RU2261761C1 - Способ удаления примесей из кремнийсодержащих остатков - Google Patents
Способ удаления примесей из кремнийсодержащих остатков Download PDFInfo
- Publication number
- RU2261761C1 RU2261761C1 RU2004109156/03A RU2004109156A RU2261761C1 RU 2261761 C1 RU2261761 C1 RU 2261761C1 RU 2004109156/03 A RU2004109156/03 A RU 2004109156/03A RU 2004109156 A RU2004109156 A RU 2004109156A RU 2261761 C1 RU2261761 C1 RU 2261761C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic
- fraction
- mass
- silicon
- reactor
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 150000001367 organochlorosilanes Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 8
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000006148 magnetic separator Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 3
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N phencyclidine Chemical class C1CCCCN1C1(C=2C=CC=CC=2)CCCCC1 JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C1/00—Magnetic separation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C1/00—Magnetic separation
- B03C1/02—Magnetic separation acting directly on the substance being separated
- B03C1/16—Magnetic separation acting directly on the substance being separated with material carriers in the form of belts
- B03C1/22—Magnetic separation acting directly on the substance being separated with material carriers in the form of belts with non-movable magnets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Использование: удаление примесей из остаточного порошка кремния, получаемого при производстве органохлорсиланов и хлорсиланов. Позволяет упростить и удешевить удаление примесей из остатков от способов получения органохлорсиланов и хлорсиланов. Остатки подвергают магнитной сепарации с получением относительно чистой немагнитной фракции, имеющей повышенное содержание кремния, и относительно загрязненной магнитной фракции, имеющей содержание кремния более низкое, чем немагнитная фракция. 6 з.п. ф-лы, 4 табл.,1 ил.
Description
Область техники
Настоящее изобретение относится к способу удаления примесей из остаточного порошка кремния, получаемого при производстве органохлорсиланов и хлорсиланов.
Уровень техники
Промышленный способ производства органогалогенсиланов является хорошо известным и описывается в патенте США №2380995. Этот патент описывает прямое взаимодействие органогалогенида, такого как метилхлорид, с частицами кремния, для получения органохлорсилана. Катализатор на основе меди смешивается с частицами кремния для формирования реакционной массы, называемой также контактной массой. Реакция обычно осуществляется в реакторе типа реактора с псевдоожиженным слоем. Часть частиц кремния выводится из реактора вместе с получаемыми газообразными органохлорсиланами и извлекается в циклонах или фильтрах. Остаток, извлекаемый из циклона или фильтра, имеет высокое содержание непрореагировавшего элементарного кремния, загрязненного соединениями меди, железа, хлора и других.
Далее, время от времени, реактор должен останавливаться, использованная реакционная масса удаляться, после чего добавляется свежая реакционная масса. Использованная реакционная масса по-прежнему содержит заметное количество элементарного кремния, но является загрязненной соединениями ряда элементов, в частности меди, углерода, кальция, железа, алюминия и хлора, а также частицами оксидов и карбидов из шлака. Эти примеси аккумулируются в реакторе в течение процесса, и через определенный период времени, используемая реакционная масса должна удаляться из реактора в качестве остатков. Эта использованная реакционная масса или остаток обычно хранится или обрабатывается и восстанавливается для использования в других процессах.
Промышленный процесс для производства трихлорсилана (ТХС) также является хорошо известным и обычно осуществляется в реакторе с псевдоожиженным слоем или в реакторе с перешиваемым слоем путем взаимодействия частиц кремния с газообразным HCl. Этот процесс, как правило, осуществляется при температуре, находящейся в пределах между 250°C и 550°C. Также, в этом процессе получается остаток, который содержит заметное количество элементарного кремния, но который является загрязненным соединением железа, алюминия и кальция, а также частицами оксидов и карбидов из шлака. По этой причине этот остаток не может рециркулироваться в реактор. Кроме того, в процессе производства ТХС некоторое количество бора в частицах кремния аккумулируется в остатке, и поскольку главное использование ТХС представляет собой производство кремния для электронной промышленности, требующее очень низкого содержания бора, рециркулирование остатка приводило бы к получению ТХС, имеющего слишком высокое содержание бора.
ТХС также может производиться путем взаимодействия частиц кремния с тетрахлоридом кремния и водородом примерно при 500°C в реакторе с псевдоожиженным слоем. В этом способе также образуются кремнийсодержащие остатки.
Тетрахлорид кремния вместе с ТХС образуется в так называемом реакторе с твердым слоем, примерно при 1000°C, где куски кремния взаимодействуют с газообразным HCl. В этом процессе образуются остатки, имеющие сходную химическую композицию, но больший размер частиц.
Из патента США №4307242 известен способ удаления примесей из контактной массы от непосредственной реакции для получения органогалогенсилана. В соответствии со способом патента США №4307242, распределение размеров частиц используемой контактной массы анализируется, после чего анализируемая контактная масса разделяется на относительно чистую фракцию и на относительно загрязненную фракцию. Относительно чистая фракция представляет собой крупную фракцию, а относительно загрязненная фракция представляет собой мелкую фракцию. Крупная фракция рециркулируется в органогалогенсилановый реактор. Из-за очень малого размера частиц используемой контактной массы, примерно от 5 мкм примерно до 500 мкм, процесс разделения является сложным и требуется дополнительное оборудование, такое как фильтры.
Одной из целей настоящего изобретения является создание простого, дешевого способа для удаления примесей из остатков от способов получения органохлорсиланов и остатков от процесса получения хлорсиланов, где остатки разделяются на относительно чистую фракцию и относительно загрязненную фракцию и где относительно чистая фракция может рециркулироваться в органохлорсилановый реактор или в хлорсилановый реактор.
Таким образом, настоящее изобретение относится к способу удаления примесей из остатков, содержащих элементарный кремний, от процессов производства органохлорсилана и хлорсилана, этот способ отличается тем, что остатки подвергают магнитной сепарации для получения относительно чистой немагнитной фракции, имеющей повышенное содержание кремния, и относительно загрязненной магнитной фракции, имеющей содержание кремния более низкое, чем у немагнитной фракции.
Магнитная сепарация предпочтительно осуществляется с использованием устройства для магнитной сепарации с высокой интенсивностью и высокими градиентами напряженности магнитного поля. Напряженность магнитного поля, требуемая для получения необходимого разделения, изменяется с источником и размером частиц остатка. Хорошие результаты получаются путем использования напряженности магнитного поля, равной примерно 10000 Гаусс, а превосходные результаты получаются путем использования напряженности магнитного поля 17000 Гаусс. Однако удовлетворительные результаты могут быть получены и с использованием напряженности магнитного поля ниже 10000 Гаусс. Таким образом, необходимая напряженность магнитного поля для определенного остатка должна определяться для каждого конкретного остатка.
Наилучшие результаты получают путем использования короткого ленточного конвейера, который имеет магнит в качестве своего ведущего барабана. Остаток в виде частиц вводится на перемещающуюся ленту конвейера посредством подающего лотка и вибрационного подающего устройства. Когда материал переносится над магнитом, ферромагнитные и парамагнитные частицы прилипают к ленте конвейера, в то время как немагнитные частицы свободно падают с конца конвейера.
Немагнитная фракция, имеющая высокое содержание кремния, предпочтительно рециркулируется в органохлорсилановый реактор или в хлорсилановый реактор. Поскольку остатки являются очень гигроскопичными, является предпочтительным осуществление магнитной сепарации в атмосфере, которая исключает влажность и окисление остатка и полученной немагнитной фракции. Предпочтительно, это проделывается путем осуществления магнитной сепарации в инертной атмосфере.
Неожиданно обнаружено, что даже если кремнийсодержащие остатки, как предполагается, являются по существу немагнитными, является возможным использование магнитной сепарации для удаления примесей из частиц кремния в остатке. Таким образом, было обнаружено, что для используемой контактной массы для производства ТХС, которая содержит 17,8 мас.% элементарного кремния, получается немагнитная фракция, содержащая 40,9 мас.% элементарного кремния, в то время как магнитная фракция содержит только 8,6 мас.% элементарного кремния.
На чертеже изображаен магнитный сепаратор, который может быть использован с помощью способа по настоящему изобретению.
Подробное описание изобретения
Примеры, приведенные ниже, осуществляются с использованием устройства для магнитной сепарации, изображенного на чертеже.
На чертеже изображен магнитный сепаратор, содержащий ленту 1 конвейера, проходящую через два барабана 2 и 3. Барабан 3 представляет собой постоянный магнит, в то время как барабан 2 представляет собой обычный барабан конвейера. Под лентой конвейера расположен разделительный нож 4 для разделения материала на магнитную фракцию и немагнитную фракцию. Две этих фракции собирают в лотках 5, 6. Материал, который должен обрабатываться, помещается в лотке 7 над лентой 1 конвейера, и для подачи материала из лотка 7 на ленту 1 конвейера устанавливается вибрационное подающее устройство 8 или нечто подобное.
Конкретный магнитный сепаратор, используемый в примерах ниже, представляет собой PERMROLL® Laboratory Separator, поставляемый Ore Sorters (North America) Inc., Colorado, USA. Толщина ленты конвейера составляет 0,25 мм, что дает напряженность магнитного поля примерно 17000 Гаусс.
ПРИМЕР 1
297 граммов реакторных остатков из реактора для производства ТХС, имеющих данные химического анализа, представленные в таблице 1, обрабатываются в устройстве магнитного сепаратора, описанном выше, в связи с фиг.1.
| ТАБЛИЦА 1 Реакторный остаток от ТХС |
|
| Элемент | % массовых |
| Si в целом | 66,8 |
| Si элементарный | 17,8 |
| Fe | 2,45 |
| Al | 3,99 |
| Ca | 2,48 |
| Ti | 0,11 |
| Mn | 0,069 |
| Cu | 0,048 |
| K | 0,11 |
| Mg | 0,16 |
| P | 0,144 |
| Ba | 0,13 |
| Sr | 0,064 |
| Zr | 0,018 |
| Cl | 1,54 |
| B | 130 млн.д. |
Получена немагнитная фракция в 158 граммов и магнитная фракция в 139 граммов.
Химический состав немагнитной фракции и магнитной фракции представлен в таблице 2.
| ТАБЛИЦА 2 | ||
| Элемент | Немагнитная, % массовый |
Магнитная, % массовый |
| Si в целом | 72,6 | 43,2 |
| Si элементарный | 40,9 | 8,6 |
| Fe | 0,68 | 7,09 |
| Al | 3,46 | 6,10 |
| Ca | 3,09 | 2,33 |
| Ti | 0,02 | 0,11 |
| Mn | 0,02 | 0,08 |
| Cu | 0,01 | 0,02 |
| K | 0,09 | 0,07 |
| Mg | 0,20 | 0,41 |
| P | 0,058 | 0,117 |
| Ba | 0,06 | 0,13 |
| Sr | 0,03 | 0,02 |
| Zr | >0,005 | 0,01 |
| Cl | 0,86 | 7,47 |
| B | 49 млн.д. | 193 млн.д. |
Как можно увидеть путем сравнения данных анализа в таблице 1 с данными анализа двух фракций в таблице 2, количество элементарного кремния в немагнитной фракции значительно возрастает по сравнению с необработанным реакторным остатком. Можно также увидеть, что количество элементарного кремния в магнитной фракции является малым. Кроме того, можно увидеть, что содержание железа в немагнитной фракции является очень низким и что большая часть железа в необработанном реакторном остатке выделяется в магнитную фракцию. Можно также увидеть, что имеется уменьшение количества алюминия и ряда микроэлементов. Уменьшение содержания хлора в немагнитной фракции по сравнению с содержанием хлора в необработанном реакторном остатке связано с тем фактом, что железо, алюминий, кальций и большинство микроэлементов присутствуют в реакторном остатке в виде хлоридов.
Наконец, можно увидеть, что немагнитная фракция обеднена бором и фосфором, поскольку большая часть бора и фосфора, находившегося в реакторном остатке, обнаруживается в магнитной фракции.
Немагнитная фракция, получаемая таким образом, имеет такой состав, что ее можно рециркулировать в реактор для производства ТХС, тем самым повышая выход кремния в реактор.
ПРИМЕР 2
844 грамма реакторного остатка из реактора для производства органохлорсилана путем непосредственной реакции, имеющего данные химического анализа, приведенные в таблице 3, обрабатывают в магнитном сепараторе, описанном выше, в связи с фиг.1. Из таблицы 3 можно увидеть, что реакторный остаток прореагировал только чуть-чуть, поскольку содержание элементарного кремния является очень высоким.
| ТАБЛИЦА 3 | |
| Элемент | |
| % Si в целом | 99,2 |
| % Si элементарный | 88,9 |
| %Al | 0,2 |
| %Ca | 0,03 |
| %Fe | 0,3 |
| млн.д. масс. Mg | <10 |
| млн.д. масс. Zr | 43 |
| млн.д. масс. Sr | <10 |
| млн.д. масс. Na | <10 |
| млн.д. масс. Pb | 16 |
| млн.д. масс. Mg | <10 |
| млн.д. масс. As | <10 |
| млн.д. масс. Zn | 2475 |
| %Cu | 5,8 |
| млн.д. масс. Ni | 27 |
| млн.д. масс. Mn | 27 |
| млн.д. масс. Cr | 42 |
| млн.д. масс. V | <10 |
| млн.д. масс. Ba | 32 |
| млн.д. масс. Ti | 225 |
| млн.д. масс. Sb | <10 |
| млн.д. масс. Sn | 327 |
Получают немагнитную фракцию в 772 грамма и магнитную фракцию в 72,2 грамма. Химический состав немагнитной фракции и магнитной фракции представлен в таблице 4.
| ТАБЛИЦА 4 | ||
| Элемент | Магнитный | Немагнитный |
| % Si в целом | 98,1 | 99,2 |
| % Si элементарный | 70,9 | 90,0 |
| %Al | 0,4 | 0,2 |
| %Ca | 0,08 | 0,02 |
| %Fe | 1,0 | 0,2 |
| млн.д. масс. Mg | <10 | <10 |
| млн.д. масс. Zr | 90 | 39 |
| млн.д. масс. Sr | <10 | <10 |
| млн.д. масс. Na | <10 | <10 |
| млн.д. масс. Pb | 27 | 15 |
| млн.д. масс. Bi | <10 | <10 |
| млн.д. масс. As | <10 | <10 |
| млн.д. масс. Zn | 4600 | 2139 |
| %Cu | 13,4 | 5,3 |
| млн.д. масс. Ni | 77 | 22 |
| млн.д. масс. Mn | 132 | 23 |
| млн.д. масс. Cr | 197 | 38 |
| Млн.д. масс. V | 65 | <10 |
| млн.д. масс. Ba | 46 | 16 |
| млн.д. масс. Ti | 908 | 197 |
| млн.д. масс. Sb | <10 | <10 |
| млн.д. масс. Sn | 686 | 218 |
Путем сравнения данных анализа реакторного остатка, представленных в таблице 3, с данными химического анализа магнитных и немагнитных фракций, представленными в таблице 4, можно увидеть, что большая часть железа и главная часть алюминия в реакторном остатке переносятся в магнитную фракцию. Содержание как железа, так и алюминия в немагнитной фракции находятся на одном и том же уровне, как можно было бы ожидать для исходных частиц кремния, используемых в органохлорсилановом реакторе. Также, содержание большинства микроэлементов является гораздо более низким в немагнитной фракции, чем в магнитной фракции. Таким образом, немагнитная фракция имеет состав, который делает ее очень подходящим источником кремния для рециркулирования в органохлорсилановый реактор.
Claims (7)
1. Способ удаления примесей из остатков, содержащих элементарный кремний, от производства органохлорсилана и хлорсилана, отличающийся тем, что остатки подвергают магнитной сепарации с получением относительно чистой немагнитной фракции, имеющей повышенное содержание кремния, и относительно загрязненной магнитной фракции, имеющей содержание кремния, более низкое, чем немагнитная фракция.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что магнитную сепарацию осуществляют с использованием устройства для магнитной сепарации с использованием высокоградиентного магнитного поля высокой интенсивности.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что магнитную сепарацию осуществляют с использованием конвейера с движущейся лентой, имеющего магнит в качестве ведущего барабана.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что магнитную сепарацию осуществляют в неокисляющей атмосфере.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что магнитную сепарацию осуществляют в инертной атмосфере.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что немагнитную фракцию рециркулируют в реактор для получения органохлорсиланов.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что немагнитную фракцию рециркулируют в реактор для получения хлорсиланов.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20014148 | 2001-08-27 | ||
| NO20014148A NO314138B1 (no) | 2001-08-27 | 2001-08-27 | Fremgangsmåte for fjerning av forurensinger fra silisiuminneholdende residuer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2261761C1 true RU2261761C1 (ru) | 2005-10-10 |
Family
ID=19912761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004109156/03A RU2261761C1 (ru) | 2001-08-27 | 2002-08-18 | Способ удаления примесей из кремнийсодержащих остатков |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040220421A1 (ru) |
| EP (1) | EP1438139B1 (ru) |
| JP (1) | JP4235548B2 (ru) |
| KR (1) | KR100641463B1 (ru) |
| CN (1) | CN1281327C (ru) |
| AT (1) | ATE513619T1 (ru) |
| ES (1) | ES2368323T3 (ru) |
| NO (1) | NO314138B1 (ru) |
| PT (1) | PT1438139E (ru) |
| RU (1) | RU2261761C1 (ru) |
| WO (1) | WO2003018207A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433205B1 (en) * | 2002-01-15 | 2002-08-13 | Dow Corning Corporation | Magnetic separation for silicon-containing materials |
| NO321276B1 (no) * | 2003-07-07 | 2006-04-18 | Elkem Materials | Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
| US7713888B2 (en) * | 2004-05-24 | 2010-05-11 | Ashkenazi Brian I | Magnetic processing of electronic materials |
| JP2006085380A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Toshiba Corp | ファイルストレージデバイス、プログラム、及び不揮発性半導体メモリの書込方法 |
| JP2008115040A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sharp Corp | シリコン再生装置、シリコン再生方法 |
| DE102007031471A1 (de) * | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Schott Solar Gmbh | Verfahren zur Aufbereitung von Siliciummaterial |
| DE102008041974A1 (de) | 2008-09-10 | 2010-03-11 | Evonik Degussa Gmbh | Vorrichtung, deren Verwendung und ein Verfahren zur energieautarken Hydrierung von Chlorsilanen |
| NZ591317A (en) | 2008-09-30 | 2013-02-22 | Evonik Degussa Gmbh | Production of solar-grade silicon from silicon dioxide |
| CN102107156B (zh) * | 2009-12-25 | 2015-04-22 | 朱福如 | 高纯度切割硅粉回收方法及系统 |
| JP5638300B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2014-12-10 | 株式会社ディスコ | 分離装置 |
| NO334216B1 (no) * | 2010-08-13 | 2014-01-13 | Elkem As | Fremgangsmåte for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
| CN104014421A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-09-03 | 浙江硅宏电子科技有限公司 | 一种去除硅料中金属铁的设备 |
| CN104289307A (zh) * | 2014-06-13 | 2015-01-21 | 国家电网公司 | 废弃物分离装置 |
| CN104823604B (zh) * | 2015-04-27 | 2017-07-14 | 山东棉花研究中心 | 一种机采棉除杂控制系统 |
| CN112300207B (zh) * | 2020-11-19 | 2024-01-30 | 南京曙光新材料有限公司 | 一种去除副产盐水中多硫化物硅烷偶联剂的方法 |
| CN114904651A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-08-16 | 环创(厦门）科技股份有限公司 | 一种厨余垃圾的除铁装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4307242A (en) * | 1980-10-03 | 1981-12-22 | General Electric Company | Process for removing impurities from residual silicon powder |
| US5147527A (en) * | 1989-04-03 | 1992-09-15 | Ashland Oil, Inc. | Magnetic separation of high metals containing catalysts into low, intermediate and high metals and activity catalyst |
| DE19912252A1 (de) * | 1999-03-18 | 2000-09-28 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Wiederaufarbeiten einer Suspension |
| US6433205B1 (en) * | 2002-01-15 | 2002-08-13 | Dow Corning Corporation | Magnetic separation for silicon-containing materials |
-
2001
- 2001-08-27 NO NO20014148A patent/NO314138B1/no not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-08-18 RU RU2004109156/03A patent/RU2261761C1/ru active
- 2002-08-18 PT PT02751917T patent/PT1438139E/pt unknown
- 2002-08-18 KR KR1020047002722A patent/KR100641463B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-08-18 WO PCT/NO2002/000279 patent/WO2003018207A1/en active Application Filing
- 2002-08-18 ES ES02751917T patent/ES2368323T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-18 EP EP02751917A patent/EP1438139B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-18 AT AT02751917T patent/ATE513619T1/de active
- 2002-08-18 US US10/488,485 patent/US20040220421A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-18 CN CNB028168828A patent/CN1281327C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-18 JP JP2003522713A patent/JP4235548B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1438139A1 (en) | 2004-07-21 |
| KR20040030999A (ko) | 2004-04-09 |
| JP2005500243A (ja) | 2005-01-06 |
| EP1438139B1 (en) | 2011-06-22 |
| CN1549748A (zh) | 2004-11-24 |
| NO20014148A (no) | 2003-02-03 |
| WO2003018207A1 (en) | 2003-03-06 |
| NO314138B1 (no) | 2003-02-03 |
| PT1438139E (pt) | 2011-08-18 |
| KR100641463B1 (ko) | 2006-10-31 |
| ES2368323T3 (es) | 2011-11-16 |
| NO20014148D0 (no) | 2001-08-27 |
| US20040220421A1 (en) | 2004-11-04 |
| CN1281327C (zh) | 2006-10-25 |
| JP4235548B2 (ja) | 2009-03-11 |
| ATE513619T1 (de) | 2011-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2261761C1 (ru) | Способ удаления примесей из кремнийсодержащих остатков | |
| US7935326B2 (en) | Method for purification of silica particles, purifier, and purified silica particles | |
| JP4571410B2 (ja) | ケイ素含有材料のための磁気分離 | |
| NL9400936A (nl) | Werkwijze voor het behandelen van zinkhoudend stof. | |
| US4659022A (en) | Production of silicon carbide with automatic separation of a high grade fraction | |
| KR20120068948A (ko) | 입자상 혼합 리튬 금속 인산염 물질로부터 입자상 오염물질을 제거하는 방법 | |
| JP2005515142A5 (ru) | ||
| AU672840B2 (en) | Analytical method for nonmetallic contaminants in silicon | |
| US2812235A (en) | Method of purifying volatile compounds of germanium and silicon | |
| CA1190720A (en) | Process for removing heavy metal ions and arsenic from wet-processed phosphoric acid | |
| MY130798A (en) | Method and apparatus for precipitating and classifying solids in high concentrations | |
| JP4657172B2 (ja) | 金属シリコンの精製方法 | |
| WO2012163534A1 (en) | Starting materials for production of solar grade silicon feedstock | |
| JP7002005B2 (ja) | 銅スラグの評価方法 | |
| US6425850B1 (en) | Method for determining eta phase copper | |
| JP2018168448A (ja) | 酸化チタン及びコークスの回収方法 | |
| FI64755B (fi) | Saett vid anrikning av fosfathaltiga mineral ur karbonat- och silikathaltiga system genom skumflotation | |
| RU2246549C2 (ru) | Способ рафинирования галлия |