CN1776524B - 对掩模除垢的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种快速并有效地去除附于掩模的材料的对掩模除垢的方法。该方法包括：将激光束直射到附于掩模的材料上；去除附于掩模的材料。

Description

对掩模除垢的方法 
本申请要求2004年11月18日在韩国知识产权局提交的第10-2004-0094419号韩国专利申请的利益，通过参考，其公开全部包含于此。 
技术领域
本发明涉及一种对掩模除垢的方法，更具体地讲，涉及一种快速并有效地去除附于掩模的材料的对掩模除垢的方法。 
背景技术
作为发射型显示装置的电致发光显示装置由于其视角广、对比度高和响应速度快而期望成为下一代显示装置。 
电致发光显示装置根据其中含有的形成发射层(EML)的材料，分为有机发光显示装置和无机发光显示装置。具体地讲，与无机发光显示装置相比，有机发光显示装置更亮并具有更高的驱动电压和更快的响应速度，并且可显示彩色图像。 
有机发光二极管(OLED)是一种有机发光显示装置，它包括位于彼此面对的电极间的中间层。该中间层由多层如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、EML、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等组成。该有机发光装置的这些层是有机薄膜。 
当制造OLED时，在沉积设备中可利用沉积法将有机薄膜如HIL、HTL、EML、ETL、EIL等形成在基板上。 
利用沉积法，通过加热装有将被沉积的材料的熔罐，使将被沉积的材料蒸发或升华，薄膜形成在真空室中的基板上。 
形成OLED的薄膜的有机材料在从大约250℃到大约450℃的温度范围内和从大约10-6到大约10-7托的真空度内蒸发或升华。 
电致发光显示装置包括彼此面对的电极。具体地讲，有源驱动型电致发光显示装置包括具有金属制成的电极的薄膜晶体管，从而可利用沉积法来形成这种电极。
电极材料通常在高于有机材料的蒸发温度的温度下蒸发。这种蒸发温度根据电极材料的类型而变化。通常使用的材料如镁(Mg)和银(Ag)分别在高于大约500℃到大约600℃和大约1000℃的温度下蒸发。锂(Li)和用作电极材料的铝(Al)分别在大约1000℃和大约300℃的温度下蒸发。 
利用沉积法使用掩模来形成有机膜或金属膜，从而有机膜或金属膜可具有特定的图案。更具体地讲，形成具有采用预定图案的切口的掩模，通过该切口将有机膜或金属膜沉积成期望的图案。 
完成沉积后去除掩模，在沉积过程中有机膜或金属膜必然附于掩模上。为了循环使用被去除的掩模，这种附于掩模的材料需要去除。 
通常，有机溶剂被用于去除沉积后附于掩模的材料。即，通过将该掩模浸泡在有机溶剂如丙酮中来去除附于掩模的材料。然而，为了将附于掩模的材料去除，必须将该掩模在有机溶剂中浸泡至少48个小时。因此，大规模的轮流生产需要大量的掩模，致使生产成本增加。 
发明内容
本发明提供了一种快速并有效地去除附于掩模的材料的对掩模除垢的方法。 
根据本发明的一方面，提供了一种对掩模除垢的方法，该方法包括：将激光束直射到附于掩模的材料上；去除附于掩模的材料。 
附于掩模的材料的去除步骤可包括：将掩模浸泡在去离子水中；将掩模浸泡在有机溶剂中。 
掩模在去离子水中的浸泡步骤可包括：掩模浸泡在去离子水中的同时将超声波引入到去离子水中。 
掩模浸泡在去离子水中的同时将超声波引入到去离子水中可被执行以在去离子水的表面上形成焦点。 
掩模在去离子水中的浸泡步骤可包括：掩模浸泡在去离子水中的同时将超声波引入到去离子水中至少两次。 
掩模在有机溶剂中的浸泡可被执行以去除附于掩模的材料。 
附于掩模的材料的去除可包括：将掩模浸泡在有机溶剂中至少一分钟。 
该方法可还包括：将掩模干燥。
附图说明
通过参照附图来详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其他特征和优点将会变得更加清楚，其中： 
图1是示意性地示出根据实施例的对掩模除垢的方法的流程图； 
图2是示意性地示出根据另一实施例的对掩模除垢的方法的流程图； 
图3是示意性地示出根据又一实施例的对掩模除垢的方法的流程图； 
图4是一系列根据在图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法除垢的掩模的照片； 
图5是示出根据图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法的未除垢的掩模的总间距数据的曲线图； 
图6和图7是示出根据图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法的已除垢的掩模的总间距数据的曲线图。 
现在将参照附图来更充分地描述本发明的实施例，示例性的实施例显示在附图中。 
图1是示意性地示出根据一个实施例的对掩模除垢的方法的流程图。 
参照图1，该方法包括将激光束直射在附于掩模的材料上，并将该附于掩模的材料去除。 
通常，使用有机溶剂来去除沉积后附于掩模的材料。即，通过将掩模浸泡在有机溶剂如丙酮中来去除附于掩模的材料。然而，为了去除附于掩模的材料，必须将该掩模在有机溶剂中浸泡至少48个小时，这样由于时间约束导致大规模生产的问题。 
为了解决这个问题，可使用根据当前实施例的对掩模除垢的方法。在这个实施例中，激光束被直射在附于掩模的材料上。例如，使用的激光器的类型可为Nd：Yag激光器。示例性的激光器技术条件包括大约60Hz的脉冲频率以及大约600mJ至大约900mJ的脉冲强度。在一些实施例中，激光脉冲以这样的方式被直射，即，对于连续的激光脉冲存在大约脉冲宽度的一半的交迭。当激光束被直射到附于掩模的材料上时，由激光束产生的等离子体扩展，从而产生在很多方向传播的冲击波。这种冲击波使得附于掩模的材料的强度以及该材料和该掩模之间的结合强度变弱。结果，使用有机溶剂可更快地去除 附于掩模的材料，从而减少去除该材料所需的时间。 
当掩模浸泡在有机溶剂中而没有对附于掩模的材料进行任何处理时，为了将该材料从掩模上去除，需要花费48个小时或者更多的时间。然而，利用根据本实施例的对掩模除垢的方法，当激光束被直射到附于掩模的材料上并且使该材料的强度减弱后，将掩模浸泡在有机溶剂中时，仅大约5分钟后去除该材料。例如，有机溶剂可为丙酮或者正甲基吡咯烷酮，其可同样地应用于下面的实施例。 
当通过将激光束直射到附于掩模的材料上并使该材料弱化来去除该材料时，传统的设备可像原来一样使用。因此，不需要另外的设备投资。 
在另一实施例中，可通过将激光束直射到附于掩模的材料上而无需有机溶剂来去除该材料。然而，在这种情况下，由直射的激光束产生的热有时会使掩模变形，导致掩模中的切口变形。这种切口的变形使得掩模难以循环使用。因此，最好通过激光束直射到掩模后将该掩模浸泡在有机溶剂中来去除附于该掩模的材料，使得掩模不会变形并且只有附着的材料的强度被减弱。 
其后，对掩模除垢的方法还包括利用气刀来干燥基板。 
通过将激光束直射到附着的材料上并使该材料的强度以及该材料和掩模之间的结合强度变弱，来去除附于掩模的材料，例如利用现有工艺，使得制造费用的增加可最少，并且去除该材料所需的时间可从大于48小时或更多显著地减少到大约5分钟。 
图2是示意性地示出根据另一实施例的对掩模除垢的方法的流程图，图3是示意性地示出根据又一实施例的对掩模除垢的方法的流程图。 
参照图2和图3，对掩模除垢的方法包括：将激光束直射到附于掩模的材料上；将该掩模浸泡在去离子水中；将该掩模浸泡在有机溶剂中。掩模在去离子水中的浸泡可包括：掩模浸泡在去离子水中的同时将超声波引入到该去离子水中。 
根据本实施例的对掩模除垢的方法还包括将激光束直射到附于掩模的材料上。在这种情况下，由激光束产生的等离子体扩展，从而产生在很多方向传播的冲击波。这种冲击波使得附于掩模的材料的强度变弱。其后，该掩模可浸泡在去离子水中，如果需要，该掩模浸泡在去离子水中的同时可将超声波引入到该去离子水中。超声波可被调整以在去离子水的表面上形成焦点。 
当超声波被调整以在去离子水的表面上形成焦点时，由引入的超声波在 去离子水中产生冲击波，产生的冲击波作用于附于掩模的材料，这样使得该材料的强度变弱以及该材料和掩模之间的结合强度变弱。因此，利用有机溶剂可更有效地去除该材料。 
当掩模浸泡在去离子水中时，对超声波到去离子水中的引入可执行一次、两次、三次、四次、五次、六次、七次、八次、九次、十次或更多，或根本不执行。 
通过将激光束直射到附于掩模的材料上，从而使该材料的强度变弱，将该掩模浸泡在去离子水中，并且将超声波引入到该去离子水中以在该去离子水的表面上形成焦点，来去除该材料，从而将制造费用最小化并且将去除该材料所需的时间从大约48个小时或更多显著地减少到大约5分钟。 
图4是一系列根据在图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法的已除垢的掩模的照片。对于已除垢的掩模，制造了五十四个掩模单元来确认利用激光束的掩模除垢时间的减少。 
图4示出了保持掩模中切口形状的同时明显地去除了附于掩模的材料。 
图5是示出根据图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法的未除垢的掩模的总间距数据的曲线图。图6和图7是示出根据图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法的已除垢的掩模的总间距数据的曲线图。 
附于掩模的材料可通过将激光束直射到该材料上来去除。然而，当这样做时，由直射的激光束产生的热使得掩模变形，这样导致掩模中的切口变形。这种切口的变形使得该掩模难以被循环利用。因此，通过在将激光束直射到掩模后将该掩模浸泡在有机溶剂中会更容易地去除附于掩模的材料，从而该掩模不会变形并且只有附着的材料的强度变弱。 
参照图5，图5是示出表示根据图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法的未除垢的掩模的变形程度的总间距数据的曲线图，总间距的误差率是3.98。图6和图7是示出根据图1、图2和图3中示出的对掩模除垢的方法的已除垢的掩模的两次测量的总间距数据的曲线图。 
关于掩模的除垢条件，激光束直射到附于掩模的材料上，该掩模在去离子水中浸泡5分钟，100kHz的超声波被引入到去离子水中1分钟，然后该掩模在丙酮中浸泡1分钟以去除附于掩模的材料。 
根据除垢条件已除垢的掩模的两次测量的总间距的误差率分别为4.12μm和3.84μm。因此，未除垢的掩模和已除垢的掩模的总间距的误差率之间 存在很小的差异，因而根据本发明实施例的对掩模除垢的方法将对掩模除垢的时间从大约48个小时显著地减少到大约5分钟。 
本发明实施例的对掩模除垢的方法具有如下的效果： 
首先，通过利用激光束使附于掩模的材料弱化并将该掩模浸泡在有机溶剂中来去除该材料，从而将去除该材料的时间从大约48小时显著地减少到大约5分钟。 
其次，通过将激光束直射到附于掩模的材料，使该材料弱化，将该掩模浸泡在去离子水中，然后将超声波引入到去离子水中以在去离子水的表面上形成焦点来去除该材料，从而将制造费用最小化并且将去除该材料所需的时间从大约48个小时或更多显著地减少到大约5分钟。 
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可对形式和细节作出各种改变。

Claims (5)

1.一种对掩模除垢的方法，所述方法包括：
将激光束直射到附于所述掩模的材料上，以弱化所述材料和所述掩模之间的结合；
将所述掩模浸泡在去离子水中，然后将所述掩模浸泡在有机溶剂中，以去除附于所述掩模的所述材料，
其中，所述掩模在所述去离子水中的所述浸泡步骤包括所述掩模浸泡在所述去离子水中的同时将超声波引入到所述去离子水中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模浸泡在所述去离子水中的同时将所述超声波引入到所述去离子水中在所述去离子水的表面上形成焦点。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模在所述去离子水中的所述浸泡步骤包括所述掩模浸泡在所述去离子水中的同时将超声波引入到所述去离子水中至少两次。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，附于所述掩模的所述材料的所述去除步骤包括将所述掩模浸泡在所述有机溶剂中大约5分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述掩模干燥。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744551B1 (ko) * 2005-10-12 2007-08-01 한국전자통신연구원 급격한 ｍｉｔ 소자를 이용한 온도센서 및 그 센서를포함한 경보기
KR100796690B1 (ko) * 2006-07-31 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 마스크 세정 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR100778513B1 (ko) * 2006-07-31 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 마스크 세정 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR100834827B1 (ko) * 2006-11-16 2008-06-04 삼성전자주식회사 포토 마스크 세정장치 및 그의 세정방법
JP5280667B2 (ja) * 2007-11-08 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び蒸着マスクのクリーニング方法
JP2010092761A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌ用マスククリーニング装置、有機ｅｌディスプレイの製造装置、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ用マスククリーニング方法
JP5042195B2 (ja) 2008-10-29 2012-10-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 蒸着マスクの洗浄装置および洗浄方法
CN101414117B (zh) * 2008-12-04 2010-12-29 常州瑞择微电子科技有限公司 湿法清洗光掩模的方法
JP2010236088A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Hitachi High-Technologies Corp マスク部材のクリーニング装置及びクリーニング方法並びに有機ｅｌディスプレイ
CN102236248A (zh) * 2010-04-20 2011-11-09 株式会社Cowindst 用于修复半色调掩模的方法和系统
CN104007610B (zh) * 2014-06-12 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 掩模版的清洗方法及装置
CN104399714B (zh) * 2014-11-29 2019-04-19 宁波思犒工业技术服务有限公司 磁元件自动清洁系统
KR20180068367A (ko) 2016-12-13 2018-06-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크 세정 방법 및 이를 수행하는 마스크 세정 장치
CN111032902B (zh) * 2017-09-15 2021-03-02 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法、显示装置的制造方法及蒸镀掩模
WO2020021722A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 シャープ株式会社 表示デバイスの製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1282277A (zh) * 1997-12-18 2001-01-31 新加坡商·卓越自动系统有限公司 清除半导体封装设备中模具表面污物的方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4569695A (en) * 1983-04-21 1986-02-11 Nec Corporation Method of cleaning a photo-mask
JPH01226157A (ja) 1988-03-07 1989-09-08 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体基板の乾燥方法
JPH05166784A (ja) 1991-12-13 1993-07-02 Hitachi Ltd 基板の洗浄方法
JP2727481B2 (ja) * 1992-02-07 1998-03-11 キヤノン株式会社 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法
AU7682594A (en) * 1993-09-08 1995-03-27 Uvtech Systems, Inc. Surface processing
US5654057A (en) * 1994-12-28 1997-08-05 Hoya Corporation Sheet glass flattening method, method of manufacturing glass substrate for an information recording disk using flattened glass, method of manufacturing a magnetic recording disk using glass substrate, and magnetic recording medium
US6178973B1 (en) * 1998-07-28 2001-01-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for ozone generation and surface treatment
US6544893B2 (en) * 1999-03-30 2003-04-08 Hoya Corporation Method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium, and method of manufacturing an information recording medium
US6199298B1 (en) * 1999-10-06 2001-03-13 Semitool, Inc. Vapor assisted rotary drying method and apparatus
US6984334B2 (en) 2000-06-08 2006-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing optical element
US6841008B1 (en) * 2000-07-17 2005-01-11 Cypress Semiconductor Corporation Method for cleaning plasma etch chamber structures
TW490072U (en) * 2000-10-12 2002-06-01 Ritdisplay Corp Apparatus for stripping photoresist
US6799589B2 (en) * 2000-11-08 2004-10-05 Sony Corporation Method and apparatus for wet-cleaning substrate
JP3839674B2 (ja) 2001-02-21 2006-11-01 株式会社アルバック 有機蒸着装置及び有機薄膜製造方法
JP2003171694A (ja) 2001-12-03 2003-06-20 Mejiro Optica:Kk 洗浄用組成物並びに洗浄方法
SG114589A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
JP2004097881A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄膜除去装置
JP2004300495A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Nippon Seiki Co Ltd 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法
JP4352880B2 (ja) * 2003-12-02 2009-10-28 セイコーエプソン株式会社 洗浄方法および洗浄装置
JP3833650B2 (ja) * 2003-12-04 2006-10-18 関東化学株式会社 低分子型有機ｅｌ素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄液組成物および洗浄方法
KR100487834B1 (ko) * 2004-05-01 2005-05-09 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 패턴마스크 세정방법 및 장치
US7461663B2 (en) * 2004-09-01 2008-12-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Cleaning apparatus
US7581551B2 (en) * 2004-09-01 2009-09-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Cleaning apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1282277A (zh) * 1997-12-18 2001-01-31 新加坡商·卓越自动系统有限公司 清除半导体封装设备中模具表面污物的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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JP特开2004-300495A 2004.10.28

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