CN1790749B - 有机薄膜晶体管、其制造方法和平板显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外，该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。
Description
本申请要求在2004年11月10日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2004-0091522的优先权，在此引入其公开全文作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于平板显示器的薄膜晶体管(TFT)。更具体地，本发明涉及一种用于防止损伤有机半导体层的表面的有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该有机薄膜晶体管的方法和一种具有该有机薄膜晶体管的平板显示器。
背景技术
有机薄膜晶体管(OTFT)是用于已被积极研究的下一代显示器的驱动元件。OTFT使用有机材料代替硅作为半导体层。依赖于有机层的组成材料，存在由低聚噻吩(oligothiophene)、并五苯等组成的低分子量OTFT和由聚噻吩等组成的高分子量OTFT。
使用这种OTFT作为开关元件的有机电致发光显示器件包括例如一开关OTFT、一驱动OTFT的至少两个OTFT，电容器和由在上和下电极之间插入的有机层组成的有机电致发光器件。
通常，挠性有机电致发光显示器件使用包括塑料衬底的挠性衬底。由于塑料衬底很容易受热损坏，因此挠性有机电致发光显示器件必须使用低温工艺制造。由于使用有机层作为半导体层的OTFT可通过低温工艺制造，因此它广泛用作挠性有机电致发光显示器件的开关元件。
韩国专利公开物No.2004-0028010公开了一种用于缩短薄膜淀积时间并改善空穴迁移率的并五苯薄膜晶体管。韩国专利公开物No.2004-0084427公开了一种用于改善晶体管的电特性的OTFT结构和形成该晶体管的方法。此外，日本专利公开物No.2003-92410公开了一种TFT，该TFT包括由具有原子团的有机化合物组成的沟道区，改善了载流子迁移率和开/关电流比。
图1是说明普通OTFT的截面图。
参考图1，普通OTFT包括在衬底11上形成的栅电极12、在衬底11上形成的具有栅电极12的栅绝缘层13、在栅绝缘层13上形成的源电极14和漏电极15以及在源电极14、漏电极15和栅绝缘层13上形成的有机半导体层16。
按上述构造的普通OTFT包括作为半导体层16的有机半导体层。在衬底的整个表面上形成不带图案的半导体层16。然而，在普通OTFT结构中，由于载流子例如空穴可在各层和有机层之间积累，因此产生不希望有的漏电流。
当为减少空穴积累使用激光烧蚀构图半导体层时，在被构图的半导体层20的边缘部分21处会产生如图2所示的热改性或重组问题。
发明内容
本发明提供一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该有机薄膜晶体管的方法和一种具有该有机薄膜晶体管的有机电致发光显示器，其中有机半导体层可被构图而不会对有机半导体层造成表面损伤。
本发明的另外的特征将在以下描述中列出，并且部分特征将从描述中变得明显，或可通过实施本发明而被得知。
本发明公开了一种包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极的TFT。还存在在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。该TFT还包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。
本发明还提供一种包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极的平板显示器件。该器件还具有在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层以及在半导体层上形成的栅绝缘层。该器件还具有通过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。另外，它包括具有暴露源电极或漏电极的通孔的保护层以及在保护层上形成的通过通孔连接到源电极或漏电极的象素电极。
本发明还提供一种制造TFT的方法，该方法包括在衬底上形成源电极和漏电极、在源电极和漏电极以及衬底上形成具有沟道层的半导体层以及在半导体层上形成栅绝缘层。该方法还包括构图栅绝缘层和半导体层，由此形成用于将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成栅电极。
应当理解，前面的一般描述和后面的详细描述都是示例性的和解释性的，并旨在提供对如所要求的本发明的进一步解释。
附图说明
通过参考附图详细描述其示例性实施例，本发明的上述和其它特征及优点将变得更明显。
图1是说明普通有机薄膜晶体管(OTFT)的截面图。
图2说明了当借助激光烧蚀法构图有机半导体层时，在普通OTFT内有机半导体层的表面被损伤。
图3是说明根据本发明的一个实施例的OTFT的截面图。
图4是说明根据本发明的另一个实施例的OTFT的截面图。
图5A、图5B、图5C和图5D是说明根据本发明的OTFT内的有机半导体层的多种分隔图案的平面图。
图6A、图6B和图6C是说明根据本发明的一个实施例的形成OTFT的方法的截面图。
图7A、图7B、图7C和图7D是说明根据本发明的另一个实施例的形成OTFT的方法的截面图。
图8是说明具有根据本发明的一个实施例的OTFT的有机电致发光显示器件的截面图。
图9是说明具有根据本发明的另一个实施例的OTFT的有机电致发光显示器件的截面图。
具体实施方式
下文将参考其中示出本发明的优选实施例的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可采用多种不同方式来体现并且不应被理解为局限于此处所列出的实施例。更确切的说，提供这些实施例以便该公开将是全面而完整的，并将把本发明的范围全面转达给本领域的技术人员。在附图中，层厚和区域为了清楚而被放大。在整个说明中，类似数字指的是类似元件。
图3是说明根据本发明的一个实施例的用于挠性有机电致发光显示器件中的有机薄膜晶体管(OTFT)的截面图。
参考图3，根据本发明的一个实施例的OTFT 100包括在衬底110上形成的源电极121和漏电极125。在衬底110上顺序形成半导体层130和栅绝缘层140。在源电极121和漏电极125之间的半导体层130的沟道层135上面的栅绝缘层140上形成栅电极155。
衬底110可用塑料制成并可包括从包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化合物(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(cellulose triacetate)(CTA)和醋酸-丙酸纤维素(celluloseacetate propionate)(CAP)的组中选择的塑料膜。
栅绝缘层140由单层或多层有机绝缘层或无机绝缘层或有机/无机混合层形成。绝缘层140包括从包括SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST和PZT的组中选择的一层或多层无机绝缘层。
此外，绝缘层140包括从包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、酚基聚合物、丙烯基聚合物、例如聚酰亚胺的酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物(arylether-based polymer)、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和二萘嵌苯(perylene)的组中选择的至少一层有机绝缘层。
半导体层130可具有至少一层有机层，该有机层可包括并五苯、并四苯、并三苯、萘、α-6-噻吩(alpha-6-thiophene)、二萘嵌苯及其衍生物、红荧烯(rubrene)及其衍生物、六苯并苯(coronene)及其衍生物、苝四羧基二酰亚胺(perylene tetracarboxylicdiimide)及其衍生物、苝四羧基二酐(perylene tetracarboxylicdianhydride)及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对苝亚乙烯基(polyparaperylenevinylene)及其衍生物、聚芴(polyfluorene)及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基(polythiophenevinylene)及其衍生物、聚对亚苯基(polyparaphenylene)及其衍生物、聚噻吩-杂环芳香族共聚物(polythiophene-heterocyclic aromatic copolymer)及其衍生物、萘的低聚并苯(oligoacene)及其衍生物、α-5-噻吩(alpha-5-thiophene)的低聚噻吩及其衍生物、任选地包含金属的酞花菁(phthalocyanin)及其衍生物、苯均四酸二酐(pyromelliticdianhydride)及其衍生物、苯均四酸二酰亚胺(pyromelliticdiimide)及其衍生物、苝四羧酸二酐(perylene tetracarboxylicacid dianhydride)及其衍生物、萘四羧酸二酰亚胺(naphthalenetetracarboxylic acid diimide)及其衍生物、萘四羧酸二酐(naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride)及其衍生物，但不局限于这些。
根据本发明的一个实施例的OTFT 100包括通过半导体层130和栅绝缘层140形成的分隔图案145。半导体层130的设置在源电极121和漏电极125之间并通过分隔图案145被隔离的部分135起TFT的沟道层的作用。分隔图案145将沟道层135与邻近TFT的沟道层分开并具有凹槽。
图5A、图5B、图5C和图5D是说明用于将根据本发明的一个实施例的用于有机电致发光显示器件的OTFT内的沟道层135分开的多种可能分隔图案145的平面图。这些图示出连接到栅极线250和数据线220以形成有机电致发光显示器件的象素的TFT。本发明的该实施例解释了象素的TFT的使用，其是说明性的而不是限制性的。本发明可用于用在有机电致发光显示器件中的各种TFT。
参考图5A，分隔图案145具有包围沟道层135的闭环形状。分隔图案145具有闭环形状的凹槽并设置在通过栅极线250和数据线220限定的象素区230内。分隔图案145将沟道区135与设置在邻近象素区230a内的TFT(未示出)分开。
在另一个实例中，分隔图案145可形成为超出象素区230以便与栅极线250或数据线220交叠，或在邻近象素区230a上面延伸。在附图中，参考数字135a和135b表示半导体层130与源电极121和漏电极125交叠的部分。
参考图5B，分隔图案145形成为沿栅极线250延伸的一对平行线。分隔图案145具有对应于该对平行线的凹槽。象素区230内的沟道层135设置在该对平行线的凹槽之间，并与设置在邻近象素区230a内的TFT(未示出)分开。
在另一个实例中，分隔图案145可形成为超出象素区230以沿栅极线250延伸并在邻近象素区230a上面延伸。分隔图案145可将沟道区135与设置在邻近象素区230a内的TFT(未示出)分开。
参考图5C，分隔图案145形成为沿数据线220延伸的一对平行线。分隔图案145具有对应于该对平行线的凹槽。象素区230内的沟道层135设置在该对平行线的凹槽之间，并与设置在邻近象素区230a内的TFT(未示出)分开。
在另一个实例中，分隔图案145可以该对平行线的凹槽的方式形成为超出象素区230 以沿数据线220延伸并在邻近象素区230a上面延伸。分隔图案145可将沟道区135与设置在邻近象素区230a内的TFT(未示出)分开。
参考图5D，分隔图案145形成为沿栅极线250和数据线220延伸的两对平行线。分隔图案145具有对应于该两对平行线的凹槽，并将设置在象素区230内的该两对平行线的凹槽之间的沟道层135与设置在邻近象素区230a内的TFT(未示出)分开。
在另一个实例中，分隔图案145可以该两对平行线的凹槽的方式形成为超出象素区230 以沿栅极线250和数据线220延伸并在邻近象素区230a上面延伸。分隔图案145可将沟道区135与设置在邻近象素区230a内的TFT分开。
在本发明的一个实施例中，分隔图案145具有通过刻蚀半导体层130和栅绝缘层140以部分地暴露源电极和漏电极121、125所形成的凹槽。然而，分隔图案145并不局限于这种结构，并可具有通过刻蚀半导体层130直到预定厚度水平所形成的凹槽。
图5A、图5B、图5 C和图5D所示的分隔图案145形成以将设置在邻近象素区230、230a内的TFT的各个沟道层分开，但它不限于此。分隔图案145可用于将设置在一个象素区内的多个TFT的沟道层分开。
图4是说明根据本发明的另一个实施例的用于挠性有机电致发光显示器件中的OTFT的截面图。
参考图4，根据本发明的另一个实施例的OTFT 200包括在衬底210上形成的源电极221和漏电极225，以及在源电极221和漏电极225上形成的半导体层230。在半导体层230上形成栅绝缘层240。在设置在源电极和漏电极221、225之间的沟道层235上面的栅绝缘层240上形成栅电极255。
衬底210是塑料衬底并可包括塑料膜，该塑料膜包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(CTA)和醋酸-丙酸纤维素(CAP)，但不局限于这些。
栅绝缘层240包括第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243。第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243由单层或多层有机绝缘层或无机绝缘层或有机/无机混合层形成。第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243可由一种相同材料或不同材料组成，并可用相同厚度或不同厚度形成。
第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243可包括一层或多层无机绝缘层，这些无机绝缘层包括SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST和PZT，但不局限于这些。
此外，第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243可包括至少一层有机绝缘层，该有机绝缘层包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、酚基聚合物、丙烯基聚合物、例如聚酰亚胺的酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和二萘嵌苯，但不局限于这些。
半导体层230可包括至少一层有机层，该有机层包括并五苯、并四苯、并三苯、萘、α-6-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、红荧烯及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧基二酰亚胺及其衍生物、苝四羧基二酐及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对苝亚乙烯基及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、聚对亚苯基及其衍生物、聚噻吩-杂环芳香族共聚物及其衍生物、萘的低聚并苯及其衍生物、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、任选地包含金属的酞花菁及其衍生物、苯均四酸二酐及其衍生物、苯均四酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、萘四羧酸二酰亚胺及其衍生物、萘四羧酸二酐及其衍生物，但不局限于这些。
本发明的另一个实施例中的TFT包括穿过半导体层230和栅绝缘层240的第一栅绝缘层241形成的分隔图案245。半导体层230的设置在源电极221和漏电极225之间的部分235起TFT的沟道层的作用。分隔图案245将沟道层235与邻近TFT的沟道层分开，并可具有如图5A～5D所示的多种形状。
图6A、图6B和图6C是说明形成根据本发明的一个实施例的OTFT的方法的截面图。
参考图6A，在塑料衬底110上形成源电极221和漏电极125。参考图6B，在源电极221和漏电极125以及衬底110上形成半导体层130。半导体层130包括有机半导体层。在半导体层130上形成栅绝缘层140。
参考图6C，借助激光烧蚀构图栅绝缘层140和半导体层130，由此形成分隔图案145。激光烧蚀法使用准分子激光器或YAG激光器。接着，在沟道层135上的栅绝缘层140上形成栅电极155，由此完成如图3所示的根据本发明的一个实施例的OTFT的形成。
通过分隔图案145与半导体层130分开的部分135起TFT的沟道层的作用。分隔图案145具有如图5A、图5B、图5C和图5D所示的凹槽。分隔图案145用于将沟道层135与邻近的TFT分开。
根据本发明的一个实施例，当在半导体层130上形成栅绝缘层140之后借助激光烧蚀构图半导体层130时，有机半导体层的表面损伤可被减到最小并且晶体管的关电流可通过防止载流子积累而降低。
图7A、图7B、图7C和图7D是说明形成根据本发明的另一个实施例的OTFT的方法的截面图。
参考图7A，在塑料衬底210上形成源电极211和漏电极225。参考图7B，在源电极221和漏电极225以及衬底210上形成半导体层230。半导体层230包括有机半导体层。在半导体层230上形成第一栅绝缘层241。
参考图7C，借助激光烧蚀构图第一栅绝缘层241和半导体层230，由此形成分隔图案245。激光烧蚀法使用准分子激光器或YAG激光器。
通过分隔图案245与半导体层230分开的部分235起TFT的沟道层的作用。分隔图案245具有如图5A、图5B、图5C和图5D所示的凹槽。分隔图案245用于将沟道层235与邻近的TFT分开。
参考图7D，在第一栅绝缘层241和分隔图案245上形成第二栅绝缘层243。因此，包括第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243的栅绝缘层240形成。接着，在沟道层235上的第二栅绝缘层243上形成栅电极255，由此形成如图4所示的根据本发明的另一个实施例的OTFT。
第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243的厚度与根据本发明的另一个实施例的OTFT内所需的栅绝缘层240的厚度一致。第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243可由相同材料或不同材料组成。第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243可用相同厚度或不同厚度形成。
在本发明的另一个实施例中，当在半导体层230上形成第一栅绝缘层241之后使用激光烧蚀法构图半导体层230时，有机半导体层的表面损伤可被减到最小并且晶体管的关电流可通过防止载流子积累而降低。
此外，当栅绝缘层240由有机绝缘材料形成时，由于栅绝缘层240由包括第一栅绝缘层241和第二栅绝缘层243的叠层组成，即使在有机绝缘层的第一栅绝缘层241内产生针孔，第一栅绝缘层241在其上涂有有机绝缘层的第二栅绝缘层243，由此防止了由于针孔而导致的失效。
此外，当分隔图案245的斜角在通过刻蚀第一栅绝缘层241和半导体层230形成分隔图案245期间是大的时，工艺失效会在随后的工艺过程中发生。通过将第二栅绝缘层243涂在第一栅绝缘层231上可减小该斜角，由此防止了工艺失效。
在根据本发明的实施例的OTFT中，半导体层包括高分子量有机半导体层和低分子量有机半导体层。栅绝缘层包括高分子量有机绝缘层和低分子量有机绝缘层或无机绝缘层。半导体层和栅绝缘层借助淀积或涂敷法形成。
图8是说明具有根据本发明的一个实施例的OTFT的有机电致发光显示器件的截面图。具体地，图8说明了有机电致发光显示器件的一个象素，以及尤其示出了有机电致发光器件和用于驱动一个象素内的器件的驱动TFT。
参考图8，根据本发明的一个实施例的有机电致发光显示器件300包括在塑料衬底310上形成的源电极321和漏电极325。在源电极321和漏电极325以及衬底310上形成半导体层330。在半导体层330上形成栅绝缘层340。
在栅绝缘层340和半导体层330上形成分隔图案345以将沟道层335与邻近的TFT分开。分隔图案345具有如图5A、图5B、图5C和图5D所示的凹槽。
在沟道层335上面的栅绝缘层340上形成栅电极350，以及在栅绝缘层340和分隔图案345上形成保护层360。栅绝缘层还具有暴露源电极221或漏电极225或例如漏电极325的一部分的通孔365。
下电极370形成在保护层360上以通过通孔365与漏电极325连接在一起。下电极370用作象素电极以及阳极电极。象素隔离层380形成有暴露下电极370的一部分的开口385。
有机层390形成在下电极370上并通过开口385被暴露。在衬底上面形成作为阴极电极的上电极395。有机层390包括例如空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层的一层或多层有机层。
图9是说明具有根据本发明的另一个实施例的OTFT的有机电致发光显示器件的截面图。图9所示的有机电致发光显示器件的结构与根据本发明的另一个实施例的有机电致发光显示器件的结构相同，只是栅绝缘层440由包括第一栅绝缘层441和第二栅绝缘层443的两层绝缘层组成，并且分隔图案445穿过半导体层430和第一栅绝缘层431形成。
参考图9，有机电致发光显示器件400包括在塑料衬底410上形成的源电极421和漏电极425。在源电极421和漏电极425以及衬底410上形成半导体层430。在半导体层430上形成栅绝缘层440。栅绝缘层440包括第一栅绝缘层441和第二栅绝缘层443。
在栅绝缘层440的第一栅绝缘层441和半导体层430上形成分隔图案445以将沟道层435与邻近的TFT分开。分隔图案445具有如图5A、图5B、图5C和图5D所示的凹槽。
在沟道层435上面的栅绝缘层440上形成栅电极450，以及保护层460形成在衬底上面并具有暴露源电极421和漏电极425或例如漏电极425的一部分的通孔465。
下电极470形成在保护层460上以通过通孔465连接到TFT的漏电极425。下电极470用作象素电极以及阳极电极。象素隔离层480形成有暴露下电极470的一部分的开口485。
在通过象素隔离层480的开口485被暴露的下电极470上形成有机层490，以及在衬底上面形成作为阴极电极的上电极495。有机层490具有包括例如空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层的一层或多层有机层。
本发明的实施例已描述了具有OTFT作为开关元件的有机电致发光显示器件。本发明还可应用于例如使用OTFT作为开关元件的液晶显示器件的平板显示器件，由此提供降低TFT的关电流的好处并防止有机半导体层的表面损伤。
虽然在本发明的各种实施例中保护层已被描述为具有单层，但这只是说明性的而不是限制性的。因此，保护层可由多层形成。此外，它们可包括有机绝缘层、无机绝缘层或包括有机绝缘层和无机绝缘层的混合叠层。
此外，本发明的实施例已经描述在具有塑料衬底的挠性有机电致发光显示器件中借助激光烧蚀在半导体层上形成分隔图案。这些实施例是说明性的而不是限制性的。另外，本发明可应用于在金属玻璃衬底上形成集成线或OTFT。
根据本发明的多个实施例的OTFT及制造方法提供多种好处。例如，通过使用激光烧蚀构图半导体层和在半导体层上形成的栅绝缘层来形成凹槽形状的分隔图案防止了半导体层的表面损伤。另外，由载流子积累引起的漏电流被防止以便降低TFT的关电流。
此外，当栅绝缘层是叠层结构并且分隔图案仅在栅绝缘层的一部分上形成以将半导体层分开时，可防止在由有机绝缘层组成的栅绝缘层内产生的针孔失效。
此外，由于不需要复杂的光刻工艺，并且不必去除除沟道层之外的全部半导体层，因此制造工艺被简化并且处理时间被缩短。
本发明的实施例已经描述了具有OTFT作为开关元件的有机电致发光显示器件。本发明还可应用于例如使用OTFT作为开关元件的液晶显示器件的平板显示器件，由此提供降低TFT的关电流的效果并防止有机半导体层的表面损伤。
在本发明的实施例中，保护层由单层形成，这只是说明性的而不是限制性的，因此它们可由多层形成。此外，它们可由有机绝缘层或无机绝缘层或包括有机绝缘层和无机绝缘层的混合叠层组成。
此外，本发明的实施例已经描述在具有塑料衬底的挠性有机电致发光显示器件中使用激光烧蚀法在半导体层上形成分隔图案，这是说明性的而不是限制性的。除此之外，本发明可应用于在例如金属衬底或玻璃衬底的衬底上形成集成线或OTFT的情形。
虽然已参考本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离由以下权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下可在本发明内进行多种形式和细节的改变。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。
Claims (14)
1.一种薄膜晶体管，包括：
衬底；
在所述衬底上形成的源电极和漏电极；
在所述衬底上形成的半导体层；
在所述半导体层上形成的栅绝缘层；
穿过所述半导体层和所述栅绝缘层形成的分隔图案；以及
在沟道层上面的所述栅绝缘层上形成的栅电极，
其中所述半导体层具有设置在所述源电极和所述漏电极之上和之间的沟道层；
其中，所述半导体层包括有机半导体层，并且所述分隔图案具有凹槽形状。
2.如权利要求1的薄膜晶体管，
其中所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，以及
其中所述分隔图案穿过所述半导体层和所述第一栅绝缘层形成。
3.如权利要求1的薄膜晶体管，其中衬底包括塑料衬底。
4.如权利要求1的薄膜晶体管，其中所述分隔图案具有闭环形状。
5.如权利要求4的薄膜晶体管，其中所述分隔图案具有至少一对平行线的形状。
6.一种平板显示器件，包括：
衬底；
在所述衬底上形成的源电极和漏电极；
在所述衬底上形成的半导体层；
在所述半导体层上形成的栅绝缘层；
穿过所述半导体层和所述栅绝缘层形成的分隔图案；
在沟道层上面的所述栅绝缘层上形成的栅电极；
具有暴露所述源电极或所述漏电极的通孔的保护层；以及
在所述保护层上形成并通过通孔连接到所述源电极或所述漏电极的象素电极，
其中所述半导体层具有设置在所述源电极或所述漏电极之上和之间的沟道层；
其中，所述半导体层包括有机半导体层，并且所述分隔图案具有凹槽形状。
7.如权利要求6的平板显示器件，
其中所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；以及
其中所述分隔图案穿过所述半导体层和所述第一栅绝缘层形成。
8.如权利要求6的平板显示器件，其中所述平板显示器件包括具有塑料衬底的有机电致发光显示器件。
9.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：
在衬底上形成源电极和漏电极；
形成设置在所述源电极和所述漏电极以及所述衬底上并具有沟道层的半导体层；
在所述半导体层上形成栅绝缘层；
构图所述栅绝缘层和所述半导体层，由此形成分隔图案；以及
在沟道层上面的栅绝缘层上形成栅电极；
其中，所述半导体层包括有机半导体层，并且所述分隔图案具有凹槽形状。
10.如权利要求9的方法，其中所述衬底包括塑料衬底。
11.如权利要求9的方法，其中所述分隔图案具有闭环形状。
12.如权利要求9的方法，其中所述分隔图案具有至少一对平行线的形状。
13.如权利要求9的方法，
其中所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；以及
其中所述分隔图案穿过所述半导体层和所述第一栅绝缘层形成。
14.如权利要求9的方法，其中使用激光烧蚀法形成所述分隔图案。
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