WO2001063652A1 - Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren - Google Patents

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WO2001063652A1
WO2001063652A1 PCT/DE2001/000465 DE0100465W WO0163652A1 WO 2001063652 A1 WO2001063652 A1 WO 2001063652A1 DE 0100465 W DE0100465 W DE 0100465W WO 0163652 A1 WO0163652 A1 WO 0163652A1
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dielectric
capacitor
electrode
lower electrode
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PCT/DE2001/000465
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Rudolf Lachner
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Infineon Technologies Ag
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H01L28/60—Electrodes
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    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
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    • H01L21/76895—Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor component with a MIM capacitor and an associated production method.
  • integrated passive components such as resistors
  • MIM capacitors metal - insulator metal
  • capacitors with a very small specific surface capacitance typically less than 0.1 fF / ⁇ m 2
  • relatively high tolerances above 20% can be realized.
  • a separate insulation layer and usually a thin upper metal electrode are usually used for optimized MIM capacitors.
  • FIGS. 1A to 1F A possible production method is shown in cross section in FIGS. 1A to 1F using various intermediate products.
  • a passivation 10 at the bottom which can be applied, for example, as an insulation layer to a semiconductor layer structure or which can be an uppermost dielectric layer of a metallization with intermetallic dielectrics consisting of one or more metallization levels.
  • a standard metallization applied thereon has a sandwich structure with a lower electrically conductive layer 11 and an upper electrically conductive layer 12, between which there is a insulating layer 13 is located.
  • the upper electrically conductive layer 12 is used as the lower electrode of the MIM capacitor.
  • the capacitor dielectric 3 is deposited on this layer 12 (for example a plasma nitride with a thickness of less than 0.1 ⁇ m) and then another thin metal layer which serves as the upper electrode of the capacitor (for example TiN with a thickness of approximately up to 0.1 ⁇ m).
  • the upper electrode 2 is structured by means of a suitable mask, either the capacitor dielectric 3 or the underlying electrically conductive layer 12 serving as an etching stop layer. The result of this step is shown in Figure 1B.
  • the structuring of the standard metallization 1 then follows into a portion of the MIM capacitor 123 and a portion of the conductor track 14.
  • FIG. 1D shows that the top of the structure is embedded in a covering dielectric 5.
  • FIG. 1D shows that the top of the structure is embedded in a covering dielectric 5.
  • a base metal mostly Ti / TiN
  • the actual contact hole filling typically tungsten
  • the electrical connections of the lower capacitor electrode (contact hole fillings 81), the upper capacitor electrode (contact hole fillings 82) and the conductor tracks (contact hole fillings 83) are thus obtained.
  • FIGS. 2A to 2F An alternative to this known method is shown in FIGS. 2A to 2F.
  • the structuring of this metallization is now carried out according to FIG. 2B before the application of the upper capacitor electrode. Only after the conductor tracks 14 have been structured are the capacitor dielectric 30 and the thin electrically conductive layer 20, which is provided for the upper capacitor electrode, applied. After structuring the top conductive layer 20, the capacitor dielectric 30 also remains in the area of the conductor tracks 14 on the top of the structure, so that the conductor tracks are enclosed with this dielectric from three sides.
  • a covering dielectric 5 is then applied in accordance with the variant shown in FIGS.
  • the contact holes 6 are etched and the base metal and the contact hole fillings are introduced into these holes.
  • the capacitor dielectric 30 must also be etched through. If the capacitor dielectric 30 is completely removed from the remaining surfaces during the structuring of the upper capacitor electrode, there is a risk that the top anti-reflection layer (usually TiN) usually applied will also be removed there.
  • the anti-reflective layer forms a sandwich structure with the actual conductor material (eg AlCu) and the base metal underneath, the integrity of which is crucial for the electromigration resistance of the metallization system. This sandwich structure is destroyed or at least damaged by the etching process. In the area outside the MIM capacitor to be produced, the capacitor dielectric is therefore only removed from the surfaces of the conductive layers (as a rule metal layers) when the contact holes 6 are produced.
  • FIGS. 3A to 3E another possibility for producing MIM capacitors is to produce a cutout 9 as a window above the upper conductive layer 12 after the application of an intermetallic dielectric 4 to the structured standard metallization in this dielectric according to FIG. 3B. 3C, the capacitor dielectric 30 is then deposited on the surface and in this recess. The contact holes 6 are then etched in accordance with FIG. 3D. When the contact hole fillings are introduced after a base metallization 7 has possibly been applied, the electrical connections of the lower capacitor electrode (contact hole filling 81) and the conductor track (contact clock hole filling 83). The recess 9 is also filled with the metal of the contact hole filling. An upper capacitor electrode 80 is thus formed. Disadvantages of this method are that a cleaning step to improve the. Before the deposition of the base metallization
  • DE 198 38 435 AI describes a method for producing a semiconductor memory in which a lower capacitor electrode made of polysilicon is deposited in an opening in an insulation film.
  • the object of the present invention is to provide a semiconductor component with an integrated capacitor which can be easily manufactured in the context of conventional manufacturing processes and in which the difficulties specified at the outset are avoided. In addition, an associated manufacturing process should be specified.
  • the capacitor dielectric and the thin upper electrode are not applied as usual to a relatively thick, rough metal layer originating from the standard metallization, but instead, conversely, an optimal thin lower electrode layer with an optimally protected capacitor dielectric is first produced and structured and a metallization level is applied thereon and structured, which is provided for the usual conductor tracks and electrical connections of the other integrated components.
  • the capacitor dielectric can therefore have a very smooth, preferably metallic, surface are deposited (for example TiN) and after the deposition are sealed and protected by a thin, also preferably metallic, layer (for example TiN) so that it is not thinned or damaged by other process steps.
  • a particular advantage is that the additional layer that forms the lower electrode of the MIM capacitor is only present in the area of the MIM capacitor, so that the remaining layer structure is not changed compared to a structure without a capacitor.
  • the component according to the invention therefore allows the integration of a capacitor with low manufacturing tolerances within the scope of a customary manufacturing process without the previous semiconductor structures of a structure without a capacitor having to be changed.
  • FIGS. 4A to 4F and 5A to 5F show cross sections of the intermediate products after various steps in the production process.
  • a thin conductive layer preferably a metal
  • an insulating passivation 10 this can be an intermediate oxide or intermetallic dielectric
  • An electrically insulating layer is applied as a capacitor dielectric 3 as soon as possible thereafter.
  • the capacitor dielectric 3 likewise has the smallest possible layer thickness and preferably consists of a material with a high dielectric constant (for example Si 3 N 4 or tantalum oxide).
  • a conductive cover layer for sealing the dielectric and as the upper electrode 11 of the capacitor to be produced can be applied.
  • a rapid sealing of the capacitor dielectric 3 with this conductive layer 11 protects the dielectric from thinning and from other damage caused by further process steps.
  • The- Layers 2, 3, 11 can be produced by conventional process steps such as sputtering, vapor deposition, CVD, PVD or galvanic deposition.
  • the layer sequence applied is then structured using a photo technique and a suitable etching step.
  • the processing is continued, as is customary in a multilayer metallization process, with the deposition of the metallization layer (e.g. conductor track metal and antireflection layer) and its structuring.
  • the metallization layer e.g. conductor track metal and antireflection layer
  • FIG. 4C shows a structure with a standard metallization 1 and a conductor track 14 structured therein.
  • the upper electrode 11 of the capacitor is now part of this standard metallization.
  • further structuring exposes part of the capacitor dielectric 3 in accordance with FIG. 4D.
  • the standard metallization 1 comprises, as an example, a sandwich structure composed of a lower conductive layer 11, an upper conductive layer 12 and an insulating layer 13 arranged between them.
  • the structure is covered with a dielectric 5, in which contact holes 6 are produced in accordance with FIG. 4E , In the area of the contact holes provided for the lower electrode, the capacitor dielectric exposed here in a previous structuring step is etched through. According to FIG.
  • the electrical connections for the lower electrode (contact hole filling 84), the upper electrode (contact hole fillings 85) and the conductor tracks (contact hole fillings 83) are produced on a base metal 7 using the contact hole fillings carried out in accordance with the prior art.
  • the contact holes can each be individual cylindrical openings. According to the representation of the cross sections according to FIGS. 4E and 4F, however, it can also be an annular opening act, which is arranged along the edge of the respective capacitor electrode.
  • the capacitor dielectric 3 on those areas of the surface of the lower electrode 2 that are present laterally to the area above which the upper one is located can also be removed Electrode 11 of the finished capacitor is arranged.
  • the contact holes 6 are produced according to FIG. 4E, the dielectric 5 can then be etched directly onto the surface of the lower electrode 2 that is not covered by the capacitor dielectric 3.
  • the etching of the contact holes is simplified in such a way that only one dielectric 5 has to be etched and not additionally through the capacitor dielectric, which preferably consists of a material with a higher dielectric constant.
  • FIG. 5A shows that in this embodiment 10 contact holes are provided in the passivation for connecting the lower electrode 2, which are filled with a contact hole filling 18, preferably onto a base metal 17, before the lower electrode 2 is deposited.
  • the remaining method steps correspond to the exemplary embodiment in FIGS. 4, but with the difference that, according to FIG. 5E, no contact holes have to be produced in the dielectric for the lower electrode 2 of the capacitor.

Abstract

Es wird eine dünne untere Elektrodenschicht (2) mit optimal geschütztem Kondensatordielektrikum (3) hergestellt und strukturiert und darauf eine übliche Metallisierungsebene für Leiterbahnen als obere Elektrode (11) aufgebracht und strukturiert. Das Kondensatordielektrikum kann dabei auf eine sehr glatte, vorzugsweise metallische Oberfläche abgeschieden werden (z.B. TiN) und nach der Abscheidung durch eine dünne, ebenfalls vorzugsweise metallische Schicht (z.B. TiN) versiegelt und geschützt werden, so dass es nicht durch andere Prozessschritte gedünnt oder geschädigt wird.

Description

Beschreibung
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem MIM-Kondensator und ein zugehöriges Herstellungsverfahren.
Zur Realisierung integrierter elektronischer Schaltungen wer- den auch integrierte passive Bauelemente wie Widerstände,
Spulen und Kondensatoren benötigt . Integrierte Kondensatoren sollen für viele Anwendungen möglichst vernachlässigbar kleine Serienwiderstände und Verluste bei geringem Flächenbedarf und geringer Verkopplung zum Substrat hin aufweisen. Die For- derung nach niedrigen Serienwiderständen kann in idealer Weise durch Verwendung sogenannter MIM-Kondensatoren (Metall - Isolator-Metall) erfüllt werden. Nutzt man die in einer Mehrlagen-Metallisierung üblicherweise vorhandenen Metallisierungsebenen und die Intermetalldielektrika, sind Kondensato- ren mit sehr kleiner spezifischer Flächenkapazität (typisch weniger als 0,1 fF/μm2 ) und relativ hohen Toleranzen oberhalb von 20% realisierbar. Für optimierte MIM-Kondensatoren wird in der Regel eine eigene Isolationsschicht und zumeist eine eigene dünne obere Metallelektrode verwendet.
Ein mögliches Herstellungsverfahren ist in den Figuren 1A bis 1F anhand verschiedener Zwischenprodukte im Querschnitt dargestellt. Bei der in Figur 1A im Querschnitt dargestellten Schichtstruktur befindet sich zuunterst eine Passivierung 10, die z.B. als Isolationsschicht auf eine Halbleiterschichtstruktur aufgebracht sein kann oder die eine oberste Dielektrikumschicht einer aus einer oder mehreren Metallisierungsebenen bestehenden Metallisierung mit Intermetalldielektrika sein kann. Eine darauf aufgebrachte Standardmetallisierung besitzt in diesem Beispiel eine Sandwichstruktur mit einer unteren elektrisch leitenden Schicht 11 und einer oberen elektrisch leitenden Schicht 12, zwischen denen sich eine isolierende Schicht 13 befindet. Die obere elektrisch leitende Schicht 12 wird als untere Elektrode des MIM-Kondensators verwendet. Es wird auf diese Schicht 12 das Kondensatordielektrikum 3 abgeschieden (z.B. ein Plasmanitrid einer Dicke von weniger als 0,1 μm) und anschließend eine weitere dünne Metallschicht, die als obere Elektrode des Kondensators dient (z.B. TiN einer Dicke von näherungsweise bis zu 0,1 μm) . Mittels einer geeigneten Maske wird die obere Elektrode 2 strukturiert, wobei entweder das Kondensatordielektrikum 3 oder die darunterliegende elektrisch leitende Schicht 12 als Ätzstopschicht dient. Das Ergebnis dieses Schrittes ist in Figur 1B dargestellt. Es folgt dann entsprechend Figur IC die Strukturierung der Standardmetallisierung 1 in einen Anteil des MIM-Kondensators 123 und einen Anteil der Leiterbahn 14. In Figur 1D ist dargestellt, daß die Oberseite der Struktur in ein abdeckendes Dielektrikum 5 eingebettet wird. Entsprechend Figur 1E werden in das Dielektrikum 5 Kontaktlöcher 6 geätzt, die für elektrischen Anschluß der Metallisierungen vorgesehen sind. Diese Kontaktlöcher werden in einer an sich bekannten Weise gefüllt, so daß sich die Struktur gemäß Figur 1F ergibt. In die Kontaktlöcher kann zunächst noch ein Basismetall (zumeist Ti/TiN) abgeschieden werden, bevor die eigentliche Kontaktlochfüllung (typisch Wolfram) in die Kontaktlöcher 6 eingebracht wird. Man erhält so die elektrischen Anschlüsse der unteren Kondensatorelektrode (Kontaktlochfüllungen 81) , der oberen Kondensatorelektrode (Kontaktlochfüllungen 82) und der Leiterbahnen (Kontaktlochfüllungen 83) .
Eine Alternative dieses bekannten Verfahrens ist in den Figu- ren 2A bis 2F dargestellt. Wiederum ausgehend von einer Standardmetallisierung 1 wird jetzt entsprechend Figur 2B die Strukturierung dieser Metallisierung vor dem Aufbringen der oberen Kondensatorelektrode vorgenommen. Erst nachdem die Leiterbahnen 14 strukturiert sind, werden das Kondensatordi- elektrikum 30 und die dünne elektrisch leitende Schicht 20 aufgebracht, die für die obere Kondensatorelektrode vorgesehen ist. Nach der Strukturierung der oberen leitenden Schicht 20 bleibt das Kondensatordielektrikum 30 auch im Bereich der Leiterbahnen 14 auf der Oberseite der Struktur vorhanden, so daß die Leiterbahnen von drei Seiten mit diesem Dielektrikum eingeschlossen sind. Entsprechend den Figuren 2D bis 2F wer- den dann entsprechend der in den Figuren 1D bis 1F dargestellten Variante ein abdeckendes Dielektrikum 5 aufgebracht, die Kontaktlδcher 6 geätzt und das Basismetall sowie die Kontaktlochfüllungen in diese Löcher eingebracht. Beim Ätzen der Kontaktlöcher 6 gemäß Figur 2E muß auch das Kondensatordi- elektrikum 30 durchgeätzt werden. Wird das Kondensatordielektrikum 30 gleich beim Strukturieren der oberen Kondensatorelektrode vollständig von den restlichen Oberflächen entfernt, dann besteht die Gefahr, daß dort die üblicherweise aufgebrachte oberste Antireflexschicht (meist TiN) mit ent- fernt wird. Die Antireflexschicht bildet mit dem eigentlichen Leiterbahnmaterial (z.B. AlCu) und dem darunter befindlichen Basismetall eine Sandwichstruktur, deren Integrität entscheidend für die Elektromigrationsfestigkeit des Metallisierungssystems ist. Durch den Ätzprozeß wird diese Sandwichstruktur zerstört oder zumindest geschädigt. Im Bereich außerhalb des herzustellenden MIM-Kondensators wird daher das Kondensatordielektrikum erst beim Herstellen der Kontaktlöcher 6 von den Oberflächen der leitenden Schichten (in der Regel Metall - schichten) entfernt .
Eine andere Möglichkeit zur Herstellung von MIM-Kondensatoren besteht gemäß Figuren 3A bis 3E darin, nach dem Aufbringen eines Intermetalldielektrikums 4 auf die strukturierte Standardmetallisierung in diesem Dielektrikum gemäß Figur 3B eine Aussparung 9 als Fenster über der oberen leitenden Schicht 12 herzustellen. Auf die Oberfläche und in diese Aussparung wird dann gemäß Figur 3C das Kondensatordielektrikum 30 abgeschieden. Es werden dann entsprechend Figur 3D die Kontaktlöcher 6 geätzt. Mit dem Einbringen der Kontaktlochfüllungen, nachdem ggf. noch eine Basismetallisierung 7 aufgebracht wurde, werden dann die elektrischen Anschlüsse der unteren Kondensatorelektrode (Kontaktlochfüllung 81) und der Leiterbahn (Kon- taktlochfüllung 83) hergestellt. Die Aussparung 9 wird ebenfalls mit dem Metall der Kontaktlochfüllung aufgefüllt. Damit wird eine obere Kondensatorelektrode 80 ausgebildet. Nachteile dieses Verfahrens sind, daß vor dem Abscheiden der Basis- metallisierung ein Reinigungsschritt zur Verbesserung der
Kontaktwiderstände durchgeführt werden muß, der das zu diesem Zeitpunkt freiliegende Kondensatordielektrikum dünnt und eventuell auch schädigen kann, und daß das Kondensatordielektrikum als zusätzliche Schicht in dem Schichtaufbau mit dem Intermetalldielektrikum 4 erhalten bleibt und die Eigenschaften des Metallisierungssystems negativ beeinflussen kann (Stress, Barrierewirkung für H2-Diffusion) .
Bei der Integration eines MIM-Kondensators in einen Herstel- lungsprozeß für eine integrierte Schaltung gibt es im wesentlichen zwei Probleme. Der Prozeßablauf und zum Teil auch die Schichtfolge wird bei den üblichen Verfahren, wie sie anhand der Figuren 1 bis 3 dargestellt wurden, zum Teil signifikant geändert. Die Unterschiede zwischen den Herstellungsverfahren für Bauelement mit integriertem MIM-Kondensator und ohne MIM - Kondensator führen zu unterschiedlichen Eigenschaften des Metallisierungssystems, insbesondere was die Zuverlässigkeit der Schaltung betrifft. Es ist außerdem schwierig, hohe spezifische Flächenkapazitätswerte des MIM-Kondensators zu er- reichen, da bei Verwendung dünnerer Kondensatordielektrika schnell Zuverlässigkeits- und Toleranzprobleme auftreten. Das liegt daran, daß die untere Elektrode, die üblicherweise AlCu oder AlSiCu ist, wegen ihrer typischen Kornstruktur eine relativ rauhe Oberfläche aufweist, die sich sogar im weiteren Prozeßablauf verändern kann. Außerdem wird diese Oberfläche beim üblichen Verfahren einer Reihe von Prozeßschritten ausgesetzt, die die Oberflächenqualität weiter verschlechtern können. Auch die Kondensatordielektrika werden nach der Abscheidung und vor dem Aufbringen der oberen Elektrode noch Prozeßschritten ausgesetzt, die ihre Oberfläche bzw. ihre Schichteigenschaft negativ beeinflussen können. In der US 5,391,905 sind eine integrierte Schaltungen und ein zugehöriges Verfahren zur Herstellung dieser Schaltung beschrieben, bei dem eine obere Elektrode aus Polysilizium für einen Kondensator zusammen mit einer Kontaktelektrode für ei- nen Transistor abgeschieden wird, nachdem eine untere Elektrode aus Polysilizium für den Kondensator und ein Kondensatordielektrikum hergestellt wurden.
In der DE 198 38 435 AI ist ein Verfahren zur Herstellung ei- nes Halbleiterspeichers beschrieben, bei dem eine untere Kondensatorelektrode aus Polysilizium in eine Öffnung in einem Isolationsfilm abgeschieden wird.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halbleiterbau- element mit integriertem Kondensator anzugeben, das sich im Rahmen herkömmlicher Herstellungsprozesse einfach herstellen läßt und bei dem die eingangs angegebenen Schwierigkeiten umgangen sind. Außerdem soll ein zugehöriges Herstellungsverfahren angegeben werden.
Diese Aufgabe wird mit dem Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Anspruches 1 bzw. mit dem Verfahren zur Herstellung dieses Halbleiterbauelementes mit den Merkmalen des Anspruches 5 gelöst. Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängi- gen Ansprüchen.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement werden das Kondensatordielektrikum und die dünne obere Elektrode nicht wie üblich auf eine aus der Standardmetallisierung stammende relativ dicke, rauhe Metallschicht aufgebracht, sondern es wird umgekehrt zunächst eine optimale dünne untere Elektrodenschicht mit optimal geschütztem Kondensatordielektrikum hergestellt und strukturiert und darauf eine Metallisierungsebene aufgebracht und strukturiert, die für die üblichen Leiterbahnen und elektrischen Anschlüsse der weiteren integrierten Bauelemente vorgesehen ist. Das Kondensatordielektrikum kann daher auf eine sehr glatte, vorzugsweise metallische, Oberfläche abgeschieden werden (z.B. TiN) und nach der Abscheidung durch eine dünne, ebenfalls vorzugsweise metallische, Schicht (z.B. TiN) versiegelt und geschützt werden, so daß es nicht durch andere Prozeßschritte gedünnt oder geschädigt wird. Ein be- sondere Vorteil ist, daß die zusätzlich vorhandene Schicht, die die untere Elektrode des MIM-Kondensators bildet, nur im Bereich des MIM-Kondensators vorhanden ist, so daß der übrige Schichtaufbau gegenüber einem Aufbau ohne Kondensator nicht verändert ist. Das erfindungsgemäße Bauelement gestattet da- her die Integration eines Kondensators mit geringen Fertigungstoleranzen im Rahmen eines üblichen Herstellungsprozesses, ohne daß die bisherigen Halbleiterstrukturen eines Auf- baus ohne Kondensator geändert werden müssen.
Es folgt eine genauere Beschreibung des erfindungsgemäßen
Bauelementes anhand zweier Beispiele bevorzugter Ausführungsformen des zugehörigen Herstellungsverfahrens.
Figuren 4A bis 4F bzw. 5A bis 5F zeigen Querschnitte der Zwi- schenprodukte nach verschiedenen Schritten der Herstellungsverfahren.
Wie in Figur 4A dargestellt ist, wird zunächst auf einer isolierenden Passivierung 10 (dies kann ein Zwischenoxid oder Intermetalldielektrikum sein) eine dünne leitende Schicht, vorzugsweise ein Metall, als untere Elektrode 2 abgeschieden. Möglichst unmittelbar anschließend wird darauf eine elektrisch isolierende Schicht als Kondensatordielektrikum 3 aufgebracht. Das Kondensatordielektrikum 3 weist ebenfalls eine möglichst geringe Schichtdicke auf und besteht vorzugsweise aus einem Material mit hoher Dielektrizitätszahl (z.B. Si3N4 oder Tantaloxid) . Abschließend kann eine leitende Deckschicht zur Versiegelung des Dielektrikums und als obere Elektrode 11 des herzustellenden Kondensators aufgebracht werden. Eine ra- sehe Versiegelung des Kondensatordielektrikums 3 mit dieser leitenden Schicht 11 schützt das Dielektrikum vor Dünnung und vor sonstigen Schädigungen durch weitere Prozeßschritte. Die- se Schichten 2, 3, 11 können durch übliche Verfahrensschritte wie Sputtern, Aufdampfen, CVD, PVD oder galvanische Abscheidung hergestellt werden.
Entsprechend Figur 4B wird die aufgebrachte Schichtfolge anschließend mit Hilfe einer Phototechnik und eines geeigneten Ätzschrittes strukturiert. Nach Entfernen des hierbei verwendeten Photolackes und einer eventuell notwendigen Reinigung wird die Prozessierung, wie in einem Mehrlagen-Metallisie- rungsprozeß üblich, mit der Abscheidung der Metallisierungsschicht (z.B. Leiterbahnmetall und Antireflexschicht) und ihrer Strukturierung fortgesetzt.
In Figur 4C ist so eine Struktur mit einer Standardmetalli- sierung 1 und einer darin strukturierten Leiterbahn 14 dargestellt. Die obere Elektrode 11 des Kondensators ist jetzt Bestandteil dieser Standardmetallisierung. Eine weitergehende Strukturierung legt in diesem Beispiel entsprechend Figur 4D einen Teil des Kondensatordielektrikums 3 frei. Die Standard- metallisierung 1 umfaßt auch hier als Beispiel eine Sandwichstruktur aus einer unteren leitenden Schicht 11, einer oberen leitenden Schicht 12 und einer dazwischen angeordneten isolierenden Schicht 13. Die Struktur wird mit einem Dielektrikum 5 abgedeckt, in dem entsprechend Figur 4E Kontaktlöcher 6 hergestellt werden. Im Bereich der für die untere Elektrode vorgesehenen Kontaktlöcher wird das hier in einem vorhergehenden Strukturierungsschritt freigelegte Kondensatordielektrikum durchgeätzt. Entsprechend Figur 4F werden mit den entsprechend dem Stand der Technik vorgenommenen Kontaktlochfül- lungen auf einem Basismetall 7 die elektrischen Anschlüsse für die untere Elektrode (Kontaktlochfüllung 84), die obere Elektrode (Kontaktlochfüllungen 85) und die Leiterbahnen (Kontaktlochfüllungen 83) hergestellt. Die Kontaktlöcher können jeweils einzelne zylindrische Öffnungen sein. Entspre- chend der Darstellung der Querschnitte gemäß Figuren 4E und 4F kann es sich aber auch um eine kreisringförmige Öffnung handeln, die längs des Randes der jeweiligen Kondensatorelektrode angeordnet ist.
Mit dem Strukturieren der über dem Kondensatordielektrikum 3 aufgebrachten Metallisierungen, um die Struktur gemäß Figur 4C zu erhalten, kann auch bereits das Kondensatordielektrikum 3 auf denjenigen Bereichen der Oberfläche der unteren Elektrode 2 entfernt werden, die seitlich zu demjenigen Bereich vorhanden sind, über dem die obere Elektrode 11 des fertigen Kondensators angeordnet ist. Es kann dann beim Herstellen der Kontaktlöcher 6 gemäß Figur 4E das Dielektrikum 5 direkt auf die nicht von dem Kondensatordielektrikum 3 bedeckte Oberfläche der unteren Elektrode 2 ausgeätzt werden. Das Ätzen der Kontaktlöcher wird so vereinfacht, da nur durch das eine Die- lektrikum 5 hindurch geätzt werden muß und nicht zusätzlich durch das vorzugsweise aus einem Material höherer Dielektri- zitätszahl bestehende Kondensatordielektrikum.
Bei der Ausführung gemäß den Figuren 5A bis 5F unterscheidet sich die Herstellung des Anschlusses der unteren Elektrode 2 von dem bereits beschriebenen Ausführungsbeispiel . In Figur 5A ist dargestellt, daß bei dieser Ausführungsform zum Anschluß der unteren Elektrode 2 in der Passivierung 10 Kontaktlöcher vorgesehen sind, die vor dem Abscheidung der unte- ren Elektrode 2 mit einer Kontaktlochfüllung 18, vorzugsweise auf ein Basismetall 17, gefüllt werden. Die übrigen Verfahrensschritte entsprechen dem Ausführungsbeispiel der Figuren 4, allerdings mit dem Unterschied, daß entsprechend Figur 5E für die untere Elektrode 2 des Kondensators keine Kontaktlö- eher in dem Dielektrikum hergestellt zu werden brauchen.

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterbauelement mit einer für elektrische Kontaktierungen vorgesehenen Oberseite und einem darin integrierten Kondensator, der eine untere Elektrode, eine näher zu der
Oberseite angeordnete obere Elektrode und ein Kondensatordielektrikum besitzt, wovon zumindest eine Elektrode durch eine Metallisierungsebene für Leiterbahnen gebildet ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß - die untere Elektrode (2) durch eine eigens vorgesehene metallische Elektrodenschicht gebildet ist und die obere Elektrode (11) durch eine Metallisierungsebene für Leiterbahnen gebildet ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die untere Elektrode TiN ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2 , bei dem die Oberseite mit einem Dielektrikum (4, 5), das als Passivierung oder Intermetalldielektrikum vorgesehen ist, bedeckt ist und bei dem als Kondensatordielektrikum (3) zwischen der unteren Elektrode (2) und der oberen Elektrode (11) ein weiteres Dielektrikum mit einer höheren Dielektrizitätszahl vorhanden ist.
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Kondensatordielektrikum (3) Si3N4 oder Tantaloxid ist .
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Kondensatordielektrikum (3) eine Oberfläche der unteren Elektrode (2) bedeckt, die eine geringere Rauhigkeit aufweist als eine Oberfläche der oberen Elektrode (11) .
6. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit integriertem Kondensator, bei dem in einem ersten Schritt auf eine Oberseite einer Bauelement - Struktur eine Passivierung (10) aufgebracht wird, in einem zweiten Schritt auf die Passivierung (10) eine metallische Schicht als untere Elektrode (2) des Kondensators abgeschieden wird, in einem dritten Schritt eine dielektrische Schicht als Kondensatordielektrikum (3) abgeschieden wird, in einem vierten Schritt eine Metallisierungsebene abgeschieden wird, in einem fünften Schritt die Metallisierungsebene zu Leiterbahnen und/oder Kontaktflächen und zu einer oberen Elektrode (11) des Kondensators strukturiert wird, in einem sechsten Schritt zumindest ein abdeckendes Dielektrikum (5) abgeschieden wird und in einem siebten Schritt in diesem Dielektrikum (5) Kontaktlöcher (6) für die untere Elektrode (2) und/oder die obere Elektrode (11) hergestellt und mit elektrisch leitendem Material gefüllt werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem in dem zweiten Schritt als metallische Schicht TiN abgeschieden wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, bei dem zwischen dem ersten Schritt und dem zweiten Schritt in einem weiteren Schritt Kontaktlöcher in der Passivierung hergestellt und mit Kontaktlochfüllungen (18) aus elektrisch leitendem Material derart versehen werden, daß eine elektrisch leitende Verbindung zu einer unter der Passivierung (10) vor- handenen Kontaktfläche, die für einen elektrischen Anschluß der unteren Elektrode (2) vorgesehen ist, hergestellt wird, und in dem zweiten Schritt die metallische Schicht auch über den
Kontaktlochfüllungen (18) abgeschieden wird.
PCT/DE2001/000465 2000-02-24 2001-02-07 Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren WO2001063652A1 (de)

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