CN110491993B - 一种pi基板的制备方法及其显示装置 - Google Patents

一种pi基板的制备方法及其显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种PI基板的制备方法，其包括PI涂层制备步骤S1、去溶剂处理步骤S2、恒温成膜处理步骤S3以及激光处理表面步骤S4。本发明提供了一种PI基板的制备方法，其通过对所述PI膜层进行激光表面处理，当照射激光照射到所述PI膜层的表面时，能够对所述PI膜层内部形成加热处理，使得所述PI膜层内部的气泡受热向上，进而从所述PI膜层的表面释放出来，从而使得其制备出的PI基板中的PI膜层内部存有的PI气泡少。

Description

一种PI基板的制备方法及其显示装置
技术领域
本发明涉及平面显示技术领域，尤其是，其中涉及的一种PI基板的制备方法及其显示装置。
背景技术
已知，随着显示技术的不断发展，有机发光二极管显示面板(OLED)由于具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，以及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，使得其在显示领域、照明领域及可智能穿戴领域等等领域有着广泛地应用。
而且对于这种OLED显示面板而言，其具有的可折叠性能，更是使得其对于LCD显示面板的优势更为明显。而其中所述柔性OLED显示面板实现可折叠的基础在于，其采用的是可折叠柔性PI基板。
进一步的，对于柔性PI基板而言，目前业界对于其的主要研发重点在于克服其内存在的气泡问题，因为若是其内的气泡存有过多，这会严重影响其品质，进而影响其所在显示面板的品质。
具体来讲，其中PI基板中的PI气泡(PI Bubble)产生的主要原因有两个：
1、PI基板在处理过程中，外界的空气会侵入到PI膜层的材料中，从而在膜层内部形成气泡；
2、PI膜层本身构成的PI材料中存有的的物质会挥发，因而产生气体，从而在膜层内部产生气泡；
对此，业界一般采用的解决办法也主要是两个方法：
1、真空脱泡；
2、对成膜的PI材料溶液增加过滤，以减少其内的气泡。
但目前来看，这两种方法还是无法对PI膜层内部的气泡进行稳定管控，尤其是，对于因PI材料内部物质挥发而导致的气泡。因此，确有必要来开发一种新型的PI基板的制备方法，来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种PI基板的制备方法，其制备出的PI基板中的PI膜层内部存有的PI气泡少。
本发明采用的技术方案如下：
一种PI基板的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、PI涂层制备，其为提供一玻璃基板，并于所述玻璃基板上涂布一层PI材料溶液以在所述基板表面形成一PI涂层；
步骤S2、去溶剂处理，其为对所述PI涂层进行H-VCD处理，以除去所述PI涂层中50～70％的溶剂；
步骤S3、恒温成膜处理，其为对所述PI涂层进行恒温处理以在所述玻璃基板上形成PI膜层；以及
步骤S4、激光表面处理，其为对所述PI膜层进行激光表面处理，使得所述PI膜层内部的气泡受热从所述PI膜层的表面释放出来。
进一步的，其中所述步骤4具体可以是，其为对所述PI膜层进行激光表面处理，其中照射激光照射到所述PI膜层的表面上后会进入到所述PI膜层内部形成对所述PI膜层内部的加热处理，从而使得所述PI膜层内部的气泡受热向上，然后从所述PI膜层的表面释放出来。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S3中，其中所述恒温处理中的最高恒温温度为400～480℃。具体温度数值可以根据选择的不同PI材料而定，优选在430～450℃左右，但不限于。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S3中，其中所述恒温处理中的最高恒温温度的持续时间在10～40min范围内。相比于现有恒温制程中一般采用的40～60min持续时间而言，本发明因为增加了后续的激光表面处理步骤，因而需要相对缩短所需的最高恒温温度的持续时间。其中优选持续时间为10～30min左右，但不限于。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S3中，其中所述恒温处理中的升温速率为3～8℃/min、降温速率为5～10℃/min。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中对所述PI膜层进行的激光处理的方式为采用照射激光以线扫描的方式扫过所述PI膜层表面。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的扫描速度在1～20mm/s范围内。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的能量在200～800mJ/cm^2范围内。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的波长小于等于350nm。具体可以是在200～350nm波长范围内进行选择，但不限于。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述照射激光在对所述PI膜层表面进行第一次扫描之后，还会再进行第二次扫描。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的第一次扫描和第二次扫描之间间隔0～20min。即其可以是根据需要不间断的进行两次或以上数量次数的照射激光扫描，但也可以是在两次照射激光扫描之间间隔预定时间后在进行，以使得第一次照射激光扫描后从所述PI膜层内挥发出的气泡有时间能从PI膜层的表面释放出去。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述第一次照射激光扫描时采用的激光能量数值大于第二次照射激光扫描时采用的激光能量数值。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述第一次照射激光扫描时采用的激光波长、激光能量以及扫描速度参数与所述第二次照射激光扫描时采用的激光波长、激光能量以及扫描速度参数可以是相同的，也可以是不同的；具体采用的各参数数值，可随实际而定，并无限定。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中对所述PI膜层进行的激光处理方式为采用照射激光全面照射整个PI膜层表面。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的全面照射持续时间在1～20min范围内；其中所述照射激光的能量在200～800mJ/cm^2范围内；其中所述照射激光的波长小于等于350nm。具体可以是在200～350nm波长范围内进行选择，但不限于。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述照射激光在全面照射所述PI膜层一次后，还会在进行第二次的全面照射。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述第一次激光全面照射和第二次激光全面照射之间间隔0～20min。即其可以是根据需要不间断的进行两次或以上数量次数的激光全面照射，但也可以是在两次激光全面照射之间间隔预定时间后在进行，以使得第一次激光全面照射后从所述PI膜层内挥发出的气泡有时间能从PI膜层的表面释放出去。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述第二次照射激光全面照射的持续时间小于所述第一次照射激光全面照射时的持续时间。
进一步的，在不同实施方式中，在所述步骤S4中，其中所述第二次照射激光全面照射时的激光能量小于所述第一次照射激光全面照射时的激光能量。
进一步的，本发明的又一方面是提供一种显示装置，其中所述显示装置采用的PI膜层为经过本发明涉及的所述制备方法获得的PI基板，其去除了玻璃基板后留下的PI膜层。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明涉及的一种PI基板的制备方法，其在常规的恒温成膜处理之后，增加对成膜后的PI膜层进行激光处理的步骤，其中由于所述激光处理步骤中采用的照射激光是具有一定的能量的，待其进入到所述PI膜层的内部后，其能对所述PI膜层内部实现一定的加热，进而使得PI膜层能够从最底层开始逐步受热，进而向上排出其内的气泡。进一步的，根据实际需要，对所述PI膜层的激光处理可以进行多次，以期获得更好的排泡效果。
进一步的，将经由本发明涉及的所述制备方法获得的PI基板，应用到显示装置上时，由于所述PI膜层内已经由激光照射的方式进行了排泡处理，这使得其内部会减少因内部物质挥发而产生的气泡数量，而气泡数量的减少会直接提升PI膜层的折叠寿命；且激光照射表面处理还不会影响到其表面硬度，进而使得其所在显示装置的使用寿命增加的同时，还保证了其折叠品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的一个实施方式中提供的一种PI基板制备方法的步骤流程图；
图2为本发明的又一个实施方式中提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种PI基板制备方法及其显示装置的技术方案作进一步的详细描述。
请参阅图1所示，本发明的一个实施方式提供了一种PI基板制备方法，其包括PI涂层制备步骤S1、去溶剂处理步骤S2、恒温成膜处理步骤S3以及激光处理表面步骤S4。
以下将分别对各步骤进行详细说明。
步骤S1、PI涂层制备，其为提供一玻璃基板，并于所述玻璃基板上涂布一层PI材料溶液以在所述基板表面形成PI涂层。其中涉及使用的玻璃基板一般为硅玻璃基板，但不限于。而涉及使用的所述PI材料溶液也为业界已知的各种可用于PI膜层制备的PI材料。
步骤S2、去溶剂处理，其为对所述PI涂层进行H-VCD处理，以除去所述PI涂层中50～70％的溶剂。其中在所述H-VCD处理中，其涉及的参数可以是业界常用的针对选用的PI材料而采用的参数，其中温度参数优选在100～120℃之间，但不限于。
步骤S3、恒温成膜处理，其为对所述PI涂层进行恒温处理以使得所述PI涂层中的PI材料在所述玻璃基板上交联固化形成PI膜层。其中所述恒温处理中的最高恒温温度在400～480℃，升温速率为3～8℃/min，降温速率在5～10℃/min。具体温度数值可以根据选择的不同PI材料而定，优选在430～450℃左右，但不限于。
进一步的，其中所述恒温处理中的最高恒温温度的持续时间在10～40min。相比于现有的恒温制程中一般采用的40～60min而言，本发明是因为增加了后续的激光表面处理步骤，因而需要相对缩短所需的最高恒温温度的持续时间。其中优选持续时间在10～30min左右，但不限于。
步骤S4、激光表面处理，其为对所述PI膜层进行激光表面处理，照射激光射入到所述PI膜层表面后会进入到所述PI膜层内部，进而对所述PI膜层内部形成加热处理，从而使得所述PI膜层内部的气泡受热向上，然后从所述PI膜层的表面释放出来。
其中在一个激光表面处理的实施方式中，其为采用照射激光以线扫描的方式进行。其中所述照射激光的扫描速度在1～20mm/s范围内，所述照射激光的能量在200～800mJ/cm^2，所述照射激光的波长小于等于350nm。具体可以是在200～350nm波长范围内进行选择，但不限于。其中由于选择处理的PI膜层涉及的具体PI材料不同，使得上述这些参数可随具体的PI材料进行相应的调整。
进一步的，其中所述照射激光在对所述PI膜层表面进行第一次激光扫描之后，还可以根据实际需要再进行第二次激光扫描，甚至第三次、第四次的激光扫描，具体扫描次数可随需要而定，并无限定。
且，两次照射激光扫描之间，可以是不间断的进行，也可以是间隔设定时间后再进行下一次的激光扫描，以使得经过第一次激光扫描后从所述PI膜层内挥发出的气泡有时间能从PI膜层的表面释放出去。其中，每次间隔的时间可以在0～20min范围内，具体可随需要而定，并无限定。
进一步的，不同的照射激光扫描次数间的间隔时间可以是相同的，也可以是不同的。例如，若是需要进行3次激光扫描，则第二次激光扫描和第一次激光扫描之间的间隔设定时间可以是10min，而第三次激光扫描和第二次激光扫描之间的间隔时间则可以是5min。需要明确的是，这些数值只是举例式说明，并非限定。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一次照射激光扫描时采用的激光波长、激光能量以及扫描速度参数与所述第二次照射激光扫描时采用的激光波长、激光能量以及扫描速度参数可以是相同的，也可以是不同的；具体采用的各参数数值，可随实际而定，并无限定。
进一步的，其中在又一个激光表面处理的实施方式中，其为采用照射激光全面照射整个PI膜层表面的方式进行。其中所述照射激光的全面照射持续时间在1～20min；所述照射激光的能量在200～800mJ/cm^2；所述照射激光的波长小于等于350nm。具体可以是在200～350nm波长范围内进行选择，但不限于。其中由于选择处理的PI膜层涉及的具体PI材料不同，使得上述这些参数可随具体的PI材料进行相应的调整。
进一步的，其中所述照射激光在全面照射所述PI膜层一次后，还可以根据实际需要再进行第二次激光全面照射，甚至第三次、第四次的全面照射，具体全面照射次数可随需要而定，并无限定。
且，两次照射激光全面照射之间，可以是不间断的进行，也可以是间隔设定时间后再进行下一次的照射激光的全面照射，以使得经过第一次照射激光的全面照射后从所述PI膜层内挥发出的气泡有时间能从PI膜层的表面释放出去。其中，每次全面照射的间隔时间可以在0～20min范围内，具体可随需要而定，并无限定。
进一步的，不同全面照射次数间的间隔时间可以是相同的，也可以是不同的。例如，若是需要进行3次照射激光的全面照射，则第二次照射激光的全面照射和第一次照射激光的全面照射之间的间隔设定时间可以是10min，而第三次照射激光的全面照射和第二次照射激光的全面照射之间的间隔时间则可以是5min。需要明确的是，这些数值只是举例式说明，并非限定。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一次照射激光的全面照射采用的激光波长、激光能量以及照射持续时间参数与所述第二次照射激光的全面照射时采用的激光波长、激光能量以及照射持续时间等参数可以是相同的，也可以是不同的；具体采用的各参数数值，可随实际而定，并无限定。
例如，其中所述照射激光第二次全面照射的持续时间可以是小于所述第一次全面照射时的持续时间，而所述照射激光第二次全面照射时的激光能量可以是小于所述第一次全面照射时的激光能量。
本发明涉及的一种PI基板的制备方法，其在常规的恒温成膜处理之后，增加对成膜后的PI膜层进行激光处理的步骤，其中由于所述激光处理步骤中采用的照射激光是具有一定的能量的，待其进入到所述PI膜层的内部后，其能对所述PI膜层内部实现一定的加热，进而使得PI膜层能够从最底层开始逐步受热，进而向上排出其内的气泡。进一步的，根据实际需要，对所述PI膜层的激光处理可以进行多次，以期获得更好的排泡效果。
进一步的，将经由本发明涉及的所述制备方法获得的PI基板，应用到显示装置上。请参阅图2所示，其图示了本发明的又一实施方式提供的一种显示装置的结构示意图，其中所述显示装置包括PI膜层100，所述PI膜层100上设置有功能层200。其中所述功能层200包括业界已知的各种显示装置中涉及的设置在所述PI膜层100上的功能层，例如，OLED显示装置的功能层，但不限于。
这其中，所述PI膜层100为经由本发明涉及的所述制备方法获得的PI基板，其去除了玻璃基板后留下的PI膜层。其中由于所述PI膜层100内已经由激光照射的方式进行了排泡处理，这使得其内部会减少因内部物质挥发而产生的气泡数量，而气泡数量的减少会直接提升PI膜层100的折叠寿命；且激光照射表面处理还不会影响到其表面硬度，进而使得其所在显示装置的使用寿命增加的同时，还保证了其折叠品质。
本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。

Claims (9)

1.一种PI基板的制备方法；其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、PI涂层制备，其为提供一玻璃基板，并于所述玻璃基板上涂布一层PI材料溶液以在所述基板表面形成一PI涂层；
步骤S2、去溶剂处理，其为对所述PI涂层进行H-VCD处理，以除去所述PI涂层中50～70％的溶剂；
步骤S3、恒温成膜处理，其为对所述PI涂层进行恒温处理以在所述玻璃基板上形成PI膜层；以及
步骤S4、激光表面处理，其为对所述PI膜层进行激光表面处理，使得所述PI膜从底层逐步受热，进而使得所述PI膜层内部的气泡受热从所述PI膜层的表面释放出来；
其中，对所述PI膜层进行的激光处理的方式为采用照射激光以线扫描的方式扫过所述PI膜层表面。
2.根据权利要求1所述的制备方法；其特征在于，在所述步骤S3中，其中所述恒温处理中的最高恒温温度为400～480℃；所述恒温处理中的升温速率为3～8℃/min、降温速率为5～10℃/min。
3.根据权利要求1所述的制备方法；其特征在于，在所述步骤S3中，其中所述恒温处理中的最高恒温温度的持续时间在10～40min范围内。
4.根据权利要求1所述的制备方法；其特征在于，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的扫描速度在1～20mm/s范围内。
5.根据权利要求1所述的制备方法；其特征在于，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的能量在200～800mJ/cm^2范围内。
6.根据权利要求1所述的制备方法；其特征在于，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的波长小于等于350nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法；其特征在于，在所述步骤S4中，其中所述照射激光在对所述PI膜层表面进行第一次扫描之后，还会再进行第二次扫描。
8.根据权利要求7所述的制备方法；其特征在于，在所述步骤S4中，其中所述照射激光的第一次扫描和第二次扫描之间间隔0～20min。
9.一种显示装置，其包括PI膜层；其特征在于，其中所述PI膜层为根据权利要求1所述制备方法获得的PI基板，其去除了玻璃基板后留下的PI膜层。
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