CN1763914A - 保护带分离方法及使用该方法的设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于分离贴附在半导体晶片上的保护带的设备。在利用刃状件将分离带压抵在保护带上的同时将分离带贴附到保护带上之前,所述保护带贴附在由环形框架通过切分带从背侧保持住的半导体晶片的表面上,先从活塞喷嘴将纯水滴到位于分离带的贴附开始端前方的切分带背侧上。
Description
技术领域
本发明涉及一种保护带分离方法,该方法能将粘性带贴附到保护带上,所述保护带贴附在由环形框架通过支承粘性带保持住的半导体晶片的表面上,且该方法能与粘性带一体地、高精度地从半导体晶片分离保护带。本发明还涉及使用所述方法的设备。
背景技术
通过使用诸如研磨或抛光之类的机械方法或者使用蚀刻的化学方法,加工半导体晶片(下文简称为“晶片”)的背侧以使晶片变薄。在使用任何方法来加工晶片时,都会在晶片的表面上贴附保护带以保护其上形成有布线图案的表面。贴附有保护带并进行抛光的晶片的背侧由环形框架通过支承粘性带吸附地保持住。之后,从保持在环形框架上的晶片表面上分离保护带以去除它。
具体地说,通过辊子将粘性带贴附在保护带的表面上,并将粘性带分离以从晶片表面与保护带一体地分离和去除粘性带,并将粘性带和保护带收卷起来。在将粘性带贴附到保护带表面上时,在支承粘性带的贴附开始端一侧上贴附一无粘性薄板,以防止粘性带的贴附开始端一侧上的支承粘性带与绕辊子卷绕的粘性带之间的接触(例如可参见国际专利公报WO 97/08745)。
不过,传统的保护带分离方法存在以下问题。
近年来,随着应用的快速发展,要求减小晶片的厚度,并且使晶片变薄到150μm或更薄。在由支承粘性片DT从环形框架f的背侧保持贴附有保护带的变薄的晶片W并将保护带从晶片表面分离的情况下,当比晶片厚的无粘性薄板贴附到在粘性带的贴附开始端一侧上的支承粘性带上时,由于晶片的厚度与薄板61的厚度之间的不同而产生了间隙G,如图1所示。因而,辊子60施加在粘性带Ts上的压力由于间隙G而变得不均匀。由于间隙G,特别是在贴附开始端处粘性带Ts并没有可靠地与保护带PT的端部紧密接触。这就会在与保护带PT一体地分离粘性带时造成分离稳定性低的问题。
如果无粘性薄板61加工得比晶片薄的话,粘性带Ts就可以从一端均匀地贴附到保护带PT的表面上。不过,问题在于,通过对板表面覆层无粘性材料来调整其厚度要比磨薄晶片W更为困难,并且在一系列晶片工艺中要将薄板61贴附到支撑粘性带DT上的处理也很困难。
发明内容
鉴于前述的技术现状而设计出本发明,本发明的一个主要的目的是提供一种保护带分离方法,该方法能将粘性带贴附到保护带上,所述保护带贴附在由环形框架通过支承粘性带保持住的半导体晶片的表面上,且该方法能与粘性带一体地、高精度地从半导体晶片上分离保护带。本发明还提供使用所述方法的设备。
为了实现上述目的,本发明采用以下的配置。
一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的方法,该方法包括以下步骤:
从滴液装置将液体材料至少滴到分离粘性带的贴附开始端一侧处的支承粘性带的粘贴面上;和
在液体材料滴到支承粘性带的粘贴面上之后,在由贴附件按压分离粘性带的非粘贴面的同时将分离粘性带贴附到贴附于半导体晶片的保护带上,并由分离装置从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带。
在由贴附件按压分离粘性带的同时将分离粘性带贴附到保护带表面上时,在分离粘性带的贴附开始端一侧处,分离粘性带的高度低于半导体晶片和保护带的厚度(高度)。如果半导体晶片例如磨薄到150μm或更薄,则在贴附操作开始时分离粘性带就可能会接触到支承粘性带的粘贴面。采用根据本发明的方法,由于将液体材料滴在分离粘性带的贴附开始端一侧上的支承粘性带的粘贴面上,所以可以避免分离粘性带与支承粘性带之间的直接接触。也就是说,分离粘性带可以均匀的力从半导体晶片的一端紧密地贴附在保护带的表面上。结果就能从半导体晶片的一端可靠地一体分离保护带和分离粘性带。
较佳的是,滴到支承粘性带上的液体材料例如是纯水或酒精。所要滴的纯水的量很小,并可从支承粘性带的背侧自然地蒸发掉。即使在纯水没有完全蒸发而残留的情况下,由于在后继处理中进行切分时会使用纯水,所以不会对半导体晶片产生任何不利影响。
为了实现上述的目的,本发明还采用以下的配置。
一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的方法,该方法包括以下步骤:
由保持装置保持半导体晶片,且使保护带粘贴面朝下;
从分离粘性带供应装置供应分离粘性带,且使其粘贴面朝上以面对保护带的表面;
从滴液装置将液体材料滴到被供应成面对保护带的分离粘性带的、在贴附开始端一侧的粘贴面上;以及
在液体材料滴到支承粘性带的粘贴面上之后,在由贴附件按压分离粘性带的非粘贴面的同时将分离粘性带贴附到贴附于半导体晶片的保护带上,并由分离装置从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带。
在这种方法中,较佳的是,液体材料是其粘度能在粘贴面上保持静止状态的液体材料,或者是由微粒所构成的液体材料。
为了实现上述目的,本发明还采用以下的配置。
一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的设备,该设备包括:
保持装置,用于在其上安装和保持由环形框架保持住的半导体晶片;
分离粘性带供应装置,用于向由保持装置保持的半导体晶片供应分离粘性带;
分离装置,用于将分离粘性带贴附到保护带表面,并通过使其上安装和保持半导体晶片的保持装置和用于按压分离粘性带的非粘贴面的贴附件相对彼此水平移动,而从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带;
滴液装置,用于在贴附分离粘性带之前将液体材料滴到分离粘性带的贴附开始端一侧上的支承粘性带的粘贴面上;以及
带子收集装置,用于与分离下来的分离粘性带一起地收集保护带。
采用根据本发明的这种装置,在将分离粘性带贴附到保护带表面上之前,由滴液装置将液体材料滴到在贴附开始端一侧上的支承粘性带的背侧上。之后,在贴附件进行按压的同时从保护带的一端贴附分离粘性带。因此,在贴附分离粘性带时,通过滴到贴附开始端一侧上的支承粘性带的粘贴面上的液体材料,就可以防止分离粘性带与支承粘性带相接触。也就是说,分离粘性带可从半导体晶片的端部以均匀的压力紧密地贴附到保护带的表面上。结果,就可以可靠地从半导体晶片的端部一体地分离保护带和分离粘性带。
较佳的是,滴液装置设置在离开贴附件沿行进方向的前侧一预定间隔处,并与贴附件一体地相对于保持装置水平移动。采用这种结构,液体材料能在分离保护带的一系列操作中容易地滴到贴附开始端一侧上的支承粘性带的粘贴面上,从而也能提高工作效率。
例如可以使用喷嘴作为滴液装置。例如可以使用刃状件或辊子作为贴附件。
为了实现上述目的,本发明还采用以下配置。
一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的设备,该设备包括:
保持装置,用于保持由环形框架保持住、且保护带粘贴面朝下的半导体晶片;
分离粘性带供应装置,用于向由保持装置保持的半导体晶片供应分离粘性带;
分离装置,用于将分离粘性带贴附到保护带表面,并通过使其上安装和保持半导体晶片的保持装置和用于按压分离粘性带的非粘贴面的贴附件相对彼此水平移动,而从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带;
滴液装置,用于在贴附分离粘性带之前将液体材料滴到分离粘性带在其上贴附到保护带的、贴附开始端一侧上的分离粘性带的粘贴面上;以及
带子收集装置,用于与分离下来的分离粘性带一起地收集保护带。
在这种配置中,较佳的是,滴液装置是用于喷射薄雾状纯水的喷嘴。
附图说明
为了说明本发明,在附图中示出了目前为较佳的若干形式。不过,应予理解的是,本发明并不局限于所示的那些布置和装置。
图1示出了传统技术的用于贴附粘性带的一辊子的操作状态;
图2是示出整个半导体晶片装配设备的立体图;
图3是示出整个分离机构的立体图;
图4是示出分离机构的主要部分的配置的侧视图;
图5是示出分离机构的主要部分的配置的平面图;
图6示出纯水滴下的状态;
图7示出分离机构的操作;以及
图8示出分离机构的操作。
具体实施方式
下面将参照附图描述设有保护带分离装置的半导体晶片装配设备的实施例。
图2是示出根据本发明一实施例的半导体晶片装配设备的整体配置的局部剖视立体图。
半导体晶片装配设备1包括:晶片供应部分2,其中装有盒子C用于叠置地容纳经受背面研磨加工的晶片W;晶片传送机构3,该机构3设有机械手4和按压机构5;用于校准晶片W的校准台7;用于向安装校准台7上的晶片W发射紫外线的紫外线照射单元14;用于吸附地保持晶片W的吸盘台15;环形框架支承部分16,其中叠置地容纳环形框架(下面简称为“环框架f”);用于将环框架传送到切分带DT上的环形框架传送机构17;用于从环框架f的背侧贴附切分带DT的带子处理部分18;环框架抬升机构26,用于沿垂直方向移动贴附有切分带DT的环框架;用于制造固定框架MF的固定框架制造部分27,所述固定框架MF通过将晶片W贴附到贴附有切分带DT的环框架上来集成;用于传送制造好的固定框架MF的第一固定框架传送机构29;用于分离贴附于晶片W的表面的保护带PT的分离机构30;用于传送由分离机构30从其分离了保护带PT的固定框架MF的第二固定框架传送机构35;用于转动和传送固定框架MF的转台36;以及用于叠置地容纳固定框架MF的固定框架收集部分37。
晶片供应部分2设有盒架,叠置地容纳晶片W的盒子C安装在该盒架上。保护带PT贴附在晶片W的带有图案的表面(下文适当地称作“表面”)上。晶片W保持水平的姿态,且其带有图案的表面朝上。
晶片传送机构3构造成可由驱动机构摆动和沿着竖向移动。具体地说,晶片传送机构3对机械手4的晶片保持器(将在下面描述)和按压机构4的压板6的位置加以调整,并将晶片W从盒子C传送到校准台7。
晶片传送机构3的机械手4在其末端设有马蹄形的晶片保持器(未示出)。机械手4构造成其晶片保持器能在叠置地容纳在盒子C中的晶片W之间的间隙中前后移动。
晶片保持器设有吸附孔并从晶片W的背侧通过真空吸附来保持住晶片W。
晶片传送机构3的按压机构5在其末端设有圆形压板5,该圆形压板5的形状几乎与晶片W的形状相同。按压机构5的臂部分可以前后移动,以使压板6在安装在校准台7上的晶片W上方移动。压板6的形状并不局限于圆形,而可以是任何形状,只要该形状可以矫正晶片W中所发生的翘曲即可。例如,可以用棒杆的末端或类似的构件压抵在晶片W的翘曲部分上。
按压机构5是在晶片W安装在校准台7的保持台上时吸附作用较差的情况(将在下文进行描述)下工作的。具体地说,当晶片W中发生翘曲且无法吸附保持住晶片W时,压板6按压晶片W的表面并矫正翘曲,以使表面变得平直。在这种状态下,保持台8真空吸附晶片W的背侧。
校准台7设有保持台(未示出),该保持台用于根据定向平直段或类似的部分来定位所安装的晶片W,并覆盖和真空吸附晶片W的整个背侧。
当真空吸附晶片W时,校准台7可检测出一压力值。将检测结果与一参考值相比,该参考值是参照正常操作(当保持台正常地真空吸附晶片W时)的压力值来确定的。当压力值高于参考值(也就是说,当进气管中的压力没有充分降低时),就确定晶片W发生翘曲并没有被保持台真空吸附住。压板6就工作以按压晶片W并矫正翘曲,以使晶片W可被保持台真空吸附住。
校准台7可以在安装和定位晶片W的初始位置和一中间位置之间、在吸附保持住晶片W的状态下传送晶片W,且所述中间位置位于以多级的方式设置在带子处理部分18(将在下文描述)上方的吸盘台15与环框架抬升机构26之间。也就是说,校准台7将晶片W传送到下一工艺步骤,且同时矫正晶片W的翘曲和保持晶片W处于平直状态。
紫外线照射单元14在初始位置定位在校准台7的上方。紫外线照射单元14向贴附在晶片W表面上、作为紫外线固化粘性带的保护带PT发出紫外线。也就是说,通过紫外线的照射来减小保护带的粘性。
吸盘台15呈圆形,其形状几乎与晶片W的形状相同,以能覆盖和真空吸附晶片W的表面。驱动机构(未示出)将吸盘台15从带子处理部分18上方的待命位置竖向移动到晶片W贴附到环框架f上的位置。
也就是说,吸盘台15与其翘曲被矫正且由保持台保持在平直状态的晶片W接触,并吸附保持晶片W。
吸盘台15向下移动到其配合在用于吸附保持环框架f的环框架抬升机构26的开孔中的位置,切分带DT(将在下文描述)从背侧贴附于所述环框架f,且晶片W在环框架f的中心更靠近切分带DT。
此时,由保持机构(未示出)保持住吸盘台15和环框架抬升机构26。
环框架供应部分16呈货车的形状,具有设有轮子的底部,并装载在半导体晶片装配设备1内。环框架供应部分16的上部敞开,在该上部中将叠置地容纳的环框架f向上滑动并送出。
环形框架传送机构17从顶上一个接一个地按顺序真空吸附容纳在环框架供应部分16中的环框架f,并以先校准台(未示出)、然后贴附切分带DT的位置的顺序传送环框架f。环框架传送机构17还用作一保持机构,用于在贴附切分带DT时将环框架f保持在贴附切分带DT的位置。
带子处理部分18包括:用于供应切分带DT的带子供应件19;一对左、右张紧机构20,用于张紧切分带DT;用于将切分带DT贴附到环框架f上的贴附单元21;用于切割贴附于环框架f的切分带DT的切割机构24;分离单元23,用于在切割机构24进行切割之后从环框架分离多余带子的分离单元23;以及用于收集切割下来的多余的剩余带子的带子收集部分25。
张紧机构20抓住切分带DT的宽度方向的两端并沿着带子的宽度方向施加张力。具体地说,当使用柔软的切分带DT时,由于沿带子施加方向所施加的张力,在切分带DT的表面上沿着带子供应方向会产生竖向皱纹。为了将切分带DT均匀地贴附到环框架f上并同时避免竖向皱纹,就沿带子宽度方向施加张力。
贴附单元21设置在保持在切分带DT上方的环框架f的斜下方(图2中为左下方)的待命位置。从环框架传送机构17传送环框架f并将其保持贴附在切分带DT的位置,且开始从带子供应部分19供应切分带DT,与此同时,设置在贴附单元21中的贴附辊22沿带子供应方向移动到位于右侧的贴附开始位置。
到达贴附开始位置的贴附辊22向上移动并将切分带DT压抵在环框架f上。之后,贴附辊22从贴附开始位置向待命位置滚动,并在按压切分带DT的同时将切分带DT贴附到环框架f上。
分离单元23从环框架f上分离切割机构24(将在下文描述)切割下来的切分带DT的多余部分。具体地说,在切分带DT贴附到环框架f上并切割好之后,张紧机构20放开对切分带DT的抓持。分离单元23向带子供应部分19移过环框架f,以分离切割下来的多余切分带DT。
切割机构24设置在其上安装有环框架f的切分带DT的下方。当切分带DT通过贴附单元21贴附于环框架时,张紧机构20放开对切分带DT的抓持,且切割机构向上移动。切割机构24向上移动并沿着环框架f对切分带DT进行切割。
环框架抬升机构26位于在将切分带DT贴附到环框架f的位置上方的待命位置。环框架抬升机构26在将切分带DT贴附到环框架f的步骤完成时向下移动,并吸附保持环框架f。此时,已保持住环框架f的环框架传送机构17回到位于环框架供应部分16上方的初始位置。
环框架抬升机构26吸附保持环框架f,并向上移动到将晶片W贴附到环框架f的位置。此时,吸附保持晶片W的吸盘台15向下移动到将晶片W贴附到环框架f上的位置。
固定框架制造部分27包括贴附辊28。贴附辊28在按压贴附于环框架f背侧的切分带DT的非粘贴面的同时进行滚动。贴附辊28用诸如橡胶或树脂之类的柔软材料制成。
第一固定框架传送机构29真空吸附固定框架MF,该固定框架MF通过集成环框架f和晶片W来形成,所述第一固定框架传送机构29将固定框架MF传送到分离机构30的分离台(未示出)。
如图3所示,分离机构30包括:分离台38,晶片W安装在分离台38上,并由分离台38移动晶片W;用于供应分离带Ts的带子供应部分31;用于贴附和分离分离带Ts的分离单元32;用于将纯水滴到贴附分离带Ts的贴附开始端一侧上的、切分带DT粘贴面上的滴水机构39;以及用于收集分离的分离带Ts和保护带PT的带子收集部分34。除了分离机构30中的分离台38之外的配置均设置在半导体晶片装配设备1的整个表面(未示出)上。分离台38对应于本发明的保持装置,带子供应部分31对应于分离粘性带供应装置,分离单元32对应于分离装置,滴液机构39对应于滴液装置,以及分离带Ts对应于分离粘性带。
分离台38用多孔材料制成,通过真空从背侧吸附固定框架MF。由半导体晶片装配设备本体的轨道来保持分离台38的可动机架,该可动机架支承成可沿着一对前/后轨道沿水平方向滑动,并通过诸如电动机(未示出)之类的驱动部分互锁。
带子供应部分31供应分离带Ts,分离带Ts引导自分离带辊并在分离台的上方通过。
如图4和5所示,分离单元32包括刃状件(edge member)33,该刃状件具有尖锐的末端,用于分离带子。刃状件33由比晶片的直径宽的板件构成,分离单元32可摆动地附接于由转动轴40轴向支承的边缘单元41。还附接有分离带传送辊R。
气缸46的连杆47通过活塞杆46a连接于边缘单元41的一侧,边缘单元41根据活塞杆46a的进出操作而沿着刃状件33的行进方向前后摆动,从而使刃状件33的边缘的末端沿竖向移动,也就是说,能改变高度也改变角度。
在与气缸46相对的一侧上,在边缘单元41的左侧和右侧上附接两个测微计43,脉冲电动机PM的转动传递到所述测微计,并且调整轴44根据脉冲电动机PM的向正向/反向转动而从所述测微计伸出或缩入所述测微计。
具体地说,所述两个测微计43的结构制成,将相同转速的转动从单个脉冲电动机PM通过皮带V传递到两个测微计43,所述皮带V环绕在同轴地附接于齿轮G的皮带轮K上。脉冲电动机PM的转动直接传递到齿轮G之一并传递到测微计43。转动通过皮带V间接地传递到另一齿轮G并传递到测微计43。左侧和右侧测微计44的调整轴44以相同的尺度(scale)凸伸和收缩。
测微计43的调整轴44的末端与边缘单元41的框架的一侧接触。也就是说,活塞杆46a使边缘单元41具有倾斜角以使边缘具有预定的角度,该边缘单元41与边缘单元41的框架接触,并起到挡块的作用以使边缘单元41不会倾斜超过所给定的倾斜角,且使边缘的位置不沿高度方向、特别是向下移动。
滴液机构39设置成L形活塞喷嘴48朝下并与刃状件33隔开预定的间隔。当推压活塞杆49时,从活塞喷嘴48滴出预定量的存储在内部的纯水WA。在面对活塞杆49的一侧上附接有测微计51,脉冲电动机PM的转动传递到该测微计51,并且调整轴50根据脉冲电动机PM的向正向/反向转动而从测微计51伸出或缩入测微计51。
测微计51的结构制成从脉冲电动机PM通过齿轮G向其传递相同的转速的转动。也就是说,脉冲电动机PM的转动直接传递到齿轮G,然后再传递到测微计51。测微计51的调整轴50以预定的尺度伸出和收进,从而推压活塞杆49。也就是说,在刃状件33的前方滴下预定量的纯水WA,也就是说滴到在分离带Ts的贴附开始端一侧上的切分带DT的粘贴面上。
参见图2,第二固定框架传送机构35真空吸附从分离机构30送出的固定框架MF,并将其传送到转台36。
转台36定位固定框架MF,并将固定框架MF装入固定框架收集部分37。具体来说,当由第二固定框架传送机构35将固定框架MF安装在转台36上时,根据晶片W的定向平直段、环形框架f的定位形状或类似的结构来定位固定框架MF。在定位好固定框架MF之后,为了改变将固定框架MF装入固定框架收集部分37的方向而转动转台36。在确定装入方向之后,转台36通过推动装置(未示出)来推动固定框架MF,以将固定框架MF装入固定框架收集部分37。
固定框架收集部分37安装在可升降的安装台(未示出)上。通过安装台的竖向移动,就可以将推动装置推动的固定框架MF装入固定框架收集部分37的任一级中。
现将参照图2至8描述半导体晶片装配设备的一系列操作。
机械手4的晶片保持器插入盒子C之间的间隙。从下方吸附保持晶片W并一个一个地取出它们。将送出的晶片W传送到校准台7。
由机械手4将晶片W安装在保持台8上,并从背侧保持住晶片W。此时,由压力计(未示出)检测晶片W吸附水平,并将所测得的吸附水平与参照正常操作中的压力值而确定的参考值相比较。
当检测到非正常吸附时,就使压板6压抵在晶片W的表面上,并通过矫正翘曲来使晶片W吸附保持在平直状态。根据定向平直段或凹口来定位晶片W。
在完成了校准台7上的定位之后,由紫外线照射单元14对晶片W的表面进行紫外线照射。
在通过保持台8将晶片W吸附保持在校准台7上的同时,将经过紫外线照射处理的晶片W传送到接下去的固定框架制造部分27。校准台7移动到位于吸盘台15和环框架抬升机构26之间的中间位置。
当校准台7等待在预定位置时,位于上方的吸盘台15向下移动,吸盘台15的底面与晶片W接触,并且吸盘台15开始真空吸附晶片W。当吸盘台15开始进行真空吸附时,保持台8一侧上的吸附保持作用停止,且吸盘台15以晶片W在矫正了翘曲的平直状态下被吸盘台15所接受。已输送完晶片W的校准台7回到其初始位置。
环框架传送机构17从顶部一个一个地真空吸附并取出叠装在环框架供应部分16中的环框架f。取出的环框架f被放置在校准台(未示出)上,然后被传送到位于切分带DT上方的切分带DT贴附位置。
当环框架f被环框架传送机构17保持住并处于切分带DT贴附位置时,开始从带子供应部分19供应切分带DT。与此同时,贴附辊22移动到贴附开始位置。
当贴附辊22到达贴附开始位置时,张紧机构20抓持住切分带DT沿宽度方向的两端并沿带子宽度方向施加张力。
接着,贴附辊22向上移动以将切分带DT压抵在环框架f的端部上并贴附它。在将切分带DT贴附到环框架f的端部上之后,贴附辊22向作为待命位置的带子供应部分19一侧滚动。此时,贴附辊22在推压切分带DT(非粘贴面)的同时滚动,从而将切分带DT贴附到环框架f上。当贴附辊22到达贴附位置的终点端时,放开张紧机构20对切分带DT的抓持。
与此同时,切割机构24向上移动以沿着环框架f切割切分带DT。在切割好切分带DT之后,分离单元23朝向带子供应部分19移动并分离多余的切分带DT。
之后,带子供应部分19工作以进给切分带DT,而切割下的带子的多余部分则被送至带子收集部分25。此时,贴附辊22移动到贴附开始位置以将切分带DT贴附到下一环框架f上。
由环框架抬升机构26吸附保持贴附有切分带DT的环框架f的框架部分,并向上移动它。此时,吸盘台15也向下移动。也就是说,吸盘台15和环框架抬升机构26移动到贴附晶片W的位置。
机构15和26到达预定的位置,并由保持机构(未示出)保持住。接着,贴附辊28移动到切分带DT的贴附开始位置,并在按压贴附于环框架f底面的切分带DT的非粘贴面的同时进行滚动,从而将切分带DT贴附的晶片W上。结果,就制造出通过集成环框架f和晶片W来获得的固定框架MF。
在制造好晶片W之后,吸盘台15和环框架抬升机构26向上移动。此时,保持台(未示出)移动到位于固定框架MF下方的位置,并将固定框架MF安装在保持台上。第一固定框架传送机构29吸附保持安装好的固定框架MF,并将其传送到分离台38上。
其上安装了固定框架MF的分离台38移动到位于分离单元32下方的位置,如图7所示。当固定框架MF到达分离单元32下方的预定位置时,分离台38暂时停住。然后,滴液机构39工作以从活塞喷嘴48将纯水WA滴到在分离带Ts的贴附开始端一侧上的切分带DT的粘贴面上,以使纯水WA扩散得比切分带DT的宽度更宽,如图6所示。
之后,刃状件33在从带子供应部分31供应的分离带T运转的状态下向下移动到预定高度。由于纯水WA滴到刃状件33向下移动的贴附开始端的位置上,故分离带Ts和切分带DT彼此不接触。分离台38也是在刃状件33向下移动的状态下开始移动。随着这样的移动,刃状件33就在将分离带Ts压抵在保护带PT上的同时将分离带Ts贴附到晶片W表面上的保护带PT上。在贴附分离带Ts的同时,刃状件33从晶片W的表面上与保护带PT一起地分离所贴附的分离带Ts。
当分离台38到达保护带贴附终点端位置时,如图8所示,刃状件38向上移动,并且分离单元32回到初始位置。
经过保护带PT分离处理的固定框架MF被分离台38移动到第二固定框架传送机构35的待命位置。
第二固定框架传送机构35将从分离机构30送出的固定框架MF传送到转台36。根据定向平直段或凹口来定位传送过来的固定框架MF,并调整其装入方向。在定位和装入方向调整好之后,推动装置推动固定框架MF,并将其装入固定框架收集部分37。
本实施例的半导体晶片装配设备1的系列操作就完成了。在半导体晶片装配设备中,分离台38的移动量、停止位置及定时、刃状件33的竖向移动及其定时、滴液机构39从活塞喷嘴48滴下纯水的量、以及类似的操作都预设在控制器(未示出)中。根据所设定的状况,控制器以集中的方式控制诸部件。
如上所述,在分离带Ts贴附到由环框架f保持的晶片W的表面上之前,将纯水滴到在贴附开始端一侧上的切分带DT背侧的粘贴面上,且使纯水WA扩散得比分离带Ts宽并到达晶片W的端部。采用这种操作,即使当刃状件33在贴附分离带Ts时贴附开始端一侧上向下移动时,在刃状件33上运行的分离带Ts也不会与切分带DT的背侧直接接触。也就是说,分离带Ts可以一预定的压力、在晶片的端部处、从贴附开始端贴附到保护带PT的表面上,且切分带DT与分离带Ts之间并不接触。结果,就可以防止由于贴附分离带Ts不均匀而使保护带PT的分离精度下降。
由于纯水WA用作滴到切分带DT背侧上的液体材料,所以该纯水WA可以在将已从其分离了保护带的固定框架MF传送到下一工序的过程中自然收干。即使纯水在随后工序的切分工序中仍残留,由于在切分时会要使用纯水,所以不会产生任何不利的影响。
本发明并不局限于前述的实施例,而可作如下的修改。
(1)尽管在前述的实施例中是使用刃状件33来贴附分离带Ts的,但也可以使用辊子来替代它。
(2)尽管分离台38是在从活塞喷嘴48滴纯水时暂时停止的,但也可以由控制器来调节分离台38的行进而不将分离台38停止。
(3)尽管在前述实施例中是使用纯水作为液体材料的,但也可以使用诸如酒精或油之类的任何液体材料,只要这样的材料能避免切分带DT与分离带Ts之间的接触即可。
(4)尽管在前述实施例中是将纯水滴到切分带DT上的,但在倒置固定框架MF并从下方分离保护带的情况下,液体材料可以滴到分离带Ts一侧上。在这种情况下,只要互换如图3所示的分离机构30的上和下部分、并将活塞喷嘴48指向分离带Ts的粘贴面就足够了。作为要滴的液体,可以使用其粘度能保持在分离带Ts粘贴面上的静止状态的液体材料,或者由例如通过形成纯水或酒精薄雾而获得的微粒所构成的液体材料。
(5)尽管在前述的实施例中是在贴附粘性带Ts时移动保持台38的,刃状件33和滴液机构39可移动、而分离台39固定。或者,刃状件33和滴液机构39所构成的装置和分离台38可以同时沿相反方向移动。
(6)尽管在前述的实施例中滴液机构39与分离单元32是一体地形成的,但分离单元32和滴液机构39也可以是分离的构件并分别移动。
(7)尽管在前述的实施例中活塞喷嘴48的末端是面对正下方的,但活塞喷嘴48也可以倾斜的姿态附接以使其末端面对晶片W的端侧。
(8)尽管在前述的实施例中是贴附带形的分离带Ts来分离保护带PT的,但也可以使用例如包括粘性带、标签或板形薄片在内的粘性薄片,包括在加热时表现出粘性的粘性带、标签或板形薄片的粘性薄片,以及类似的材料。可以其它的具体形式来实现本发明而不超出本发明的精神实质或主要贡献的范围。因此在示明本发明的保护范围时应参照所附权利要求书而非前面的说明书。
Claims (12)
1.一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的方法,该方法包括以下步骤:
从滴液装置将液体材料至少滴到分离粘性带的贴附开始端一侧处的支承粘性带的粘贴面上;和
在液体材料滴到支承粘性带的粘贴面上之后,在由贴附件按压分离粘性带的非粘贴面的同时将分离粘性带贴附到贴附于半导体晶片的保护带上,并由分离装置从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
滴到支承粘性带的粘贴面上的液体材料是纯水。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
滴到支承粘性带的粘贴面上的液体材料是酒精。
4.一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的方法,该方法包括以下步骤:
由保持装置保持半导体晶片,且使保护带粘贴面朝下;
从分离粘性带供应装置供应分离粘性带,且使其粘贴面朝上以面对保护带的表面;
从滴液装置将液体材料滴到被供应成面对保护带的分离粘性带的、在贴附开始端一侧的粘贴面上;以及
在液体材料滴到支承粘性带的粘贴面上之后,在由贴附件按压分离粘性带的非粘贴面的同时将分离粘性带贴附到贴附于半导体晶片的保护带上,并由分离装置从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,
滴到分离粘性带的粘贴面上的液体材料是其粘度能在粘贴面上保持静止状态的液体材料,或者是由微粒所构成的液体材料。
6.一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的设备,该设备包括:
保持装置,用于在其上安装和保持由环形框架保持住的半导体晶片;
分离粘性带供应装置,用于向由保持装置保持的半导体晶片供应分离粘性带;
分离装置,用于将分离粘性带贴附到保护带表面,并通过使其上安装和保持半导体晶片的保持装置和用于按压分离粘性带的非粘贴面的贴附件相对彼此水平移动,而从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带;
滴液装置,用于在贴附分离粘性带之前将液体材料滴到分离粘性带的贴附开始端一侧上的支承粘性带的粘贴面上;以及
带子收集装置,用于与分离下来的分离粘性带一起地收集保护带。
7.如权利要求6所述的设备,其特征在于,
滴液装置设置在离开贴附件沿行进方向的前侧一预定间隔处,并与贴附件一体地相对于保持装置水平移动。
8.如权利要求6所述的设备,其特征在于,
滴液装置是喷嘴。
9.如权利要求6所述的设备,其特征在于,
贴附件是刃状件。
10.如权利要求6所述的设备,其特征在于,
贴附件是辊子。
11.一种用于从由环形框架通过支承粘性带从背侧保持的、设有保护带的半导体晶片分离保护带的设备,该设备包括:
保持装置,用于保持由环形框架保持住、且保护带粘贴面朝下的半导体晶片;
分离粘性带供应装置,用于向由保持装置保持的半导体晶片供应分离粘性带;
分离装置,用于将分离粘性带贴附到保护带表面,并通过使其上安装和保持半导体晶片的保持装置和用于按压分离粘性带的非粘贴面的贴附件相对彼此水平移动,而从半导体晶片的表面上一体地分离所述分离粘性带和保护带;
滴液装置,用于在贴附分离粘性带之前将液体材料滴到分离粘性带在其上贴附到保护带的、贴附开始端一侧上的分离粘性带的粘贴面上;以及
带子收集装置,用于与分离下来的分离粘性带一起地收集保护带。
12.如权利要求11所述的设备,其特征在于,
滴液装置是用于喷射薄雾状纯水的喷嘴。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI420583B (zh) * | 2006-09-07 | 2013-12-21 | Nitto Denko Corp | 黏著帶切斷方法及利用此方法之黏著帶貼附裝置 |
CN110173086A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-08-27 | 上海倪儿饰品有限公司 | 一种涂鸦墙抗污薄膜切换装置 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4841262B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2011-12-21 | 株式会社東京精密 | ウェーハ処理装置 |
JP4698517B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2011-06-08 | 日東電工株式会社 | 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置 |
JP4688728B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-05-25 | 株式会社東京精密 | 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置 |
JP4693696B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2011-06-01 | 株式会社東京精密 | ワーク処理装置 |
JP4711904B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-06-29 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
JP4698519B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-06-08 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハマウント装置 |
JP4641984B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-03-02 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
US7844099B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-11-30 | International Business Machines Corporation | Inspection method for protecting image sensor devices with front surface protection |
US20080113456A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | International Business Machines Corporation | Process for protecting image sensor wafers from front surface damage and contamination |
JP5102138B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-12-19 | 株式会社ディスコ | 保護テープ剥離装置 |
JP4740297B2 (ja) | 2008-09-04 | 2011-08-03 | リンテック株式会社 | マウント装置及びマウント方法 |
JP2010087265A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Takatori Corp | 基板への接着テープ貼付装置 |
JP5292057B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-09-18 | リンテック株式会社 | テーブル及びこれを用いたシート剥離装置並びに剥離方法 |
JP5209529B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2013-06-12 | リンテック株式会社 | シート剥離装置及び剥離方法 |
JP5234793B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-07-10 | リンテック株式会社 | シート剥離装置及び剥離方法 |
JP5185868B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2013-04-17 | リンテック株式会社 | シート剥離装置および剥離方法 |
JP5468381B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-04-09 | リンテック株式会社 | シート剥離装置及び剥離方法 |
JP5468382B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-04-09 | リンテック株式会社 | シート剥離装置及び剥離方法 |
TWI456012B (zh) | 2010-06-08 | 2014-10-11 | Henkel IP & Holding GmbH | 使用脈衝式uv光源之晶圓背面塗覆方法 |
WO2011156228A2 (en) | 2010-06-08 | 2011-12-15 | Henkel Corporation | Coating adhesives onto dicing before grinding and micro-fabricated wafers |
TWI585908B (zh) | 2010-11-25 | 2017-06-01 | 山田尖端科技股份有限公司 | 樹脂模塑裝置與樹脂模塑方法 |
WO2012106223A2 (en) | 2011-02-01 | 2012-08-09 | Henkel Corporation | Pre-cut wafer applied underfill film on dicing tape |
KR101960982B1 (ko) | 2011-02-01 | 2019-07-15 | 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 | 사전 절단되어 웨이퍼상에 도포된 언더필 필름 |
JP5829505B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2015-12-09 | リンテック株式会社 | シート貼付装置及び貼付方法 |
US8547805B1 (en) | 2012-03-28 | 2013-10-01 | Tdk Corporation | Thermally-assisted magnetic recording head having temperature sensor embedded on dielectric waveguide |
US9427949B2 (en) * | 2013-12-03 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus |
JP6562778B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2019-08-21 | リンテック株式会社 | シート剥離装置および剥離方法 |
US10978326B2 (en) * | 2018-10-29 | 2021-04-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, , Ltd. | Semiconductor wafer storage device |
JP2020194834A (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | リンテック株式会社 | 支持装置および支持方法 |
CN110667231A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-10 | 沈阳精发科技有限公司 | 一种撕起贴纸的装置 |
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JP2023064613A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-11 | 株式会社ディスコ | 剥離治具、剥離治具を用いたシート剥離方法及びシート剥離装置 |
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JP3880397B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-02-14 | 日東電工株式会社 | 保護テープの貼付・剥離方法 |
JP4538242B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 剥離装置及び剥離方法 |
JP4297829B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2009-07-15 | リンテック株式会社 | 吸着装置 |
US7846289B2 (en) * | 2004-04-28 | 2010-12-07 | Lintec Corporation | Sheet peeling apparatus and sheet peeling method |
JP4953764B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2012-06-13 | 株式会社東京精密 | 剥離テープ貼付方法および剥離テープ貼付装置 |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004287696A patent/JP2006100728A/ja active Pending
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI420583B (zh) * | 2006-09-07 | 2013-12-21 | Nitto Denko Corp | 黏著帶切斷方法及利用此方法之黏著帶貼附裝置 |
CN110173086A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-08-27 | 上海倪儿饰品有限公司 | 一种涂鸦墙抗污薄膜切换装置 |
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