JP7278888B2 - トリクロロシランの製造方法 - Google Patents
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Si+3HCl→SiHCl3+H2 (A)
塩酸3モルから水素1モルが生成されるので、この濃度は投入した塩酸ガスの未反応率に換算すると約1/3程度になる。実際には四塩化ケイ素の生成反応などの影響もあるので、正確に換算するのは難しいため、測定値そのままで記述する。
κ1=0.0002×C1Al+0.0015×C1Ca+0.0014×C1Ni+0.003×C1Mn (1)
(c-1) 工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1以下の場合でかつ投入する金属級シリコン原料S1が1種類である場合は、金属級シリコン原料S1を流動層反応炉に投入してトリクロロシランを製造する工程とを含むことを特徴とするトリクロロシランの製造方法である。ここで、1種類の金属級シリコン原料とは、単一の購入ロットの金属級シリコン原料をいう。
κ1=0.0002×C1Al+0.0015×C1Ca+0.0014×C1Ni+0.003×C1Mn (1)
(c-2) 工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1を超える場合、工程(a)の金属級シリコン原料S1とは別の1種又は2種以上のAl、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…がそれぞれ既知である金属級シリコン原料S2、S3、…を用意する工程と、(d) 不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…(単位:質量ppm)を下記の式(2)、式(3)、…に導入して係数κ2、κ3、…を算出する工程と、
κ2=0.0002×C2Al+0.0015×C2Ca+0.0014×C2Ni+0.003×C2Mn (2)
κ3=0.0002×C3Al+0.0015×C3Ca+0.0014×C3Ni+0.003×C3Mn (3)
…
(e) 金属級シリコン原料S1、S2、S3、…のそれぞれの質量を秤量して合計した合計質量を1とするとき、又は金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の入ったそれぞれの袋の質量が同一であるときこれらの袋の数をカウントして合計した合計数量を1とするとき、金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の質量比(又は個数比)をw1、w2、w3、…と決める工程と、(f) 式(1)、式(2)、式(3)、…で算出された係数κ1、κ2、κ3、…と質量比w1、w2、w3、…を用いて下記の式(X)により、係数Kを求める工程と、
K=κ1×w1 + κ2×w2 + κ3×w3 + … (X)
(g-1) 工程(f)で求めた係数Kが1以下の場合、金属級シリコン原料S1、S2、S3、…をw1、w2、w3、…の質量比で流動層反応炉に混合して又は個別に投入してトリクロロシランを製造する工程とを含むことを特徴とするトリクロロシランの製造方法である。
κ1=0.0002×C1Al+0.0015×C1Ca+0.0014×C1Ni+0.003×C1Mn (1)
(c-3) 工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1を超える場合、又は工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1以下であっても金属級シリコン原料S1に別の1種又は2種以上の金属級シリコン原料S2、S3、…を混合する場合、工程(a)の金属級シリコン原料S1とは別の1種又は2種以上のAl、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…がそれぞれ既知である金属級シリコン原料S2、S3、…を用意する工程と、(d) 不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…(単位:質量ppm)を下記の式(2)、式(3)、…に導入して係数κ2、κ3、…を算出する工程と、
κ2=0.0002×C2Al+0.0015×C2Ca+0.0014×C2Ni+0.003×C2Mn (2)
κ3=0.0002×C3Al+0.0015×C3Ca+0.0014×C3Ni+0.003×C3Mn (3)
…
(e) 金属級シリコン原料S1、S2、S3、…のそれぞれの質量を秤量して合計した合計質量を1とするとき、又は金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の入ったそれぞれの袋の質量が同一であるときこれらの袋の数をカウントして合計した合計数量を1とするとき、金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の質量比(又は個数比)をw1、w2、w3、…と決める工程と、(f) 式(1)、式(2)、式(3)、…で算出された係数κ1、κ2、κ3、…と質量比w1、w2、w3、…を用いて下記の式(X)により、係数Kを求める工程と、
K=κ1×w1 + κ2×w2 + κ3×w3 + … (X)
(g-2) 工程(f)で求めた係数Kが1を超える場合、金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の質量比であるw1、w2、w3、…を係数Kが1以下になるように、w1'、w2'、w3'、…の質量比に変更して、金属級シリコン原料S1、S2、S3、…をw1'、w2'、w3'、…の質量比で流動層反応炉に混合して又は個別に投入してトリクロロシランを製造する工程とを含むことを特徴とするトリクロロシランの製造方法である。
金属級シリコン原料S1のみを用いた場合のトリクロロシランの製造方法を図1に基づいて説明する。先ず、Al、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnがそれぞれ既知である金属級シリコン原料S1を用意する(工程(a))。上記不純物濃度が既知である金属級シリコン原料S1を用意する方法としては、購入した金属級シリコン原料S1を自社で定量分析することにより不純物濃度がそれぞれ既知となった金属級シリコン原料S1を用意する方法や、製造元で定量分析されて不純物濃度が記録され包装された金属級シリコン原料S1を用意する方法等が挙げられる。また、金属級シリコン原料S1の形態は、例えば、平均粒径およそ50μm以下の粉末、又は平均粒径およそ500μm以上の顆粒、或いはこれらの粉末及び顆粒の混合物などである。
κ1=0.0002×C1Al+0.0015×C1Ca+0.0014×C1Ni+0.003×C1Mn (1)
上記式(1)はこれまでの経験からたどり着いた知見に基づく式であり、次のような経緯で導き出した。先ず、流動層反応炉において未反応塩酸の量が多くなり、操業に支障が生じた。その際の応急処置の1つとして、原因と思われる原料の投入比率を制限した。この現象の原理を明確にするため、金属級シリコン原料の不純物濃度に着目し、過去1年間の不純物濃度と流動層反応炉から排出される反応ガス中の未反応塩酸の割合の相関を調査した。その結果、不純物の元素毎に相関の強さや正負に特徴があることを見出した。その中で正の強い相関を示す元素を4つ(Al、Ca、Ni及びMn)選び、更に強い相関が得られるように元素毎に適切な係数を導き出し、足し合せることで、より強い相関を示す係数κ1を導き出し、式(1)を得た。
Si+3HCl→SiHCl3+H2 (A)
金属級シリコン原料は流動層反応炉内の下部に設置され塩酸ガスが通過可能であって金属級シリコン原料が通過不能な多孔質板上に堆積した状態で載せられ、多孔質板の下方から塩酸ガスが流動層反応炉内に供給される。そして、塩酸ガスは、多孔質板を通過し更に金属級シリコン原料の堆積層中を通過することにより、金属級シリコン原料と塩酸ガスとが反応して、反応ガスが生成される。この反応ガスは、トリクロロシラン、テトラクロロシラン、ジクロロシラン、及びホウ素化合物を含む。そして、反応したガスは冷却器に送られ、トリクロロシランを含む反応ガスは冷却され凝縮されて液として回収される。なお、残りのガス中には、水素を主成分とする塩酸ガス(未反応塩酸)が含まれる。また、回収液には、高沸点成分が含まれる。ここで、高沸点成分としては、四塩化ケイ素の沸点より高い沸点を有する六塩化二珪素、五塩化ジシラン、四塩化ジシラン等が挙げられる。
金属級シリコン原料S1、S2、S3、…を用いた場合のトリクロロシランの製造方法を図1及び図2に基づいて説明する。先ず、上記トリクロロシランの第1の製造方法と同様にして、Al、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnがそれぞれ既知である金属級シリコン原料S1を用意し(工程(a))、不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnを式(1)に導入して係数κ1を算出する(工程(b))。
κ2=0.0002×C2Al+0.0015×C2Ca+0.0014×C2Ni+0.003×C2Mn (2)
κ3=0.0002×C3Al+0.0015×C3Ca+0.0014×C3Ni+0.003×C3Mn (3)
…
上記式(2)、式(3)、…中の各不純物濃度(C2Al、C2Ca等)の係数(0.0002、0.0015等)は、式(1)中の各不純物濃度(C1Al、C1Ca等)の係数(0.0002、0.0015等)と同一である。
K=κ1×w1 + κ2×w2 + κ3×w3 + … (X)
上記式(X)は、式(1)と同様に、これまでの経験からたどり着いた知見に基づく式である。
金属級シリコン原料S1、S2、S3、…を用いた場合のトリクロロシランの製造方法を図1及び図2に基づいて説明する。先ず、上記トリクロロシランの第1の製造方法と同様にして、Al、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnがそれぞれ既知である金属級シリコン原料S1を用意し(工程(a))、不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnを式(1)に導入して係数κ1を算出する(工程(b))。
κ2=0.0002×C2Al+0.0015×C2Ca+0.0014×C2Ni+0.003×C2Mn (2)
κ3=0.0002×C3Al+0.0015×C3Ca+0.0014×C3Ni+0.003×C3Mn (3)
…
ここで、上記係数κ1が1以下の場合でも別の金属級シリコン原料を用意するのは、その後に算出する別のシリコン原料の係数κ2、κ3、…が、その産地の過去のデータ等から1を超える可能性が高いと予測できる場合、係数κ1が1以下の金属級シリコン原料を有効活用するためである。
K=κ1×w1 + κ2×w2 + κ3×w3 + … (X)
表2に示す不純物成分を含む金属級シリコン原料を用意して、実施例1~3及び比較例1~2の金属級シリコン原料とした。なお、各金属級シリコン原料の平均粒径は約200μm~300μmであった。実施例1及び比較例1~2の金属級シリコン原料は、単一の購入ロットからそれぞれ約4000kg(約1000kg×4袋)取出した。また、実施例2の金属級シリコン原料は、不純物成分の異なる2つのロットの金属級シリコン原料をそれぞれ2袋ずつ、即ちそれぞれ約2000kgずつ取出して混合し合計約4000kgとし、実施例3の金属級シリコン原料は、不純物成分の異なる2つの袋に入った金属級シリコン原料をそれぞれ質量比で約25:75の割合、即ちそれぞれ約1000kg(1袋)及び約3000kg(3袋)取出して混合し合計約4000kgとした。
実施例1~3及び比較例1~2の金属級シリコン原料を、内径が約1000mmで上下方向におよそ4m程度の流動層が形成された流動層反応炉に投入してトリクロロシランをそれぞれ製造した。具体的には、先ず、金属級シリコン原料を、流動層反応炉内の下部に設置され塩酸ガスが通過可能であって金属級シリコン原料が通過不能な多孔質板上に堆積した状態で載せた。次いで、流動層反応炉の層高(炉底と炉頂の差圧)をおよそ0.04MPaに維持するように設定し、流動層反応炉内の温度を約315℃に設定した状態で、多孔質板の下方から塩酸ガスを流動層反応炉内に流量約400Nm3/hで供給した。これにより、塩酸ガスが金属級シリコン原料と接触して、塩酸ガスが金属級シリコン原料と反応した。次に、反応したガスを冷却器に送り、トリクロロシランを含む反応ガスを冷却し凝縮して液として回収した。更に、残りの水素を主成分とするガスの塩酸濃度(未反応塩酸濃度)と、回収液に含まれる高沸点成分の量を測定した。この未反応塩酸濃度と高沸点成分の量を、金属級シリコン原料の不純物成分及び式(1)から求めた係数κ1とともに表2に示す。ここで、高沸点成分の量は、昇温ガスクロマトグラフィにて分析し、四塩化ケイ素より高い沸点の成分のピークの合計値とした。
κ1=0.0002×Al+0.0015×Ca+0.0014×Ni+0.003×Mn (1)
Claims (3)
- 金属級シリコン原料と塩酸ガスを反応させてトリクロロシランを製造する方法において、
(a) Al、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnがそれぞれ既知である金属級シリコン原料S1を用意する工程と、
(b) 前記不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mn(単位:質量ppm)を下記の式(1)に導入して係数κ1を算出する工程と、
κ1=0.0002×C1Al+0.0015×C1Ca+0.0014×C1Ni+0.003×C1Mn (1)
(c-1) 前記工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1以下の場合でかつ投入する金属級シリコン原料S1が1種類である場合は、前記金属級シリコン原料S1を流動層反応炉に投入してトリクロロシランを製造する工程と
を含むことを特徴とするトリクロロシランの製造方法。 - 金属級シリコン原料と塩酸ガスを反応させてトリクロロシランを製造する方法において、
(a) Al、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnがそれぞれ既知である金属級シリコン原料S1を用意する工程と、
(b) 前記不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mn(単位:質量ppm)を下記の式(1)に導入して係数κ1を算出する工程と、
κ1=0.0002×C1Al+0.0015×C1Ca+0.0014×C1Ni+0.003×C1Mn (1)
(c-2) 前記工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1を超える場合、前記工程(a)の金属級シリコン原料S1とは別の1種又は2種以上のAl、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…がそれぞれ既知である金属級シリコン原料S2、S3、…を用意する工程と、
(d) 前記不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…(単位:質量ppm)を下記の式(2)、式(3)、…に導入して係数κ2、κ3、…を算出する工程と、
κ2=0.0002×C2Al+0.0015×C2Ca+0.0014×C2Ni+0.003×C2Mn (2)
κ3=0.0002×C3Al+0.0015×C3Ca+0.0014×C3Ni+0.003×C3Mn (3)
…
(e) 前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…のそれぞれの質量を秤量して合計した合計質量を1とするとき、又は前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の入ったそれぞれの袋の質量が同一であるときこれらの袋の数をカウントして合計した合計数量を1とするとき、前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の質量比(又は個数比)をw1、w2、w3、…と決める工程と、
(f) 前記式(1)、式(2)、式(3)、…で算出された係数κ1、κ2、κ3、…と前記質量比w1、w2、w3、…を用いて下記の式(X)により、係数Kを求める工程と、
K=κ1×w1 + κ2×w2 + κ3×w3 + … (X)
(g-1) 前記工程(f)で求めた係数Kが1以下の場合、前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…をw1、w2、w3、…の質量比で流動層反応炉に混合して又は個別に投入してトリクロロシランを製造する工程と
を含むことを特徴とするトリクロロシランの製造方法。 - 金属級シリコン原料と塩酸ガスを反応させてトリクロロシランを製造する方法において、
(a) Al、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mnがそれぞれ既知である金属級シリコン原料S1を用意する工程と、
(b) 前記不純物濃度C1Al、C1Ca、C1Ni及びC1Mn(単位:質量ppm)を下記の式(1)に導入して係数κ1を算出する工程と、
κ1=0.0002×C1Al+0.0015×C1Ca+0.0014×C1Ni+0.003×C1Mn (1)
(c-3) 前記工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1を超える場合、又は前記工程(b)の式(1)により算出された係数κ1が1以下であっても前記金属級シリコン原料S1に別の1種又は2種以上の金属級シリコン原料S2、S3、…を混合する場合、前記工程(a)の金属級シリコン原料S1とは別の1種又は2種以上のAl、Ca、Ni及びMnの不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…がそれぞれ既知である金属級シリコン原料S2、S3、…を用意する工程と、
(d) 前記不純物濃度C2Al、C2Ca、C2Ni及びC2Mn、C3Al、C3Ca、C3Ni及びC3Mn、…(単位:質量ppm)を下記の式(2)、式(3)、…に導入して係数κ2、κ3、…を算出する工程と、
κ2=0.0002×C2Al+0.0015×C2Ca+0.0014×C2Ni+0.003×C2Mn (2)
κ3=0.0002×C3Al+0.0015×C3Ca+0.0014×C3Ni+0.003×C3Mn (3)
…
(e) 前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…のそれぞれの質量を秤量して合計した合計質量を1とするとき、又は前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の入ったそれぞれの袋の質量が同一であるときこれらの袋の数をカウントして合計した合計数量を1とするとき、前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の質量比(又は個数比)をw1、w2、w3、…と決める工程と、
(f) 前記式(1)、式(2)、式(3)、…で算出された係数κ1、κ2、κ3、…と前記質量比w1、w2、w3、…を用いて下記の式(X)により、係数Kを求める工程と、
K=κ1×w1 + κ2×w2 + κ3×w3 + … (X)
(g-2) 前記工程(f)で求めた係数Kが1を超える場合、前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…の質量比であるw1、w2、w3、…を前記係数Kが1以下になるように、w1'、w2'、w3'、…の質量比に変更して、前記金属級シリコン原料S1、S2、S3、…をw1'、w2'、w3'、…の質量比で流動層反応炉に混合して又は個別に投入してトリクロロシランを製造する工程と
を含むことを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
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