CN1763919A - 膜图形的制造方法及其应用 - Google Patents

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Abstract

提供一种膜图形的制造方法及其应用。在该膜图形的制造方法中,具有在基板表面上形成树脂膜的工序;使上述树脂膜包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序;在上述树脂膜上照射紫外线的工序;以及将上述树脂膜加热到该树脂的分解温度以上的温度,形成导电性膜或半导电性膜的工序。由此,难于产生树脂的分解残渣而使制造的膜图形的精度及质量得到提高。

Description

膜图形的制造方法及其应用
技术领域
本发明涉及,例如,作为构图了的导体膜形成的电极、布线、电子发射元件构成部件等的形成及薄膜晶体管的构图的半导体膜等的形成中可以使用的膜图形的制造方法,使用该制造方法的电子器件、电子发射元件、电子源基板及图像形成装置的制造方法。
背景技术
过去,利用在基板上使用感光性树脂形成树脂图形,使该树脂图形吸收包含金属成分的溶液之后,通过对该树脂图形进行烧焙,在基板上得到导电薄膜的图形这一过程,制造电子发射元件、制造电子源基板以及制造图像形成装置是公知的(例如,参照日本专利申请特开2003-36781号公报)。
然而,在利用上述已有方法形成膜图形时,图形容易产生偏差,例如,在应用于高精细的图像形成装置的布线及电极等的形成时,在图形精度上不能充分满足需要。
发明内容
本发明的目的在于抑制所得到的膜图形的偏差的发生,得到高精度的图形。
本发明是一种膜图形的制造方法,其特征在于具有:在基板表面上形成树脂膜的工序;使上述树脂膜中包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序;对上述树脂膜照射紫外线的工序;以及将上述树脂膜加热到不低于该树脂的分解温度,形成导电性膜或半导电性膜的工序。
另外,本发明的膜图形的制造方法是具有在基板上形成树脂膜的工序;使该树脂膜中包含含有导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体的工序;以及对包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的树脂膜进行烧焙形成导电性膜或半导电性膜的烧焙工序的膜图形的制造方法;其特征在于在使树脂膜中包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序之后,包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的树脂膜在上述烧焙工序中在加热达到该树脂的分解温度之前,对包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的树脂膜进行紫外线照射。
附图说明
图1A、1B为可以利用本发明的膜图形的形成方法制造的电子发射元件的一构成例的示意图,其中1A为剖面图,1B为平面图。
图2为示意地示出可以利用本发明的膜图形的形成方法制造的使用电子源基板的图像形成装置的一部分剖开后的立体图。
具体实施方式
本发明是基于发现所得到的膜图形的偏差是由构成树脂图形的树脂的分解残渣所产生的而完成的。
就是说,本发明是一种膜图形的制造方法,其特征在于具有:在基板表面上形成树脂膜的工序;使上述树脂膜中包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序;对上述树脂膜照射紫外线的工序;以及将上述树脂膜加热到不低于该树脂的分解温度,形成导电性膜或半导电性膜的工序。
另外,本发明的膜图形的制造方法是具有在基板上形成树脂膜的工序;使该树脂膜中包含含有导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体的工序;以及对包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的树脂膜进行烧焙形成导电性膜或半导电性膜的烧焙工序的膜图形的制造方法;其特征在于在使树脂膜中包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序之后,包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的树脂膜在上述烧焙工序中在加热达到该树脂的分解温度之前,对包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的树脂膜进行紫外线照射。
另外,本发明可提供使用上述膜图形的制造方法的电子器件、电子发射元件、电子源基板及图像形成装置的制造方法。
根据本发明,由于树脂图形的构成树脂,在烧焙工序中热分解之前受到紫外线照射容易发生热分解,而很难产生分解残渣,可以使所得到的膜图形的精度提高。
在本发明中,上述紫外线对树脂膜的照射,是在使树脂膜中包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序之后,在将树脂膜加热达到大于等于其构成树脂的分解温度之前进行。所以,紫外线照射,既可以在使树脂膜中包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序之后在烧焙工序对树脂膜加热之前进行,并且也可以在烧焙工序加热开始后将树脂膜加热达到构成树脂的分解温度之前进行,任何一种都可以。在通过这种紫外线照射可以形成偏差少、均匀的微细膜图形,例如,用于显示装置的制造的场合,可以与高精细化相对应。另外,由于是一种简易方法,可以利用低廉的装置进行,并且可以抑制膜图形形成材料的使用量。
因为在本发明的实施方式中使用的液体包含导电性膜或半导电性膜的构成成分,在通过烧焙可以形成导电性膜或半导电性膜时,既可以是含有有机溶剂大于等于50重量%的用了有机溶剂系溶剂的有机溶剂系溶液,也可以使用含有水大于等于50重量%的用了水系溶剂的水系溶液。另外,在本发明中,所谓“金属”也包含合金。
根据本发明,可以形成导电性膜或半导电性膜图形,可以应用于形成电极、布线、表面传导型电子发射元件的元件膜、薄膜晶体管中的构图了的半导电性膜。具体言之,本发明,可以用于电子器件、电子发射元件、电子源基板、图像形成装置等的制造。
所谓电子器件,是一种具备至少在一部分上设置了具有导电性膜或者半导电性膜图形的电路的基板的装置,可以举出的,例如,有液晶显示屏、计算机等等。
此外,本发明,可以用来制造电子发射元件、具备多个该电子发射元件的电子源基板以及使用该电子源基板的图像形成装置。
作为电子发射元件的例子,可以举出与在电绝缘的基板上对置形成的一对元件电极相接形成导电性膜之后,对此导电性膜实施称为电成形(forming)的通电处理使导电性膜的局部发生破坏、变形或变质,形成包含龟裂的高电阻的地点,之后,利用在元件电极之间施加电压,使导电性膜的表面有平行电流流过时,从包含上述龟裂的高电阻的地点(电子发射部)产生电子发射的现象的表面传导型电子发射元件为例。另外,本发明不仅可用于上述表面传导型电子发射元件的制造,也可以作为构成部件用于具有导电性膜图形的电子发射元件的制造。作为其他电子发射元件的示例,可以举出称为“FE型”的电场发射型的电子发射元件及称为“MIM型”的具有金属/绝缘层/金属结构的电子发射元件。
所谓电子源基板,是在具备多个电子发射元件的同时,具备用于驱动此电子发射元件的布线的基板,在此电子发射元件及布线的至少一部分是由导电性膜图形构成时,可以通过以本发明的膜图形制造方法形成该膜图形的至少一部分来制造该电子源基板。
作为使用上述表面传导型电子发射元件的电子源基板,存在将具有一对元件电极的电子发射元件在X方向上及Y方向上以行列形状排列多个,将排列在同一行的多个电子发射元件的一方的元件电极与另一方的元件电极分别与布线共连成为梯状配置的电子源基板。在这种梯状配置的电子源基板的场合,在与布线正交的方向上,通过在该电子发射元件的上方配置控制电极(也称为栅极),可以对从每行驱动的电子发射元件之中的任一个取出电子进行控制。
与此不同,也存在电子发射元件在X方向上及Y方向上以行列形状排列多个,将排列在同一行的多个电子发射元件的元件电极的一方与X方向的布线共连,而将排列在同一列的多个电子发射元件的元件电极的另一方与Y方向的布线共连的所谓单纯矩阵配置的电子源基板。
此外,作为图像形成装置,可以举出的有将上述电子源与利用从上述电子源的电子发射元件发射的电子照射而形成图像的图像形成部件对置组合而构成的图像形成装置。如果采用具有利用电子发出可见光的荧光体的部件作为图像形成部件,可以作成电视机及计算机显示器使用的显示屏。另外,如果采用感光鼓作为图像形成部件,利用调色剂使通过电子束的照射在此感光鼓上形成的潜影显影,就可以制造复印机及打印机。
下面对本发明进行说明。
(1)树脂膜形成材料
作为本发明中使用的树脂膜形成材料,可以使用感光性树脂。使用的感光性树脂,只要是用其形成的树脂膜是可以吸收后述的包含构成导电性膜或半导电性膜的成分的液体就可以,没有特别的限制,既可以是水溶性的感光性树脂,也可以是溶剂溶解性的感光性树脂。所谓水溶性的感光性树脂,指的是后述的显影工序的显影可以在水或包含大于等于50重量%的水的显影剂中进行的感光性树脂,而所谓溶剂溶解性感光性树脂,指的是显影工序的显影可以在有机溶剂或包含大于等于50重量%的有机溶剂的显影剂中进行的感光性树脂。
作为感光性树脂,既可以是在树脂结构中具有感光基的类型的树脂,例如,环化橡胶双叠氮化物系列光刻胶,也可以是在树脂中混合有感光剂的类型的感光性树脂。在任何一种类型的感光性树脂成分中都可以适当混合光反应开始剂及光反应禁止剂。另外,既可以是在显影液中可溶的感光性树脂涂膜由于光照而成为在显影液中不溶化的类型(负型),也可以是在显影液中不溶的感光性树脂涂膜由于光照而成为在显影液中可溶化的类型(正型)。
在本发明中,如上所述,可以广泛使用一般的感光性树脂,但特别优选的是在可以使导电性膜或半导电性膜的构成成分的吸收提高和使材料的利用率提高方面,并且从可以形成形状更为整齐的图形这一点考虑,与后述的溶液中的成膜成分发生反应,可进行离子交换的树脂。可以进行离子交换的树脂是具有离子交换基的树脂,尤其是,从容易形成形状整齐的图形这一点考虑,使用具有羧酸基的树脂是优选。另外,由于容易维持良好的作业环境和废弃物对于大自然的影响小,优选使用水溶性的感光性树脂。
此外,如对水溶性的感光性树脂进行说明的话,作为这种水溶性感光性树脂,可以应用使用含有水大于等于50重量%,且以小于50重量%的范围内添加例如用于加速干燥速度的甲醇及乙醇等低级醇的显影剂及添加例如促进感光性树脂成分的溶解及提高稳定性等的成分的显影剂的树脂。但是,从减轻对环境的影响的观点考虑,优选是可以以含水率大于等于70重量%的显影剂进行显影的树脂,更为优选是可以以含水率大于等于90重量%的显影剂进行显影的树脂,最优选是只以水作为显影剂进行显影的树脂。作为此水溶性感光性树脂,例如,可以举出的有应用聚乙烯醇系树脂及聚乙烯吡咯烷酮系树脂等水溶性树脂的感光性树脂。
(2)含有构成导电性膜或半导电性膜的成分的液体
在本发明中使用的含有构成导电性膜或半导电性膜的成分的液体,只要是通过干燥和烧焙可以形成导电性膜或半导电性膜的就可以,作为构成导电性膜或半导电性膜的成分,可以使用金属或金属化合物。考虑到用来制作电子器件、电子发射元件、电子源基板及图像显示装置,作为构成导电性膜或半导电性膜的成分,优选是从金、银、铜、钌、钯、铑、铋、钒、铬、锡、铅、硅、锌、铟、镍等之中选择。另外,包含上述构成成分的液体,既可以是使用包含有机溶剂大于等于50重量%的有机溶剂系溶剂的有机溶剂系溶液,也可以是使用含有水大于等于50重量%的水系溶剂的水系溶液。包含构成成分的液体,例如,可以通过将具有水或有机溶剂可溶性的金属络合物等金属有机化合物溶解于水系溶剂或有机溶剂系溶剂中而很容易得到。
作为在本发明中使用的上述液体,与上述感光性树脂一样,从容易维持良好的作业环境和废弃物对于大自然的影响小考虑,优选使用水系液体。作为此水系液体的水系溶剂,可以是含有水大于等于50重量%,且以小于50重量%的范围添加例如用于加速干燥速度的甲醇及乙醇等低级醇的液体及添加例如促进上述金属有机化合物的溶解及提高稳定性等的成分的液体。特别是,从减轻对环境的影响的观点考虑,优选是含水率大于等于70重量%,更为优选是含水率大于等于90重量%,最优选是全部是水。
(3)导电性膜图形的制造方法
使用感光性树脂作为树脂的导电性膜或半导电性膜或包含导电性膜或半导电性膜的膜图形的形成,可经过以下的树脂膜形成工序(涂敷工序、干燥工序、曝光工序、显影工序)、使树脂膜中包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的吸收工序、根据需要进行的清洗工序、烧焙工序、以及根据需要进行的磨削(milling)工序进行。
涂敷工序,是在应该形成膜图形的基板上涂敷上述感光性树脂的工序。这一涂敷,可以使用各种印刷法(网板印刷法、胶板印刷法、苯胺印刷法等等)、旋转涂敷法、浸渍法、溅射法、冲压法、滚压法、狭缝涂胶法、喷墨法等等进行。
干燥工序,是使在上述涂敷工序中在基板上涂敷的感光性树脂涂膜中的溶剂挥发而使涂膜干燥的工序。这一涂膜干燥,可以在室温下进行,但为了缩短干燥时间在加热下进行是优选。加热干燥,例如,可以使用无风烘箱、干燥机、热板等进行。虽然因涂敷的电极及布线形成用组成物的配料及涂敷量等等而不同,但一般在50~120℃的温度下,可在1~30分钟间进行。
曝光工序,是使在上述干燥工序中经过干燥的基板上的感光性树脂膜相应于预定的图形,即制造的膜的图形(例如,预定电极及布线的形状)进行曝光的工序。在曝光工序中通过光照曝光的范围,由于使用的感光性树脂是负型或正型而不同。在经光照变成不溶于显影液的负型感光性树脂的场合,是对树脂膜应该保留的区域进行光照而曝光,而在经光照变成溶于显影液的正型感光性树脂的场合,则反之,是对树脂膜应该保留的区域以外的区域进行光照而曝光。光照区域和非光照区域的选择,可以以与通常的光刻胶使用的掩模形成的方法同样进行。
显影工序,是对在上述曝光工序中曝光的感光性树脂,去掉树脂膜的应该保留的区域以外的区域的工序。因为在感光性树脂为负型时,未受到光照的感光性树脂膜可溶于显影液,而受到光照的曝光部的感光性树脂膜不溶于显影液,所以可以将在显影液中并非不溶的非光照区域的感光性树脂膜在显影液中溶解去除而进行显影。另外,因为在感光性树脂为正型时,未受到光照的感光性树脂膜对于显影液不溶,而受到光照的曝光部的感光性树脂膜可溶于显影液,所以可以将在显影液中可溶的光照区域的感光性树脂膜在显影液中溶解去除而进行显影。
另外,在使用水溶性感光性树脂时,作为显影液,例如,可以使用水及与对通常的水溶性光刻胶使用的显影液同样的显影液。另外,在有机溶剂树脂的场合,可以使用在有机溶剂及溶剂系光刻胶中使用的显影液同样的显影液。
使树脂膜中包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的吸收工序,是使含有上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体被以上述方式形成的树脂膜所吸收的工序。吸收可通过使形成的树脂膜与包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体接触而进行。具体言之,例如,可以利用浸渍于含有上述构成成分的液体中的浸渍法及在树脂膜上例如利用溅射法及旋转涂敷法涂敷含有上述构成成分的液体的涂敷法等等进行。也可以在含有上述构成成分的液体与树脂膜接触之前,例如,在使用上述水系溶液时,利用上述水系溶剂使树脂膜膨润。
清洗工序,是在使树脂膜吸收包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体之后,将附着于树脂膜上的剩余的液体及附着于树脂膜以外的地方的剩余的液体除去和清洗的工序。这一清洗工序,可以使用与含有上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体中的溶剂同样的清洗液,通过将形成有上述树脂膜的基板浸渍于此清洗液中的方法及将该清洗液喷射到形成有上述树脂膜的基板的方法等进行。
成为本发明的本质的紫外线照射,在使上述树脂膜中包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分之后进行。紫外线照射也可以在烧焙工序前进行,在烧焙工序中,优选是在达到烧焙中的树脂膜的构成树脂开始热分解的温度之前进行照射。
在本发明中进行的紫外线照射,为了易于使树脂膜的构成树脂发生热分解,高效率地切断构成树脂的碳键,优选是使用波长为172~254nm的紫外线以10~5000mJ的曝光量照射约1~30分钟。另外,使用低压汞灯的紫外线照射,为了效率更高地切断构成树脂的碳键,在臭氧气氛下进行,可以在短时间内完成处理。另外,在使用受激准分子UV灯的紫外线照射的场合,在氮气下进行可以在更短时间完成处理。
作为紫外线的光源,可以使用低压汞灯、准分子UV灯等。另外,紫外线照射,是以比在曝光工序中进行的曝光用的紫外线照射(360~365nm)低的波长(172~254nm)及高能量的照射(数十起至数千mJ),与使用光处理的曝光量相比,需要数倍至数千倍的照射量。
烧焙工序,是对经过上述显影工序及吸收工序还有相应于需要经过上述清洗工序的树脂膜(在负型时是对光照部的感光性树脂膜,在正型时是对非光照部的感光性树脂膜)进行烧焙,分解去除树脂膜中的有机成分,利用树脂膜中包含的上述导电性膜或半导电性膜的构成成分形成膜图形的工序。烧焙,在以贵金属形成导电性膜图形时可在大气中进行,但在想要使易于氧化的铜及钯等金属形成导电性膜图形时,优选是在真空或脱氧气氛中(例如,在氮气等不活泼气体气氛中等等)进行。
烧焙,因树脂膜中含有的有机成分的种类等而不同,通常可以在400℃~600℃的温度下放置数分钟~数十分钟来进行。烧焙,例如,可以利用热风循环炉、带式炉、管式炉(tact oven)、热板、IR炉等进行。通过此烧焙,可以在基板上形成使导电性膜或半导电性膜或包含导电性膜或半导电性膜的膜形成为符合预定图形的形状的膜。特别是,根据本发明,因为通过上述紫外线照射,可以在使树脂膜的构成树脂易于热分解的基础上进行烧焙,在烧焙时很难产生构成树脂的残渣,可以使所得到的膜图形的均匀性提高。
(5)电子发射元件的制造方法
本发明的膜图形的制造方法,如前所述,因为可以用作电子发射元件的制造方法,下面对在表面传导型电子发射元件的制造方法中使用的场合进行说明。
图1A及1B为可以利用本发明的膜图形的制造方法制造的电子发射元件的一构成例的示意图,1A为剖面图,1B为平面图。图中,1是基板,2a、2b是元件电极,3是元件膜、4是电子发射部4。
如图所示,本例的电子发射元件,横跨在基板1上形成的一对元件电极2a、2b之间形成元件膜3。因为元件电极2a、2b及元件膜3是作为导电体的膜图形形成的,在两者形成之后,通过在元件电极2a、2b之间实施称为电成形(forming)的通电处理,在元件膜3的一部分上形成电子发射部4。此电子发射元件,通常,在上述电成形之后,在有机气体存在下,对元件电极2a、2b之间施加电压,通过使碳附着于电子发射部4及其附近的激活处理,可使电子发射效率提高。
如上所述,由于元件电极2a、2b及元件膜3是作为导体的膜图形形成的,其中之一或两者可以可由本发明的膜图形形成方法形成。
(6)电子源及图像形成装置的制造方法
本发明的膜图形的形成方法,如前所述,可以用作电子源基板及图像形成装置的制造方法,下面对把上述膜图形的形成方法用在使用表面传导型电子发射元件的电子源基板及应用该电子源基板的图像形成装置的制造方法中的场合进行说明。
图2为示意地示出使用可以利用本发明的膜图形的制造方法制造的电子源基板的图像形成装置的一部分剖开后的立体图。
电子源基板10,是在基板11上将多个具有元件电极12a、12b、和具备电子发射部14的元件膜13的电子发射元件15,在X、Y方向上配置,并用Y方向布线(下布线)16和X方向布线(上布线)17连接而成的单纯矩阵配置的电子源基板,Y方向布线16与各电子发射元件15的元件电极2b相连接,而X方向布线17与各电子发射元件15的元件电极2a相连接。电子发射元件15,基本上与图1A及1B所示的相同,基板11、元件电极12a、12b、元件膜13及电子发射部14,分别与图1A及1B的基板1、元件电极2a、2b、元件膜3及电子发射部4相对应。
上述电子源基板10设置在背面板18上。与设置在此背面板18上的电子源基板10对置地设置有在内表面一侧上设置荧光膜19和金属背20的前面板21,在背面板18和前面板21之间,夹着包围两者间的周围的支持框22进行封接,内部为真空气氛。
上述图像形成装置,是构成图像显示屏的装置,通过与X方向布线17及Y方向布线16分别相连接的引出端子X1~Xn、Y1~Ym,在对所选择的电子发射元件15的元件电极12a、12b之间施加电压的同时,通过从高压端子22对金属背20施加10~15KV的高电压,使从上述所选择的电子发射元件15发射的电子束照射对应的荧光体17而显示图像。
上述图像形成装置的电子源基板10,在形成多对元件电极12a、12b、连接该各对元件电极12a、12b间的元件膜13、连接各元件电极12b间的Y方向布线16、连接各元件电极12a间的X方向布线17之后,通过在各对元件电极12a、12b间通电,在各元件膜13上形成电子发射部14而制造成。
上述元件电极12a、12b、元件膜13、Y方向布线16及X方向布线17,任何一个都可以作为导体的膜图形形成,通过以本发明的膜图形形成方法形成这些之中的任何一个或全部,可以制造电子源基板10。另外,通过将所得到的电子源基板10与作为利用电子束照射形成图像的图像形成部件的荧光膜19对置配置,可以制造图像形成装置(图像显示屏)。
(实施例1)
将感光性树脂(甲基丙烯酸-甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸乙酯-n-丙烯酸丁酯-偶氮双异丁腈聚合体)以旋转涂敷法涂敷于玻璃基板(75mm×75mm×厚2.8mm)的整个表面上,利用热板在80℃下干燥2分钟。
之后,使用表1所示的线宽的直线形状图形的光掩模,以超高压汞灯(照度=1600mW/cm2),对形成感光性树脂的涂膜的图形的区域,利用Cannon公司制造的MPA3200(镜面投影掩模对准器)以13mm/sec的扫描速度进行曝光、显影而得到树脂图形。
将形成树脂图形的基板在纯水中浸渍30秒之后,在Ru络合物溶液(3-(2,2’-二吡啶)钌(II)氯化物水溶液,含钌0.1重量%)中浸渍180秒,使树脂图形对溶液进行吸收。
将基板提起,以流水清洗5秒钟,冲洗树脂图形之间的Ru络合物溶液,以空气进行排水,利用80℃的热板干燥3分钟。之后,在以低压水银灯照射紫外线2000mJ之后,在热风循环炉中在500℃下烧焙1小时。
利用线宽测定机测定所得到的氧化钌的直线形状的膜图形的线宽,利用与掩模图形的标准偏差(3σ/平均值、σ=标本的标准偏差)评价直线形状膜图形的直线性。此线宽图形为线宽为6μm、8μm、10μm、20μm、50μm共5种,长度全部为1000μm,各膜图形的线宽以10μm间距进行90点测定。
结果示于表1。
[表1]
 掩模线宽(μm)             标准偏差(%)
  实施例1   实施例2   比较例1
 6   0.6   0.5   2.0
 8   0.5   0.4   1.5
 10   0.4   0.5   1.3
 20   0.5   0.4   1.1
 50   0.5   0.5   1.2
(实施例2)
与实施例1一样,浸渍于Ru络合物溶液之后实施清洗与干燥而得到具有树脂图形的基板。将此基板置于带式炉中,在200℃时以低压水银灯照射紫外线2000mJ,之后,原样不变在带式炉中500℃下进行烧焙。
对于所得到的氧化钌的膜图形进行与实施例1同样的测定和评价。
结果示于表1。
(比较例1)
除了不进行低压水银灯紫外线照射之外,与实施例1一样在得到氧化钌的直线形状膜图形之后,进行与实施例1同样的测定和评价。
结果示于表1。
另外,利用上述各实施例中描述的方法形成如图1A及1B所示的元件电极2a、2b、制造的电子发射元件以良好的再现性显示出良好的电子发射特性。
另外,在利用上述各实施例记述的方法形成图2所示的电子源基板10的各电子发射元件15的元件电极12a、12b时,在电子发射元件之间显示均匀的电子发射特性。
另外,在利用上述各实施例记述的方法形成图2所示的电子源基板10的各电子发射元件15的元件电极12a、12b以及Y方向布线(下布线)16、X方向布线(上布线)17时,更进一步显示出电子发射元件之间的均匀的电子发射特性。
另外,在将利用上述方法制造的电子源基板10应用于图2所示的图像显示装置时,可以得到显示性能良好可靠性高的图像显示装置。
另外,在上述实施例中示出的是烧焙和紫外线照射是各实施一次的示例,但本发明并不限定于此。例如,也可以适当选择在烧焙和紫外线照射分别实施之后,再多次实施紫外线照射和烧焙的方法,可以在不脱离本发明的思想或精神的前提下选择各种方法。

Claims (11)

1.一种膜图形的制造方法,其特征在于具有:
在基板表面上形成树脂膜的工序;
使上述树脂膜中包含导电性膜或半导电性膜的构成成分的工序;
对上述树脂膜照射紫外线的工序;以及
将上述树脂膜加热到不低于该树脂的分解温度,形成导电性膜或半导电性膜的工序。
2.如权利要求1所述的膜图形的制造方法,其特征在于:上述紫外线照射是在对包含上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的树脂膜进行加热的同时进行的。
3.如权利要求1所述的膜图形的制造方法,其特征在于:上述紫外线照射是在存在臭氧的条件下进行的。
4.如权利要求1所述的膜图形的制造方法,其特征在于:上述树脂膜是用具有离子交换基的树脂形成的。
5.如权利要求1所述的膜图形的制造方法,其特征在于:上述导电性膜或半导电性膜的构成成分是从金、银、铜、钌、钯、铑、铋、钒、铬、锡、铅、硅、锌、铟、镍之中选择的。
6.如权利要求1所述的膜图形的制造方法,其特征在于:含有上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体是含有金属络合物的液体。
7.如权利要求1所述的膜图形的制造方法,其特征在于:含有上述导电性膜或半导电性膜的构成成分的液体是水系液体。
8.一种电子器件的制造方法,该电子器件具备至少在一部分上设置了具有导电性膜或半导电性膜的膜图形的电路的基板,其特征在于:上述膜图形的至少一部分是利用权利要求1~7中的任一项所述的膜图形的制造方法形成的。
9.一种电子发射元件的制造方法,该电子发射元件具有导电性膜图形作为构成部件,其特征在于:该膜图形是利用权利要求1~7中的任一项所述的膜图形的制造方法形成的。
10.一种电子源基板的制造方法,该电子源基板具备设置于基板上的多个电子发射元件和用于驱动该电子发射元件的布线,该电子发射元件及布线的至少一部分由导电性膜图形构成,该制造方法的特征在于:上述膜图形的至少一部分是利用权利要求1~7中的任一项所述的膜图形的制造方法形成的。
11.一种图像形成装置的制造方法,其特征在于:把利用权利要求10所述的制造方法得到的电子源基板与具有通过电子束照射形成图像的图像形成部件的基板对置配置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7632536B2 (en) * 2004-09-01 2009-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electroconductive pattern, and method for producing electronic device, electron emitting device and image forming apparatus

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0681335B1 (en) * 1993-09-30 2001-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module having surface coating material of three-layer structure
ATE194727T1 (de) * 1993-12-17 2000-07-15 Canon Kk Herstellungsverfahren einer elektronen emittierenden vorrichtung, einer elektronenquelle und eine bilderzeugungsvorrichtung
JP3072825B2 (ja) * 1994-07-20 2000-08-07 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、及び、画像形成装置の製造方法
JP3576989B2 (ja) 1994-08-01 2004-10-13 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3208526B2 (ja) * 1994-08-01 2001-09-17 キヤノン株式会社 導電性膜形成用材料、該材料を用いる導電性膜の形成方法、及び、該形成方法を用いる液晶配向膜の形成方法
JP2932250B2 (ja) * 1995-01-31 1999-08-09 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法
JP3057081B2 (ja) * 1998-05-18 2000-06-26 キヤノン株式会社 気密容器の製造方法および該気密容器を用いる画像形成装置の製造方法
JP2000309734A (ja) 1999-02-17 2000-11-07 Canon Inc インクジェット用インク、導電性膜、電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
JP2000243254A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法
JP3323847B2 (ja) * 1999-02-22 2002-09-09 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
JP4046959B2 (ja) * 2000-09-04 2008-02-13 キヤノン株式会社 電子線発生装置及び画像形成装置
JP3737688B2 (ja) * 2000-09-14 2006-01-18 株式会社東芝 電子放出素子及びその製造方法
JP2003036781A (ja) 2001-07-23 2003-02-07 Canon Inc 電子放出素子、電子源、及び画像形成装置の製造方法
CN1222918C (zh) * 2001-08-27 2005-10-12 佳能株式会社 布线基板及使用该布线基板的图象显示装置
US6902455B2 (en) * 2001-09-27 2005-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing member pattern, electron source, and image display device
JP3902998B2 (ja) * 2001-10-26 2007-04-11 キヤノン株式会社 電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3577062B2 (ja) * 2002-06-05 2004-10-13 株式会社東芝 電子放出素子及びその製造方法
JP4262027B2 (ja) 2002-08-05 2009-05-13 キヤノン株式会社 電極・配線形成方法および画像形成装置の製造方法
CN1248556C (zh) * 2002-08-05 2006-03-29 佳能株式会社 电极和布线材料吸收用底层图形形成材料及其应用
JP2004152651A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Canon Inc 表面伝導型電子放出素子及び画像形成装置の製造方法
US7279751B2 (en) * 2004-06-21 2007-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
US7632536B2 (en) * 2004-09-01 2009-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing electroconductive pattern, and method for producing electronic device, electron emitting device and image forming apparatus
JP2006190525A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Seiko Epson Corp 電子放出素子および電子放出素子の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器
TWI408734B (zh) * 2005-04-28 2013-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法

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