JP2911023B2 - シリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具およびその使用方法 - Google Patents
シリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具およびその使用方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造に用
いる石英ガラス治具、特にシリコンウエハの熱処理工程
で用いるシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具および
その使用方法に関する。
いる石英ガラス治具、特にシリコンウエハの熱処理工程
で用いるシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具および
その使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、石英ガラスは他の耐火材料の材質
に比べて高純度であり、しかも溶接による融着が可能で
ある等の理由でシリコン半導体素子の熱処理用治具とし
て広く用いられてきた。前記高純度の石英ガラス治具に
シリコンウエハを載置し、それを電気炉内に搬入したの
ち、１０００℃前後の高温に加熱してシリコンウエハの
熱処理を行うが、使用する電気炉としては、シリコンウ
エハを垂直に保持したまま熱処理する横型電気炉やシリ
コンウエハを水平に保持したまま熱処理する縦型電気炉
が用いられている。
に比べて高純度であり、しかも溶接による融着が可能で
ある等の理由でシリコン半導体素子の熱処理用治具とし
て広く用いられてきた。前記高純度の石英ガラス治具に
シリコンウエハを載置し、それを電気炉内に搬入したの
ち、１０００℃前後の高温に加熱してシリコンウエハの
熱処理を行うが、使用する電気炉としては、シリコンウ
エハを垂直に保持したまま熱処理する横型電気炉やシリ
コンウエハを水平に保持したまま熱処理する縦型電気炉
が用いられている。
【０００３】ところが、近年、製造する素子の集積度が
増すとともに、フラッシュメモリのように極度に不純物
を嫌う素子が開発され、従来の高純度石英ガラス治具を
使用するだけではウエハの純度を保てない場合もでてき
た。そこで、より高純度の治具を製造するために、より
優れた原料水晶の精製技術が開発されたり、高純度化学
工業薬品から高純度の合成石英ガラスを製造する技術が
開発された。特に、合成石英ガラスにおいては金属不純
物の総量が０．１ｐｐｍを超えない格段に高純度の合成
石英ガラスが工業的に製造が可能となったし、これに耐
熱性を与えるために数ｐｐｍの目的添加物を他の不純物
を混入させることなくドープする（例えば１ｐｐｍのア
ルミニウム元素を加える）ことも可能になってきた。し
かしこのような高純度の石英ガラスを用いて治具を作製
し、高純度の雰囲気中でシリコンウエハの熱処理を行っ
ても、アルカリ元素、特にナトリウム元素による汚染が
避け難く、高級な素子の歩留まりは低いという欠点を克
服できなかった。
増すとともに、フラッシュメモリのように極度に不純物
を嫌う素子が開発され、従来の高純度石英ガラス治具を
使用するだけではウエハの純度を保てない場合もでてき
た。そこで、より高純度の治具を製造するために、より
優れた原料水晶の精製技術が開発されたり、高純度化学
工業薬品から高純度の合成石英ガラスを製造する技術が
開発された。特に、合成石英ガラスにおいては金属不純
物の総量が０．１ｐｐｍを超えない格段に高純度の合成
石英ガラスが工業的に製造が可能となったし、これに耐
熱性を与えるために数ｐｐｍの目的添加物を他の不純物
を混入させることなくドープする（例えば１ｐｐｍのア
ルミニウム元素を加える）ことも可能になってきた。し
かしこのような高純度の石英ガラスを用いて治具を作製
し、高純度の雰囲気中でシリコンウエハの熱処理を行っ
ても、アルカリ元素、特にナトリウム元素による汚染が
避け難く、高級な素子の歩留まりは低いという欠点を克
服できなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者は、上記シリコンウエハの汚染の原因について
鋭意研究を重ねた結果、ウエハのアルカリ元素による汚
染が、接触している石英ガラス治具・炉心管・ライナー
管および炉体の耐火材といった直接接触のパスがあっ
て、このパスに添って起こることを見出した。そして前
記パスに添っての汚染が、シリコンウエハ熱処理用治具
の支持部材をアルミニウム元素を多く含有する石英ガラ
スで作製し、それを熱処理用治具と炉心管との接触位置
に配置することで遮断でき、ウエハの汚染が防止できる
ことを見出し、本発明を完成したものである。すなわち
本発明者は、上記シリコンウエハの汚染の原因について
鋭意研究を重ねた結果、ウエハのアルカリ元素による汚
染が、接触している石英ガラス治具・炉心管・ライナー
管および炉体の耐火材といった直接接触のパスがあっ
て、このパスに添って起こることを見出した。そして前
記パスに添っての汚染が、シリコンウエハ熱処理用治具
の支持部材をアルミニウム元素を多く含有する石英ガラ
スで作製し、それを熱処理用治具と炉心管との接触位置
に配置することで遮断でき、ウエハの汚染が防止できる
ことを見出し、本発明を完成したものである。すなわち
【０００５】本発明は、シリコンウエハを汚染すること
のないシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具を提供す
ることを目的とする。
のないシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具を提供す
ることを目的とする。
【０００６】また、本発明は、支持部材に分析用突起部
が設けられたシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具を
提供することを目的とする。
が設けられたシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具を
提供することを目的とする。
【０００７】さらに、本発明は、分析用突起部を分析す
ることによるシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具の
使用方法を提供することを目的とす。
ることによるシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具の
使用方法を提供することを目的とす。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、ウエハ載置用部材と該部材を支持する支持部材が
一体に溶接されているシリコンウエハ熱処理用石英ガラ
ス治具において、前記支持部材がアルミニウム元素含有
量５〜２０ｐｐｍ、リチウム元素含有量０．１〜１ｐｐ
ｍ、ナトリウム元素含有量０．１ｐｐｍ以下の石英ガラ
スで形成されることを特徴とするシリコンウエハ熱処理
用石英ガラス治具およびその使用方法に係る。
明は、ウエハ載置用部材と該部材を支持する支持部材が
一体に溶接されているシリコンウエハ熱処理用石英ガラ
ス治具において、前記支持部材がアルミニウム元素含有
量５〜２０ｐｐｍ、リチウム元素含有量０．１〜１ｐｐ
ｍ、ナトリウム元素含有量０．１ｐｐｍ以下の石英ガラ
スで形成されることを特徴とするシリコンウエハ熱処理
用石英ガラス治具およびその使用方法に係る。
【０００９】本発明のシリコンウエハ熱処理用石英ガラ
ス治具は、上述のとおりウエハ載置用部材と該部材を支
持する支持部材からなり、ウエハ載置用部材にはシリコ
ンウエハを載置するための、例えば溝、爪等が設けられ
ており、また支持部材は前記ウエハ載置用部材を所定の
空間位置に支持する構造になっている。前記各部材は一
体となって本発明の治具を構成するが、治具には電気炉
の形状に応じて横型炉用治具および縦型炉用治具があ
る。前記治具に複数のシリコンウエハを載置し、電気炉
の炉芯管内に搬入し、１０００℃前後の高温で処理して
シリコンウエハの酸化処理等の加熱処理が行なわれる。
ス治具は、上述のとおりウエハ載置用部材と該部材を支
持する支持部材からなり、ウエハ載置用部材にはシリコ
ンウエハを載置するための、例えば溝、爪等が設けられ
ており、また支持部材は前記ウエハ載置用部材を所定の
空間位置に支持する構造になっている。前記各部材は一
体となって本発明の治具を構成するが、治具には電気炉
の形状に応じて横型炉用治具および縦型炉用治具があ
る。前記治具に複数のシリコンウエハを載置し、電気炉
の炉芯管内に搬入し、１０００℃前後の高温で処理して
シリコンウエハの酸化処理等の加熱処理が行なわれる。
【００１０】上記電気炉内に置かれた石英ガラス治具の
支持部材からはリチウム元素が放出される一方、該ガラ
スにカリウム元素やナトリウム元素が吸収される。吸収
される元素のうちカリウム元素の吸収速度はナトリウム
元素の１０分の１以下と緩慢であるところから実質上移
動しないと見做せるが、ナトリウム元素は吸収速度が速
いところから支持部材中に速やかに補足され蓄積されて
行く。支持部材にナトリウム元素が飽和してくるとウエ
ハ載置用部材にまでナトリウム元素が到達するようにな
り、結局シリコンウエハを汚染することになる。すなわ
ち、ナトリウム元素で支持部材の石英ガラスが汚染され
て、ナトリウム元素の補足力が弱まった時が本発明の治
具の寿命といえる。そのため、本発明の治具の使用に当
っては支持部材に切欠を介して設けた分析用突起部を切
り取りその中のナトリウム元素濃度を測定し、治具の寿
命を見定める必要がある。
支持部材からはリチウム元素が放出される一方、該ガラ
スにカリウム元素やナトリウム元素が吸収される。吸収
される元素のうちカリウム元素の吸収速度はナトリウム
元素の１０分の１以下と緩慢であるところから実質上移
動しないと見做せるが、ナトリウム元素は吸収速度が速
いところから支持部材中に速やかに補足され蓄積されて
行く。支持部材にナトリウム元素が飽和してくるとウエ
ハ載置用部材にまでナトリウム元素が到達するようにな
り、結局シリコンウエハを汚染することになる。すなわ
ち、ナトリウム元素で支持部材の石英ガラスが汚染され
て、ナトリウム元素の補足力が弱まった時が本発明の治
具の寿命といえる。そのため、本発明の治具の使用に当
っては支持部材に切欠を介して設けた分析用突起部を切
り取りその中のナトリウム元素濃度を測定し、治具の寿
命を見定める必要がある。
【００１１】上記支持部材を形成する石英ガラス中に多
くのアルミニウム元素を含有するとアルカリ元素が容易
に吸収されることはＬ．Ｊｕｎｇ「Ｈｉｇｈ Ｐｕｒｉ
ｔｙＮａｔｕｒａｌ Ｑｕａｒｔｚ」ｐ７９〜８０（１
９９２）の記載から類推できる。この類推に基づいて本
発明者が測定したところ、アルミニウム元素が５ｐｐｍ
含有されると約３ｐｐｍ程度のナトリウム元素が、また
１５ｐｐｍのアルミニウム元素が含有されると約１０ｐ
ｐｍ程度のナトリウム元素が吸収されることが解った。
さらに１０００℃前後でナトリウム元素の補足力が強い
のは飽和量の２５％以下程度までであることも解った。
くのアルミニウム元素を含有するとアルカリ元素が容易
に吸収されることはＬ．Ｊｕｎｇ「Ｈｉｇｈ Ｐｕｒｉ
ｔｙＮａｔｕｒａｌ Ｑｕａｒｔｚ」ｐ７９〜８０（１
９９２）の記載から類推できる。この類推に基づいて本
発明者が測定したところ、アルミニウム元素が５ｐｐｍ
含有されると約３ｐｐｍ程度のナトリウム元素が、また
１５ｐｐｍのアルミニウム元素が含有されると約１０ｐ
ｐｍ程度のナトリウム元素が吸収されることが解った。
さらに１０００℃前後でナトリウム元素の補足力が強い
のは飽和量の２５％以下程度までであることも解った。
【００１２】そこで、本発明の石英ガラス治具では支持
部材をアルミニウム元素含有量が５〜２０ｐｐｍ、リチ
ウム元素含有量が０．１〜１ｐｐｍ、ナトリウム元素含
有量が０．１ｐｐｍ以下の低アルカリ石英ガラスで作製
し、この支持部材でナトリウム元素を補足する一方、ウ
エハ載置用部材はアルミニウム元素含有量が３ｐｐｍ以
下でリチウム元素含有量が０．０５ｐｐｍ以下の高純度
の石英ガラスで作製するものである。そして両者の部材
を溶接して本発明の石英ガラス治具を製造する。支持部
材のアルミニウム含有量が前記範囲未満ではナトリウム
元素の補足が悪く、前記範囲を超える量では、ガラスの
失透が生じやすくなる。また、ナトリウム元素の含有量
が前記範囲を超えると石英ガラスのナトリウム元素が速
く飽和状態に近づいて充分な補足力が維持できない。ナ
トリウム元素の補足力はナトリウム元素濃度が低い程強
い。本発明者の実験によれば、１１００℃で１時間程度
のアニールでも高感度分析を行うと確実にナトリウム元
素の増大が観察できる。石英ガラス中のリチウム元素は
加熱処理中に減少しその代わりにナトリウム元素の吸収
が起こるのでリチウム元素の存在はナトリウム元素補足
の点で好ましい。リチウム元素の初期含有量が上記範囲
未満ではナトリウム元素の補足力が不充分である。また
リチウム元素が前記範囲を超えると放出されるリチウム
が多くなりこちらの害の方が大きくなる危険性がでてく
る。
部材をアルミニウム元素含有量が５〜２０ｐｐｍ、リチ
ウム元素含有量が０．１〜１ｐｐｍ、ナトリウム元素含
有量が０．１ｐｐｍ以下の低アルカリ石英ガラスで作製
し、この支持部材でナトリウム元素を補足する一方、ウ
エハ載置用部材はアルミニウム元素含有量が３ｐｐｍ以
下でリチウム元素含有量が０．０５ｐｐｍ以下の高純度
の石英ガラスで作製するものである。そして両者の部材
を溶接して本発明の石英ガラス治具を製造する。支持部
材のアルミニウム含有量が前記範囲未満ではナトリウム
元素の補足が悪く、前記範囲を超える量では、ガラスの
失透が生じやすくなる。また、ナトリウム元素の含有量
が前記範囲を超えると石英ガラスのナトリウム元素が速
く飽和状態に近づいて充分な補足力が維持できない。ナ
トリウム元素の補足力はナトリウム元素濃度が低い程強
い。本発明者の実験によれば、１１００℃で１時間程度
のアニールでも高感度分析を行うと確実にナトリウム元
素の増大が観察できる。石英ガラス中のリチウム元素は
加熱処理中に減少しその代わりにナトリウム元素の吸収
が起こるのでリチウム元素の存在はナトリウム元素補足
の点で好ましい。リチウム元素の初期含有量が上記範囲
未満ではナトリウム元素の補足力が不充分である。また
リチウム元素が前記範囲を超えると放出されるリチウム
が多くなりこちらの害の方が大きくなる危険性がでてく
る。
【００１３】上記に加えて支持部材を形成する石英ガラ
ス中のＯＨ基濃度を１２０ｐｐｍ〜２３０ｐｐｍとする
と、ナトリウム元素の吸収速度が２倍以上となり、ナト
リウム元素の補足が有効となる。ＯＨ基濃度が前記範囲
以下では吸収促進効果が少なく、前記範囲を超えると石
英ガラス自身の耐熱性が不充分となる。
ス中のＯＨ基濃度を１２０ｐｐｍ〜２３０ｐｐｍとする
と、ナトリウム元素の吸収速度が２倍以上となり、ナト
リウム元素の補足が有効となる。ＯＨ基濃度が前記範囲
以下では吸収促進効果が少なく、前記範囲を超えると石
英ガラス自身の耐熱性が不充分となる。
【００１４】本発明の石英ガラス治具においては、支持
部材の重量がシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具の
全重量の３０％以上となるように作製する。これにより
補足できるナトリウム元素の総量が大きくなる。これ以
下では治具の寿命が短くなる。
部材の重量がシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具の
全重量の３０％以上となるように作製する。これにより
補足できるナトリウム元素の総量が大きくなる。これ以
下では治具の寿命が短くなる。
【００１５】本発明のウエハ載置用部材を構成する石英
ガラスはナトリウム元素に汚染されないものが良いので
アルミニウムは少ない方がよい。耐熱性向上の目的で添
加する場合でも３ｐｐｍ以下とすべきである。他方、リ
チウム元素については前記部材がウエハに近い場所に配
置されているところから放出されない方が好ましく、た
とえ含まれても０．０５ｐｐｍ以下とする必要がある。
ガラスはナトリウム元素に汚染されないものが良いので
アルミニウムは少ない方がよい。耐熱性向上の目的で添
加する場合でも３ｐｐｍ以下とすべきである。他方、リ
チウム元素については前記部材がウエハに近い場所に配
置されているところから放出されない方が好ましく、た
とえ含まれても０．０５ｐｐｍ以下とする必要がある。
【００１６】上述のとおり本発明の石英ガラス治具は処
理製品の高純度を維持したまま処理できるので、シリコ
ンウエハの薄い酸化膜づけ工程に使用されるにとどまら
ず、一般的な加熱処理治具としても用いることができ
る。
理製品の高純度を維持したまま処理できるので、シリコ
ンウエハの薄い酸化膜づけ工程に使用されるにとどまら
ず、一般的な加熱処理治具としても用いることができ
る。
【００１７】
【実施例】本発明のシリコンウエハ熱処理用石英ガラス
治具を図１、２および４に示す。図１は横型炉用治具、
図２は縦型炉用治具、図４は分析用突起部付横型炉用治
具である。前記各図において、１は横型炉用治具、２は
ウエハ載置用部材、３は支持部材、４はウエハ載置用
溝、５はシリコンウエハ、６は縦型炉用治具、７は分析
用突起部である。シリコン枚数は全てを示さないで省い
て表現している。
治具を図１、２および４に示す。図１は横型炉用治具、
図２は縦型炉用治具、図４は分析用突起部付横型炉用治
具である。前記各図において、１は横型炉用治具、２は
ウエハ載置用部材、３は支持部材、４はウエハ載置用
溝、５はシリコンウエハ、６は縦型炉用治具、７は分析
用突起部である。シリコン枚数は全てを示さないで省い
て表現している。
【００１８】上記図１に示すウエハ載置用溝４を有する
ウエハ載置用部材２を表１に示すアルミニウム元素含有
量が３ｐｐｍ以下の石英ガラス素材Ａで作成した。別に
表２に示す石英ガラス素材Ｎｏ．１〜４で支持部材を作
成し、前記ウエハ載置用部材２と溶接して横型炉用治具
１を組み立てた。
ウエハ載置用部材２を表１に示すアルミニウム元素含有
量が３ｐｐｍ以下の石英ガラス素材Ａで作成した。別に
表２に示す石英ガラス素材Ｎｏ．１〜４で支持部材を作
成し、前記ウエハ載置用部材２と溶接して横型炉用治具
１を組み立てた。
【００１９】
【表１】
【００２０】次いで、上記横型炉用治具１を用いてシリ
コンウエハを１１５０℃で１００時間熱処理した。処理
されたシリコンウエハには均一で良質の酸化膜が形成さ
れていた。使用後の支持部材について純度を測定したと
ころ、表２のとおりであった。
コンウエハを１１５０℃で１００時間熱処理した。処理
されたシリコンウエハには均一で良質の酸化膜が形成さ
れていた。使用後の支持部材について純度を測定したと
ころ、表２のとおりであった。
【００２１】
【表２】
【００２２】上記表２に見るように使用後の支持部材に
はナトリウム元素およびカリウム元素の増加がみられ
る。特にナトリウム元素の増加が著しい。一方、ウエハ
載置用部材には表１に見られるようにナトリウム元素の
増加がみられない。このことからナトリウム元素は支持
部材で補足され、ウエハ載置用部材を汚染しないことが
わかる。
はナトリウム元素およびカリウム元素の増加がみられ
る。特にナトリウム元素の増加が著しい。一方、ウエハ
載置用部材には表１に見られるようにナトリウム元素の
増加がみられない。このことからナトリウム元素は支持
部材で補足され、ウエハ載置用部材を汚染しないことが
わかる。
【００２３】比較例１ 表１の素材Ａで治具全体を作成した。実施例と同様にシ
リコンウエハを１１５０℃で１００時間熱処理した。使
用後の治具を分析したところ、ナトリウム元素の含有量
が０．０５ｐｐｍに増加したにとどまったが、処理され
たウエハの酸化膜は不均一で不合格となった。
リコンウエハを１１５０℃で１００時間熱処理した。使
用後の治具を分析したところ、ナトリウム元素の含有量
が０．０５ｐｐｍに増加したにとどまったが、処理され
たウエハの酸化膜は不均一で不合格となった。
【００２４】比較例２ 表２の素材Ｎｏ．２で治具全体を作成した。使用後の支
持部材の純度変化は表２に示す通りであったが、処理さ
れたウエハは全体的に膜厚が大き過ぎて電気特性も不合
格であった。熱処理時に放出されたリチウム元素がシリ
コンウエハに悪影響を及ぼしたものと思われる。
持部材の純度変化は表２に示す通りであったが、処理さ
れたウエハは全体的に膜厚が大き過ぎて電気特性も不合
格であった。熱処理時に放出されたリチウム元素がシリ
コンウエハに悪影響を及ぼしたものと思われる。
【００２５】実施例２ 図４は４個の突出部７が設けられた熱処理用治具の例で
ある。使用を繰り返すたび毎に突起部を切り取りその中
のナトリウム濃度を測定した。突起部の素材中のナトリ
ウム元素含有量は０．０５ｐｐｍであったが、使用とと
もに０．２ｐｐｍ、０．４ｐｐｍ、０．５ｐｐｍ、０．
７ｐｐｍと増加して行き、０．７ｐｐｍの時は良質な操
業ができなかった。ナトリウム元素濃度が０．５ｐｐｍ
のときが治具の寿命と判定された。すなわち、突起部の
分析値が０．５ｐｐｍを超えたら治具を使用しないとい
う単純な管理で、プロセスの清浄度を確保することがで
きる。
ある。使用を繰り返すたび毎に突起部を切り取りその中
のナトリウム濃度を測定した。突起部の素材中のナトリ
ウム元素含有量は０．０５ｐｐｍであったが、使用とと
もに０．２ｐｐｍ、０．４ｐｐｍ、０．５ｐｐｍ、０．
７ｐｐｍと増加して行き、０．７ｐｐｍの時は良質な操
業ができなかった。ナトリウム元素濃度が０．５ｐｐｍ
のときが治具の寿命と判定された。すなわち、突起部の
分析値が０．５ｐｐｍを超えたら治具を使用しないとい
う単純な管理で、プロセスの清浄度を確保することがで
きる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の治具を用いた熱処理では、シリ
コンウエハを汚染することがなく、しかも処理したシリ
コンウエハに均一で良質な酸化膜を形成できる。かかる
本発明の治具は炉内に例えナトリウム汚染源があっても
支持部材で一定の時間汚染を防止できるので、シリコン
ウエハの熱処理を継続できる利点を有する。
コンウエハを汚染することがなく、しかも処理したシリ
コンウエハに均一で良質な酸化膜を形成できる。かかる
本発明の治具は炉内に例えナトリウム汚染源があっても
支持部材で一定の時間汚染を防止できるので、シリコン
ウエハの熱処理を継続できる利点を有する。
【００２７】また、本発明の治具は、分析用突起部を分
析するという簡便な手段で治具の寿命を測定できその使
用を効果的に判断できる。
析するという簡便な手段で治具の寿命を測定できその使
用を効果的に判断できる。
【図１】本発明の横型炉用治具の斜視図である。
【図２】本発明の縦型炉用治具の斜視図である。
【図３】本発明の縦型炉用治具の平面図である。
【図４】分析用突出部付横型炉用治具の斜視図である。
１ 横型炉用治具 ２ ウエハ載置用部材 ３ 支持部材 ４ ウエハ載置用溝 ５ シリコンウエハ ６ 縦型用治具 ７ 分析用突出部
Claims (4)
- 【請求項１】ウエハ載置用部材と該部材を支持する支持
部材からなり、前記ウエハ載置用部材が前記支持部材に
より所定の空間位置に支持されて一体に溶接されてなる
シリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具において、前記
支持部材がアルミニウム元素含有量５〜２０ｐｐｍ、リ
チウム元素含有量０．１〜１ｐｐｍ、ナトリウム元素含
有量０．１ｐｐｍ以下、ＯＨ基濃度が１２０ｐｐｍ〜２
３０ｐｐｍの石英ガラスで形成され、ウエハ載置用部材
がアルミニウム元素含有量が３ｐｐｍ以下、リチウム元
素含有量が０．０５ｐｐｍ以下の石英ガラスで形成され
ていることを特徴とするシリコンウエハ熱処理用石英ガ
ラス治具。 - 【請求項２】支持部材の重量がシリコンウエハ熱処理用
石英ガラス治具の全重量の３０％以上であることを特徴
とする請求項１記載のシリコンウエハ熱処理用石英ガラ
ス治具。 - 【請求項３】少なくとも２個の分析用突出部が切欠を介
して支持部材に設けられていることを特徴とする請求項
１記載のシリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具。 - 【請求項４】請求項３に記載のシリコンウエハ熱処理用
石英ガラス治具の支持部材に設けた分析用突出部を切り
取り含有するナトリウム元素の濃度を測定することで該
治具の使用を決めることを特徴とするシリコンウエハ熱
処理用石英ガラス治具の使用方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22896694A JP2911023B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | シリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具およびその使用方法 |
| KR1019950027730A KR0171660B1 (ko) | 1994-08-31 | 1995-08-30 | 실리콘 웨이퍼 열처리용 석영글라스 지그 및 그 사용방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22896694A JP2911023B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | シリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具およびその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0873296A JPH0873296A (ja) | 1996-03-19 |
| JP2911023B2 true JP2911023B2 (ja) | 1999-06-23 |
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ID=16884662
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP22896694A Expired - Fee Related JP2911023B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | シリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具およびその使用方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911023B2 (ja) |
| KR (1) | KR0171660B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560683A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-11 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4464485B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2010-05-19 | 株式会社アドバンス | 歯科補綴物の加工方法 |
| JP3781014B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2006-05-31 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハ熱処理治具およびシリコンウェーハ熱処理方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP22896694A patent/JP2911023B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1995
- 1995-08-30 KR KR1019950027730A patent/KR0171660B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| CN102560683A (zh) * | 2010-12-29 | 2012-07-11 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0873296A (ja) | 1996-03-19 |
| KR0171660B1 (ko) | 1999-03-30 |
| KR960009101A (ko) | 1996-03-22 |
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