NO314138B1 - Fremgangsmåte for fjerning av forurensinger fra silisiuminneholdende residuer - Google Patents
Fremgangsmåte for fjerning av forurensinger fra silisiuminneholdende residuer Download PDFInfo
- Publication number
- NO314138B1 NO314138B1 NO20014148A NO20014148A NO314138B1 NO 314138 B1 NO314138 B1 NO 314138B1 NO 20014148 A NO20014148 A NO 20014148A NO 20014148 A NO20014148 A NO 20014148A NO 314138 B1 NO314138 B1 NO 314138B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- magnetic
- fraction
- silicon
- reactor
- magnetic fraction
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 title claims description 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 150000001367 organochlorosilanes Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 8
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000006148 magnetic separator Substances 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 3
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N phencyclidine Chemical class C1CCCCN1C1(C=2C=CC=CC=2)CCCCC1 JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229940043430 calcium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000001674 calcium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 208000019585 progressive encephalomyelitis with rigidity and myoclonus Diseases 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C1/00—Magnetic separation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C1/00—Magnetic separation
- B03C1/02—Magnetic separation acting directly on the substance being separated
- B03C1/16—Magnetic separation acting directly on the substance being separated with material carriers in the form of belts
- B03C1/22—Magnetic separation acting directly on the substance being separated with material carriers in the form of belts with non-movable magnets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Teknisk område
Den foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for å fjerne forurensninger fra residuer av silisiumpulver fra fremstilling av organoklorosilaner og klorsilaner.
Teknikkens stilling
Den konvensjonelle fremgangsmåte for fremstilling av organoklorosilaner er velkjent og er beskrevet i US patent nr. 2,380,995. Dette patentet beskriver direktereaksjonen mellom et organohalid, slik som metylklorid og silisiumpartikler for fremstilling av organoklorosilan. En kobberkatalysator blandes med silisiumpartiklene for å danne reaksjonsmasse, som også kalles kontaktmasse. Reaksjonen utføres vanligvis i en fluidisert seng reaktor. En del av silisiumspartiklene føres ut av reaktoren sammen med organoklorsilan gassene som produseres og blir gjenvunnet i sykloner eller i filtre. Residuet som gjenvinnes i syklonene eller filtrene har et høyt innhold av ureagert, elementært silisium forurenset med forbindelser av kobber, jern, klorider og andre.
Med mellomrom må de nevnte reaktorene stanses for fjerning av brukt reaksjonsmasse og for tilsetning av ny reaksjonsmasse. Den brukte reaksjonsmassen inneholder fortsatt vesentlige mengder elementært silisium, men er forurenset med forbindelser av en rekke elementer, særlig kobber, karbon, kalsium, jern, aluminium og klor, så vel som oksider og karbidpartrikler fra slagg. Disse forurensningene akkumuleres i reaktoren under prosessen og etter bestemte tidsperioder må den brukte kontaktmassen fjernes fra reaktoren som et residue. Den brukte kontaktmassen eller residuet blir vanligvis deponert eller har blitt behandlet og oppgradert for bruk i andre prosesser.
Den kommersielle metode for fremstilling av triklorsilan (TCS) er også vel kjent og utføres vanligvis i en fluidisert sengreaktor eller i en omrørt seng reaktor ved reaksjon av silisiumpartikler med HCI gass. Denne metoden utføres vanligvis ved en temperatur mellom 250°C og 550°C. Også i denne metoden dannes det et residue som inneholder betydelige mengder elementært silisium, men som er forurenset med jern, aluminium og kalsiumforbindelser og med oksider og karbidpartikler fra slagg. Residuet kan derfor ikke resirkuleres til reaktoren. I TCS prosessen akkumuleres også en del av borinnholdet i silisiumspartiklene i residuet og da hovedbruksområdet fra TCS er å fremstille silisium av elektronikkvalitet som krever et meget lavt borinnhold, vil resirkulasjon av residuet gi TCS med et for høyt borinnhold.
TCS kan også fremstilles ved reaksjon av silisiumpartikler med silisiumtetraklorid og hydrogen ved ca. 500°C i en fluidisert seng reaktor. Også i denne prosessen dannes det silisiuminneholdende residuer.
Silisiumtetraklorid sammen med TCS produseres i en såkalt fastseng reaktor ved ca. 1000°C hvor stykkformet silisium reageres med HCI gass. Residue med lignende kjemisk sammensetning, men med større patikkelstørrelse fremstilles i denne prosessen.
Fra US patent nr. 4,307,242 er det kjent en metode for å fjerne forurensninger fra kontaktmasse fra direkte reaksjonsprosessen for fremstilling av organohalosilan. Ved metoden ifølge US patent nr. 4,307,242 analyseres partikkelstørelsesfordelingen i den brukte kontaktmassen hvoretter den analyserte kontaktmassen klassifiseres i en relativt ren fraksjon og i en relativt uren fraksjon. Den relativt rene fraksjonen er den grove fraksjonene og den relativt urene fraksjonen er den fine fraksjonen. Den grove fraksjonen resirkuleres til organohalosilanreaktoren. På grunn av den meget små partikkelstørrelsen i den brukte kontaktmasse, fra en 5 um, til ca. 500 pm, er klassifiseringsprosessen vanskelig og tilleggsutstyr slik som filtre er nødvendig.
Det er et formål med den foreliggende oppfinnelse å fremskaffe en enkel, lavkost metode for å fjerne forurensninger fra residuer fra metoden for fremstilling av organoklorosilaner og residuer fra metodene for fremstilling av klorsilaner hvor residuene separeres i en relativt ren fraksjon og en relativt uren fraksjon og hvor den relativt rene fraksjonen kan resirkuleres til organoklorosilanreaktoren eller til klorsilanrektoren.
Den foreliggende oppfinnelse vedrører således en framgangsmåte for å fjerne forurensinger fra silisiuminneholdende residuer fra fremstilling av organoklorosilan og klorsilan, hvilken fremgangsmåte er kjennetegnet ved at residuene underkastes magnetisk separasjon for å fremskaffe en relativt ren ikke-magnetisk fraksjon som har et øket innhold av silisium og en relativt uren magnetisk fraksjon som har et lavere silisiuminnhold enn den ikke-magnetiske fraksjonen.
Magnetseparasjonen utføres fortrinnsvis ved bruk av en høyintensitets, høy gradient magnetseparator. Den magnetiske feltstyrken som trengs for å oppnå en tilstrekkelig separasjon varierer med kilden og partikkelstørrelsen for residuet. Gode resultater er blitt oppnådd ved bruk av en magnetisk feltstyrke på ca. 10000 Gauss og ypperlige resultater har blitt oppnådd ved bruk av en magnetisk feltstyrke på 17000 Gauss. Det kan imidlertid oppnås tilfredsstillende resultater ved bruk av en magnetisk feltstyrke under 10000 Gauss. Den nødvendige magnetiske feltstyrke må bestemmes for hvert enkelt residue.
Best resultater oppnås ved bruk av en kort beltetransportør som har en magnet ved inngangsrullen. Det partikkelformige residuet tilføres til den bevegelige beltetransportøren via en matetrakt og en vibrasjonsmater. Når materialet føres over magneten vil ferromagnetiske og paramagnetiske partikler feste seg til beltetransportøren mens ikke-magnetiske partikler vil falle fritt fra enden av transportøren.
Den ikke-magnetiske fraksjonen med et høyt silisiuminnhold blir fortrinnsvis resirkulert til organoklorosilanreaktoren eller til klorsilanreaktoren. Da residuene er svært hygroskopiske er det foretrukket å utføre magnetseparasjonen i en atmosfære som unngår fuktighet og oksidasjon av residuet og av den framstilte ikke-magnetiske fraksjonen. Dette gjøres fortrinnsvis ved å utføre magnetseparasjonen i inert atmosfære.
Det har overraskende blitt funnet at selv om de silisiuminneholdende residuene var antatt å være praktisk talt ikke-magnetiske er det likevel mulig å benytte magnetseparasjon for å fjerne forurensninger fra silisiumpartiklene i residuet. Således er det blitt funnet at for en brukt kontaktmasse fra fremstilling av TCS inneholdende 17,8 vekt % elementært silisium, ble det oppnådd en ikke-magnetisk fraksjon inneholdende 40,9 vekt % elementært silisium, mens den magnetiske fraksjonen kun inneholdt 8,6 vekt % elementært silisium.
Kort beskrivelse av tegningen
Figur 1 viser en magnetseparator som kan anvendes ved framgangsmåten i henhold til den foreliggende oppfinnelse.
Detaljert beskrivelse av oppfinnelsen
De etterfølgende eksemplene ble utført ved bruk av en magnetseparator som vist på figur 1.
På figur 1 er det vist en magnetseparator omfattende et transportørbelte 1 som løper over to ruller 2 og 3. Rullen 3 gjøres av en permanent magnet, mens rullen 2 er en ordinær transportørrulle. Under transportørbeltet er det anordnet et splitterblad 4 for å splitte materialet i en magnetisk fraksjon og i en ikke-magnetisk fraksjon. De to fraksjonene oppsamles i siloer 5 og 6. Materialet som skal behandles plasseres i en trakt 7 over transportørbeltet 1 og en vibrasjonsmater 8 eller lignende er anordnet for å tilføre materiale fra trakten 7 og til transportørbeltet 1.
Magnetseparatoren som ble benyttet i eksemplene var en PERM ROLL® Laboratory Separator levert av Ore Sorters (North America) Inc., Colorado, USA. Tykkelsen av transportbeltet var 0,25 mm som gav en magnetisk feltstyrke på ca. 17000 Gauss.
Eksempel 1
297 gram av et reaktorresidue fra en TCS reaktor med en kjemisk analyse som vist i tabell 1 ble behandlet i magnetseparatoren vist på figur 1.
Det ble oppnådd en ikke-magnetisk fraksjon på 158 gram og en magnetisk fraksjon på 139 gram. Den kjemiske sammensetningen av den ikke-magnetiske fraksjon og av den magnetiske fraksjon er vist i tabell 2.
Som det kan ses ved sammenligning av analysene i tabell 1 med analysene av de to fraksjonene i tabell 2, er mengden av elementært silisium i den ikke-magnetiske fraksjonen vesentlig høyere enn i det ubehandlede reaktorresiduet. Det kan også sees at mengden av elementært silisium i den magnetiske fraksjonen er lavt. Videre kan det ses at jerninnholdet i den ikke-magnetiske fraksjonen er meget lav og at hovedmengden av jernet i det ubehandlede reaktorresiduet er separert til den magnetiske fraksjonen. Det kan også ses at det er en reduksjon av aluminium og av en rekke sporelementer. Reduksjonen av klorinnholdet i den ikke-magnetiske fraksjonen sammenlignet med klorinnholdet i det ubehandlede reaktorresiduet skyldes at jern, aluminium, kalsium og de fleste sporelementene er tilstede i reaktorresiduet i form av klorider.
Endelig kan det ses at den ikke-magnetiske fraksjonen har et lavt innhold av bor og fosfor, og at det meste av bor- og fosfor- innholdet i reaktorresiduet finnes i den magnetiske fraksjonen.
Den ikke-magnetiske fraksjonen som ble oppnådd har således en slik sammensetning at den kan resirkuleres til TCS reaktoren og således øke utbyttet av silisium i reaktoren.
Eksempel 2
844 gram av et reaktorresidue fra en reaktor for fremstilling av organoklorosilan ved direktereaksjon med en kjemisk analyse som vist i tabell 3, ble behandlet i magnetseparatoren beskrevet ovenfor i forbindelse med figur 1. Det kan ses fra tabell 3 at reaktorresiduet var lite reagert da innholdet av elementært silisium er meget høyt.
Det ble oppnådd en ikke-magnetisk fraksjon på 772 gram og en magnetisk fraksjon på 72,2 gram. Den kjemiske sammensetningen av den ikke-magnetiske fraksjon og av den magnetiske fraksjon er vist i tabell 4.
Ved å sammenligne analysen av reaktorresiduet i tabell 3 med den kjemiske analyse av den magnetiske og den ikke-magnetiske fraksjon vist i tabell 4 kan det ses at mesteparten av jern og en hoveddel av aluminium i reaktorresiduet er blitt overført til den magnetiske fraksjonen. Både jern og aluminiuminnholdet i den ikke-magnetiske fraksjonen er på samme nivå som ville vært forventet i de opprinnelige silisiumpartiklene som anvendes i organoklorosilanreaktoren. Også innholdet av de fleste sporelementer er mye lavere i den ikke-magnetiske fraksjon enn i den magnetiske fraksjon. Den ikke-magnetiske fraksjonen har således en sammensetning som gjør at den er en meget passende silisiumkilde for resirkulering til organoklorosilanreaktoren.
Claims (7)
1. Fremgangsmåte for å fjerne forurensinger fra silisiuminnholdende residuer fra fremstilling av organoklorosilan og klors il an, karakterisert ved at residuene underkastes magnetisk separasjon for å fremskaffe en relativt ren ikke-magnetisk fraksjon som har et øket innhold av silisium og en relativt uren magnetisk fraksjon som har et lavere silisiuminnhold enn den ikke-magnetiske fraksjonen.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at magnetseparasjonen utføres ved bruk av en høyintensitets, høy gradient magnetseparator.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 2, karakterisert ved at magnetseparasjon utføres ved bruk av en beltetransportør som har en magnet ved inngangsrullen.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at magnetseparasjonen utføres i en ikke-oksiderende atmosfære.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at magnetseparasjonen utføres i inert atmosfære.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at den ikke-magnetiske fraksjon resirkuleres til en reaktor for fremstilling av organoklorosilaner.
7. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at den ikke-magnetiske fraksjon resirkuleres til en reaktor for fremstilling av klorsilaner.
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO20014148A NO20014148A (no) | 2001-08-27 | 2001-08-27 | Fremgangsmåte for fjerning av forurensinger fra silisiuminneholdende residuer |
PCT/NO2002/000279 WO2003018207A1 (en) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | Method for removing impurities from silicon-containing residues |
PT02751917T PT1438139E (pt) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | MÉTODO PARA REMOVER IMPUREZAS DE RESÍDUOS QUE CONTjM SILÍCIO |
US10/488,485 US20040220421A1 (en) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | Method for removing impurities from silicone-containing residues |
RU2004109156/03A RU2261761C1 (ru) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | Способ удаления примесей из кремнийсодержащих остатков |
AT02751917T ATE513619T1 (de) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | Verfahren zum entfernen von verunreinigungen von silizium enthaltenden rückständen |
KR1020047002722A KR100641463B1 (ko) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | 규소 함유 잔류물로부터 불순물을 제거하는 방법 |
ES02751917T ES2368323T3 (es) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | Método para eliminar impurezas de los residuos que contienen silicio. |
CNB028168828A CN1281327C (zh) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | 从含硅残余物中除去杂质的方法 |
JP2003522713A JP4235548B2 (ja) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | 珪素含有残留物から不純物を取り除く方法 |
EP02751917A EP1438139B1 (en) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | Method for removing impurities from silicon-containing residues |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO20014148A NO20014148A (no) | 2001-08-27 | 2001-08-27 | Fremgangsmåte for fjerning av forurensinger fra silisiuminneholdende residuer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO20014148D0 NO20014148D0 (no) | 2001-08-27 |
NO314138B1 true NO314138B1 (no) | 2003-02-03 |
NO20014148A NO20014148A (no) | 2003-02-03 |
Family
ID=19912761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO20014148A NO20014148A (no) | 2001-08-27 | 2001-08-27 | Fremgangsmåte for fjerning av forurensinger fra silisiuminneholdende residuer |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040220421A1 (no) |
EP (1) | EP1438139B1 (no) |
JP (1) | JP4235548B2 (no) |
KR (1) | KR100641463B1 (no) |
CN (1) | CN1281327C (no) |
AT (1) | ATE513619T1 (no) |
ES (1) | ES2368323T3 (no) |
NO (1) | NO20014148A (no) |
PT (1) | PT1438139E (no) |
RU (1) | RU2261761C1 (no) |
WO (1) | WO2003018207A1 (no) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6433205B1 (en) * | 2002-01-15 | 2002-08-13 | Dow Corning Corporation | Magnetic separation for silicon-containing materials |
NO321276B1 (no) * | 2003-07-07 | 2006-04-18 | Elkem Materials | Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
US7713888B2 (en) * | 2004-05-24 | 2010-05-11 | Ashkenazi Brian I | Magnetic processing of electronic materials |
JP2006085380A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Toshiba Corp | ファイルストレージデバイス、プログラム、及び不揮発性半導体メモリの書込方法 |
JP2008115040A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sharp Corp | シリコン再生装置、シリコン再生方法 |
DE102007031471A1 (de) * | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Schott Solar Gmbh | Verfahren zur Aufbereitung von Siliciummaterial |
DE102008041974A1 (de) | 2008-09-10 | 2010-03-11 | Evonik Degussa Gmbh | Vorrichtung, deren Verwendung und ein Verfahren zur energieautarken Hydrierung von Chlorsilanen |
CA2739041A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Evonik Degussa Gmbh | Production of solar-grade silicon from silicon dioxide |
CN102107156B (zh) * | 2009-12-25 | 2015-04-22 | 朱福如 | 高纯度切割硅粉回收方法及系统 |
JP5638300B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2014-12-10 | 株式会社ディスコ | 分離装置 |
NO334216B1 (no) * | 2010-08-13 | 2014-01-13 | Elkem As | Fremgangsmåte for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
CN104014421A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-09-03 | 浙江硅宏电子科技有限公司 | 一种去除硅料中金属铁的设备 |
CN104289307A (zh) * | 2014-06-13 | 2015-01-21 | 国家电网公司 | 废弃物分离装置 |
CN104823604B (zh) * | 2015-04-27 | 2017-07-14 | 山东棉花研究中心 | 一种机采棉除杂控制系统 |
CN112300207B (zh) * | 2020-11-19 | 2024-01-30 | 南京曙光新材料有限公司 | 一种去除副产盐水中多硫化物硅烷偶联剂的方法 |
CN114904651A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-08-16 | 环创(厦门)科技股份有限公司 | 一种厨余垃圾的除铁装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4307242A (en) * | 1980-10-03 | 1981-12-22 | General Electric Company | Process for removing impurities from residual silicon powder |
US5147527A (en) * | 1989-04-03 | 1992-09-15 | Ashland Oil, Inc. | Magnetic separation of high metals containing catalysts into low, intermediate and high metals and activity catalyst |
DE19912252A1 (de) * | 1999-03-18 | 2000-09-28 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Wiederaufarbeiten einer Suspension |
US6433205B1 (en) * | 2002-01-15 | 2002-08-13 | Dow Corning Corporation | Magnetic separation for silicon-containing materials |
-
2001
- 2001-08-27 NO NO20014148A patent/NO20014148A/no not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-08-18 KR KR1020047002722A patent/KR100641463B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-08-18 RU RU2004109156/03A patent/RU2261761C1/ru active
- 2002-08-18 JP JP2003522713A patent/JP4235548B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-18 CN CNB028168828A patent/CN1281327C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-18 PT PT02751917T patent/PT1438139E/pt unknown
- 2002-08-18 WO PCT/NO2002/000279 patent/WO2003018207A1/en active Application Filing
- 2002-08-18 EP EP02751917A patent/EP1438139B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-18 US US10/488,485 patent/US20040220421A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-18 AT AT02751917T patent/ATE513619T1/de active
- 2002-08-18 ES ES02751917T patent/ES2368323T3/es not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PT1438139E (pt) | 2011-08-18 |
WO2003018207A1 (en) | 2003-03-06 |
RU2261761C1 (ru) | 2005-10-10 |
CN1549748A (zh) | 2004-11-24 |
ATE513619T1 (de) | 2011-07-15 |
NO20014148D0 (no) | 2001-08-27 |
US20040220421A1 (en) | 2004-11-04 |
KR100641463B1 (ko) | 2006-10-31 |
NO20014148A (no) | 2003-02-03 |
JP2005500243A (ja) | 2005-01-06 |
EP1438139A1 (en) | 2004-07-21 |
EP1438139B1 (en) | 2011-06-22 |
JP4235548B2 (ja) | 2009-03-11 |
ES2368323T3 (es) | 2011-11-16 |
CN1281327C (zh) | 2006-10-25 |
KR20040030999A (ko) | 2004-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO314138B1 (no) | Fremgangsmåte for fjerning av forurensinger fra silisiuminneholdende residuer | |
KR101708085B1 (ko) | 트리클로로실란의 제조 방법 | |
Fang et al. | Selective separation of silica from a siliceous–calcareous phosphate rock | |
JP6533122B2 (ja) | 四塩化チタンの製造方法 | |
US5530151A (en) | Method of passivating organochlorosilane reactor fines and salvaging chlorosilane values therefrom | |
US6433205B1 (en) | Magnetic separation for silicon-containing materials | |
MY130798A (en) | Method and apparatus for precipitating and classifying solids in high concentrations | |
CN113226987B (zh) | 氯硅烷类的制造方法 | |
CA1190720A (en) | Process for removing heavy metal ions and arsenic from wet-processed phosphoric acid | |
JP4657172B2 (ja) | 金属シリコンの精製方法 | |
JP2005515142A5 (no) | ||
CN112236392A (zh) | 用于生产工业硅的方法 | |
CN113748086B (zh) | 使用颗粒介体精炼粗硅熔体的方法 | |
CZ20002044A3 (cs) | Způsob výroby 1,2-dichlorethanu oxichlorací | |
JP7022514B2 (ja) | 酸化チタン及びコークスの回収方法 | |
EP3847131B1 (de) | Verfahren zur raffination von rohsilicium-schmelzen mittels eines partikulären mediators | |
WO2012163534A1 (en) | Starting materials for production of solar grade silicon feedstock | |
EP2530050A1 (en) | Starting materials for production of solar grade silicon feedstock | |
WO2022056234A1 (en) | Valorization of waste streams | |
UA57126C2 (uk) | Спосіб одержання силану |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
CHAD | Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften) |
Owner name: ELKEM ASA, NO |
|
CREP | Change of representative |
Representative=s name: ROBERTHA NATALIA HOEGLUND, C/O ELKEM ASA |
|
MK1K | Patent expired |