DE10106678A1 - Waferpoliervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Bei einer Waferpoliervorrichtung 1 gemäß dieser Erfindung umfaßt eine Poliereinheit 4 drei Trägerplatten 41 und zwei Polierköpfe 42, und Einspritzöffnungen 45 für Waschwasser, die an den Übergängen zwischen der rechten bzw. der linken Trägerplatte 41a und einer Trägerplatte 41b in der Mitte angeordnet sind. Die beiden Polierköpfe können sich geradlinig zwischen den Trägerplatten bewegen. Beim Zweistufenpolieren wird, während der Polierkopf den Wafer 10 festhält, nach dem Polieren durch die auf beiden Seiten angeordneten Trägerplatten, der Wafer zur mittleren Trägerplatte überführt, welche andere Poliereigenschaften aufweist. In diesem Fall wäscht Waschwasser von den Einspritzöffnungen am Wafer anhaftender Schlamm, usw. weg. Der Wafer wird daraufhin zur jenseits einer Warteeinheit 43 angeordneten mittleren Trägerplatte befördert und einem nächsten Polierschritt unterzogen.
Description
Diese Erfindung betrifft eine Waferpoliervorrichtung.
Insbesondere betrifft diese Erfindung eine
Poliervorrichtung für Halbleiterwafer anhand chemisch
mechanischen Polierens (CMP).
Die Miniaturisierung von IC (integrierte Schaltungen) ist
in den letzten Jahren vorangeschritten, und IC-
Leiterbilder werden nun in mehreren Schichten
ausgebildet. Eine Oberfläche der Schicht, auf welcher ein
derartiges Leiterbild ausgebildet ist, weist unweigerlich
in einem gewissen Maß eine Unebenheit auf. Die im Stand
der Technik bekannte Technologie bildet als solche ein
Leiterbild auf einer vorhergehenden Schicht aus.
Allerdings wird es mit zunehmender Anzahl von Schichten
und abnehmenden Linienbreiten und Lochdurchmessern
schwieriger, zufriedenstellende Leiterbilder auszubilden,
und die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Fehlern
wird größer. Demnach ist es eine übliche Vorgehensweise,
die Oberfläche einer Schicht, welche ein darauf
ausgebildetes Leiterbild aufweist, eben zu machen und
daraufhin das Leiterbild einer nächsten Schicht
auszubilden. Eine Waferpoliervorrichtung (CMP-
Vorrichtung), welche sich eines CMP-Verfahrens bedient,
wird zum Polieren eines Wafers während des Vorgangs des
Ausbildens eines derartigen IS-Leiterbildes zur Anwendung
gebracht.
Die Waferpoliervorrichtung gemäß dem Stand der Technik
umfaßt nur eine Trägerplatte. Infolgedessen erfolgt, wenn
Zweistufenpolieren des Wafers durchgeführt wird, das
Polieren des Wafers zunächst mittels eines bestimmten
Schlammes und daraufhin durch Wechseln des Schlammes. Da
jedoch, ehe der Schlamm gewechselt wird, die Trägerplatte
gewaschen werden muß, wird Polierzeit verschwendet, und
die Arbeitseffizienz ist gering.
Darüber hinaus ist eine Waferpoliervorrichtung bekannte
welche zwei oder mehrere Trägerplatten umfaßt und die
Poliereigenschaften für jede Trägerplatte verschieden
sein kann. Allerdings befördert die
Waferpoliervorrichtung den polierten Wafer zu einer
nächsten Trägerplatte, während der in einem
vorhergehenden Schritt verwendete Schlamm weiterhin am
Wafer anhaftet. Das Polieren kann dann nicht
zufriedenstellend durchgeführt werden. Alternativ dazu
wird das Zweistufenpolieren durch Transportieren des
Wafers, welcher einfach poliert wurde, zu einer
Wascheinheit und darauffolgendes Transportieren des auf
diese Weise gewaschenen Wafers zu einer nächsten
Trägerplatte durchgeführt. In diesem Fall kommt es bei
den Polierschritten zu dem Nachteil, dass die Polierzeit
lang wird, da der Wafer jedesmal, nachdem er poliert
wurde, in die Wascheinheit befördert wird.
Angesichts der oben beschriebenen Probleme ist es eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
Waferwaschvorrichtung vorzusehen, welche in der Lage ist,
hochgenaues Mehrstufenpolieren durchzuführen, ohne bei
den Polierschritten einen Zeitverlust zuzulassen.
Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, ordnet eine
Waferpoliervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zwei oder mehr Trägerplatten in einer Poliereinheit und
Einspritzöffnungen für Waschwasser an den Übergängen
zwischen den Trägerplatten an. Wenn Zweischrittpolieren
des Wafers durchgeführt wird, kann Waschwasser von den
Einspritzöffnungen den Wafer waschen, während der in
einem ersten Schritt polierte Wafer vom Polierkopf
festgehalten und zur nächsten Trägerplatte befördert
wird. Demzufolge ist die Waferpoliervorrichtung imstande
zu verhindern, daß am Wafer anhaftender Schlamm, etc. zum
nächsten Polierschritt mitgeführt wird, und vermag daher
hochgenaues Waferpolieren durchzuführen. Zudem wird die
Atmosphäre innerhalb der Trägerplatte des nächsten
Polierschrittes nicht verschmutzt.
Ferner kann die Waferpoliervorrichtung Mehrstufenpolieren
durchführen, ohne die Notwendigkeit, den Wafer immer
dann, wenn ein Polierschritt abgeschlossen wurde, zu
einer Wascheinheit zu befördern, und die beim
Polierschritt verlorene Zeit kann minimiert werden.
Die vorliegende Erfindung ist aus der Beschreibung der
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, welche in der
Folge unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen
dargelegt wird, klarer zu verstehen.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf eine
Gesamtkonstruktion einer Waferpoliervorrichtung
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf eine
Poliereinheit der Waferpoliervorrichtung gemäß der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 eine schematische Seitenansicht der Poliereinheit
der vorliegenden Erfindung.
Fig. 1 ist eine schematische Draufsicht, welche eine
Gesamtkonstruktion einer Waferpoliervorrichtung gemäß der
vorliegenden Erfindung darstellt. Die
Waferpoliervorrichtung 1 umfaßt fünf Einheiten, und zwar
eine Indexeinheit 2, eine Lade/Entlade-Einheit 3, eine
Poliereinheit 4, eine Wascheinheit 5 und eine
Elektroinstallationseinheit 6. Montagevorrichtungen
sorgen für die einzelne Montage jeder dieser Einheiten.
Die Indexeinheit 2 ist derart ausgebildet, daß eine
Mehrzahl von Kassetten 21 geladen werden können. An der
Indexeinheit 2 ist ein Roboter 22 angebracht, um die in
den Kassetten 21 untergebrachten Wafer 10 zu entnehmen
und diese zur Lade/Entlade-Einheit 3 zu transportieren.
Der Roboter 22 nimmt die Wafer 10 nach dem Polieren und
Waschen von der Wascheinheit 5 entgegen und transportiert
diese in die entsprechenden Kassetten 21 zurück.
Die Lade/Entlade-Einheit 3 umfaßt zwei, einen oberen und
einen unteren, Übergaberoboter 31 und 32. Der obere
Übergaberoboter 31 wird zum Beladen (vor dem
Waferpolieren) verwendet, während der untere
Übergaberoboter 32 zum Entladen (nach dem Waferpolieren)
verwendet wird. Jeder Wafer 10 von der Indexeinheit 2
wird zum oberen Übergaberoboter 31 geführt. Ein
Vorausrichttisch innerhalb der Lade/Entlade-Einheit 3
(nicht dargestellt) führt die Zentrierung durch, und
daraufhin wird der Wafer 10 durch den oberen
Übergaberoboter 31 zur Poliereinheit 4 befördert.
Die Poliereinheit 4 umfaßt drei Trägerplatten 41 und zwei
Polierköpfe 42. Eine Warteeinheit 43, welche
Waferablagetische mit einer Zweistufen-Struktur
(oberer/unterer) aufweist, ist zwischen den jeweiligen
Trägerplatten angeordnet. Jeder zur Poliereinheit 4
beförderte Wafer 10 wird durch die Polierköpfe 42 über
den oberen Waferablagetisch 43a der Warteeinheit 43 auf
die Trägerplatte 41 geführt und dort poliert. Nach dem
Polieren wird der Wafer 10 durch den unteren
Übergaberoboter 32 der Lade/Entlade-Einheit 3 wieder über
den unteren Waferablagetisch 43b der Warteeinheit 43
herausgenommen und daraufhin zur Wascheinheit 5
befördert.
Nach erfolgtem Waschen verstaut der Roboter 22 der
Indexeinheit 2 den Wafer 10 in der Kassette 21. Das
Obengesagte erläutert umrißweise das Einstufen-
Polierverfahren der in Fig. 1 dargestellten
Waferpoliervorrichtung 1.
Als nächstes wird die Konstruktion der Poliereinheit 4
als Merkmal der Waferpoliervorrichtung der vorliegenden
Erfindung mit Bezugnahme auf Fig. 2 und 3 ausführlich
erläutert.
Wie in Fig. 2 dargestellt wird, ist die Poliereinheit 4
mit drei Trägerplatten 41 und zwei Polierköpfen 42
ausgestattet. Wenn Zweistufenpolieren durchgeführt wird,
verwenden die Trägerplatten 41a sowohl auf der linken als
auch auf der rechten Seite dieselbe Art Schlamm, während
die mittlere Trägerplatte 41b eine andere Art Schlamm
verwendet, so daß Poliereigenschaften geändert werden
können. Natürlich kann der Grad der Sauberkeit einzelner
Kammern, welche diese Trägerplatten aufnehmen, den
Poliereigenschaften entsprechend geändert werden.
Der Polierkopf 42 zum Halten des Wafers 10 kann zwischen
den Trägerplatten geradlinig bewegt und auch,
beispielsweise von einer Kugelrollspindel-Konstruktion,
nach oben und nach unten bewegt werden.
Die Poliereinheit 4 ist mit zwei Warteeinheiten 43
zwischen den jeweiligen Paaren von Trägerplatten 41a und
41b ausgestattet. Jede Warteeinheit 43 weist einen
Waferablagetisch mit einer Zweistufenstruktur (oberer -
unterer) auf. Jeder Waferablagetisch 431, 432 ist über
ein Verbindungsglied 433 mit einem stangenlosen Zylinder
434 verbunden. Infolgedessen können sich die
Waferablagetische 431 und 432 geradlinig bewegen, wenn
sie vom stangenlosen Zylinder 434 angetrieben werden.
Die Poliereinheit 4 umfaßt des weiteren eine
Spindelwascheinheit 44 in einem Raum unterhalb der
Warteeinheit 43. Die Spindelwascheinheit 44 ist unterhalb
des unteren Waferablagetisches 432 angeordnet und als
zylindrischer Behälter 441 ausgebildet, welcher eine
derartige Größe aufweist, daß der Polierkopf 42 wie auch
die Spindel in sie hineinfahren können. Zu diesem
Behälter 441 wird Waschwasser zugeführt.
Einspritzöffnungen 45 für Waschwasser sind an den
Übergängen zwischen den Trägerplatten 41a und 41b der
Poliereinheit 4 angeordnet. Bei dieser Ausführungsform
sind die Einspritzöffnungen 45 für Waschwasser zum
Waschen des Wafers 10 am Übergang zur Warteeinheit 43 und
innerhalb der Atmosphäre der sowohl auf der rechten als
auch auf der linken Seite angeordneten Trägerplatten 41a
angeordnet, um Waschwasser einzuspritzen, wenn der Wafer
10 vom Polierschritt durch die sowohl auf der rechten als
auch auf der linken Seite angeordneten Trägerplatten 41a
zum Polierschritt durch die in der Mitte angeordnete
Trägerplatte 41b befördert wird.
Der Betrieb dieser Poliereinheit 4 wird für den Fall des
Zweistufenpolierens erläutert. Wenn der Wafer 10, welcher
vom oberem Übergaberoboter 31 der Lade; Entlade-Einheit 3
befördert wird, auf dem oberen Ablagetisch 431 der
Warteeinheit 43 abgelegt wird, betätigt und bewegt der
stangenlose Zylinder 434 des oberen Waferablagetisches
431 den Wafer 10 auf dem oberen Waferablagetisch 431
geradlinig in jene Position, in welcher er dem Polierkopf
42 übergeben wird.
Als nächstes bewegt sich der Polierkopf 42, hält den
Wafer 10 auf dem oberen Waferablagetisch 431 mittels
Vakuumaufnahmen oder ähnlicher Mittel fest und befördert
den Wafer 10 zu der rechten linken Trägerplatte 41a, wo
der erste Polierschritt durchgeführt wird.
Nachdem der erste Polierschritt abgeschlossen wurde, wird
der Wafer 10 zur nächsten Trägerplatte 41b in der Mitte
befördert, welche andere Poliereigenschaften aufweist,
während der Wafer 10 weiterhin vom Polierkopf 42
festgehalten wird. Dazwischen wäscht Waschwasser, welches
von der Einspritzöffnung 45 eingespritzt wird, den
Schlamm oder dergleichen ab, welche am Wafer 10 und am
Polierkopf 42 anhaften. Nebenbei bemerkt kann der
Polierkopf 42 erforderlichenfalls in Waschwasser
innerhalb des Behälters 441 eingetaucht und weiter
gewaschen werden. Zu diesem Zeitpunkt bewegen sich
natürlich der obere und der untere Waferablagetisch 431
bzw. 432 aus der Position oberhalb der
Spindelwascheinheit 44 weg.
Die mittlere Trägerplatte 41b, welche andere
Poliereigenschaften aufweist, da sie sich beispielsweise
anderer Schlämme bedient, unterzieht den Wafer 10,
welcher zur mittleren Trägerplatte 41b befördert wird,
dem nächsten Polierschritt. Nachdem das Polieren
fertiggestellt wurde, befördert der Polierkopf 42 den
Wafer 10 auf den unteren Ablagetisch 432 der Warteeinheit
43, welcher sich bereits bewegt hat. Als nächstes
betätigt und bewegt der stangenlose Zylinder 34 den
unteren Waferablagetisch 432, auf welchem der Wafer 10
getragen wird, nach dem Zweistufenpolieren in die
ursprüngliche Übergabeposition zur Lade/Entlade-Einheit
3. Der untere Übergaberoboter 32 der Lade/Entlade-Einheit
3 nimmt den Wafer 10 nach dem Zweistufenpolieren vom
unteren Waferablagetisch 432 entgegen und befördert
diesen zur nächsten Wascheinheit 5.
Wenngleich diese Ausführungsform für Zweistufenpolieren
erläutert wurde, kann Mehrstufenpolieren ebenfalls
mittels desselben Verfahrens durchgeführt werden.
Die oben erläuterte Waferpoliervorrichtung gemäß der
vorliegenden Erfindung vermag am Wafer anhaftenden
Schlamm, etc. während des Vorgangs wegzuwaschen, in
welchem der Wafer nach dem ersten Polierschritt zur
Trägerplatte mit anderen Poliereigenschaften überführt
wird, und vermag demnach hochgenaues Zweistufenpolieren
durchzuführen. Die Waferpoliervorrichtung der
vorliegenden Erfindung ist imstande zu verhindern, daß am
Wafer anhaftender Schlamm, etc., zur nächsten
Trägerplatte mitgeführt werden, und ist somit imstande,
die Reduktion des Grades an Sauberkeit jener Kammer
infolge von Verschmutzung zu verhindern.
Während die vorliegende Erfindung nunmehr mit Bezugnahme
auf eine spezifische Ausführungsform beschrieben wurde,
welche aus Gründen der Veranschaulichung gewählt wurde,
sollte es offenkundig sein, daß von einschlägig
versierten Fachleuten zahlreiche Veränderungen daran
vorgenommen werden könnten, ohne vom Grundgedanken und
dem Umfang der Erfindung abzuweichen.
Claims (1)
- Waferpoliervorrichtung, umfassend eine Indexeinheit zum Befördern eines Wafers von einer Kassette zu einer Lade/Entlade-Einheit, die Lade/Entlade-Einheit zum Überführen von der Indexeinheit zur einer Poliereinheit und von der Poliereinheit zu einer Wascheinheit, die Poliereinheit zum Polieren des Wafers und die Wascheinheit zum Waschen des Wafers nach dem Polieren, wobei:
die Poliereinheit zumindest zwei Trägerplatten umfaßt und Einspritzöffnungen zum Einspritzen von Waschwasser an den Übergängen zwischen den Trägerplatten angeordnet werden zum Waschen des Wafers, welcher vom Polierkopf befördert wird, wenn der Wafer, welcher von einer der Trägerplatten poliert wurde, von der anderen der Trägerplatten, welche andere Poliereigenschaften aufweist, weiter poliert wird.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5329732A (en) * | 1992-06-15 | 1994-07-19 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
US5885138A (en) * | 1993-09-21 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
KR100390293B1 (ko) * | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 폴리싱장치 |
KR100487590B1 (ko) * | 1995-08-21 | 2005-08-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
US5738574A (en) * | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
JP3696690B2 (ja) * | 1996-04-23 | 2005-09-21 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置システム |
JPH10166264A (ja) | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk | 研磨装置 |
JP3231659B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | 自動研磨装置 |
US6213853B1 (en) * | 1997-09-10 | 2001-04-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces |
US6168683B1 (en) * | 1998-02-24 | 2001-01-02 | Speedfam-Ipec Corporation | Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers |
TW393378B (en) * | 1998-04-08 | 2000-06-11 | Applied Materials Inc | Apparatus and methods for slurry removal in chemical mechanical polishing |
JP3045233B2 (ja) * | 1998-10-16 | 2000-05-29 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置 |
JP2000124172A (ja) | 1998-10-19 | 2000-04-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法及びその装置 |
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