CN1866493A - 处理装置和对位方法 - Google Patents

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Abstract

本发明即使在具有多个处理室的情况下，也可以按照能正确地控制处理室内的基板位置的方式进行对位。在负载锁定室(30)内，设置有进行放置于缓冲器(31、32)上的基板(S)的对位的定位器(33a、33b、33c、33d)。形成矩形的基板(S)在负载锁定室(30)内由定位器(33a、33b、33c、33d)的接触块(36)在四点上被推压，进行X－Y方向的对位。该位置对应于各处理腔室内的处理位置，各处理腔室分别设定。

Description

处理装置和对位方法
技术领域
本发明涉及处理装置和对位方法，详细地说，涉及在平板显示器(FPD)等的制造过程中，玻在璃基板等被处理体的处理中所使用的处理装置和对位方法。
背景技术
作为在FPD的制造过程中，在真空状态下，对作为被处理体的基板进行蚀刻或抛光、成膜等处理的真空处理装置，使用配备有用来进行前述处理的多个真空处理室的所谓多腔式真空处理装置。在这种真空处理装置中，借助开闭自如的门阀设有作为预备真空室的负载锁定室，以便每次把基板装料/卸料于真空处理室内时没有必要使真空处理室内恢复到常压。作为被处理体的基板，在移送到真空处理室前暂时搬入到负载锁定室，负载锁定室内成为与真空处理室同样的真空状态后，移送到上述真空处理室内。
而且，在上述这种处理装置中，在负载锁定室内设置对位机构，以便在由移送机构把基板移送到真空处理室之际，可以放置于正确的处理位置，因此提出了把基板对位于规定的位置后，由移送机构移送到真空处理室的方法(例如，专利文献1)。
此外，虽然是关于半导体晶片的处理装置，但是为了防止晶片的位置错动，把在移送机构的移送臂的移动路径上进行晶片交接的位置等信息作为位置坐标存储于计算机。提出了所谓进行示教的方法(例如，专利文献2)。
【专利文献1】特开2002-57205号公报(权利要求书等)
【专利文献2】特开2000-127069号公报(权利要求书等)
上述专利文献1的对位机构，因为是定位于负载锁定室内的一个位置的对位机构，故存在着以下的问题。
首先，在备有多个真空处理室的处理装置中，把有移送机构的移送室和各真空处理室的相对位置完全同样地取齐是困难的，往往真空处理室相对于移送室产生微小的位置错动。这种‘位置错动’起因于设置真空处理室之际的设置误差。可是，由于如前所述在负载锁定室内，在一个位置进行固定的定位，所以即使在负载锁定室内进行定位，在移送到设置位置上有略微错位的各真空处理室的状态下，就无法把基板放在真空处理室内的正确的处理位置上。结果真空处理室与基板的相对位置也是每个真空处理室都参差不齐，成为进行精密处理的妨碍。因而，在多个真空处理室中进行相同内容的处理(例如蚀刻)等之际，除了因真空处理室成为蚀刻精度或成品率等处理内容上产生差别的原因之外，即使在多个真空处理室中进行不同内容的处理(例如，蚀刻与抛光等)的情况下也成为降低处理精度的原因。
因此，在负载锁定室内不仅进行基板的定位，进而，像专利文献2那样，有必要通过对移送机构实施精密的示教，使得真空处理室内的处理位置上不产生偏差。在该示教中，对移送机构的移送臂的动作进行调整，使得在每个真空处理室中改变，成为对于多个真空处理室平均的某种程度的精度。但是，在这种情况下，因为成为对负载锁定室内的一个位置按真空处理室的数进行调整的一对多的对应关系的示教，故调整中需要很多作业工作量，而且移送机构的控制也变得非常复杂。
此外，上述真空处理室内的处理位置的偏差随着基板尺寸的大型化，正在成为更加深刻的问题。例如，如图9中所示，因为在长边为2200mm尺寸的矩形的基板S的情况下，即使真空处理室100与基板S的角度的错动，在基板S的搬入口G侧仅为0.025°，在真空处理室100的进深侧，也发生最大1mm的错动，故担心对处理精度的影响。而且，在各个真空处理室内处理位置的错动越大，则对移送机构的示教引起的对应也变得越困难。
发明内容
本发明是鉴于上述实际情况而作成的，目的在于提供一种即使在具有多个处理室的情况下，也可以正确地控制处理室内的处理位置的处理装置和对位方法。
为了解决上述课题，本发明的第1观点，提供一种处理装置，具有：用来处理被处理体的多个处理室；向前述处理室移送被处理体的移送机构；在由前述移送机构把被处理体向前述处理室移送前，在前述处理室的外部进行被处理体的定位的对位机构；针对前述多个处理室的每一个，对应于该处理室内的被处理体的处理位置存储前述对位机构的位置的存储机构；以及基于存储于前述存储机构的前述位置控制前述对位机构的控制机构。
在第1观点的处理装置中，由于具有对应于处理室内的被处理体的处理位置而存储根据对位机构得到的位置的存储机构，和基于存储在该存储机构中的位置控制对位机构的控制机构，所以通过预先将与移送被处理体的预定的处理室相对应的位置存储于存储机构，可以在处理室中分别进行对位。因而，在把对位了的被处理体移送到处理室的情况下，与处理室的设置错动无关，可以移送到正规的处理位置。
在上述第1观点中，前述对位机构可以具有通过从相互正交的两个方向接触于前述被处理体而进行定位的多个接触部。通过从正交的两个方向接触于被处理体，在例如被处理体是矩形的基板的情况下，可以可靠地对位。在此情况下，优选是前述多个接触部相互独立地位移而与被处理体接触。借此，高精度的对位成为可能，即使处理室的错动很小也可以反映于对位。
此外，优选是前述处理室是在真空状态下对被处理体进行处理的真空处理室。在此情况下，可以具有连接于前述真空处理室且具有前述移送机构的移送室，和连接于该移送室，具有前述对位机构的预备真空室。
此外，前述真空处理室的至少一个，可以是对被处理体进行干蚀刻的处理室。
此外，前述被处理体也可以为矩形的玻璃基板。
此外，前述处理装置也可以用在平板显示器的制造中。
本发明的第2观点提供一种在处理装置中在处理被处理体之前进行定位的对位方法，所述处理装置具有用来处理被处理体的多个处理室；向前述处理室移送被处理体的移送机构；在由前述移送机构把被处理体向前述处理室移送前，在前述处理室的外部的定位室中进行被处理体的定位的对位机构；在前述多个处理室中，对应于该处理室内的被处理体的处理位置存储前述对位机构确定的位置的存储机构；以及基于存储于前述存储机构的前述位置控制前述对位机构的控制机构，其中，从前述存储机构读出对应于进行处理的预定的前述处理室的前述位置，进行前述对位机构确定的定位。
在第2观点中，通过从存储机构读出对应于进行处理的预定处理室的位置而进行对位机构的定位，考虑处理室的设置错动等的定位成为可能。因此，正确地控制移送到处理室内的被处理体的处理位置成为可能，可以提高蚀刻等的处理精度，并且在多个处理室中进行相同内容的处理的情况下，可以实现处理的均匀性。
在第2观点中，在前述存储机构中存储前述位置的工序可以包括：
把被处理体搬入到前述处理室的任一个中，放置在处理位置的步骤，
通过前述移送机构，从前述处理室向前述定位室内，以保持与前述处理室中的前述处理位置的对应关系的状态，移送对位完毕的被处理体的步骤，以及
基于向前述定位室内移送的被处理体的位置，设定前述对位机构，作为对应于前述处理室的位置存储于前述存储机构的步骤。
这样，通过处理室和定位室的一一对应关系，可以容易地确定对应于处理室的位置，并且所确定的位置可正确地反映处理室的位置错动。因而，在处理时，通过像这样在所确定的位置上进行定位，可以可靠地控制处理室移送时的被处理体的位置。此外，由于不需要像历来那样，对移送臂的高精度的示教，所以可以节减示教中所需要的作业工作量与时间。
此外，前述定位室优选为预备真空室。
根据本发明的第3观点，可以提供一种控制程序，其特征在于，在计算机上动作，在执行时控制前述处理装置以便进行上述第2观点的对位方法。
根据本发明的第4观点，可以提供一种计算机存储媒体，其存储在计算机上动作的控制程序，前述控制程序在执行时控制前述处理装置，以便进行上述第2观点的对位方法。
根据本发明，通过在各个处理室中分别进行对位，在将于处理室外部完成对位的被处理体移送到处理室中的情况下，与处理室的设置位置错动无关，可以放置于正规的位置。而且，由于不需要像历来那样向移送臂的高精度的示教，所以可以节减示教中所需要的作业工作量与时间。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的概要的立体图。
图2是图1的等离子体处理装置的水平剖视图。
图3是表示控制部的概略构成的图。
图4是表示负载锁定室的内部构成的立体图。
图5是表示定位器的对位的顺序的流程图。
图6是表示对位之际的负载锁定室内的状态的说明图。
图7是表示基板处理的顺序的流程图。
图8是说明定位位置的图。
图9是用来说明处理室内的基板位置的错动的示意图。
标号说明：1等离子体处理装置；10a、10b、10c处理腔室；20移送室；30负载锁定室；31、32缓冲器；33a、33b、33c、33d定位器；34致动器部；35杆；36接触块；50移送机构；60控制部；61过程控制器；62用户接口；63存储部。
具体实施方式
下面，参照附图，就本发明的优选方式进行说明。这里，举例说明对FPD用玻璃基板(以下，仅记为‘基板’)S进行蚀刻处理用的多腔式的等离子体处理装置。这里，作为FPD，举例有液晶显示器(LCD)，发光二极管(LED)显示器，电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器，荧光显示管(Vacuum Fluorescent Display：VFD)，等离子体显示器(PDP)等。
图1是表示等离子体处理装置的概观的立体图，图2是表示其内部的水平剖视图。另外，在图1和图2中省略了细部的图示。
该等离子体处理装置1，在其中央部连接设置着移送室20和负载锁定室30。在移送室20的周围，配置着三个处理腔室10a、10b、10c。这样，等离子体处理装置1因为具有三个处理腔室10a、10b、10c，所以例如可以其中两个处理腔室作为蚀刻处理室而构成，剩下一个处理腔室作为抛光处理室而构成，或者把三个处理腔室全都作为进行相同处理的蚀刻处理室或抛光处理室而构成。另外，处理腔室的数量不限于三个，也可以在移送室20的周围配置例如八个。
移送室20与负载锁定室30之间，移送室20与各处理腔室10a、10b、10c之间，以及在连通负载锁定室30与外侧的大气环境的开口部中分别插装气密地密封它们之间，而且能够开闭地构成的门阀22。
在负载锁定室30的外侧，设有两个盒子分度器41，在其上分别放置着收容基板S的盒子40。在这些盒子40的一方例如可以收容未处理基板，在另一方收容处理完的基板。这些盒子40能够由升降机构42升降。
在这两个盒子40之间，在支持台44上设有基板移送机构43，该移送机构43具备设置成上下两段的臂45、46以及支持它们的底座47，该底座使所述臂能够一体地进出退避和旋转。
在臂45、46上形成支持基板S的四个突起48。突起48由摩擦系数高的合成橡胶制的弹性体组成，在基板支持中可以防止基板S错动或跌落。
前述处理腔室10a、10b、10c的内部空间可保持在规定的减压气氛，在其内部例如可以进行蚀刻处理。另外，处理腔室10a、10b、10c的基本构成大致相同。
移送室20可与真空处理室同样地保持规定的减压气氛，在其中，如图2中所示，配置着移送机构50。而且，由该移送机构50，在负载锁定室30和三个处理腔室10a、10b、10c之间移送基板S。
移送机构50具有设在底座51的一端，能够转动地设在底座51上的第1臂52；能够转动地设在第1臂52的前端部的第2臂53；以及能够转动地设在第2臂53上，支持基板S的叉子状的基板支持板54，通过由内藏于底座51的驱动机构驱动第1臂52、第2臂53和基板支持板54，可移送基板S。此外，底座51成为能够上下动而且能够旋转。
负载锁定室30可与各处理腔室10和移送室20同样保持于规定的减压气氛，在其中设有一对用来支持基板S的缓冲器31、32。此外，在负载锁定室30中，在形成矩形的基板S的相对的角部附近配置着进行对位的定位器33a、33b、33c、33d。
等离子体处理装置1的各构成部成为连接于控制部60并受其控制的构成(在图1中省略图示)。控制部60的概要示于图3。控制部60配备着备有CPU的过程控制器61，该过程控制器61上连接着用户接口62，该用户接口由工序管理者为了管理等离子体处理装置1而进行命令的输入操作等的键盘，和把等离子体处理装置1的工作状况可视化地显示的显示器等组成。
此外，在等离子体处理装置1上连接着存储部63，该存储部存储用于通过过程控制器61的控制而实现在等离子体处理装置1中进行的各种处理的控制程序(软件)和记录有处理条件数据的处方等。
而且，根据需要，由来自用户接口62的指示等从存储部63调出任意的处方，在过程控制器61中实行，在过程控制器61的控制下，进行等离子体处理装置1中需要的处理。此外，例如把对应于各处理腔室10a、10b、10c的位置信息预先存储于存储部63中，在确定处理基板S的处理腔室的阶段，从存储部63读出对应于该处理腔室的位置信息，可由定位器33a、33b、33c、33d实施定位。
前述控制程序或处理条件数据等处方可在存储于计算机能够读取的存储媒体，例如CD-ROM，硬盘、软盘、闪存存储器等的状态下使用，或者可从其他装置，例如借助专用线路随时传送地在线使用。
接下来，参照图4～图8，对本发明的对位机构和对位方法进行说明。图4是表示负载锁定室30的内部构成的立体图。图4中，未处理的基板S从大气侧开口部30a被搬入到负载锁定室30内，如粗箭头所示从真空侧开口部30b向移送室20搬出。
在负载锁定室30内，设有把基板S暂时地放置于内部而保持它们的缓冲机构。具体地说，缓冲机构由彼此相对配置的缓冲器31、32构成。缓冲器31具有向缓冲器32侧突出的搁板状的放置部31a，同样缓冲器32具有向缓冲器31侧突出的搁板状的放置部32a。在这些放置部31a、32a上，构成为可以支持基板S的里面的边缘部。另外，也可以把缓冲器31、32的放置部31a和32a设成多段，例如两段，以便可以放置多个基板S。
在负载锁定室30内，配置着用来进行放置于缓冲器31、32上的基板S的对位的定位器33a、33b、33c和33d。这些定位器33a、33b，和定位器33c、33d隔着基板载置区域配置于彼此大致对称的位置上，以便接触于基板S的相对的两个角部附近而从四点定位。
各定位器33a、33b、33c和33d的基本构成是相同的。也就是说，各定位器33a、33b、33c、33d由内藏例如未图示的步进电动机的致动器部34、通过该致动器部34的动力在直线方向上进退的杆35、以及设在该杆35的前端且接触于基板S的端部并轻轻推压它的接触块36构成。另外，定位器33a、33b、33c、33d只要能够接触于基板S而对位就可以了，并不限于本实施方式的构成。
非工作状态的各定位器33a、33b、33c、33d例如可以由未图示的升降机构在垂直方向上位于退避位置上，以便不成为把基板S搬入到负载锁定室30之际的障碍。另外，也可以把定位器33a、33b、33c、33d固定地配置于与基板S的移送路径错开的位置。例如，对图4的情况进行说明，通过把定位器33b并列配置于定位器33a的旁边，把定位器33d并列配置于定位器33c的旁边，并且通过在定位器33b、33d的前端，装有将杆35的推压方向变换成正交方向(从X方向到Y方向)的已知的方向变换机构可以实现。
致动器部34与未图示的电源连接，由内藏的前述步进电动机把电能变换成机械能，使杆35在图4中两端箭头所示的方向上仅按规定的位移量位移。致动器部34只要是在任意的位置上停止杆35的位移，具有能够定位的多点定位功能，不论其工作原理或种类如何，例如，也能够使用电磁铁马达、电磁铁、压电元件、汽缸等。
接触块36装设于杆35的前端，由在接触于基板S之际不在基板S上产生划伤或破损，而且不容易出现与基板S的接触产生的微粒的材质来构成。例如可以使用具有一定弹性的合成树脂等材质，优选用聚四氟乙烯等氟类树脂。此外，从提高对位的精度的观点来说，优选接触块36在水平方向上点接触于基板S的端部，例如，如图所示优选是前端取为圆弧状地突出的形状。
形成矩形的基板S，在负载锁定室30内，由定位器33a、33b、33c、33d的接触块36在四点处接触，进行X-Y方向的对位。此时所对位的基板S的位置，如后所述，对应于各处理腔室10a、10b、10c内的处理位置，就各处理腔室10a、10b、10e而言，可以分别单独设定。而且，用于在与各处理腔室10a、10b、10c的处理位置相对应的位置上使基板S对位的定位器33a、33b、33c、33d的接触位置，可以以各接触块36的位移量为基础，作为位置信息存储于存储部63。另外，在存储部63中，作为定位器33a、33b、33c、33d的位置信息，除了前述接触位置之外，可以存储例如对应于由移送机构43把基板S从负载锁定室30向大气侧搬出之际的搬出位置的位置信息，和对应于接触块36未接触于基板S的非工作位置(OFF位置)的位置信息。
这样，在负载锁定室30内所调整的对应于各处理腔室10a、10b、10c的基板S的位置(主要是基板S的XY方向的角度)在向移送机构50的叉子状的基板支持板54的交接之际原封不动地保存·传递，反映于由基板支持板54把基板S配置于各处理腔室10a、10b、10c内之际的基板S的处理位置。
另外，虽然实施方式中，为了容易进行微调整，所以定位器33a、33b、33c、33d全都备有可动式的杆35和接触块36，形成为在4个接触部位处在XY方向上一边轻轻推压一边推入基板S而对位的构成，但是也可以定位器33a、33b或33c、33d的任一组不为可动式而是固定于一定位置。例如，可使定位器33a、33b为固定式，通过定位器33c、33d的推压来进行对位。
因为近年的基板S的大型化，处理腔室10a、10b、10c也处于大型化的倾向，故即使设置处理腔室10a、10b、10c之际的误差很小，基板S的配置位置的错动也容易变得很大。历来因为在负载锁定室30内在一个位置上进行对位，故处理腔室10a、10b、10c的设置位置的微小的误差都会反映于处理腔室内的相对的基板S的配置上，存在着影响处理的危险。因此，通过针对处理腔室10a、10b、10c分别示教移送机构50的动作，进行配置位置的微调整。但是，为了精密地示教移送机构50的动作，以便可以对应于处理腔室10a、10b、10c的位置的微小的错动，需要很大的作业工作量。也就是说，历来，在负载锁定室30内所进行的定位中，即使向移送机构50(第1臂52，第2臂53和基板支持板54)的交接位置可以统一，在各处理腔室10a、10b、10c内的基板S的位置上也产生偏差。
在本发明中，不仅进行移送机构50与基板支持板54的交接用的负载锁定室30内的定位，而且考虑各处理腔室10a、10b、10c中固有的微小的设置位置的不同，在负载锁定室30内在多个位置上进行定位，由此基板S在搬入到各处理腔室10a、10b、10c的状态下，在任何处理腔室10a、10b、10c中都可控制成腔室与基板S的相对的位置关系相同。因为使用定位器33a、33b、33c、33d的这种控制，使各处理腔室10a、10b、10c中的正确的处理位置与定位器33a、33b、33c、33d的接触位置1∶1地对应就可以了，故可以极其简单地，且容易地实施。因此，与历来的向移送机构50的示教相比，可以格外容易地，且可靠地规定各处理腔室10a、10b、10c中的配置位置。
接下来，参照图5和图6，对本实施方式中的对位方法进行详细说明。图5是表示举例处理腔室10a的情况下的对位顺序的流程图。图6是示意地表示对位之际的处理腔室10a和负载锁定室30内的状态的说明图。
如图6(a)中所示，首先，由基板支持板54移送基板S，搬入到处理腔室10a后，考虑与处理腔室10a的相对的位置，对位于正确的处理位置，进行设置(步骤S10)。另外，这里因为目的是进行处理腔室10a中的正确的对位，所以在把基板S搬入到处理腔室10a之际，没有必要一定用基板支持板54，也可以通过其他手段例如手动来进行。
接着，如图6(b)中所示，用基板支持板54取出设置于处理腔室10a内的基板S，搬送到负载锁定室30，放置于缓冲器31、32上(步骤S11)。此时，基板S的放置位置反映着前述处理腔室10a内的正确的处理位置。在此状态下，使定位器33a、33b、33c、33d工作而使杆35延伸，按照不挪动基板S的方式使接触块36接近，如图6(c)中所示，接触于基板S(步骤S12)。这样一来，对应于处理腔室10a的负载锁定室30内的基板S的位置被确定。该位置以定位器33a、33b、33c、33d中的各接触块36的位移量(杆35的进出量)为基础，作为对应于处理腔室10a的位置信息，送出到控制部60，存储于存储器63(步骤S13)。
像以上这样，通过图5中所示的步骤S10～步骤S13的顺序，可以确定对应于处理腔室10a的定位器33a、33b、33c、33d的接触位置，作为位置信息存储。通过根据处理腔室的个数(在本实施方式中，处理腔室有三个，为10a、10b、10c)重复该顺序，可以针对各处理腔室，确定定位器33a、33b、33c、33d的接触位置，进行存储。
另外，图6(d)示出基于保存于存储部63的对应于处理腔室10a的位置，对未处理的基板S在负载锁定室30内进行对位的状态。包括该阶段的基板处置顺序的一个例子示于图7的流程图。首先，按照通常的处理流程，由基板移送机构43把基板S搬入到负载锁定室30，放置于缓冲器31、32上(步骤S20)。接着，从处理腔室10a、10b、10c之中，确定预定移送的腔室(步骤S21)。这里，由过程控制器61以各处理腔室10a、10b、10c的状态，例如是否能够使用、是否为处于处理目的的腔室、以及上一个基板S的处理进展情况等为基础，确定移送目的地的腔室。然后，在步骤S22中，从控制部60的存储部63读出对应于所确定的移送目的地的处理腔室(例如处理腔室10a)的位置信息。该处理通过过程控制器61来进行。
接着，在步骤S23里，基于所读出的位置信息，过程控制器61使定位器33a、33b、33c、33d工作，例如按照在处理腔室10a中成为固有位置的方式实施基板S的定位。具体地说，如图8中所示，相对于由大气侧的基板移送机构43所搬入的位置(搬入位置)，在移送目的地的处理腔室10a中作为固有的位置，例如按照成为位置A的方式进行基板S的定位。另外，在例如移送目的地为处理腔室10b的情况下，位置B被选择，在移送目的地为处理腔室10c的情况下，位置C被选择。另外，在图8中，为了说明的便利，仅图示基板S的一部分和定位器33a、33b，并且比实际更强调了各位置中的基板S的位置(角度等)。
定位结束后，使定位器33a、33b、33c、33d退避，由基板支持板54把基板S从负载锁定室30搬出，移送到所选择的处理腔室(例如，处理腔室10a)(步骤S24)。然后，在处理腔室10a内，进行等离子体蚀刻处理等处理(步骤S25)。此时，因为基板S在处理腔室10a内放置于正规的处理位置，故可实现不产生处理不匀的高精度的处理。
另外，对基板S实施规定的处理后，由基板支持板54从处理腔室10a搬出基板S，再次搬入到负载锁定室30。此时，优选是使定位器33a、33b、33c、33d再次动作，使基板S对位于搬出位置。该搬出位置与基板S从大气侧最初搬入到负载锁定室30时的作为初始位置的前述搬入位置(参照图8)是相同的，该位置信息也可以预先存储于存储部63。这样，通过把完成处理的基板S在负载锁定室30内复位于作为原始位置的搬出位置，可以顺利地进行用例如大气侧的基板移送机构43取出基板S收容于盒子40之际的交接。
另外，本发明不限于上述实施方式，种种的变形是可能的。例如，作为被处理体，不限于FPD用的玻璃基板，也可以是半导体晶片。
进而，虽然在上述实施方式中在负载锁定室30内配备定位器33a、33b、33c、33d，但是也可以把定位器33a、33b、33c、33d配备于例如移送室20内，在该情况下通过进行对应于处理腔室10a、10b、10c的对位，也可以得到与上述同样的效果。进而，也可以设置用来定位的专用腔室(例如定位腔室)，在其中配备定位器33a、33b、33c、33d而进行对位。

Claims (13)

1.一种处理装置，其特征在于，具有：
用来处理被处理体的多个处理室；
向所述处理室移送被处理体的移送机构；
对位机构，所述对位机构在由所述移送机构将被处理体向所述处理室移送前，在所述处理室的外部进行被处理体的定位；
存储机构，所述存储机构使根据所述对位机构得到的位置在所述多个处理室的每一个中，与该处理室内的被处理体的处理位置相对应地进行存储；以及
控制机构，所述控制机构基于存储在所述存储机构中的所述位置对所述对位机构进行控制。
2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述对位机构具有多个接触部，所述接触部通过从相互正交的两个方向接触于所述被处理体而进行定位。
3.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于，所述多个接触部相互独立地位移而与被处理体接触。
4.如权利要求1～3中任一项中所述的处理装置，其特征在于，所述处理室是在真空状态下对被处理体进行处理的真空处理室。
5.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于，具备：连接于所述真空处理室且具有所述移送机构的移送室；以及连接于该移送室且具有所述对位机构的预备真空室。
6.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于，所述真空处理室的至少一个是对被处理体进行干蚀刻的处理室。
7.如权利要求6所述的处理装置，其特征在于，所述被处理体为矩形的玻璃基板。
8.如权利要求7所述的处理装置，其特征在于，其被使用在平板显示器的制造中。
9.一种对位方法，该对位方法在处理被处理体之前，在处理装置中进行定位，其特征在于，所述处理装置具备：
用于处理被处理体的多个处理室，
向所述处理室移送被处理体的移送机构，
对位机构，所述对位机构在由所述移送机构将被处理体向所述处理室移送之前，在所述处理室的外部的定位室中进行被处理体的定位，
存储机构，所述存储机构使根据所述对位机构得到的位置在所述多个处理室的每一个中，与该处理室内的被处理体的处理位置相对应地进行存储；以及
控制机构，所述控制机构基于存储在所述存储机构中的所述位置对所述对位机构进行控制，
从所述存储机构读出与要进行处理的预定的所述处理室相对应的所述位置，进行根据所述对位机构得到的定位。
10.如权利要求9所述的对位方法，其特征在于，
使所述位置存储在所述存储机构中的工序包括：
把被处理体搬入到所述处理室的任一个中，放置于处理位置的步骤；
通过所述移送机构，将对位完毕的被处理体以保持与所述处理室中的所述处理位置的对应关系的状态，从所述处理室向所述定位室内移送的步骤；以及
基于向所述定位室内移送的被处理体的位置，调节所述对位机构，作为对应于所述处理室的位置而存储于所述存储机构中的步骤。
11.如权利要求9或10所述的对位方法，其特征在于，所述定位室是预备真空室。
12.一种控制程序，其特征在于，在计算机上动作、执行时，按照进行权利要求9～11中任一项所述的对位方法的方式，控制所述处理装置。
13.一种计算机存储媒体，其存储在计算机上动作的控制程序，其特征在于，所述控制程序在执行时，按照进行权利要求9～11中任一项所述的对位方法的方式，控制所述处理装置。
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