CN110039189B - 切割设备、切割方法、和显示面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本揭示提供一种切割设备、切割方法、和显示面板的制造方法。切割设备，包括：承载台，包含第一面和相对所述第一面的第二面，其中所述第一面用于放置基板，以及所述基板包含对位标志和切割线，且所述基板的所述对位标志与所述切割线在第一方向上相隔一距离；对位系统，设置在相对于所述承载台的所述第一面的一侧，用于对准所述基板的所述对位标志；移动装置，与所述对位系统连接，用于带动所述对位系统沿着第一方向相对所述承载台水平移动；以及激光头，设置在相对于所述承载台的所述第二面的一侧，用于沿着所述基板的所述切割线切割所述基板。

Description

切割设备、切割方法、和显示面板的制造方法

技术领域

本揭示涉及显示装置领域，特别是涉及一种用于显示面板的切割设备及其切割方法、和显示面板的制造方法。

背景技术

在有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示面板生产过程中，需要使用激光切割设备将显示面板的基板根据对位标志切成符合蒸镀机需求的尺寸。为实现以上工艺，必须先由对位成像系统读取基板的对位标志，接着通过激光头沿着切割线将基板切割成符合要求的尺寸。

随着OLED的基板尺寸逐渐增加，受限于薄膜晶体管阵列的制程能力，无法在切割线的位置制作对位标志，造成对位标志与切割线有一定距离。现有切割设备因对位成像系统和激光头在同一垂直面上，读取对位标志后，需要工作台带动基板移动使得切割线与激光头处于同一垂直面，然后进行切割。也就是说，在现有的生产方法中，工作台需要频繁往返移动，不仅影响生产效率，而且影响了影响切割精度。并且，因工作台频繁往返移动，容易降低切割设备的运动机构的寿命。

有鉴于此，有必要提出一种切割设备，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

为解决上述现有技术的问题，本揭示的目的在于提供一种切割设备，其可提高生产效率和切割精度，以及提升切割设备的稳定性。

为达成上述目的，本揭示提供一种切割设备，包括：承载台，包含第一面和相对所述第一面的第二面，其中所述第一面用于放置基板，以及所述基板包含对位标志和切割线，且所述基板的所述对位标志与所述切割线在第一方向上相隔一距离；对位系统，设置在相对于所述承载台的所述第一面的一侧，用于对准所述基板的所述对位标志；移动装置，与所述对位系统连接，用于带动所述对位系统沿着第一方向相对所述承载台水平移动；以及激光头，设置在相对于所述承载台的所述第二面的一侧，用于沿着所述基板的所述切割线切割所述基板。

本揭示其中之一优选实施例中，所述切割设备还包含基座，且所述承载台设置在所述基座上，其中所述承载台可沿着所述第一方向相对所述基座移动。

本揭示其中之一优选实施例中，所述切割设备包含原点模式和切割模式，且当所述切割设备设定在所述原点模式时，所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述切割线彼此对准；以及当所述切割设备设定在所述切割模式时，所述对位系统对准所述基板的所述对位标志，且所述激光头对准所述基板的所述切割线。

本揭示还提供一种切割方法，所述切割方法适用于切割设备，且所述切割设备包含承载台、对位系统、移动装置、和激光头，其中所述对位系统和所述激光头分别位在所述承载台的相对两侧，且所述移动装置与所述对位系统连接，以及所述切割方法包含：在所述承载台上放置基板，其中所述基板包含对位标志和切割线，且所述基板的所述对位标志与所述切割线在第一方向上相隔一距离；控制所述切割设备设定在原点模式，其中当所述切割设备设定在所述原点模式时，所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述切割线彼此对准；通过所述移动装置控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述基板的所述对位标志；以及控制所述激光头沿着所述切割线切割所述基板。

本揭示其中之一优选实施例中，在控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述基板的所述对位标志之后还包含：建立所述切割设备的切割模式，其中当所述切割设备设定在所述切割模式时，所述对位系统对准所述基板的所述对位标志，且所述激光头对准所述基板的所述切割线。

本揭示其中之一优选实施例中，在控制所述激光头沿着所述切割线切割所述基板之后，所述切割方法还包含：移除所述基板；放置另一基板在所述承载台上；将所述切割设备设定在所述切割模式；以及判断所述对位系统是否对准所述另一基板的对位标志，若是，控制所述激光头沿着切割线切割所述另一基板，若否，控制所述切割设备复归到所述原点模式。

本揭示其中之一优选实施例中，在控制所述切割设备设定在所述原点模式之前，所述切割方法还包含：控制所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述对位标志彼此对准；以及控制所述承载台带动所述基板沿着所述第一方向移动所述距离，使得所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述切割线彼此对准，以建立所述切割设备的所述原点模式。

本揭示还提供一种显示面板的制造方法，包含：形成薄膜晶体管阵列基板，其中所述薄膜晶体管阵列基板包含对位标志和切割线，且所述薄膜晶体管阵列基板的所述对位标志与所述切割线在第一方向上相隔一距离；将所述薄膜晶体管阵列基板放置切割设备的承载台上，其中所述切割设备包含所述承载台、对位系统、移动装置、和激光头，且所述对位系统和所述激光头分别位在所述承载台的相对两侧，以及所述移动装置与所述对位系统连接；控制所述切割设备设定在原点模式，其中当所述切割设备设定在所述原点模式时，所述对位系统、所述激光头、和所述薄膜晶体管阵列基板的所述切割线彼此对准；通过所述移动装置控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述薄膜晶体管阵列基板的所述对位标志；以及控制所述激光头沿着所述切割线切割所述薄膜晶体管阵列基板；以及在切割后的薄膜晶体管阵列基板上形成有机发光层。

本揭示其中之一优选实施例中，在控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述基板的所述对位标志之后还包含：建立所述切割设备的切割模式，其中当所述切割设备设定在所述切割模式时，所述对位系统对准所述基板的所述对位标志，且所述激光头对准所述基板的所述切割线；以及在控制所述激光头沿着所述切割线切割所述基板之后，所述切割方法还包含：移除所述薄膜晶体管阵列基板；放置另一薄膜晶体管阵列基板在所述承载台上；将所述切割设备设定在所述切割模式；以及判断所述对位系统是否对准所述另一薄膜晶体管阵列基板的对位标志，若是，控制所述激光头沿着切割线切割所述另一薄膜晶体管阵列基板，若否，控制所述切割设备停止所述另一基板的切割作业。

本揭示其中之一优选实施例中，在控制所述切割设备设定在所述原点模式之前，所述切割方法还包含：控制所述对位系统、所述激光头、和所述薄膜晶体管阵列基板的所述对位标志彼此对准；以及控制所述承载台带动所述薄膜晶体管阵列基板沿着所述第一方向移动所述距离，使得所述对位系统、所述激光头、和所述薄膜晶体管阵列基板的所述切割线彼此对准，以建立所述切割设备的所述原点模式。

相较于先前技术，在本揭示中，在切割设备设置与对位系统连接的移动装置，使得切割设备可快速地完成多片具有相同待切割图案的基板的切割作业。具体来说，只需在第一片基板的切割作业时，通过承载台带动基板沿着X方向水平移动和通过移动装置带动对位系统沿着X方向相对承载台水平移动，以完成切割设备的原点模式和切割模式的参数的建立。接着，在后续其他基板的切割作业时，只须通过对位系统确认是否对准基板的对位标志，若是，即可在对位系统与承载台皆保持在不移动的情况下完成切割作业。藉此设计，可避免切割设备的承载台频繁移动进行对位，减少影响切割精度的变因，进而提升切割机台的稳定性和切割精度。再者，在后续其他基板的切割作业时，省略切割设备的承载台的移动动作，可降低工艺时间，提升生产效率。

附图说明

图1显示根据本揭示优选实施例的切割设备的示意图。

图2显示根据本揭示优选实施例的显示面板的示意图。

具体实施方式

为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

请参照图1，其显示根据本揭示优选实施例的切割设备1的示意图。切割设备1是用于切割显示面板的基板2，特别是用于切割形成有薄膜晶体管阵列的基板。应当注意的是，待切割的基板2上形成有对位标志20和切割线21，其中对位标志20为实体存在的线。然而，可选地，切割线21可为实体存在的线，或者是虚拟的线，不局限于此。并且，基板2的对位标志20与切割线21在第一方向(即，X方向)上相隔一距离3，且切割线21沿着第二方向(即，Y方向)延伸。

如图1所示，切割设备1包含主机、基座10、承载台11、对位系统12、移动装置13、和激光头14。基座10固定在稳固的水平面上，如地面、桌面等。承载台11包含第一面111和相对第一面111的第二面112。承载台11的第一面111用于放置基板2，以及承载台11的第二面112与基座10可移动地连接。具体来说，承载台11设置在基座10上且与主机电连接，使得承载台11通过主机的控制可沿着X方向相对基座10移动。对位系统12和移动装置13设置在相对于承载台11的第一面111的一侧，其中对位系统12与移动装置13连接。可选地，移动装置13可直接或间接地连接至基座10。并且，移动装置13与主机电连接。通过主机的控制，移动装置13可带动对位系统12沿着X方向相对承载台11水平移动。对位系统12与主机电连接，并且通过主机的控制可使得对位系统12移动至对准基板2的对位标志20。激光头14设置在相对于承载台11的第二面112的一侧。激光头14与主机电连接，并且通过主机的控制可使得激光头14沿着基板2的切割线21切割基板2。

本实施例的切割设备1包含原点模式和切割模式，并且原点模式和切割模式的参数分别存储在主机的存储单元中。当切割设备1设定在原点模式时，对位系统12、激光头14、和基板2的切割线21彼此在同一垂直线上对准。又，如图1所示，当切割设备1设定在切割模式时，对位系统12对准基板2的对位标志20，且激光头14对准基板2的切割线21。

本揭示还提供一种显示面板的切割方法，其是通过上述切割设备1来实施。并且，切割方法包含下列步骤。

首先，在切割设备1的主机中存入关于基板2的待切割图案的相关参数，并且在切割设备1的承载台11上放置基板2。接着，通过主机控制对位系统12、激光头14、和基板2的对位标志20彼此在同一垂直线上对准。在此步骤中，可先将对位系统12和激光头14彼此对准，且将两者绑定在一起，其中绑定的意思是指对位系统12和激光头14两者会一起移动相同的步距。也就是说，在将对位系统12移动至对准基板2的对位标志20时，激光头14会随着对位系统12一起移动至对准基板2的对位标志20的位置。接着，主机根据内存的关于基板2的待切割图案的相关参数，控制承载台11带动基板2沿着X方向移动一距离3，其中所述距离3为基板2的对位标志20与切割线21的距离。也就是说，承载台11移动后，对位系统12、激光头14、和基板2的切割线21彼此在同一垂直线上对准。因此，完成切割设备1的原点模式的建立。

接着，如图1所示，通过移动装置13控制对位系统12沿着X方向移动至对准基板2的对位标志20。此时，激光头14基板2的切割线21保持在同一垂直线上对准。并且，通过主机获取切割设备1在此状态下的相关参数，以完成切割设备1的切割模式的建立。

接着，控制激光头14沿着基板2的切割线21切割基板2。

在基板2切割完成后，将基板2从切割设备1上移除，并且接续放置与基板2具有相同的切割图案的另一片基板在切割设备1的承载台11上。此时，将切割设备1设定在切割模式。接着，通过主机判断对位系统12是否对准该基板的对位标志，若是，则主机控制激光头14沿着切割线切割该基板，若否，则主机停止该基板的切割作业。可选地，在停止切割作业后，主机可控制切割设备1复归到原点模式，或者是将该基板从切割设备1上移除，并且接续放置与基板2具有相同的切割图案的其他片基板在切割设备1的承载台11上。

在本揭示中，在切割设备1设置与对位系统12连接的移动装置13，使得切割设备1可快速地完成多片具有相同待切割图案的基板2的切割作业。具体来说，只需在第一片基板2的切割作业时，通过承载台11带动基板2沿着X方向水平移动和通过移动装置13带动对位系统12沿着X方向相对承载台11水平移动，以完成切割设备1的原点模式和切割模式的参数的建立。接着，在后续其他基板的切割作业时，只须通过对位系统12确认是否对准基板的对位标志，若是，即可在对位系统12与承载台11皆保持在不移动的情况下完成切割作业。藉此设计，可避免切割设备1的承载台11频繁移动进行对位，减少影响切割精度的变因，进而提升切割机台的稳定性和切割精度。再者，在后续其他基板的切割作业时，省略切割设备1的承载台11的移动动作，可降低工艺时间，提升生产效率。

本揭示还提供一种显示面板4的制造方法。请参照图2，其显示根据本揭示优选实施例的显示面板4的示意图。显示面板4的制造方法包含下列步骤：提供多片基板41；在多片基板41上形成薄膜晶体管阵列42，以完成多片薄膜晶体管阵列基板40的制作；切割多片薄膜晶体管阵列基板40；以及在切割后的薄膜晶体管阵列基板40上形成有机发光层43。具体来说，基板41可为玻璃基板或柔性基板。并且，在形成薄膜晶体管阵列基板40时，所述薄膜晶体管阵列基板40包含对位标志和切割线(相似于图1的基板2的对位标志20和切割线21)，且对位标志与切割线在X方向上相隔一距离。应当理解的是，多片薄膜晶体管阵列基板40的切割步骤可由上述的切割设备1和切割方法来实施，在此不加以赘述。再者，将切割后的薄膜晶体管阵列基板40放入蒸镀设备，以在薄膜晶体管阵列基板40上形成有机发光层43。

综上所述，在本揭示中，在切割设备设置与对位系统连接的移动装置，使得切割设备可快速地完成多片具有相同待切割图案的基板的切割作业。具体来说，只需在第一片基板的切割作业时，通过承载台带动基板沿着X方向水平移动和通过移动装置带动对位系统沿着X方向相对承载台水平移动，以完成切割设备的原点模式和切割模式的参数的建立。接着，在后续其他基板的切割作业时，只须通过对位系统确认是否对准基板的对位标志，若是，即可在对位系统与承载台皆保持在不移动的情况下完成切割作业。藉此设计，可避免切割设备的承载台频繁移动进行对位，减少影响切割精度的变因，进而提升切割机台的稳定性和切割精度。再者，在后续其他基板的切割作业时，省略切割设备的承载台的移动动作，可降低工艺时间，提升生产效率。

以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于所属领域技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims (9)

1.一种切割设备，其特征在于，包括：

承载台，包含第一面和相对所述第一面的第二面，其中所述第一面用于放置基板，以及所述基板包含对位标志和切割线，且所述基板的所述对位标志与所述切割线在第一方向上相隔一距离；

对位系统，设置在相对于所述承载台的所述第一面的一侧，用于对准所述基板的所述对位标志；

移动装置，与所述对位系统连接，用于带动所述对位系统沿着第一方向相对所述承载台水平移动；以及

激光头，设置在相对于所述承载台的所述第二面的一侧，用于沿着所述基板的所述切割线切割所述基板，其中所述切割设备包含原点模式和切割模式，且当所述切割设备设定在所述原点模式时，所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述切割线彼此对准；以及当所述切割设备设定在所述切割模式时，所述对位系统对准所述基板的所述对位标志，且所述激光头对准所述基板的所述切割线。

2.如权利要求1的切割设备，其特征在于，所述切割设备还包含基座，且所述承载台设置在所述基座上，其中所述承载台可沿着所述第一方向相对所述基座移动。

3.一种切割方法，其特征在于，所述切割方法适用于切割设备，且所述切割设备包含承载台、对位系统、移动装置、和激光头，其中所述对位系统和所述激光头分别位在所述承载台的相对两侧，且所述移动装置与所述对位系统连接，以及所述切割方法包含：

在所述承载台上放置基板，其中所述基板包含对位标志和切割线，且所述基板的所述对位标志与所述切割线在第一方向上相隔一距离；

控制所述切割设备设定在原点模式，其中当所述切割设备设定在所述原点模式时，所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述切割线彼此对准；

通过所述移动装置控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述基板的所述对位标志；以及

控制所述激光头沿着所述切割线切割所述基板。

4.如权利要求3的切割方法，其特征在于，在控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述基板的所述对位标志之后还包含：建立所述切割设备的切割模式，其中当所述切割设备设定在所述切割模式时，所述对位系统对准所述基板的所述对位标志，且所述激光头对准所述基板的所述切割线。

5.如权利要求4的切割方法，其特征在于，在控制所述激光头沿着所述切割线切割所述基板之后，所述切割方法还包含：

移除所述基板；

放置另一基板在所述承载台上；

将所述切割设备设定在所述切割模式；以及

判断所述对位系统是否对准所述另一基板的对位标志，若是，控制所述激光头沿着切割线切割所述另一基板，若否，控制所述切割设备复归到所述原点模式。

6.如权利要求3的切割方法，其特征在于，在控制所述切割设备设定在所述原点模式之前，所述切割方法还包含：

控制所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述对位标志彼此对准；以及

控制所述承载台带动所述基板沿着所述第一方向移动所述距离，使得所述对位系统、所述激光头、和所述基板的所述切割线彼此对准，以建立所述切割设备的所述原点模式。

7.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包含：

形成薄膜晶体管阵列基板，其中所述薄膜晶体管阵列基板包含对位标志和切割线，且所述薄膜晶体管阵列基板的所述对位标志与所述切割线在第一方向上相隔一距离；

将所述薄膜晶体管阵列基板放置切割设备的承载台上，其中所述切割设备包含所述承载台、对位系统、移动装置、和激光头，且所述对位系统和所述激光头分别位在所述承载台的相对两侧，以及所述移动装置与所述对位系统连接；

控制所述切割设备设定在原点模式，其中当所述切割设备设定在所述原点模式时，所述对位系统、所述激光头、和所述薄膜晶体管阵列基板的所述切割线彼此对准；

通过所述移动装置控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述薄膜晶体管阵列基板的所述对位标志；以及

控制所述激光头沿着所述切割线切割所述薄膜晶体管阵列基板；以及

在切割后的薄膜晶体管阵列基板上形成有机发光层。

8.如权利要求7的显示面板的制造方法，其特征在于，在控制所述对位系统沿着所述第一方向移动至对准所述基板的所述对位标志之后还包含：建立所述切割设备的切割模式，其中当所述切割设备设定在所述切割模式时，所述对位系统对准所述基板的所述对位标志，且所述激光头对准所述基板的所述切割线；以及

在控制所述激光头沿着所述切割线切割所述基板之后，所述制造方法还包含：

移除所述薄膜晶体管阵列基板；

放置另一薄膜晶体管阵列基板在所述承载台上；

将所述切割设备设定在所述切割模式；以及

判断所述对位系统是否对准所述另一薄膜晶体管阵列基板的对位标志，若是，控制所述激光头沿着切割线切割所述另一薄膜晶体管阵列基板，若否，控制所述切割设备停止所述另一薄膜晶体管阵列基板的切割作业。

9.如权利要求7的显示面板的制造方法，其特征在于，在控制所述切割设备设定在所述原点模式之前，所述制造方法还包含：

控制所述对位系统、所述激光头、和所述薄膜晶体管阵列基板的所述对位标志彼此对准；以及

控制所述承载台带动所述薄膜晶体管阵列基板沿着所述第一方向移动所述距离，使得所述对位系统、所述激光头、和所述薄膜晶体管阵列基板的所述切割线彼此对准，以建立所述切割设备的所述原点模式。

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