ
ると同時にエアを噴気させて半導体ウエハＡの下面とチ
ャック機構１の上面との間の液体の表面張力による吸着
作用の影響を受けることなく取外す方法である。
て、該チャック機構１から脆性で極薄化、拡径化された
半導体ウエハＡを安全に取外す方法に関するものであり
、チャック機構１の上方辺へ先端部に吸着パット２を備
えた移送アーム３を昇降自在に設けると共に、該チャッ
ク機構１へは円筒状の凹陥部４を形設し、該凹陥部４の
底面に間隙部５を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載
台６を回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する
給排気口兼注排水口７を設けた極薄化、拡径化された半
導体ウエハＡを研削加工するためにバキューム吸着機能
を有するチャック機構１を用いて、前記乗載台６へ載置
された研削研磨加工後の極薄化、拡径化された半導体ウ
エハＡのバキューム吸着を解除すると同時に前記給排気
口兼注排水口７より液体を噴流させて間隙部５へ一時的
に滞溜させ、該乗載台６の上面へ静止状態でできる液体
層の表面張力を破壊する水量の液体を有孔物質から成る
乗載台６を浸透させ、該乗載台６の上面に噴流して半導
体ウエハＡの下面全体を均等に浮上させた状態で前記移
送アーム３に備えた吸着パット２で吸着させると共に、
前記給排気口兼注排水口７よりの液体を噴流を停止させ
ると同時にエアを噴気させて半導体ウエハＡの下面とチ
ャック機構１の上面との間の液体の表面張力による吸着
作用の影響を受けることなく取外す方法である。
【００１０】即ち、本発明を実施する装置は、図１に図
示の如く、研削盤等のチャック機構１へは円筒状で平坦
な底面を有する凹陥部４を形設し、該凹陥部４の底面と
ポーラス状セラミック等の有孔物質から成る円盤状の乗
載台６の下面との間の凹陥部４に段部等を形成する手段
等によって適宜な容積を有する間隙部５を設けて乗載台
６を回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する給
排気口兼注排水口７を設け、該給排気口兼注排水口７は
チャック機構１を貫いて真空ポンプ、コンプレッサー及
び送水ポンプと接続されているもので、例えば、真空ポ
ンプを可動させて負荷をかけ極薄化、拡径化された半導
体ウエハＡをバキューム吸着するチャック機構１の上方
辺へ先端に吸着パット２を備えた移送アーム３を昇降自
在に設けた装置を用いて実施するものである。
示の如く、研削盤等のチャック機構１へは円筒状で平坦
な底面を有する凹陥部４を形設し、該凹陥部４の底面と
ポーラス状セラミック等の有孔物質から成る円盤状の乗
載台６の下面との間の凹陥部４に段部等を形成する手段
等によって適宜な容積を有する間隙部５を設けて乗載台
６を回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する給
排気口兼注排水口７を設け、該給排気口兼注排水口７は
チャック機構１を貫いて真空ポンプ、コンプレッサー及
び送水ポンプと接続されているもので、例えば、真空ポ
ンプを可動させて負荷をかけ極薄化、拡径化された半導
体ウエハＡをバキューム吸着するチャック機構１の上方
辺へ先端に吸着パット２を備えた移送アーム３を昇降自
在に設けた装置を用いて実施するものである。
【００１１】先ず、本発明は乗載台６へ載置された研削
研磨加工後の極薄化、拡径化された半導体ウエハＡのバ
キューム吸着を真空ポンプを停止、或いは、バキューム
管系のバルブ等を閉鎖又は切り替えて解除すると同時に
、前記給排気口兼注排水口７より送水ポンプを可動させ
るか、或いは、注水管系のバルブを開放又は切り替えて
液体を噴流させると、液体は容積を有する間隙部５へ一
時的に滞溜するものであり、更に送水を続けると液体は
該間隙部５を満たし一気に多量の液体がポーラス状セラ
ミック等の有孔物質から成る乗載台６を浸透させ上面に
噴流させるものであるが、該乗載台６の上面へ静止状態
でできる液体層の表面張力を破壊させるに充分な水量を
噴流させるものである。
研磨加工後の極薄化、拡径化された半導体ウエハＡのバ
キューム吸着を真空ポンプを停止、或いは、バキューム
管系のバルブ等を閉鎖又は切り替えて解除すると同時に
、前記給排気口兼注排水口７より送水ポンプを可動させ
るか、或いは、注水管系のバルブを開放又は切り替えて
液体を噴流させると、液体は容積を有する間隙部５へ一
時的に滞溜するものであり、更に送水を続けると液体は
該間隙部５を満たし一気に多量の液体がポーラス状セラ
ミック等の有孔物質から成る乗載台６を浸透させ上面に
噴流させるものであるが、該乗載台６の上面へ静止状態
でできる液体層の表面張力を破壊させるに充分な水量を
噴流させるものである。
【００１２】次に、図３に図示のごとく、半導体ウエハ
Ａの下面全体を該水量によって均等に浮上させた状態で
移送アーム３に備えた吸着パット２で吸着させると共に
、給排気口兼注排水口７より液体の噴流を停止させると
同時に、該給排気口兼注排水口７のバキューム管系へエ
アを送るために、例えば、コンプレッサーへのバルブの
切り替え等の手段によって、エアを噴気させると、半導
体ウエハＡとチャック機構１の上面との間に液体は噴気
するエアによって吹き飛ばされて大気と繋がる空気層が
形成され、表面張力による液体の吸着作用の影響を受け
ることなく半導体ウエハＡを取り外すことが可能と成る
ものであり、その後、移送アーム３を上昇させることに
よって、極薄化、拡径化された半導体ウエハＡの破損を
無く別のシステムに搬送され格納されるものであり、そ
して、エアの噴気を停止させて次の工程に移るものであ
るが、半導体ウエハＡを浮上させ液体の表面張力を破壊
する水量の液体を噴流させ、加えて、その液体をエアを
噴気させることにより吹き飛ばすため、乗載台６等のチ
ャック機構１の上面と半導体ウエハＡの下面とは洗浄さ
れ同時に加工による摩擦熱を冷却させるものである。
Ａの下面全体を該水量によって均等に浮上させた状態で
移送アーム３に備えた吸着パット２で吸着させると共に
、給排気口兼注排水口７より液体の噴流を停止させると
同時に、該給排気口兼注排水口７のバキューム管系へエ
アを送るために、例えば、コンプレッサーへのバルブの
切り替え等の手段によって、エアを噴気させると、半導
体ウエハＡとチャック機構１の上面との間に液体は噴気
するエアによって吹き飛ばされて大気と繋がる空気層が
形成され、表面張力による液体の吸着作用の影響を受け
ることなく半導体ウエハＡを取り外すことが可能と成る
ものであり、その後、移送アーム３を上昇させることに
よって、極薄化、拡径化された半導体ウエハＡの破損を
無く別のシステムに搬送され格納されるものであり、そ
して、エアの噴気を停止させて次の工程に移るものであ
るが、半導体ウエハＡを浮上させ液体の表面張力を破壊
する水量の液体を噴流させ、加えて、その液体をエアを
噴気させることにより吹き飛ばすため、乗載台６等のチ
ャック機構１の上面と半導体ウエハＡの下面とは洗浄さ
れ同時に加工による摩擦熱を冷却させるものである。
【００１３】この様にして静止状態でできる液体層の表
面張力を破壊させるに充分な水量を噴流させて、且つ、
エアを噴気させて取外すので、安全確実に半導体ウエハ
Ａを取外すことができ、且つ、多量の液体を噴流させる
と共にエアを噴気させるので乗載台６及び半導体ウエハ
は洗浄され、更に、研削することにより引き起こされる
摩擦熱を蓄えることなく冷却させる取外し方法であって
、取外した半導体ウエハＡを別のシステム装置へ移送し
た後、再度液体を噴流させて次の未研削の半導体ウエハ
Ａを効率よく充分に洗浄し、摩擦熱も解消されたチャッ
ク機構１の乗載台６の上面へバキューム吸着され、順次
研削することができるものである。
面張力を破壊させるに充分な水量を噴流させて、且つ、
エアを噴気させて取外すので、安全確実に半導体ウエハ
Ａを取外すことができ、且つ、多量の液体を噴流させる
と共にエアを噴気させるので乗載台６及び半導体ウエハ
は洗浄され、更に、研削することにより引き起こされる
摩擦熱を蓄えることなく冷却させる取外し方法であって
、取外した半導体ウエハＡを別のシステム装置へ移送し
た後、再度液体を噴流させて次の未研削の半導体ウエハ
Ａを効率よく充分に洗浄し、摩擦熱も解消されたチャッ
ク機構１の乗載台６の上面へバキューム吸着され、順次
研削することができるものである。
【００１４】
【発明の効果】以上の如く、本発明は極薄化、拡径化さ
れた半導体ウエハを加工後の鏡面に何等障害を及ぼさず
に取外しができるだけでなく、半導体ウエハの下面及び
チャック機構の上面の洗浄を行い、合わせて研削研磨加
工による摩擦熱を冷却できるものであって、其の貢献性
は計り知れないものがあり、極めて有意義な効果を奏す
るものである。
れた半導体ウエハを加工後の鏡面に何等障害を及ぼさず
に取外しができるだけでなく、半導体ウエハの下面及び
チャック機構の上面の洗浄を行い、合わせて研削研磨加
工による摩擦熱を冷却できるものであって、其の貢献性
は計り知れないものがあり、極めて有意義な効果を奏す
るものである。
【図１】本発明の実施による研削盤等のチャック機構本
体の一部分の構成要部を現した概要説明図である。
体の一部分の構成要部を現した概要説明図である。
【図２】水流によって半導体ウエハの浮上させた状態を
現した概要説明図である。
現した概要説明図である。
【図３】移送アームの吸着パットで半導体ウエハを吸着
させると共に液体を噴流させた概要説明図である。
させると共に液体を噴流させた概要説明図である。
【図４】給排気口兼注排水口よりエアを噴気させた状態
の概要説明図である。
の概要説明図である。
Ａ 半導体ウエハ
１ チャック機構
２ 吸着パット
３ 移送アーム
４ 凹陥部
５ 間隙部
６ 乗載台
７ 給排気口兼注排水口
Claims (1)
- 【請求項１】チャック機構の上方辺へ先端部に吸着パッ
トを備えた移送アームを昇降自在に設けると共に、該チ
ャック機構へは円筒状の凹陥部を形設し、該凹陥部の底
面に間隙部を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台を
回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する給排気
口兼注排水口を設けた極薄化、拡径化された半導体ウエ
ハを研削加工するためにバキューム吸着機能を有するチ
ャック機構を用いて、前記乗載台へ載置された研削研磨
加工後の極薄化、拡径化された半導体ウエハのバキュー
ム吸着を解除すると同時に前記給排気口兼注排水口より
液体を噴流させて間隙部へ一時的に滞溜させ、該乗載台
の上面へ静止状態でできる液体層の表面張力を破壊する
水量の液体を有孔物質から成る乗載台を浸透させ、該乗
載台の上面に噴流して半導体ウエハの下面全体を均等に
浮上させた状態で前記移送アームに備えた吸着パットで
吸着させると共に、前記給吸排気口兼注排水口よりの液
体の噴流を停止させると同時にエアを噴気させて半導体
ウエハの下面とチャック機構の上面との間の液体の表面
張力による吸着作用の影響を受けることなく取外すこと
を特徴とするチャック機構における半導体ウエハの取外
し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048651A JPH04267540A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048651A JPH04267540A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267540A true JPH04267540A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12809265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048651A Pending JPH04267540A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | チャック機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04267540A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0985617A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Nec Corp | 研磨装置 |
| JPH11226864A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-24 | Showa Alum Corp | ワークの研磨装置及び研磨方法 |
| JP2003109926A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-11 | Applied Materials Inc | 基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置 |
| JP2015115574A (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-22 | 株式会社東京精密 | ウェーハ搬送システム |
| JP2016103626A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-06-02 | 株式会社ナノテム | 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法 |
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| WO2024009775A1 (ja) * | 2022-07-04 | 2024-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1991
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