DE04724418T1 - Siliziumwafer-wärmebehandlungs-einspannvorrichtung und silizumwafer-wärmebehandlungsverfahren - Google Patents

Siliziumwafer-wärmebehandlungs-einspannvorrichtung und silizumwafer-wärmebehandlungsverfahren Download PDF

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Abstract

Hitzebehandlungsverfahren zur Hitzebehandlung eines Silicium-Wafers in einem Behandlungsofen, umfassend das Halten eines Silicium-Wafers an drei Haltepositionen innerhalb eines Bereichs, worin der radiale Abstand vom Mittelpunkt 85 bis 99,5% des Wafer-Radius beträgt.

Claims (5)

  1. Hitzebehandlungsverfahren zur Hitzebehandlung eines Silicium-Wafers in einem Behandlungsofen, umfassend das Halten eines Silicium-Wafers an drei Haltepositionen innerhalb eines Bereichs, worin der radiale Abstand vom Mittelpunkt 85 bis 99,5% des Wafer-Radius beträgt.
  2. Hitzebehandlungsverfahren für einen Silicium-Wafer unter Verwendung einer Dreipunkthaltevorrichtung, umfassend: drei Haltearme, die von einem Halterahmen so in Richtung auf den Mittelpunkt ragen, dass sie miteinander einen Zwischenraum bilden; und Haltenasen, die von jedem Haltearm nach oben ragen, auf denen ein Silicium-Wafer gelagert ist und in einem Hitzebehandlungsofen hitzebehandelt wird, wobei, wenn alle Haltenasen auf dem gleichen Kreis angeordnet sind, alle Haltenasen in einem Bereich liegen, dessen radialer Abstand vom Mittelpunkt 85-99,5% des Wafer-Radius beträgt, und wobei die Haltearme so angeordnet sind, dass sie untereinander mit dem Mittelpunkt einen Winkel von 120° bilden.
  3. Hitzebehandlungshaltevorrichtung für einen Silicium-Wafer, umfassend: einen Halterahmen; drei Haltearme, die von dem Halterahmen so in Richtung auf den Mittelpunkt ragen, dass sie miteinander einen Zwischenraum bilden; und Haltenasen, die von jedem der Haltearme nach oben ragen, wobei die Haltearme so angeordnet sind, dass sie untereinander mit dem Mittelpunkt einen Winkel von 120° bilden und Positionen sämtlicher Haltenasen möglich sind, so dass diese auf dem gleichen Kreis um den Mittelpunkt angeordnet sind und zwar innerhalb eines Bereichs dessen radialer Abstand vom Mittelpunkt 85 bis 99,5 % des Wafer-Radius beträgt.
  4. Hitzebehandlungshaltevorrichtung für einen Silicium-Wafer nach Anspruch 3, wobei die Haltenasen an den Haltearmen befestigt sind, so dass die Befestigungspositionen voreingestellt werden können.
  5. Wafer, der durch das Hitzebehandlungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2 behandelt worden ist.
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