KR101578332B1 - 반도체 웨이퍼 반송 지그 - Google Patents

반도체 웨이퍼 반송 지그 Download PDF

Info

Publication number
KR101578332B1
KR101578332B1 KR1020157001629A KR20157001629A KR101578332B1 KR 101578332 B1 KR101578332 B1 KR 101578332B1 KR 1020157001629 A KR1020157001629 A KR 1020157001629A KR 20157001629 A KR20157001629 A KR 20157001629A KR 101578332 B1 KR101578332 B1 KR 101578332B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
semiconductor wafer
holding
opening
jig
Prior art date
Application number
KR1020157001629A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150037862A (ko
Inventor
도시히코 무츠지
가나메 나가타
Original Assignee
센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 filed Critical 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
Publication of KR20150037862A publication Critical patent/KR20150037862A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101578332B1 publication Critical patent/KR101578332B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/77—Apparatus for connecting with strap connectors
    • H01L2224/776—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/77621—Holding means, e.g. wire clampers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼를 가열할 때, 웨이퍼 표면에의 균일 가열을 실현할 수 있도록 한 웨이퍼 반송 지그는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 소정의 크기의 반도체 웨이퍼를 보유 지지하여 반송하는 웨이퍼 반송 지그에 있어서, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경의 개구부가 설치된 본체 부재와, 소정의 길이를 갖고, 또한 반도체 웨이퍼의 직경에 대응하여 배치된 복수의 핀 부재를 갖고, 또한 개구부의 중심을 향해 본체 부재에 직선 형상으로 설치되어, 개구부의 내연 부위로부터 돌출된 위치에서 반도체 웨이퍼를 동심원 형상으로 보유 지지하기 위한 보유 지지 기구를 구성하는, 적어도 3개 이상의 지지 부재가 구비되어 있다.

Description

반도체 웨이퍼 반송 지그 {SEMICONDUCTOR WAFER TRANSFER JIG}
본 발명은, 반도체 제조 공정에 있어서 반도체 웨이퍼의 반송에 사용되는 반송 지그에 관한 것으로, 특히 가열시, 반도체 웨이퍼에의 균일 가열이 가능해지는 반도체 웨이퍼 반송 지그에 관한 것이다.
종래부터 반도체 제조 공정의 반도체 웨이퍼의 열처리 공정이나 반송 라인에 있어서는, 다수의 반도체 웨이퍼를 이송 반송하기 위해, 전용의 반송 지그가 사용되고 있다.
반송 대상인 반도체 웨이퍼의 사이즈에 대해서는, 각각 다른 경우가 있다. 그로 인해, 반송 대상의 사이즈가 바뀔 때마다 반송 지그를 변경하는 공정을 생략하기 위해, 1종의 반송 지그로 복수의 사이즈의 웨이퍼 반송에 대응할 수 있는 반송 지그가 알려져 있다(특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1에 있어서는, 반송하는 반도체 웨이퍼의 직경의 대소에 따라서 보유 지지 핀을 대응하는 고정 구멍에 고정하여, 복수의 사이즈의 웨이퍼 반송에 대응할 수 있도록 한 웨이퍼 포크가 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 복수의 사이즈의 웨이퍼 반송에 대응할 수 있도록 한 웨이퍼 보유 지지대가 개시되어 있다. 이 웨이퍼 보유 지지대에 의하면, 수직 실린더 및 수평 실린더에서 상하 이동 및 수평 이동하는 반송 빔에 의해 반도체 웨이퍼(W)가 반송된다. 이른바, 워킹 빔 방식의 반도체 웨이퍼 보유 지지대이다. 이것에 관하여, 반송 높이가 적어도 3종류 이상이며, 동일한 높이의 것이 동일 원주 상에 배치되고, 또한 높이순으로 외측이 높아지도록 동심원 형상으로 배치되어 있다. 웨이퍼의 크기에 대응한 높이의 핀에 지지된 웨이퍼는, 다음으로 높은 핀에 접하여 위치 결정되도록 이루어진다.
또한, 복수의 사이즈의 웨이퍼 반송에 대응할 수 있도록 한 웨이퍼 반송의 다른 예로서는, 도 5에 도시하는 바와 같은 것이 있다. 이 도 5에 도시하는 웨이퍼 반송 지그(200)는, 베이스 플레이트(10)와 반송 가이드(11)가 볼트(14) 등에 의해 접합되어 있다. 베이스 플레이트(10)의 중심부에는, 웨이퍼[W3(W4)]의 직경보다도 작은 외경을 갖는 개구부(15)가 존재한다. 베이스 플레이트(10) 상에는, 동심원 형상으로 웨이퍼[W3(W4)]를 하방으로부터 보유 지지하기 위한 핀(16A∼16C, 18A∼18C) 및 웨이퍼[W3(W4)]의 위치 어긋남을 방지하는 가이드(17A∼17C, 19A∼19C)가 배치되어 있다. 가이드(17A∼17C, 19A∼19C)는, 웨이퍼[W3(W4)]에 대해 각각 3개씩, 총 3세트 설치되어 있고, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 화살표 방향으로 반송된다.
일본 특허 공개 평06-151550호 공보 일본 실용신안 출원 공개 소62-26037호 공보
그런데, 특허문헌 1에 개시된 웨이퍼 포크, 특허문헌 2에 개시된 웨이퍼 보유 지지대 및 도 5에 도시하는 종래예에 관한 웨이퍼 반송 지그에 의하면, 다음과 같은 문제가 있다. 웨이퍼를 가열할 때, 웨이퍼의 면이 웨이퍼 포크나 웨이퍼 보유 지지대나 반송 지그에 걸려 있는 부분에 대해, 웨이퍼 포크나 웨이퍼 보유 지지대나 반송 지그에 열이 빼앗긴다. 이 결과, 웨이퍼 포크나 웨이퍼 보유 지지대나 반송 지그에 걸려 있지 않은 다른 웨이퍼 개소에 비해 열전달이 나빠져 버린다고 하는 우려가 있다.
반도체 웨이퍼에의 열전달이 악화된 경우, 웨이퍼 표면의 온도 분포에 있어서 다른 개소보다도 온도가 낮은 부분, 즉 저온부가 발생하여, 반도체 웨이퍼에의 가열량이 여분으로 필요해진다. 이것에 의해, 에너지 효율이 나쁘고, 또한 저온부를 필요 온도에 도달시키기 위해 가열한 결과, 저온부 이외의 과잉으로 가열된 부분이 파손되어 버려, 여분의 비용이나 불량의 원인으로 되고 있었다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1에 관한 반도체 웨이퍼 반송 지그는, 소정의 크기의 반도체 웨이퍼를 가열할 때, 당해 반도체 웨이퍼를 보유 지지하여 반송 가능한 반도체 웨이퍼 반송 지그에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 구경의 개구부가 설치된 본체 부재와, 소정의 길이를 갖고, 또한 상기 반도체 웨이퍼의 직경에 대응하여 배치되고, 높이가 다른 복수의 핀을 갖고, 상기 본체 부재에 장착된, 적어도 3개 이상의 지지 부재를 구비하고, 상기 지지 부재가, 상기 개구부의 내측 테두리 부위로부터 돌출된 위치에서 상기 핀에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 동심원 형상으로 보유 지지하기 위한 보유 지지 기구를 구성하는 것을 특징으로 한다. 청구항 1에 관한 반도체 웨이퍼 반송 지그에 의하면, 반송 지그에 설치되어 있는 개구부가, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 크기 때문에, 당해 웨이퍼가 반송 지그 본체에 덮이는 일은 없다.
청구항 2에 관한 반도체 웨이퍼 반송 지그는, 청구항 1에 있어서, 상기 핀보다도 높이가 높은 웨이퍼 위치 어긋남 방지 가이드를 동심원 형상으로 각 핀 1개당 1개 이상 배치하는 것이다.
청구항 3에 관한 반도체 웨이퍼 반송 지그는, 청구항 2에 있어서, 상기 핀은 높이가 적어도 2종 이상이고, 동일한 높이의 것이 동일 원주 상에 배치되고, 또한 높이가 본체 부재의 개구부 중심으로부터 외측에 걸쳐, 차례로 높아지도록 동심원 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 있어서의 반도체 웨이퍼 반송 지그는, 청구항 1에 있어서, 상기 보유 지지 기구가, 상기 개구부의 중심으로부터 방사 형상으로 배치한 지지 플레이트와, 상기 지지 플레이트에는 상기 반도체 웨이퍼를 하방으로부터 보유 지지하기 위한 보유 지지 핀 및 상기 보유 지지 핀보다도 외측에 있고 상기 보유 지지 핀보다 높이가 높은 웨이퍼 위치 어긋남 방지 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 있어서의 반도체 웨이퍼 반송 지그는, 청구항 4에 있어서, 상기 지지 플레이트가, 상기 개구부의 중심으로부터 방사 형상으로 3개 이상 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관한 반도체 웨이퍼 반송 지그에 의하면, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경의 개구부를 가진 본체 부재에, 적어도 3개 이상의 지지 부재를 구비하고, 당해 지지 부재가 개구부의 내측 테두리 부위로부터 돌출된 위치에서, 높이가 다른 복수의 핀에 의해 반도체 웨이퍼를 동심원 형상으로 보유 지지하기 위한 보유 지지 기구를 구성하는 것이다. 이로 인해 가열시, 웨이퍼 반송 지그 본체에 열이 빼앗기는 일이 없어, 웨이퍼 전체에 균일하게 가열하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 잉여 전력 소비 방지에 의한 비용 저감, 과잉 가열에 의한 불량품의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 반도체 웨이퍼를 보유 지지하는 핀에 대해 웨이퍼 위치 어긋남 방지 가이드를 세트로 설치함으로써, 반송 중에 웨이퍼가 어긋나는 것을 방지할 수 있어, 웨이퍼에의 가열이 불균일해지는 것을 억제할 수 있다.
그리고, 보유 지지 핀은 높이가 적어도 2종 이상이고, 동일한 높이의 것이 동일 원주 상에 배치되고, 높이가 반송 지그의 중심으로부터 외측에 걸쳐, 차례로 높아지도록 동심원 형상으로 배치되어 있다. 이에 의해, 1개의 반송 지그로 복수 종류의 웨이퍼를 반송하는 것이 가능해지고, 종래의 반송 지그의 변경 공정을 생략하여, 작업 부담을 대폭 저감시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예로서의 웨이퍼 반송 지그(100)의 구성예를 도시하는 상면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 F1-F2 화살표 방향에서 본 단면을 나타내는 확대도이다.
도 3은 본 발명을 사용하여 가열한 직경 200㎜ 웨이퍼의 온도 프로파일이다.
도 4는 본 발명을 사용하여 가열한 직경 300㎜ 웨이퍼의 온도 프로파일이다
도 5는 종래예에 관한 웨이퍼 반송 지그(200)의 구성예를 도시하는 상면도이다.
도 6은 종래예에 관한 지그를 사용하여 가열한 직경 200㎜ 웨이퍼의 온도 프로파일이다.
도 7은 종래예에 관한 지그를 사용하여 가열한 직경 300㎜ 웨이퍼의 온도 프로파일이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 가열시, 웨이퍼 표면에의 균일 가열을 실현할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 반송 지그를 제공하는 것을 목적으로 한다.
계속해서, 본 발명에 관한 실시예에 대해 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼 반송 지그의 실시예 평면도이고, 도 2는 보유 지지 핀과 위치 어긋남 방지 가이드(이하에서 단순히 방지 가이드라 함)의 형상 예를 나타내는, 도 1에 있어서의 F1-F2 화살표 방향에서 본 단면 확대도이다.
즉, 실시예에 관한 웨이퍼 반송 지그(100)는, 반도체 웨이퍼 반송 지그의 일례를 구성하고, 반도체 제조 공정에 있어서 반도체 웨이퍼를 보유 지지하여 반송하는 지그이다. 본체 부재의 일례로 되는 베이스 플레이트(1)의 중심에는, 개구부(9)가 존재하고, 베이스 플레이트(1)의 화살표로 나타내는 반송 방향을 기준으로 한 좌우 양 측면에 볼트(8) 등에 의해 각각 반송 가이드(2)가 장착된다. 베이스 플레이트(1)로부터 개구부(9) 내를 향해 지지 플레이트가, 본 실시예의 경우, 4개(3A∼3D) 설치되어 있다. 지지 플레이트(3A와 3C 및 3B와 3D)는, 지지 부재의 일례를 구성하고, 각각 대각선 상에, 즉, 도 1에 도시하는 실시예에서는, 지지 플레이트(3A∼3D)는 개구부(9)의 중심(Center)으로부터 대략 방사 형상으로 배치되어 있다. 지지 플레이트(3A∼3D)는 각각, 볼트 등에 의해 베이스 플레이트(1)에 고정되도록 구성된다.
베이스 플레이트(1)는, 알루미늄에 알루마이트 처리를 실시한 것이 적합하다.
또한, 지지 플레이트(3A∼3D)는, 외경이 200㎜인 웨이퍼(W1)와 300㎜인 웨이퍼(W2)를 각각 소정의 위치에 보유 지지 핀(4A∼4D, 6A∼6D) 및 방지 가이드(5A∼5D, 7A∼7D)가 각 지지 플레이트(3A∼3D)에 1개씩 동심원 상에 배치되어 있다. 보유 지지 핀(4A∼4D, 6A∼6D)은, 개구부(9)의 하방으로부터 보유 지지 가능한 것이다. 방지 가이드(5A∼5D, 7A∼7D)는, 반송시의 웨이퍼의 위치 어긋남 방지를 목적으로 한 것이다. 보유 지지 핀(4A∼4D, 6A∼6D) 및 방지 가이드(5A∼5D)는, 각 지지 플레이트(3A∼3D)에 1개씩 동심원 상에 배치되어 있다. 각 보유 지지 핀과 가이드의 배열 순서는, 개구부(9)의 중심에 가까운 순으로 보유 지지 핀(4A∼4D), 방지 가이드(5A∼5D), 보유 지지 핀(6A∼6D), 방지 가이드(7A∼7D)로 되어 있다. 핀과 가이드의 높이는, 개구부(9)의 중심으로부터 멀어질수록 점점 높아지도록 구성된다(4A의 높이＜5A의 높이＜6A의 높이＜7A의 높이).
또한, 본 실시예의 경우, 보유 지지 핀(4A∼4D, 6A∼6D) 및 방지 가이드(5A∼5D, 7A∼7D)는 각각 지지 플레이트(3A∼3D)에 압입된다. 지지 플레이트(3A∼3D)는, 개구부(9)의 중심을 향해 베이스 플레이트(1)에 일직선 형상으로 설치되어, 당해 개구부(9)의 내측 테두리 부위로부터 돌출된 위치에서 반도체 웨이퍼를 동심원 형상으로 보유 지지하기 위한 보유 지지 기구를 구성한다.
지지 플레이트(3A∼3D)는, 베이스 플레이트(1)와 마찬가지로 알루미늄제여도 되지만, 알루미늄은 대전되기 쉬운 금속이므로, 통상의 상태 그대로이면 대전된 정전기에 의해 웨이퍼가 파손되어 버리는 문제가 있다. 이로 인해, 대책으로서 대전되기 어려운 표면 처리를 행한 알루미늄을 사용해야 해, 비용이 높아져 버린다. 따라서, 지지 플레이트는 통상의 상태에서 정전기가 발생하기 어려운 SUS제가 보다 바람직하다.
도 3에 나타내는 그래프도는, 본 발명을 사용하여 가열한 직경 200㎜ 웨이퍼의 온도 프로파일이다. 이 온도 프로파일에 의하면, 도 1의 본 발명의 반송 지그를 사용하여, 직경이 200㎜인 웨이퍼(W1)에 상당하는 사이즈의 온도 프로파일 측정용 지그(도시하지 않음)를 사용하였다. 그리고, 지그의 중심부(X3:Center)와 지그의 외주부로부터 10㎜의 상하 좌우 4개소[상(X1:Front), 하(X5:Rear), 좌(X2:Left), 우(X4:Right)]의 총 5개소에 열전대 온도계를 장착하였다. 일반적인 조건으로 웨이퍼를 1.3m/min으로 화살표 방향으로 반송하면서, 리플로우 가열을 행하여, 가열 시간마다 웨이퍼의 표면 온도 변화를 측정한 것이다.
도 4에 나타내는 그래프도는, 본 발명을 사용하여 가열한 직경 300㎜ 웨이퍼의 온도 프로파일이다. 이 온도 프로파일에 의하면, 도 1의 본 발명의 반송 지그를 사용하여, 직경이 300㎜인 웨이퍼(W2)에 상당하는 사이즈의 온도 프로파일 측정용 지그(도시하지 않음)를 사용하였다. 그리고, 지그의 중심부(Y3:Center)와 지그의 외주부로부터 15㎜의 위치에 상하 좌우 4개소[상(Y1:Front), 하(Y5:Rear), 좌(Y2:Left), 우(Y4:Right)]의 총 5개소에 열전대 온도계를 장착하였다. 그 밖의 조건을 도 3과 동일한 조건으로 리플로우 가열을 행하여, 가열 시간마다 웨이퍼의 표면 온도 변화를 측정한 것이다.
도 6 및 도 7은 대비하기 위해, 도 5의 종래 반송 지그를 사용하여, 각각 도 3 및 도 4와 동일한 조건으로 가열 시간마다 온도 프로파일 측정용 지그의 표면 온도 변화를 측정한 표이다.
200㎜ 웨이퍼에 상당하는 사이즈의 온도 프로파일 측정용 지그를 사용하여 측정한 X1∼X5의 각 피크 온도의 온도차(Δt)를 비교한다.
도 6에 나타내는 종래의 반송 지그를 한 경우에는, Δt＝8.9℃(247.9(가장 피크 온도가 높은 중심부 X3)－239.0(가장 낮은 개소 X4))의 온도차가 발생하고 있다.
이에 대해, 도 3에 나타내는 본 발명의 반송 지그를 한 경우에는, Δt＝5.5℃(248.5(가장 피크 온도가 높은 중심부 X3)－243.0(가장 낮은 개소 X4))의 온도차밖에 발생하고 있지 않다.
또한, 300㎜ 웨이퍼에 상당하는 사이즈의 온도 프로파일 측정용 지그를 사용한 Y1∼Y5의 각 피크 온도차(Δt)에 대해서도 마찬가지로 비교한다.
도 7에 나타내는 종래의 반송 지그를 한 경우에는, Δt＝11.7℃(246.5(가장 피크 온도가 높은 중심부 Y3)－234.8(가장 낮은 개소 Y4))의 온도차가 발생하고 있다.
이에 대해, 도 4에 나타내는 본 발명의 반송 지그를 한 경우에는, Δt＝6.3℃(248.6(가장 피크 온도가 높은 중심부 Y3)－242.3(가장 낮은 개소 Y2))의 온도차밖에 발생하고 있지 않다.
이상과 같이 본 발명의 실시예와 종래예의 웨이퍼 표면의 장소마다의 피크 온도차를 비교하면, 200㎜ 웨이퍼에서는 최대 2.8℃(＝8.3－5.5), 300㎜ 웨이퍼에서는 5.4℃(＝11.7－6.3)나 차이가 발생하고 있어, 본 발명의 효과가 충분히 있는 것을 증명하고 있다.
또한, 도 1의 실시예는, 지지 플레이트(3A∼3D)를 4개 설치하였지만, 수는 4개에 한정되지 않고, 웨이퍼가 반송 지그로부터 낙하하지 않도록 지지 플레이트는 3개 이상이면, 몇 개 설치해도 된다.
방지 가이드는, 도 1의 실시예에 있어서, 1개의 보유 지지(지지) 핀당 1개 설치되어 있도록 하였지만, 그것에 한정되는 것은 아니다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 웨이퍼(W5)를 방지 가이드(5A)로 지지하고, 보유 지지 핀(6A)으로 위치 어긋남 방지용 가이드로 되도록 적절하게 변경하여 사용하는 형태여도 된다.
또한, 지지 플레이트(3A∼3D)는 볼트 등에 의해 베이스 플레이트(1)에 고정하는 경우에 대해 설명하였다. 이것에 한정되는 일 없이, 베이스 플레이트(1)에 대해 지지 플레이트(3A∼3D)를 슬라이드 가능하게 구성해도 된다. 그 경우, 개구부(9)의 중심을 향해 베이스 플레이트(1)에 직선 형상으로 장척 형상의 홈부를 형성하고, 이 홈부를 따라 지지 플레이트(3A∼3D)를 각각 미끄럼 이동시키면 된다. 베이스 플레이트(1)에 대한 지지 플레이트(3A∼3D)의 위치를 극히 세밀하게 조정 가능한 위치 조정 기구를 구성할 수 있게 된다.
또한, 본 실시예에 있어서, 지지 플레이트는 개구부의 중심을 향해 상기 본체 부재에 일직선 형상으로 설치되어 있는, 즉, 상기 개구부의 중심으로부터 방사 형상으로 설치한 경우에 대해 설명하였지만, 지지 플레이트는 반도체 웨이퍼를 동심원 형상으로 지지하는 구성이면 되고, 이 목적을 달성하는 구성이라면, 반드시 개구부의 중심을 향하거나, 또는 개구부의 중심으로부터 방사 형상으로 설치할 필요는 없다.
본 발명은, 리플로우로 등에서 웨이퍼를 가열할 때, 웨이퍼 표면을 균일 가열하는 반도체 웨이퍼 반송 지그에 적합하다.
1 : 베이스 플레이트
2 : 반송 가이드
3A∼3D : 지지 플레이트
4A∼4D : 보유 지지 핀
5A∼5D : 방지 가이드
6A∼6D : 보유 지지 핀
7A∼7D : 방지 가이드
8 : 볼트
9 : 개구부
10 : 베이스 플레이트
11 : 반송 가이드
14 : 볼트
15 : 개구부
16A∼16D : 보유 지지 핀
17A∼17D : 방지 가이드
18A∼18D : 보유 지지 핀
19A∼19D : 방지 가이드
100 : 반송 지그
200 : 반송 지그
W1∼W5 : 웨이퍼

Claims (5)

  1. 소정의 크기의 반도체 웨이퍼를 가열할 때, 당해 반도체 웨이퍼를 보유 지지하여 반송 가능한 반도체 웨이퍼 반송 지그에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 구경의 개구부가 설치된 본체 부재와,
    소정의 길이를 갖고, 또한 상기 반도체 웨이퍼의 직경에 대응하여 배치되고, 높이가 다른 복수의 핀을 갖고, 상기 본체 부재에 장착된, 적어도 3개 이상의 SUS제의 지지 부재를 구비하고,
    상기 지지 부재가, 상기 개구부의 내측 테두리 부위로부터 돌출된 위치에서 상기 핀에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 동심원 형상으로 보유 지지하기 위한 보유 지지 기구를 구성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 반송 지그.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 개구부의 중심측에 배치된 상기 핀보다도 높이가 높게 이루어진 웨이퍼 위치 어긋남 방지 가이드가 동심원 형상으로 각 핀 1개당 1개 이상 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 반송 지그.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 핀은 높이가 적어도 2종 이상이고,
    동일한 높이의 것이 동일 원주 상에 배치되고, 또한 높이가 상기 본체 부재의 개구부 중심으로부터 외측에 걸쳐 차례로 높아지도록 동심원 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 반송 지그.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보유 지지 기구는,
    상기 개구부의 중심으로부터 방사 형상으로 배치한 지지 플레이트와,
    상기 지지 플레이트에는 상기 반도체 웨이퍼를 하방으로부터 보유 지지하기 위한 보유 지지 핀 및 상기 보유 지지 핀보다도 외측에 있고 상기 보유 지지 핀보다 높이가 높은 웨이퍼 위치 어긋남 방지 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 반송 지그.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 지지 플레이트는, 상기 개구부의 중심으로부터 방사 형상으로 3개 이상 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼 반송 지그.
KR1020157001629A 2012-07-26 2013-07-25 반도체 웨이퍼 반송 지그 KR101578332B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-165817 2012-07-26
JP2012165817 2012-07-26
PCT/JP2013/070181 WO2014017587A1 (ja) 2012-07-26 2013-07-25 半導体ウエハー搬送治具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150037862A KR20150037862A (ko) 2015-04-08
KR101578332B1 true KR101578332B1 (ko) 2015-12-16

Family

ID=49997396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157001629A KR101578332B1 (ko) 2012-07-26 2013-07-25 반도체 웨이퍼 반송 지그

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10026639B2 (ko)
EP (1) EP2879171B1 (ko)
JP (1) JP5737480B2 (ko)
KR (1) KR101578332B1 (ko)
CN (1) CN104508813B (ko)
HU (1) HUE044809T2 (ko)
TW (1) TWI523141B (ko)
WO (1) WO2014017587A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102290078B1 (ko) * 2019-10-18 2021-08-17 주식회사 예스파워테크닉스 웨이퍼용 보트
CN111063640A (zh) * 2019-12-26 2020-04-24 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗机及其卡盘

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129575A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2011026111A (ja) 2009-07-03 2011-02-10 Tokyo Electron Ltd 位置ずれ防止装置、これを備えた基板保持具、基板搬送装置および基板搬送方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6226037A (ja) 1985-07-27 1987-02-04 株式会社日立ホームテック 電気湯沸器
JPS6226037U (ko) * 1985-07-31 1987-02-17
JP2523145B2 (ja) 1987-11-17 1996-08-07 東京エレクトロン東北株式会社 被処理体の押し上げ機
JPH01130540U (ko) * 1988-03-02 1989-09-05
JP2748127B2 (ja) * 1988-09-02 1998-05-06 キヤノン株式会社 ウエハ保持方法
JPH07114233B2 (ja) 1992-04-01 1995-12-06 株式会社ニコン 基板の位置決め装置
JPH06151550A (ja) 1992-11-05 1994-05-31 Toshiba Corp ウェハーフォーク
US5980195A (en) * 1996-04-24 1999-11-09 Tokyo Electron, Ltd. Positioning apparatus for substrates to be processed
US6217663B1 (en) 1996-06-21 2001-04-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3715073B2 (ja) * 1997-04-22 2005-11-09 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JPH11176822A (ja) * 1997-12-05 1999-07-02 Hitachi Ltd 半導体処理装置
DE10082995B4 (de) 1999-09-03 2004-09-09 Mitsubishi Materials Silicon Corp. Wafer-Haltevorrichtung
KR20010028021A (ko) 1999-09-17 2001-04-06 윤종용 웨이퍼 보트
JP2004158625A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Canon Inc 基板搬送ハンド
JP3781014B2 (ja) 2003-03-31 2006-05-31 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハ熱処理治具およびシリコンウェーハ熱処理方法
JP2008198836A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR100884332B1 (ko) 2007-07-26 2009-02-18 세메스 주식회사 스핀 헤드 및 이를 이용하여 기판을 지지하는 방법
KR20090041154A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 삼성전자주식회사 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
US20090165721A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-02 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor with Support Bosses
JP2009253115A (ja) 2008-04-08 2009-10-29 Sumco Corp ウェーハステージ
JP2009272362A (ja) 2008-05-01 2009-11-19 Jeol Ltd ウェハ装着装置
US8151852B2 (en) * 2009-06-30 2012-04-10 Twin Creeks Technologies, Inc. Bonding apparatus and method
JP5316689B1 (ja) * 2012-10-31 2013-10-16 千住金属工業株式会社 位置出し治具及び位置調整方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129575A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2011026111A (ja) 2009-07-03 2011-02-10 Tokyo Electron Ltd 位置ずれ防止装置、これを備えた基板保持具、基板搬送装置および基板搬送方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2879171A1 (en) 2015-06-03
TWI523141B (zh) 2016-02-21
KR20150037862A (ko) 2015-04-08
JPWO2014017587A1 (ja) 2016-07-11
WO2014017587A1 (ja) 2014-01-30
TW201423894A (zh) 2014-06-16
EP2879171A4 (en) 2016-03-09
EP2879171B1 (en) 2019-05-08
HUE044809T2 (hu) 2019-11-28
US10026639B2 (en) 2018-07-17
CN104508813B (zh) 2016-08-17
US20150179496A1 (en) 2015-06-25
JP5737480B2 (ja) 2015-06-17
CN104508813A (zh) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101578332B1 (ko) 반도체 웨이퍼 반송 지그
CN107130095B (zh) 托盘和热处理方法
US10882151B2 (en) Automatic pallet changer in machine tool
JP2014093329A (ja) 位置出し治具及び位置調整方法
KR20140008724A (ko) 웨이퍼 테스트 장치
KR102563837B1 (ko) 정전 클램프
CN111312637A (zh) 一种晶片承载装置和立式扩散炉
KR101228484B1 (ko) 플라즈마 처리장치의 기판 재치대
KR20130095495A (ko) 반도체 기판 적재용 보트
KR101308758B1 (ko) 배치식 소둔로
KR101797666B1 (ko) 전극 압하 장치 및 전기로
JP5583516B2 (ja) ワーク積載装置
WO2015170427A1 (ja) 多段式加熱装置、および多段式加熱炉に対するワーク搬入搬出方法
JP2012066312A (ja) 工作機械
CN104475948B (zh) 一种t型零件氩弧焊夹具
KR20130093816A (ko) 공작기계용 테이블
WO2017138037A1 (ja) プレート式熱交換器
CN110373655B (zh) 叉指结构、下电极装置和工艺腔室
CN205765107U (zh) 一种用于太阳能电池异形散热器数控加工的工装夹具
WO2014174627A1 (ja) サンプルホルダ
JP5877878B2 (ja) ワーク積載装置
KR20120084081A (ko) 팔레트 이송장치
KR20130037475A (ko) 웨이퍼 캐리어
KR20070073014A (ko) 웨이퍼 이송용 블레이드
KR20140030916A (ko) 용접 장치 이송용 레일 구조

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 4