DE04748762T1 - Verfahren zur herstellung von trichlorsilan und silicium zur verwendung bei der herstellung von trichlorsilan - Google Patents

Verfahren zur herstellung von trichlorsilan und silicium zur verwendung bei der herstellung von trichlorsilan Download PDF

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Harry Morten Rong
Torbjorn Roe
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Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan durch Umsetzung von Silizium mit HCl-Gas bei einer Temperatur zwischen 250° und 1100°C und einem absoluten Druck von 0,5–30 atm in einem Fließbettreaktor, in einem gerührten Bettreaktor oder in einem Festbettreaktor, dadurch gekennzeichnet, daß das an den Reaktor gelieferte Silizium zwischen 30 und 10.000 ppm Chrom enthält.

Claims (19)

  1. Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan durch Umsetzung von Silizium mit HCl-Gas bei einer Temperatur zwischen 250° und 1100°C und einem absoluten Druck von 0,5–30 atm in einem Fließbettreaktor, in einem gerührten Bettreaktor oder in einem Festbettreaktor, dadurch gekennzeichnet, daß das an den Reaktor gelieferte Silizium zwischen 30 und 10.000 ppm Chrom enthält.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das an den Reaktor gelieferte Silizium zwischen 50 und 1000 ppm Chrom enthält.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom mit dem Silizium legiert wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom mechanisch mit dem Silizium vermischt wird, bevor das Silizium an den Reaktor geliefert wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom mechanisch mit Silizium durch Unterziehen des Siliziums einem Mahlen unter Verwendung von Chrom-enthaltenden Mahlkörpern vermischt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom zum Reaktor getrennt vom Silizium zugegeben wird.
  7. Silizium zur Verwendung in der Herstellung von Trichlorsilan durch Umsetzung von Silizium mit HCl-Gas, dadurch gekennzeichnet, daß das Silizium zwischen 30 und 10.000 ppm Chrom enthält, wobei der Rest, mit Ausnahme von normalen Verunreinigungen, Silizium ist.
  8. Silizium nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Silizium zwischen 50 und 1000 ppm Chrom enthält.
  9. Silizium nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom mit dem Silizium legiert ist.
  10. Silizium nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom mechanisch mit dem Silizium vermischt ist.
  11. Silizium nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das mechanische Mischen von Chrom mit Silizium durchgeführt wird durch Unterziehen des Silizium einem Mahlen unter Verwendung von Chrom-enthaltenden Mahlkörpern.
  12. Verfahren für die Herstellung von Trichlorsilan durch Umsetzung von Silizium mit HCl-Gas bei einer Temperatur zwischen 250 und 1100°C und einem absoluten Druck von 0,5–30 atm in einem Fließbettreaktor, in einem gerührten Bettreaktor oder in einem Festbettreaktor, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom an den Reaktor in einer Menge geliefert wird, die notwendig ist, um einen Chromgehalt in dem Reaktor zwischen 100 und 50.000 ppm, basierend auf dem Gewicht des Siliziums in dem Reaktor, zu steuern.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom an den Reaktor in einer Menge geliefert wird, die notwendig ist, um den Chromgehalt in dem Reaktor zwischen 200 und 25.000 ppm Chrom zu steuern.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß an den Reaktor geliefertes Chrom mit dem Silizium legiert wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß an den Reaktor geliefertes Chrom mechanisch mit dem Silizium vermischt wird, bevor die Mischung an den Reaktor geliefert wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom mechanisch mit dem Silizium vermischt wird durch Unterziehen des Siliziums einem Mahlen unter Verwendung von Chrom-enthaltenden Mahlkörpern.
  17. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß Chrom und Silizium getrennt zum Reaktor zugegeben werden.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Chromverbindungen zum Reaktor mit dem HCl-Gas zugegeben werden.
  19. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Chrom zum Reaktor zusammen mit einer Verbindung mit einem weiteren oder keinem Effekt für das Trichlorsilanverfahren zugegeben wird.
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