TWI390657B - Processing device and alignment method - Google Patents

Description

處理裝置及對位方法

本發明是關於處理裝置及對位方法，詳細地關於在平面顯示器(FPD)等的製程中，被使用於玻璃基板等的被處理體之處理的處理裝置及對位方法。

在FDP的製程，對於作為被處理體的基板，作為在真空狀態進行蝕刻或灰化或成膜等處理的真空處理裝置；使用配備有用以進行上述處理的複數真空處理室的所謂多製程室型的真空處理裝置。在此種真空處理裝置，經由開閉自如的閘閥設有預備真空室的真空隔絕室，成為每當將基板載入/載出於真空處理室內時不必將真空處理室恢復至常壓。被處理體的基板是在被搬運到真空處理室之前一旦被搬進真空隔絕室，當真空隔絕室內成為與真空處理室同樣的真空狀態之後，被搬至上述真空處理室內。

如此，在如上述構成的處理裝置中，提案者將基板藉由搬運機構搬運到真空處理室之際，能載置在正確的處理裝置，於真空隔絕室內設置對位機構，而在對位機構將基板對位在所定位置之後，藉由搬運機構搬運到真空處理室的方法(例如，專利文獻1)。

又，有關於半導體晶圓的處理裝置者，惟為了防止晶圓的偏位，提案者將在搬運機構的搬運臂的移動路徑中進行晶圓之交接的位置等的資訊作為位置座標記憶在電腦的 所謂進行教學的方法(例如，專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2002-57205號公報(申請專利範圍等)

專利文獻2：日本特開2000-127069號公報(申請專利範圍等)

上述專利文獻1的對位機構，是因真空隔絕室內的一個位置施以定位的固定式對位機構，因此有如下的問題。

首先，在具備複數真空處理室的處理裝置中，很難將具備搬運機構的搬運室與各真空處理室之相對位置完全一致成同一，而每一真空處理室對於搬運室大都產生些微偏位。此種「偏位」是起因於設置真空處理室之際的設置誤差。然而，如上述地在真空隔絕室內中於一個位置進行固定性定位之故，因而即使在真空隔絕室內進行定位，而在被搬運到於設置位置稍偏離的各真空處理室的狀態中，成為無法將基板放在真空處理室內的正確處理位置。結果，真空處理室與基板的相對位置，而於每一真空處理室也成為參差不齊的結果，對進行精密處理上有所妨礙。因此，在複數真空處理室進行同一內容的處理(例如蝕刻)等之際，除了藉由真空處理室成為在蝕刻精度或良品率等的處理內容產生不同的原因之外，還有在複數對位方法進行不相同的內容處理(例如蝕刻與灰化等)時，也成為降低處理精度的原因。

所以，在真空隔絕室內不僅進行基板定位，還有如專利文獻2地，必須藉由在搬運機構實施精密的教學，而在真空處理室內的處理位置上作成不會產生參差不齊。在該教學中，將搬運機構的搬運臂的動作，每一真空處理室地變更而對於複數真空處理室施以平均成為某一程度的精度方式而加以調整。但是，這時候，對於真空隔絕室內的一個位置，成為進行僅調整真空處理室數的1對多的對應關係的教學之故，固而調整上需要很多作業工數，且搬運機構的控制上也變複雜。

又，上述真空處理室內的處理位置的參差不齊，是隨著基板尺寸的大型化，而逐漸成為深刻的問題。例如第9圖所示地，長邊係為2200mm尺寸的矩形基板S的情形，即使真空處理室100與基板S的角度偏離，在基板S的搬入口G側僅0.025°，而在真空處理室100的深部側也會發生最大1mm的偏差之故，因而對於處理精度的影響被顧慮。而且在各該真空處理室內的處理位置的偏離愈大，對於搬運機構的教學所產生的對應也愈困難。

本發明是鑑於上述事項而創作者，其目的是在於提供具有複數處理室的情形，也可正確地控制處理室內的處理位置的處理裝置及對位方法。

為了解決上述課題，本發明的第1觀點是，提供具備：用以處理被處理體的複數處理室，及將被處理體搬運至上述處理室的搬運手段，及藉由上述搬運手段將被處理體搬運至上述處理室之前，在上述處理室外部進行被處理體的定位的對位手段，及在上述複數之各處理室，將藉由上述對位手段的位置，對應於該處理室內的被處理體的處理位置而加以記憶的記憶手段，及依據被記憶在上述記憶手段的上述位置來控制上述對位手段的控制手段的處理裝置。

在第1觀點的處理裝置，具備，將藉由對位手段的位置對應於處理室內的被處理體的處理位置而加以記憶的記憶手段，及依據被記憶在該記憶手段的位置來控制對位手段的控制手段之故，因而藉由將對應於搬運被處理體的預定處理室的位置事先記憶在記憶手段可進行處理室別的對位。因此經對位的被處理體被搬運到處理室時，不管處理室的偏位，也可搬運至正規的處理裝置。

在上述第1觀點，上述對位手段是可具備：藉由從互相正交的兩個方向抵接於上述被處理體來進行定位的複數抵接部。藉由從正交的2方向抵接於被處理體，在如被處理體的矩形基板的情形，可確實地進行對位。這時候，上述複數抵接部是互相獨立地變位而抵接到被處理體較佳。由此可進行高精度的對位，即使處理室的偏差係為些微也可反映在對位。

又，上述處理室，是對於被處理體以真空狀態進行處理的真空處理室較佳。這時候可具備：被連結於上述真空處理室，具備上述搬運手段的搬運室，及被連結於該搬運室，具備上述對位手段的預備真空室。

又，上述真空處理室的至少一個真空處理室，是對於被處理體進行乾式蝕刻的處理室。

又，上述被處理體是矩形玻璃基板也可以。

又，上述處理裝置是被使用於平面顯示器的製造者也可以。

本發明的第2觀點是提供一種對位方法，屬於具備：用以處理被處理體的複數處理室，及將被處理體搬運至上述處理室的搬運手段，及藉由上述搬運手段將被處理體搬運至上述處理室之前，在上述處理室外部的定位室進行被處理體的定位的對位手段，及在上述複數之各處理室，將藉由上述對位手段的位置，對應於該處理室內的被處理體的處理位置而加以記憶的記憶手段，及依據被記憶在上述記憶手段的上述位置來控制上述對位手段的控制手段的處理裝置中，在被處理體的處理前，進行定位的對位方法，其特徵為：從上述記憶手段讀出對應於進行處理的預定的上述處理室的上述位置而上述對位手段進行定位。

在第2觀點，藉由從記憶手段讀取對應於進行處理預定的處理室的位置而依對位手段進行定位，可成為考慮處理室的偏位等定位。所以可成為正確地控制被搬運到處理室內的被處理體的處理位置，而可提昇蝕刻等的處理精度，並且在複數處理室進行相同內容的處理時，而可實現處理的均勻性。

在第2觀點中，將上述位置記憶在上述記憶手段的工程是包括：將被處理體搬進上述處理室的任一處理室，並載置於處理位置的步驟，及藉由上述搬運手段，將已對位的被處理體在保持與上述處理室的上述處理位置之對應關係的狀態下從上述處理室搬運到上述定位室內的步驟，及依據被搬運到上述定位室內的被處理體的位置，設定上述對位手段，並作為對應於上述處理室的位置而記憶在上述記憶手段的步驟。

構成如此，在處理室與定位室的1對1的對應關係可容易地決定對應於處理室的位置，而所決定的位置是成為反映處理室的偏位等。因此，在處理時，藉由在如此所決定的位置進行定位，可確實地控制處理室搬運時的被處理體的位置。又，如習知地，對於搬運臂的高精度教學是成為不需要，而可節減教學所需的作業工數與時間。

又，上述定位室是預備真空室較佳。

依照本發明的第3觀點，提供在電腦上執行動作，而在執行時，控制上述處理裝置成為執行著上述第2觀點的對位方法作為特徵的控制程式。

依照本發明的第4觀點，提供一種電腦記憶媒體，屬於記憶著在電腦上執行動作的控制程式的電腦記憶媒體，其特徵為：上述控制程式，在執行著上述第2觀點的對位方法。

依照本發明，藉由處理室別地進行對位，在處理室外部被對位的被處理體被搬運到處理室時，與處理室的設置偏位等無關，而可載置在正規位置。而且，如習知地，對於搬運臂的高精度教學成為不需要，因此可節少教學所需的作業工數與時間。

以下，一面參圖式，一面針對於本發明的較佳態樣加以說明。在這裏，將對於FDP用玻璃基板(以下，簡稱為「基板」)S進行蝕刻處理所用的多腔型電漿處理裝置例舉作為例子來進行說明。在此，作為FPD，例示有液晶顯示器(LCD)，發光二極體(LED)顯示器，電激發光(Electro Luminescence；EL)，顯示器，螢光顯示管(Vacuum Fluorescent Display；VFD)，電漿顯示器(PDP)等。

第1圖是表示該電漿處理裝置的概觀立體圖；第2圖是表示其內部的水平斷面圖。又，在第1圖及第2圖中，細部是省略圖示。

該電漿處理裝置1是其中央部連設有搬運室20與真空隔絕室30。在搬運室20的周圍，配設有三個處理室10a、10b、10c。如此地，由於電漿處理裝置1是具有三個處理室10a、10b、10c，因此，例如將兩個處理室構成作為蝕刻處理室，剩下的一個處理室構成作為灰化處理室，或是三個處理室都可構成作為進行同一處理的蝕刻處理室或灰化處理室。又，處理室之數量不被限定在3個，而在搬運室20周圍也可配備例如8個。

在連通搬運室20與真空隔絕室30之間，搬運室20與各處理室10a、10b、10c之間，及真空隔絕室30與外側的大氣環境的開口部，氣密地密封此些之間，且分別介裝著可開閉所構成的閘閥22。

在真空隔絕室30外側設有兩個收容盒指標器41，在其上面載置有分別收容基板S的收容盒40。在此些收容盒40的一方，例如收容未處理基板，而在另一方可收容已處理基板。在此些收容盒40是藉由昇降機構42成為可昇降。

在此些收容盒40之間，於支持台44上設有基板搬運手段43，而該搬運手段43是具備上下兩段地所設置的臂部45、46，及一體地進出躲避及可旋轉地支持此些的底座47。

在臂部45、46形成有支持基板S的4個突起48。突起48是由高摩擦係數的合成橡膠製的彈性體所構成，以防止支持基板中，基板S偏離或掉落的情形。

上述處理室10a、10b、10c是其內部空間可被保持在所定的減壓環境，在其內部例如進行蝕刻處理。又，處理室10a、10b、10c的基本上構成是大約相同。

搬運室20是與真空處理室同樣地可保持在所定的減壓環境，其中，如第2圖所示地，配設有搬運機構50。如此，藉由該搬運機構50，基板S被搬運在真空隔絕室30及三個處理室10a、10b、10c之間。

搬運機構50是設於底座51的一端，具有，可轉動地設於底座51的第一臂52，及可轉動地設於第一臂52的前端部的第二臂53，及可轉動地設於第二臂53，且支持基板S的叉狀基板支持板54，藉由被內設於底座51的驅動機構進行驅動第一臂52、第二臂53及基板支持板54，藉此成為可搬運基板S。又，底座51是可上下移動，並且成為可旋轉。

真空隔絕室30是與各處理室10及搬運室20同樣，可被保持在所定的減壓環境，而在其中設有用以支持基板S的一對緩衝器31、32。又，在真空隔絕室30，位於呈矩形的基板S相互對向的隅度配設有對位的定位器33a、33b、33c、33d。

電漿處理裝置1的各構成部，是成為被連接於控制部60而被控制的構成(在第1圖中省略圖示)。將控制部60的概要表示於第3圖。控制部60是配備著具備CPU的處理控制器61，在該處理控制器61，工程管理人員為了管理電漿處理裝置連接有進行命令的輸入作等的鍵盤，或是可視化電漿處理裝置1的運轉狀態而加以顯示的顯示器等所構成的用戶介面62。

又，在電漿處理裝置1，連接有存儲著以程式控制器61控制在電漿處理裝置1的各種處理加以實現所用的控制程式(軟體)或處理條件資料等所記錄的配方的記憶部63。

如此，視需要，以來自用戶介面62的指示等而從記憶部63叫出任意配方，俾在處理控制器61實行，則在處理控制器61的控制下，進行電漿處理裝置1的所期望處理。又，例如將對應於各處理室10a、10b、10c的位置資訊事先被記憶在記憶部63，而在決定處理基板S的處理室的階段，從記憶部63讀取對應於該處理室的位置資訊，藉由定位器33a、33b、33c、33d成為可實施定位。

上述控制程式或處理條件等的配方，是利用電腦可讀取的記憶體，例如利用被存儲於CD－ROM、硬體、可撓性碟片，快閃記憶體等的狀態者，或是也可從其他裝置，例如經由專用線路隨時傳送而以連線加以利用。

以下，參照第4圖至第8圖，針對於本實施形態的定位機構及對位方法進行說明。第4圖是表示真空隔絕室30的內部構成的立體圖。第4圖中，未處理的基板S是從大氣側開口部30a搬進到真空隔絕室30內，而如粗箭號所示地從真空側開口部30b朝搬運室20被搬出。

在真空隔絕室30內，設有將基板S暫時地載置於內部而保持此所用的緩衝機構。具體而言，緩衝機構是藉由互相對向所配置的緩衝器31、32所構成。緩衝器31是具有朝緩衝器32側突出的棚架狀載置部31a，同樣地緩衝器32是具有朝緩衝器31側突出的棚架狀載置部32a。在此些載置部31a、32a上，構成可支持基板S背面的緣部。又，可載置複數基板S方式，也可將緩衝器31、32的載置部31a及32a設置如2段的多段。

在真空隔絕室30內，配置著用以進行被載置於緩衝器31、32的基板S的對位的定位器33a、33b、33c、33d。此些定位器33a、33b及定位器33c、33d，是抵接於基板S對向的兩個隅部附近而可由4點予以定位方式，隔著基板載置領域配置成互相地大約對稱的位置。

各定位器33a、33b、33c、33d的基本上構成是同一。亦即，各定位器33a、33b、33c、33d是由：內設如未圖示的步進馬達的致動器部34，及藉由該致動器34的動力朝直線方向進退的桿35，及設在該桿35前端，且抵接於基板S的端部而輕輕地按壓此的抵接塊36所構成。又，定位器33a、33b、33c、33d是抵接於基板S而可進行對位就可以，並不被限定在本實施形態的構成者。

非動作狀態的各定位器33a、33b、33c、33d是不會成為將基板S搬出搬進於真空隔絕室30之際不成為妨礙方式，成為例如藉由未圖示的昇降手段可配備在朝垂直方向迴避的位置。又，也可將定位器33a、33b、33c、33d固定地配置於從基板S的搬運路徑偏離的位置。例如，對於第4圖的情形加以說明，將定位器33b並列配置於定位器33a的毗鄰，又，將定位器並列配置於定位器33c的毗鄰，而且在定位器33a、33d的前端，介設將正交依桿35的按壓方向的方向(由X方向至Y方向)的既知的方向變換機構可實現。

致動器部34是與未圖示的電源相連接，藉由內設的上述步進馬達將電性能量變換成力學能量，而將桿35如第4圖中朝兩端箭號所示方向僅變位所定移動量。致動器部34是具有在任意位置停止桿35的變位，而可定位的多點定位功能者，不管其動作原理或種類，例如也可使用電磁鐵馬達、螺管、壓電元件、氣缸等。

抵接塊36是被裝設在桿35前端，抵接於基板S之際在基板S不會發生傷痕或破損，且藉由與基板S的接觸的微粒子等不容易產生的材質所構成。例如可使用具有一定彈性的合成樹脂等材質者，最好可使用聚四氟乙烯等的氟系樹脂。又，由提高對位精度來看，抵接塊36是在水平方向中點接觸於基板S端部較佳，例如圖示地作成前端圓弧狀突出的形狀較理想。

呈矩形的基板S是在真空隔絕室30內，藉由定位器33a、33b、33c、33d的抵接塊36而在4處被抵接，進行X－Y方向的對位。如下述地，這時被對位的基板S的位置，是對應於各處理室10a、10b、10c內的處理位置，而對於各處理室10a、10b、10c，分別個別地被設定。又，用以將基板S對位在對應於各處理室10a、10b、10c的處理位置的位置的定位器33a、33b、33c、33d的抵接位置是以各抵接塊36的變位量為基礎，作為位置資訊可記憶在記憶部63。又，在記憶部63作為定位器33a、33b、33c、33d的位置資訊，除了上述抵接位置之外，也可記憶例如對應於將基板S藉由搬運手段43從真空隔絕室30搬運到大氣側之際的搬出位置的位置資訊，或是對應於抵接塊36未接觸於基板S的非動作位置(斷開位置)的位置資訊。

如此地，對應於在真空隔絕室30內被調整的各處理室10a、10b、10c的基板S的位置(主要為基板S的XY方向的角度)，是搬運機構50對叉狀基板支持板59之交接之際仍被保存，並被傳達，被反映在藉由基板支持板52將基板S配置在各處理室10a、10b、10c內之際的基板S的處理位置。

又，在本實施形態中，為了容易進行微調整，定位器33a、33b、33c、33d都具備可動式桿35及抵接塊36，作成在4個抵接部位一面朝XY方向輕輕地按壓一面推入基板S而對位的構成。定位器33a、33b或定位器33c、33d的任一組不是可動式而固定在定位置也可以。例如將定位器33a、33b作成固定式，而藉由定位器33c、33d的按壓也可進行對位。

隨著近年來的基板S的大型化，也有大型化處理室10a、10b、10c的趨勢之故，因而即使設置處理室10a、10b、10c之際的誤差些微，也容易使基板S的配置位置的偏離變大。習如是在真空隔絕室30內進行對位於一個位置之故，因而處理室10a、10b、10c的設置位置的微妙誤差，是被反映在處理室的相對性基板S的配置，有在處理上給予不良影響之虞。所以，藉由將搬運機構50的動作在每一處理室10a、10b、10c地分別控制的教學來進行配置位置的微調整。但是，可對應於處理室10a、10b、10c的微妙偏位方式，欲精密地教學搬運機構50的動作，需要很多作業工數。亦即，習知即使在真空隔絕室30內所進行的定位，即使對於搬運機構50(第一臂52、第二臂53及基板支持板54)的交接位置可加以統一，惟在各處理室10a、10b、10c內的基板S的位置會產生參差不齊。

在本發明中，為了搬運機構50與基板支持板54之交接，不是進行真空隔絕室30內的定位，而於各處理室10a、10b、10c考慮有的微妙設置位置之不同，在真空隔絕室30內於複數位置藉由進行定位，而在基板S被搬進各處理室10a、10b、10c的狀態，在任一處理室10a、10b、10c都能控制成為處理室與基板S之相對性位置關係成相同。使用定位器33a、33b、33c、33d的此種控制，是以1：1相對應各處理室10a、10b、10c的正確處理位置依定位器33a、33b、33c、33d的抵接位置就可以，因此極簡單地且容易地可實施。所以，與習知對於搬運機構50的教學相比，更容易地且確實地可規定各處理室10a、10b、10c的配置位置。

以下，針對於本實施形態的詳細對位方法，一面參照第5圖及第6圖一面進行說明。第5圖是表示例舉處理室10a時的對位次序的流程圖。第6圖是模式地表示對位之際的處理室10a及真空隔絕室30內的狀態的說明圖。

如第6(a)圖所示，首先，藉由基板支持板54來搬運機板S，搬進處理室10a之後，考慮與處理室10a的相對性位置而對入正確的處理位置，並被設定(步驟S10)。又，在此，為了進行處理室10a的正確對位作為目的，因此欲將基板S搬到處理室10a之際，並不一定使用基板支持板54，而以如手動的其他手段進行也可以。

之後，如第6(b)圖所示地，使用基板支持板54，取出被設定在處理室10a內的基板S，搬運到真空隔絕室30，載置在緩衝器31、32上(步驟S11)。此時，基板S的載置位置，是反映著上述處理室10a內的正確處理位置。在該狀態下，動作定位器33a、33b、33c、33d而延伸著桿35，如第6(c)圖所示地，不移動基板S予以接近，將抵接塊36抵接於基板S(步驟S12)。如此地來決定對應於處理室10a的真空隔絕室30內的基板S位置。該位置是以定位器33a、33b、33c、33d的各抵接塊38的變位量(桿35的進出量)作為基礎，作為對應於處理室10a的位置資訊，被送出到控制部60，而被記憶在記憶部63。

如上述地，藉由表示於第5圖的步驟S10至步驟S13的次序，決定對應於處理室10a的定位器33a、33b、33c、33d的抵接位置，可記憶作為位置資訊。藉由因應於處理室的數(在本實施形態中，為處理室10a、10b、10c的三個)重複該次序，每一各處理室，來決定定位器33a、33b、33c、33d的抵接位置，並可加以記憶。

又，第6(d)圖是表示依據被保存在記憶部63的處理室10a的位置，對於未處理的基板S，進行真空隔絕室30內的對位的狀態。將包含該階段的基板處理次序的一例表示於第7圖的流程圖。首先，依照通常處理的流程，藉由將基板搬運手段43而將基板S搬進真空隔絕室30內，而載置在緩衝器31、32上(步驟S20)。之後，由處理室10a、10b、10c中，來決定搬運預定的處理室(步驟S21)。在此，藉由處理控制器61，來決定各處理室10a、10b、10c的狀態，例如決定是否可使用，或是否為處理目的的處理室，或以前一次基板S的處理進行狀況等為基礎來決定搬運處的處理室。之後，在步驟S22中，從控制部60的記憶部63讀取對應於被決定的搬運處的處理室(例如處理室10a)的位置資訊。該處理是藉由處理控制器61所進行。

然後，在步驟S23中，依據所讀出的位置資訊，處理控制器61是進行動作定位器33a、33b、33c、33d。例如在處理室10a成為固有位置方式，實施基板S的定位。具體而言，如第8圖所示地，對於藉由大氣側的基板搬運手段所搬進的位置(搬進位置)。於搬運處的處理室10a作為固有的位置，例如成為位置A方式進行著基板S的定位。又，如搬運處為處理室10b時被選擇位置B，而搬運處為處理室10c時，被選擇位置C。又在第8圖中，為了方便說明，僅圖示基板S的一部分與定位器33a、33b，而且也比實際更強調各位置的基板S的位置(角度等)。

完成定位後，迴避定位器33a、33b、33c、33d，藉由基板支持板54從真空隔絕室搬出基板S，而搬運至被選擇的處理室(例如處理室10a)，(例如步驟S24)。然後，在處理室10a內，進行電漿蝕刻處理等處理(步驟S25)。此時，基板S是在處理室10a內被載置於正規的處理位置之故，因而成為可實現不會產生處理不均均的高精度的處理。

又，於基板S施以所定處理之後，藉由基板支持板54從處理室10a搬出基板S，再搬進真空隔絕室30。此時再動作定位器33a、33b、33c、33d，將基板S對位於搬出位置成為佳。該搬出位置是與基板S從大氣側最初被搬進真空隔絕室30時的初期位置的上述搬入位置(參照第8圖)相同，該位置資訊也可事先記憶在記憶部63。如此地，藉由將完成處理的基板S在真空隔絕室30內復置在初期位置的搬出位置，可順利地進行例如使用大氣側的基板搬運手段43取出基板S而被收容於收容盒40之的際的交接。

又，本發明是並不被限定於上述實施形態者，可作各種變形。例如，作為被處理體，並不被限定於FPD用的玻璃基板，而半導體晶圓也可以。

又，在上述實施形態中，於真空隔絕室30內配備定位器33a、33b、33c、33d，惟將定位器33a、33b、33c、33d配備在如搬運室20內也可以，在這時候，也藉由進行對應於處理室10a、10b、10c的對位，而可得到與上述同樣的效果。又，設置用以定位的專用室(例如，對準室)，而在其中的配備定位器33a、33b、33c、33d也可進行對位。

1．．．電漿處理裝置

10a、10b、10c．．．處理室

20．．．搬運室

30．．．真空隔絕室

31、32．．．緩衝器

33a、33b、33c、33d．．．定位器

34．．．致動器部

35．．．桿

36．．．抵接塊

50．．．搬運機構

60．．．控制部

61．．．處理控制器

62．．．用戶介面

63．．．記憶部

第1圖是表示本發明的一實施形態的電漿處理裝置的概要立體圖。

第2圖是表示第1圖的電漿處理裝置的水平斷面圖。

第3圖是表示控制部的概略構成的圖式。

第4圖是表示真空隔絕室的內部構成的圖式。

第5圖是表示定位器的對位次序的流程圖。

第6圖是表示對位之際的真空隔絕室內的狀態的說明圖。

第7圖是表示基板處理的次序的流程圖。

第8圖是表示說明定位位置的圖式。

第9圖是表示用以說明處理室內的基板位置的偏離的模式圖。

30a．．．大氣側開口部

30b．．．真空開口部

30．．．真空隔絕室

31a、32a．．．棚架狀載置部

31、32．．．緩衝器

33a、33b、33c、33d．．．定位器

34．．．致動器部

35．．．桿

36．．．抵接塊

Claims (12)

1. 一種處理裝置，其特徵為具備：用以處理被處理體的複數處理室，及將被處理體搬運至上述處理室的搬運手段，及藉由上述搬運手段將被處理體搬運至上述處理室之前，在上述處理室外部進行被處理體的定位的對位手段，及在上述複數之各處理室，將藉由上述對位手段的位置，對應於該處理室內的被處理體的處理位置而加以記憶的記憶手段，及依據被記憶在上述記憶手段的上述位置來控制上述對位手段的控制手段。
2. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置，其中，上述對位手段是具備：藉由從互相正交的兩個方向抵接於上述被處理體來進行定位的複數抵接部。
3. 如申請專利範圍第2項所述的處理裝置，其中，上述複數抵接部是互相獨立地變位而抵接於被處理體。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的處理裝置，其中，上述處理室，是對於被處理體以真空狀態進行處理的真空處理室。
5. 如申請專利範圍第4項所述的處理裝置，其中，具 備：被連結於上述真空處理室，具備上述搬運手段的搬運室，及被連結於該搬運室，具備上述對位手段的預備真空室。
6. 如申請專利範圍第4項所述的處理裝置，其中，上述真空處理室的至少一個真空處理室，是對於被處理體進行乾式蝕刻的處理室。
7. 如申請專利範圍第6項所述的處理裝置，其中，上述被處理體是矩形玻璃基板。
8. 如申請專利範圍第7項所述的處理裝置，其中，使用於平面顯示器的製造。
9. 一種對位方法，屬於具備：用以處理被處理體的複數處理室，及將被處理體搬運至上述處理室的搬運手段，及藉由上述搬運手段將被處理體搬運至上述處理室之前，在上述處理室外部的定位室進行被處理體的定位的對位手段，及在上述複數之各處理室，將藉由上述對位手段的位置，對應於該處理室內的被處理體的處理位置而加以記憶的記憶手段，及依據被記憶在上述記憶手段的上述位置來控制上述對位手段的控制手段的處理裝置中，在被處理體的處理前，進行定位的對位方法，其特徵為：從上述記憶手段讀出對應於進行處理的預定的上述處理室的上述位置而依上述對位手段進行定位。
10. 如申請專利範圍第9項所述的對位方法，其中將上述位置記憶在上述記憶手段的工程是包括：將被處理體搬進上述處理室的任一處理室，並載置於處理位置的步驟，及藉由上述搬運手段，將已對位的被處理體在保持與上述處理室的上述處理位置之對應關係的狀態下從上述處理室搬運到上述定位室內的步驟，及依據被搬運到上述定位室內的被處理體的位置，設定上述對位手段，並作為對應於上述處理室的位置而記憶在上述記憶手段的步驟。
11. 如申請專利範圍第9項所述的對位方法，上述定位室是預備真空室。
12. 一種電腦記憶媒體，屬於記憶著在電腦上執行動作的控制程式的電腦記憶媒體，其特徵為：上述控制程式，在執行時，控制上述處理裝置成為執行著申請專利範圍第9項至第11項中任一項所述的對位方法。