DE10062238A1 - Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung - Google Patents

Abstract

Das Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung weist die Schritte auf: DOLLAR A Entfernen eines Oxidfilmes (21c) in einem Bereich einschließlich eines Sicherungsbereiches (26) bei der Bildung einer Öffnung für die Bildung einer vertikalen Verbindung (22c) in einem Oxidfilm (21c), der als eine obere Isolationsschicht dient; und Bilden der vertikalen Verbindung (22c) zum elektrischen Verbinden der Verbindungsschichten (23b, 23c) unter und über dem Oxidfilm (21c) und der Verbindungsschicht (23c), die auf einer oberen Seite des Oxidfilms (21c) als eine obere Leitungsschicht (25) angeordnet ist, zu der gleichen Zeit.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Herstellungs­ verfahren einer Halbleitervorrichtung, insbesondere mit einer Sicherung, die eine Redundanzschaltung zum Reparieren eines defekten Produktes aufweist, und auf eine derartige Halblei­ tervorrichtung.

Fig. 8 zeigt einen beispielhaften Aufbau einer Halbleiter­ vorrichtung mit drei Verbindungsschichten und einer Siche­ rung/einem Schmelzelement. Bei dieser Halbleitervorrichtung ist auf einer Oberfläche eines Siliziumsubstrates 1, das als ein Halbleitersubstrat dient, ein Feldoxidfilm 10 selektiv als trennender isolierender Film gebildet. Weiter ist eine Sicherung 11 selektiv aus polykristallinem Silizium so gebil­ det, daß sie in Kontakt mit einer Oberseite des Feldoxidfil­ mes 10 steht. Die Sicherung 11 ist ein Element, die eine Redundanz­ schaltung zum Reparieren eines Defektes darstellt. Durch das Blasen/Schmelzen der Sicherung 11 durch einen Laser kann ein defekter Abschnitt abgetrennt werden, und ein norma­ ler Abschnitt kann statt dessen verwendet werden, falls es notwendig sein sollte.

Wenn die Sicherung 11 aus polykristallinem Silizium auf einer Halbleitervorrichtung zu bilden ist, die ein sogenanntes "Dreischichtprodukt" ist mit drei Verbindungsschichten auf einem Halbleitersubstrat, wobei eine Isolierschicht zwischen jeder Verbindungsschicht und ihrer benachbarten Schicht ein­ gefügt ist, überschreitet die gesamte Dicke von drei Oxidfil­ men 21a, 21b, 21c, die als Isolierschichten zum gegenseitigen Trennen von Verbindungsschichten 23a, 23b, 23c dienen, 2000 nm (20000 Å). Wenn daher das Schmelzen der Sicherung notwendig ist zum Reparieren zum Beispiel eines defekten Produktes, wird eine beträchtlich hohe Ausgabe des Lasers zum Schmelzen der Sicherung benötigt. Wenn die Ausgabe des Lasers jedoch extrem hoch ist, verursacht die Strahlung des Lasers einen Riß in dem Feldoxidfilm unter der Sicherung, und die ge­ schmolzene Sicherung kommt direkt in Kontakt mit dem Silizi­ umsubstrat 1, wodurch ein kleiner Strom fließt.

Zum Lösen des oben beschriebenen Problemes kann der Oxidfilm in einem Bereich über der Sicherung dünner gemacht werden, wie in Fig. 9 gezeigt ist. Solch ein Aufbau ist zum Beispiel in der japanischen Offenlegungsschrift 9-51038 beschrieben. Bei solch einem Aufbau kann die Sicherung sicher durch den Laser mit einer Ausgabe auf dem gleichen Niveau sowohl bei dem Dreischichtprodukt als auch einem Produkt mit einer Schicht eines Oxidfilmes geschmolzen werden. Zur gleichen Zeit, wie es das Schmelzen der Sicherung mit einer niedrigen Laserausgabe möglich ist, können unerwünschte Effekte wie der Riß des Feldoxidfilmes verhindert werden.

Als nächstes wird ein Verfahren zum Erhalten des in Fig. 9 gezeigten Aufbaus beschrieben.

Zuerst wird ein in Fig. 10 gezeigter Aufbau gebildet. Insbe­ sondere wird ein Feldoxidfilm 10 mit einer Dicke von ungefähr 500 nm (5000 Å) auf einem Siliziumsubstrat 1 gebildet, und eine Sicherung 11 aus polykristallinem Silizium wird auf dem Fel­ doxidfilm 10 gebildet. Dann wird ein Oxidfilm 21a mit einer Dicke von ungefähr 800 nm (8000 Å) so gebildet, daß er die Si­ cherung 11 bedeckt. Eine vertikale Verbindung 22a, die elek­ trisch einen Kontakt 13 mit einem oberen Teil verbindet, ist zum Bilden einer ersten Verbindungsschicht 23a vorgesehen. Dann wird ein Oxidfilm 21b mit einer Dicke von ungefähr 1200 nm (12000 Å) so gebildet, daß er eine Oberseite der ersten Verbindungsschicht 23 bedeckt. Dann wird eine vertikale Ver­ bindung 22b, die elektrisch die erste Verbindungsschicht 23a mit einem Oberteil verbindet, vorgesehen zum Bilden einer zweiten Verbindungsschicht 23b. Weiter wird eine vertikale Verbindung 22c, die elektrisch die zweite Verbindungsschicht 23b mit einem Oberteil verbindet, vorgesehen zum Bilden einer dritten Verbindungsschicht 23c. Somit wird der in Fig. 10 gezeigte Aufbau erhalten.

Es wird Bezug genommen auf Fig. 11, eine Photolithographie wird zum Bilden einer Resistmaske 14 zum Entfernen des Oxid­ filmes 21c in einem Bereich einschließlich eines Bereiches 26 (hier im folgenden als "Sicherungsbereich" bezeichnet) über der Sicherung 11 durch Ätzen ausgeführt. Hier ist die Re­ sistmaske 14 mit einer Öffnung ein wenig weiter als der Si­ cherungsbereich 26 darin gebildet, so daß eine Abnahme der Öffnungsfläche in einem folgenden Schritt berücksichtigt wird, die durch Bildung einer Glasbeschichtung 12 (siehe Fig. 9) mit einer gegebenen Dicke verursacht wird.

Es wird Bezug genommen auf Fig. 12, der Oxidfilm 21c mit der Dicke von ungefähr 800 nm (8000 Å) wird durch Naßätzen und Trockenätzen und der Benutzung der Resistmaske 14 entfernt. Nach dem Entfernen der Resistmaske 14 wird eine Glasbeschich­ tung 12 durch CVD (chemisches Dampfabscheiden) abgeschieden. Weiter wird eine Maske (nicht gezeigt) auf der Glasbeschich­ tung 12 zum Bilden der Öffnung in der Glasbeschichtung 12 ge­ bildet. Dann werden Photolithographie und Ätzen so durchge­ führt, daß der Sicherungsbereich 26 mit einem vorbestimmten Öffnungsmuster gebildet wird. Dann wird mit dem Entfernen des Materials der Maske der in Fig. 9 gezeigte Aufbau schließ­ lich erhalten.

Wenn der Aufbau, wie er in Fig. 9 gezeigt ist, der oben be­ schrieben worden ist, erhalten werden soll, muß, damit eine Öffnung in dem Sicherungsbereich 26 gebildet wird, eine zu­ sätzliche Maske nach dem Bilden der Glasbeschichtung 12 ge­ bildet werden, und das Ätzen muß durchgeführt werden. Somit nimmt die Zahl der notwendigen Verfahrensschritte zu. Zusätz­ lich ist ein zusätzlicher Betrag des Maskenmaterials notwen­ dig.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür vorzusehen, die die Zahl der Verfahrensschritte und den Be­ trag des notwendigen Maskenmaterials verringert.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Herstellungsverfahren ei­ ner Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.

Das Verfahren enthält die Schritte: Bilden einer Sicherung in Kontakt mit einer oberen Oberfläche eines Trennisolationsfil­ mes, der auf einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrates gebildet ist; Bilden einer oberen Isolationsschicht auf dem Halbleitersubstrat und selektives Bilden einer unteren Ver­ bindungsschicht in Kontakt mit einer oberen Oberfläche der unteren Isolationsschicht; selektives Bilden einer oberen Isolationsschicht in Kontakt mit oberen Oberflächen der unte­ ren Isolationsschicht und der unteren Verbindungsschicht und Bedecken eines Bereiches mit Ausnahme eines obersten vertika­ len Verbindungsbereiches, wie er von oben gesehen wird, ein­ schließlich einer vertikalen Verbindung zum elektrischen Ver­ binden der unteren Verbindungsschicht und einer anderen Ver­ bindungsschicht darüber und eines internen Bereiches des obersten vertikalen Verbindungsbereiches; und selektives Bilden einer oberen Leitungsschicht in Kontakt mit einer offenen Oberfläche der unteren Isolationsschicht, der unteren Verbindungsschicht und der oberen Isolationsschicht in einem Bereich außerhalb eines Sicherungsbereiches, der ei­ nen ebenen Bereich bedeckt einschließlich der Sicherung und einer Nachbarschaft davon.

Mit dem oben beschriebenen Verfahren wird bei dem Schritt des selektiven Bildens der oberen Isolationsschicht die obere Isolationsschicht in der Form mit der Öffnung für die verti­ kale Verbindung gebildet, die in der oberen Isolierung zu bilden ist. Zusätzlich werden die vertikale Verbindung zum elektrischen Verbinden von Verbindungsschichten, die oberhalb und unterhalb der oberen Isolationsschicht angeordnet sind, und der Verbindungsschicht, die auf der Oberseite der oberen Isolationsschicht anzuordnen ist, zusammen als eine Leitungs­ schicht gebildet. Somit kann die Zahl der Verfahrensschritte verringert werden.

Bevorzugte Ausgestaltungen des Verfahrens sind in den zugehö­ rigen Unteransprüchen angegeben.

Bei einer Ausgestaltung enthält der Schritt des selektiven Bildens eines oberen Leitungsschritt die Schritte: Bilden der oberen Isolationsschicht in Kontakt mit der oberen Oberfläche der unteren Isolationsschicht und der unteren Verbindungs­ schicht; und Entfernen der oberen Isolationsschicht in dem obersten vertikalen Verbindungsbereich und dem internen Be­ reich.

Durch diese Ausgestaltung wird in dem Schritt des selektiven Bildens der oberen Isolationsschicht die obere Isolations­ schicht nicht nur in dem Bereich entfernt, der der Öffnung für die vertikale Verbindung entspricht, die in der oberen Isolationsschicht zu bilden ist, sondern auch in dem Siche­ rungsbereich. Somit kann die Zahl der Verfahrensschritte ver­ ringert werden. Zusammen mit der Verringerung der Verfahrens­ schritte kann der notwendige Betrag von Maskenmaterial ver­ ringert werden, da die Zahl der Ätzvorgänge verringert werden kann.

Nach einer weiteren Ausgestaltung enthält der Schritt des se­ lektiven Bildens einer oberen Leitungsschicht einen Schritt des Bildens der oberen Leitungsschicht außerhalb des Siche­ rungsbereiches an einem Abstand nicht kürzer als die Dicke der Beschichtung, die auf der oberen Leitungsschicht zu bil­ den ist, von einer Außenlinie des Sicherungsbereiches.

Bei dieser Ausgestaltung kann der Sicherungsbereich sicher in einem offenen Zustand gehalten werden, selbst wenn eine Be­ schichtung auf der oberen Leitungsschicht in einem späteren Schritt ausgeführt wird.

Die Aufgabe wird auch gelöst durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4.

Die Halbleitervorrichtung weist auf: ein Halbleitersubstrat; einen Trennisolationsfilm, der auf einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates gebildet ist, eine Sicherung, die in Kontakt mit einer oberen Oberfläche des Trennisolationsfilmes gebildet ist, eine untere Isolationsschicht und eine untere Verbindungsschicht, die selektiv in Kontakt mit einer oberen Oberfläche der unteren Isolationsschicht auf dem Halbleiter­ substrat gebildet ist, eine obere Isolationsschicht, die se­ lektiv in Kontakt mit einer oberen Oberfläche der unteren Isolationsschicht und der unteren Verbindungsschicht gebildet ist; wobei die obere Isolationsschicht nur in einem Bereich außerhalb des obersten vertikalen Verbindungsbereich angeord­ net ist, der einen ebenen Bereich bedeckt, wie er von oben gesehen wird, einschließlich der vertikalen Verbindung zum elektrischen Verbinden der Verbindungsschicht in Kontakt mit der unteren Oberfläche der oberen Isolationsschicht und einer anderen Verbindungsschicht in Kontakt mit der oberen Oberflä­ che der oberen Isolationsschicht; und eine obere Leitungs­ schicht, die selektiv so gebildet ist, daß sie in Kontakt ist mit der oberen Oberfläche der unteren Isolationsschicht, der unteren Verbindungsschicht und der oberen Isolationsschicht in einem Bereich außerhalb eines Sicherungsbereiches, die ei­ nen ebenen Bereich bedeckt einschließlich der Sicherung und einer Nachbarschaft davon.

Mit diesem Aufbau kann die Halbleitervorrichtung durch das Herstellungsverfahren mit einer verringerten Zahl von Verfah­ rensschritten hergestellt werden, wie oben beschrieben wurde.

Bevorzugte Ausgestaltungen der Vorrichtung sind in den Un­ teransprüchen angegeben.

Bei einer Ausgestaltung ist die obere Leitungsschicht außer­ halb des Sicherungsbereiches in einem Abstand nicht kürzer als die Dicke der Beschichtung, die auf der oberen Leitungs­ schicht zu bilden ist, von einem Umriß des Sicherungsberei­ ches ausgebildet.

Mit diesem Aufbau kann der Sicherungsbereich sicher einen Öffnungszustand aufrechterhalten, selbst wenn eine Beschich­ tung auf der oberen Leitungsschicht in einem späteren Schritt durchgeführt wird.

Nach einer anderen Ausgestaltung weist die Halbleitervorrich­ tung eine andere Isolationsschicht auf, die zwischen dem Halbleitersubstrat und der unteren Isolationsschicht gebildet ist.

Mit diesem Aufbau neigt die Gesamtdicke der Isolationsschich­ ten dazu zuzunehmen, und somit nimmt die Dicke der Isolati­ onsschicht wirksamer ab.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispieles anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 einen Schnitt einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines ersten Herstellungsschrittes einer Halblei­ tervorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung;

Fig. 3 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines zweiten Herstellungsschrittes einer Halblei­ tervorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung;

Fig. 4 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines dritten Herstellungsschrittes einer Halblei­ tervorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung;

Fig. 5 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines vierten Herstellungsschrittes einer Halblei­ tervorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 ein Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines fünften Herstellungsschrittes einer Halblei­ tervorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 7 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines sechsten Herstellungsschrittes einer Halblei­ tervorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung;

Fig. 8 einen Schnitt einer der Anmelderin bekannten Halblei­ tervorrichtung;

Fig. 9 einen Schnitt der Halbleitervorrichtung von Fig. 8 mit einer Öffnung in einem Sicherungsbereich;

Fig. 10 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines ersten Herstellungsschrittes der Halbleiter­ vorrichtung von Fig. 8 mit einer Öffnung in einem Siche­ rungsbereich;

Fig. 11 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines zweiten Herstellungsschrittes der Halbleiter­ vorrichtung von Fig. 8 mit einer Öffnung in einem Siche­ rungsbereich; und

Fig. 12 einen Schnitt, auf den Bezug genommen wird, zum Be­ schreiben eines dritten Herstellungsschrittes der Halbleiter­ vorrichtung von Fig. 8 mit einer Öffnung in einem Siche­ rungsbereich.

Der Aufbau der Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in Fig. 1 ge­ zeigt. Die Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat 1, einen Feldoxidfilm 10 in Kontakt mit einer Oberseite des Halbleitersubstrates 1, der als Trennisolations­ film/trennender isolierender Film dient, und eine Sicherung 11 in Kontakt mit einer Oberseite des Feldoxidfilmes 10 auf. Weiter weist die Halbleitervorrichtung einen Oxidfilm 21, der als eine untere Isolationsschicht/untere isolierende Schicht über dem Halbleitersubstrat 1 dient, eine Verbindungsschicht 23b in Kontakt mit einer oberen Oberfläche des Oxidfilmes 21b, die als eine untere Verbindungsschicht dient, und einen Oxidfilm 21a, der als eine Isolationsschicht/isolierende Schicht dient, eine Verbindungsschicht 23a in Kontakt mit ei­ ner Oberseite des Oxidfilmes 21a, einen Oxidfilm 21c, der als eine obere Isolationsschicht/obere isolierende Schicht dient, und eine obere Leitungsschicht 25 auf.

Eine vertikale Verbindung 22c zum elektrischen Verbinden der Verbindungsschicht 23b und eine Verbindungsschicht 23c in Kontakt mit einer Oberseite des Oxidfilmes 21c sind ein Teil der oberen Leitungsschicht 25 in Fig. 1. Bei der oberen Lei­ tungsschicht 25 gibt es keine klare Grenze zwischen der ver­ tikalen Verbindung 22c und der Verbindungsschicht 23c, und diese beiden sind als ein einstückiger/integraler Abschnitt gebildet. Bei der oberen Leitungsschicht 25 ist ein Ab­ schnitt, der über der Isolationsschicht 21 angeordnet ist, die Verbindungsschicht 23c. Ähnlich zu den vertikalen Verbin­ dungen 22a und 22b, die elektrisch die obere und die untere Verbindungsschicht davon verbinden, wird eine vertikale Ver­ bindung 22c zum elektrischen Verbinden der Verbindungsschich­ ten 23b und 23c benötigt.

Hier wird ein ebener Bereich der vertikalen Verbindung 22c, wie er von oben gesehen wird, als "oberster vertikaler Ver­ bindungsbereich" bezeichnet, und ein ebener Bereich, der die Sicherung 11 und ihre Umgebung enthält, wie sie von oben ge­ sehen werden, wird als "Sicherungsbereich" bezeichnet. Bei dem in Fig. 1 gezeigten Schnitt sind der oberste vertikale Verbindungsbereich an der rechten und der linken Seite vorge­ sehen, wobei der Sicherungsbereich 26 dazwischen angeordnet ist. Der oberste vertikale Verbindungsbereich ist so gebil­ det, daß er sich ungefähr senkrecht zu der Papierfläche von Fig. 1 erstreckt, oder so daß er den Sicherungsbereich 26 umgibt, wenn er von oben gesehen wird. Ein Bereich 27, der den obersten vertikalen Verbindungsbereich und einen Bereich enthält, der zwischen oder umgeben von den obersten vertika­ len Verbindungsbereichen angeordnet ist, wird als "oberster vertikaler Verbindungsbereich und interner Bereich" bezeich­ net. Bei dem obersten vertikalen Verbindungsbereich und in­ ternen Bereich 27 ist ein Oxidfilm 21c als die oberste Iso­ lierschicht nicht vorhanden. Die obere Leitungsschicht 25 ist selektiv so gebildet, daß sie die obere Oberfläche der unte­ ren Isolationsschicht, der unteren Verbindungsschicht und der oberen Isolationsschicht außerhalb des Sicherungsbereiches 26 kontaktiert.

Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren der Halbleiter­ vorrichtung gemäß der Ausführungsform beschrieben.

Zuerst wird ein Aufbau gebildet, wie er in Fig. 2 gezeigt ist. Insbesondere wird der Feldoxidfilm 10 auf dem Silizium­ substrat 1 gebildet, und die Sicherung 11 aus polykristalli­ nem Silizium wird auf dem Feldoxidfilm 10 gebildet. Dann wird der Oxidfilm 21a so gebildet, daß er die Sicherung 11 ab­ deckt. Dann wird eine vertikale Verbindung 22a, die elek­ trisch einen Kontakt 13 mit einem oberen Teil verbindet, zum Bilden der ersten Verbindungsschicht 23a vorgesehen. Der Oxidfilm 21b entsprechend der unteren Isolationsschicht wird zum Bedecken einer Oberseite der ersten Verbindungsschicht 23a vorgesehen. Weiter wird eine vertikale Verbindung 22b, die elektrisch die erste Verbindungsschicht 23a mit einem oberen Teil verbindet, vorgesehen zum Bilden der zweiten Ver­ bindungsschicht 23b entsprechend der unteren Verbindungs­ schicht. Dann wird der Oxidfilm 21c entsprechend der oberen Isolationsschicht so gebildet, daß er die zweite Verbindungs­ schicht 23b bedeckt. Somit wird der in Fig. 2 gezeigte Auf­ bau erhalten.

Bei dem eingangs beschriebenen Verfahren wird die Resistmaske 14 gebildet, und eine Öffnung wird in dem Oxidfilm 21c nur in einem Bereich gebildet, der der vertikalen Verbindung 22c entspricht, durch Ätzen zum Bilden der vertikalen Verbindung 22c (siehe Fig. 8 oder Fig. 9). Bei dieser Ausführungsform wird eine Resistmaske 14 so gebildet, daß die Öffnung nicht nur in einem Bereich entsprechend der vertikalen Verbindung 22c (oberster vertikaler Verbindungsbereich) gebildet wird, sondern auch in einem Bereich des gesamten obersten vertika­ len Verbindungsbereichs und inneren Bereichs 27, wie in Fig. 3 gezeigt ist. Wenn die Resistmaske 14 an ihrem Platz ist, werden der Oxidfilm 21c, der in dem obersten vertikalen Ver­ bindungsbereich und inneren Bereich 27 angeordnet ist, ent­ fernt, wie er in Fig. 4 gezeigt ist.

Es wird Bezug genommen auf Fig. 5, eine Leitungsschicht 24 wird durch Sputtern oder ähnliches gebildet. Es wird Bezug genommen auf Fig. 6, eine Resistmaske 14 wird selektiv so gebildet, daß sie die obere Oberfläche der Leiterschicht 24 entsprechend der offenliegenden oberen Oberfläche der unteren Isolationsschicht, der unteren Verbindungsschicht und der oberen Isolationsschicht um einen vorbestimmten Betrag in ei­ nem Bereich außerhalb des Sicherungsbereiches 26 bedeckt. Hier wird die Resistmaske 14 mit einer Öffnung etwas breiter als der Sicherungsbereich 26 so gebildet, daß er für die Ab­ nahme der Größe der Öffnung bei einem folgenden Schritt auf­ kommen kann, die durch die Bildung einer Glasbeschichtung 12 (siehe Fig. 1) mit einer bestimmten Dicke verursacht wird.

Indem die Resistmaske 14 benutzt wird, wird ein unnötiger Ab­ schnitt der Leiterschicht 24 entfernt, wie in Fig. 7 gezeigt ist. Als Resultat wird die obere Leitungsschicht 25 selektiv so gebildet, daß sie in Kontakt mit der offenliegenden oberen Oberfläche der unteren Isolierschicht, der unteren Verbin­ dungsschicht und der oberen Isolierschicht in dem Bereich au­ ßerhalb des Sicherungsbereiches steht. Dann wird mit der Bil­ dung der Glasbeschichtung 12 durch CVD oder ähnliches der in Fig. 1 gezeigte Aufbau erhalten.

Bei dem Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung gemäß dieser Ausführungsform wird in dem Schritt des Entfernens der Isolationsschicht zum Bilden der Öffnung für die vertikale Verbindung 22c in dem Oxidfilm 21c, die als obere Isolations­ schicht dient, die Isolationsschicht nicht nur in einem Be­ reich entsprechend der Öffnung zum Bilden der vertikalen Ver­ bindung 22c, sondern in dem Sicherungsbereich 26 entfernt.

Weiter werden die vertikale Verbindung 22c zum elektrischen Verbinden der Verbindungsschichten 23b und 23c, die über und unter dem Oxidfilm 21c angeordnet sind, der als die obere Isolationsschicht dient, und die Verbindungsschicht 23c, die auf der Oberseite der oberen Isolationsschicht anzuordnen ist, als ein Abschnitt als die obere Leitungsschicht 25 ge­ bildet. Folglich kann im Vergleich mit dem eingangs beschrie­ benen Verfahren, bei dem die Öffnung für die vertikale Ver­ bindung 22c und die Öffnung für den Sicherungsbereich 26 in dem Oxidfilm 21c, der als die obere Isolationsschicht dient, in getrennten Schritten gebildet werden, die Zahl der Verfah­ rensschritte verringert werden. Zusammen mit der Verringerung der Zahl der Verfahrensschritte wird die Zahl der Ätzvorgänge verringert, und der notwendige Betrag von Maskenmaterial kann verringert werden.

Somit weist die Halbleitervorrichtung dieser Ausführungsform den Vorteil auf, daß sie mit einem Herstellungsverfahren mit einer verringerten Zahl von Verfahrensschritten hergestellt werden kann, wie oben beschrieben wurde.

Obwohl die Vorrichtung mit drei Verbindungsschichten als ein Beispiel in dieser Ausführungsform beschrieben worden ist, kann die Vorrichtung mehr oder weniger Verbindungsschichten aufweisen.

Das Material der vertikalen Verbindungen 22a, 22b und 22c und der Verbindungsschichten 23a, 23b und 23c kann Aluminium sein, aber es ist nicht darauf begrenzt. Als das Material der Oxidfilme 21a, 21b, 21c ist SiO₂ benutzbar, aber das Material ist nicht darauf beschränkt.

Claims (6)

1. Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten:
Bilden einer Sicherung (11) in Kontakt mit einer oberen Ober­ fläche eines trennenden isolierenden Filmes (10), der auf ei­ ner Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrates (1) gebildet wird,
Bilden einer unteren isolierenden Schicht (21b) auf dem Halb­ leitersubstrat (1) und selektives Bilden einer unteren Ver­ bindungsschicht (23b) in Kontakt mit einer oberen Oberfläche der unteren isolierenden Schicht (21b);
selektives Bilden einer oberen isolierenden Schicht in Kon­ takt mit der oberen Oberfläche der unteren isolierenden Schicht (21b) und der unteren Verbindungsschicht (23b) und
Bedecken eines Bereiches mit der Ausnahme eines obersten ver­ tikalen Verbindungsbereiches, wie er von oben gesehen wird, einschließlich einer vertikalen Verbindung (22c) zum elektri­ schen Verbinden der unteren Verbindungsschicht (23b) und ei­ ner anderen Verbindungsschicht (23c) darüber und eines inne­ ren Bereiches (27) des obersten vertikalen Verbindungsberei­ ches; und
selektives Bilden einer oberen Leitungsschicht (25) in Kon­ takt mit einer offenliegenden oberen Oberfläche der unteren isolierenden Schicht (21b), der unteren Verbindungsschicht (23b) und der oberen isolierenden Schicht (21c) in einem Be­ reich außerhalb eines Sicherungsbereiches (26), der einen ebenen Bereich einschließlich der Sicherung (11) und eine Nachbarschaft davon bedeckt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des selektiven Bildens einer oberen lei­ tenden Schicht die Schritte aufweist:
Bilden einer oberen isolierenden Schicht (21c) in Kontakt mit der oberen Oberfläche der unteren isolierenden Schicht (21b) und der unteren Verbindungsschicht (23b); und
Entfernen der oberen isolierenden Schicht (21c) in dem ober­ sten vertikalen Verbindungsbereich und dem internen Bereich (27).

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Schritt des selektiven Bildens einer oberen lei­ tenden Schicht (25) einen Schritt aufweist zum Bilden der oberen leitenden Schicht außerhalb des Sicherungsbereiches (26) in einem Abstand von einem Umriß des Sicherungsbereiches (26) nicht kürzer als die Dicke einer Beschichtung (12), die auf der oberen leitenden Schicht (25) zu bilden ist.

4. Halbleitervorrichtung mit:
einem Halbleitersubstrat (1);
einem trennenden isolierenden Film (10), der auf einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates (1) gebildet ist;
einer Sicherung (11), die in Kontakt mit einer oberen Ober­ fläche des trennenden isolierenden Filmes (10) gebildet ist;
einer unteren isolierenden Schicht (21b) und einer unteren Verbindungsschicht (23b), die selektiv in Kontakt mit einem oberen Oberfläche der unteren isolierenden Schicht (21b) auf dem Halbleitersubstrat (1) gebildet ist;
einer oberen isolierenden Schicht (21c), die selektiv in Kon­ takt mit der oberen Oberfläche der unteren isolierenden Schicht (21b) und der unteren Verbindungsschicht (23b) gebil­ det ist;
wobei die obere isolierende Schicht (21b) nur in einem Be­ reich außerhalb des obersten vertikalen Verbindungsbereiches angeordnet ist, der einen ebenen Bereich bedeckt, wie er von oben gesehen wird, einschließlich einer vertikalen Verbindung (22c) zum elektrischen Verbinden der unteren Verbindungs­ schicht (23b) in Kontakt mit der unteren Oberfläche der obe­ ren isolierenden Schicht und einer anderen Verbindungsschicht (23c) in Kontakt mit der oberen Oberfläche der oberen isolie­ renden Schicht; und
einer oberen Leiterschicht (25), die selektiv in Kontakt mit einer offen liegenden oberen Oberfläche der unteren isolie­ renden Schicht (21b), der unteren Verbindungsschicht (23b) und der oberen isolierenden Schicht (21c) in einem Bereich außerhalb eines Sicherungsbereiches (26) gebildet ist, der einen ebenen Bereich abdeckt, einschließlich der Sicherung und ihrer Nachbarschaft.

5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, bei der die obere Leiterschicht (25) außerhalb des Siche­ rungsbereiches (26) in einem Abstand von dem Umriß des Siche­ rungsbereiches (26) nicht kürzer als die Dicke der Beschich­ tung (12) gebildet ist, die auf der oberen Leitungsschicht (25) zu bilden ist.

6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, mit:
einer anderen isolierenden Schicht, die zwischen dem Halblei­ tersubstrat (1) und der unteren isolierenden Schicht (21) ge­ bildet ist.