CN1758197A - 触控面板 - Google Patents

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CN1758197A
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小川隆司
松本昭一郎
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Abstract

本发明涉及一种触控面板，是在相同基板上组装光传感器及显示部。通过比较器，对手指等的接触以及非接触的位置(像素)的光量的大小进行比较，而设定输入坐标。因此，可通过与像素相同的制程将构成光传感器的TFT组装在相同基板内，而实现制造成本的降低，以及零件数目的减少。由于不需要在外周部分配置光传感器区域，因此可实现装置的小型化。此外，由于在显示部中不存在死角区域，因此可有效利用显示部。可提高输入的辨识精准度，而均等地检测显示部全体。此外，由于光传感器是由可调节受光灵敏度的受光电路所组成，因此可使显示部的受光(检测)灵敏度均匀化。

Description

触控面板
技术领域
本发明涉及一种触控面板，尤其是涉及将光传感器组装在与显示部相同的基板上的触控面板。
背景技术
以往是在显示部的外周，以分别的模块来设置发光组件及受光组件，因而导致零件数目的增加以及制造成本的增加。
现今的显示组件，由于小型化、轻量化、薄型化的市场要求，使得平面显示器(Flat Panel Display)正被普及使用。在这样的显示组件中，大多数为组装有，例如通过遮断光线来检测输入坐标的光学式触控面板，以及检测外部光线来控制显示器的画面亮度者等的光传感器。
例如，图20是例示光学式触控面板的一实施例。图20(A)所示的光学式触控面板300是在基板301上具备：配置有多个显示组件315的显示面302；及配置在显示面302的外周的发出红外线等的发光装置303、接收红外线等的受光装置304。发光装置303是沿着显示面的行方向及列方向的两边而设置，在其它的两边上则设置分别对应于发光装置303的受光装置304。在基板301的周围设置反射材料305，由此使发光装置303的光线反射，而受光装置304受光。也就是说，显示面302上是以矩阵状的红外线光等所覆盖。如此的光学式触控面板300，是以进行坐标输入的手指等来遮断红外线光等，由此检测出红外线光不会到达受光装置304的点(黑色圆圈)，来做为输入坐标(例如参照专利文献1)。
[专利文献1]日本特开平5-35402号公报(第2-3页，图2)
发明内容
图20所示的光学式触控面板，是以坐标来判定出作为光传感器的受光装置304所未受光的区域(黑色圆圈)，而检测出该手指所接触的位置。因此，必须使来自光源的发光一致，并且不会产生发光无法到达的区域的方式，在显示部上配置光源及光传感器。一般而言，若想要提高辨识出手指所接触的位置的精准度，则必须在显示面302的周缘配置更多的光源及光传感器，因而成为阻碍触控面板的小型化的因素。此外，也产生光线难以到达的区域(例如距离光源最远的点等)，与中央附近的感测灵敏度参差不齐等问题。
此外，在以往的触控面板中，一般而言，显示面板及光传感器，是依据分别的生产设备并经由个别的制程而制造出来，做为分别的模块构件，并组装这些模块构件在相同的框体，由此来制造出完成品。因此，在机器的零件数目的减少，以及各模块构件的制造成本的降低上也有所限制。
尤其是在目前，例如PDA等移动终端的普及极为显著，因而更进一步要求触控面板的小型化、轻量化、薄型化。此外，也要求零件数目的减少以及可以更低价来供应。
本发明是基于所述诸多情况而创造的，第1，为一种触控面板，其具备：基板；及设置在所述基板上，并具有发光电路的显示像素；在所述基板上以矩阵状配置多个所述显示像素的显示部；设置在所述显示部内的多个受光电路；驱动所述发光电路及所述受光电路的水平方向驱动电路及垂直方向驱动电路；以及连接所述驱动电路，并对所述受光电路的输出值及预定的基准值进行比较的比较装置，由此来解决所述的问题。
第2，为一种触控面板，其具备：基板；设置在所述基板上，并具有发光电路的显示像素；以及在所述基板上以矩阵状而配置的数据输出线与门极线；在所述基板上，将多个所述显示像素，连接所述数据输出线与门极线的交点附近的显示部；连接所述数据输出线与门极线的交点附近，并设置在所述显示部内的多个受光电路；依序选择所述数据输出线的水平方向驱动电路；传送扫描信号到所述闸极线的垂直方向驱动电路；及连接所述水平方向驱动电路，并对所述受光电路的输出值及特定的基准值进行比较的比较装置，由此来解决所述的问题。
第3，为一种触控面板，其具备：在基板上配置为矩阵状的漏极线与门极线；具有发光电路的显示像素；将多个所述显示像素，连接所述漏极线与门极线的交点附近的显示部；及设置在至少一部分的所述显示像素内，并具备薄膜晶体管的受光电路；通过所述受光电路所检测出的外部光量，而设定出输入坐标，由此来解决所述问题。
第4，为一种触控面板，其具备：在基板上配置为矩阵状的漏极线与门极线；具有包含驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件的发光电路的显示像素；将多个所述显示像素，连接到所述漏极线与门极线的交点附近的显示部；及设置在至少一部分的所述显示像素内的受光电路；所述受光电路，是由至少具备连接所述闸极线及所述驱动晶体管的多个薄膜晶体管，以及可调整受光灵敏度的受光电路所构成，并通过所述受光电路所检测出的外部光量，而特定出输入坐标，由此来解决所述问题。
根据本发明，第1，通过在显示部内配置光传感器，而不需要设置在周边的光传感器区域。也就是说，有助于显示面积的增大以及装置的小型化。
第2，由于检测出显示部的来自于显示像素的光线，因此不需另外设置用来判别接触部位的发光部，可防止零件数目的增加。此外，光传感器并非经常处于驱动状态，而是在与显示像素相同的时序来进行驱动，因此可防止TFT的劣化。
第3，由于邻近设置显示像素及光传感器，因此可进行均等的感测。可抑制感测的参差不齐，消除光线难以到达的区域而提升均等灵敏度。
第4，若对多个显示像素设置1个光传感器，则可扩大显示用的区域。
第5，由于可在相同基板内以相同制程来制作，因此可大幅减少零件数目，而有助在制造成本及制造工时的降低。
第6，可在显示部的显示像素内设置光传感器，并通过检测出的外部光量而特定出输入坐标。光传感器是由TFT所构成，可通过与显示像素相同的制程而形成在相同基板上，因此可实现触控面板的小型化、轻量化、薄型化。此外，可减少零件数目，并以更低价来供应触控面板。
此外，光传感器是设置在显示出按键等的显示像素内，因此可提高输入的辨识精准度，而均等地检测出显示部全体。
第7，由于光传感器是由可调节受光灵敏度的受光电路所组成，因此可使显示部的受光(检测)灵敏度均匀化。所谓的光电流是指TFT的非导通之际的暗电流，该检测特性容易产生参差不齐。然而，根据本发明，由于可调整受光灵敏度，因此也可均化组件之间的受光灵敏度，而提供具备稳定特性的触控面板。
第8，由于可通过闸极线及第1电源线及第2电源线来供应受光电路的电源及输入信号，因此可使显示像素的电源及输入信号为共同。也就是说，即使在每个像素中配置受光电路的构成，也可避免配线的复杂化。此外，由于可通过构成受光电路的电阻体的电阻值来调整受光灵敏度，因此可使多个像素之间的受光灵敏度均匀化。
第9，光传感器是具备LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏极)构造，可促进光电流的产生。尤其是，若将光电流的输出端形成为LDD构造，则更可有效地促进光电流的产生。此外，通过形成为LDD构造，可使Vg-Id特性的OFF(不导通)特性(所检测的区域)稳定化，而成为稳定的组件。
附图说明
图1是例示说明本发明第1实施例的触控面板图，(A)为平面图，(B)为剖面图，(C)为分解斜视图。
图2是例示说明本发明第1实施例的触控面板的电路图。
图3是例示说明本发明第1实施例的触控面板的剖面图。
图4是例示说明本发明第1实施例的触控面板的图式，(A)为平面图，(B)为剖面图。
图5是例示说明本发明第1实施例的触控面板的时序图。
图6是例示本发明第2实施例的触控面板图，(A)为平面图，(B)为剖面图，(C)为概略图。
图7是例示本发明第2实施例图，(A)为说明显示像素的电路图，(B)为光电晶体管的平面图，(C)为光电晶体管的剖面图。
图8是例示本发明第2实施例的显示像素的一部分剖面图。
图9是例示说明本发明第2实施例的光传感器的电路图。
图10(A)到(C)是例示说明本发明第2实施例的光传感器的特性图。
图11(A)到(C)是例示说明本发明第2实施例的光传感器的特性图。
图12(A)到(C)是显示说明本发明第2实施例的光传感器的电路图。
图13(A)到(D)是例示说明本发明第2实施例的光传感器的电路图。
图14是例示本发明第2实施例的触控面板图，(A)为平面图，(B)为剖面图。
图15是例示说明本发明第2实施例的光电晶体管图，(A)为平面图，(B)为三维立体图。
图16(A)及(B)是例示说明本发明第3及第4实施例的触控面板的剖面图。
图17是例示说明本发明第3实施例的显示像素的电路图。
图18是例示说明本发明第3及第4实施例的触控面板的图式，(A)为平面图，(B)为剖面图。
图19是例示说明本发明第4实施例的显示像素的电路图。
图20是例示已有的触控面板图，(A)为平面图，(B)为剖面图，(C)为平面图。
具体实施方式
以下借助于图1到图19，来详细说明本发明的实施例。
图1到图5是例示本发明的第1实施例。
图1是例示本实施例的触控面板的概略图，图1(A)为平面图，图1(B)为图1(A)的模式性的A-A剖面图，图1(C)为分解斜视图。
触控面板20是在基板10上，具备以矩阵状配置显示像素30的显示部21。
如图1(A)所示，基板10为玻璃等绝缘性基板，在基板10上，例如以显示像素30来显示使用者用来进行特定操作的按键102。对向基板11为使来自于显示像素30的光线穿透的玻璃等透明基板。对向基板11及基板10是如图1(B)所示，以密封剂13来黏着，在以密封剂13所密封的空间，配置显示像素30。显示像素30至少具备发光电路180。此外，受光电路(光传感器)210是邻接于发光电路180而配置。光传感器210是配置在显示像素30内。
显示像素30是由有机电致发光组件及驱动该有机电致发光组件的晶体管等所组成，如箭头所示，往上方发光的光线，是穿透与基板10相对向设置的透明的对向基板11。在图中，是显示与基板10对向设置的对向基板11，但也可不具备对向基板。
光传感器210是读取因使用者的手指的接触所造成的光电流的变化，而检测出选择按键102。关于触控面板的工作原理，将随后详加叙述。
此外，如图1(C)所示，触控面板20的显示部21，是在基板10的周边部，设置有垂直方向驱动电路23及水平方向驱动电路22。在各个电路连接有闸极线GL(GL0、GL1、…)及数据输出线0L，在这些交点附近上配置有多数个显示像素30。此外，将随后进行详述，本实施例的数据输出线OL，是由漏极线DL及感测数据线SL所组成。
图2是显示触控面板20的电路图。在所述基板10上形成图2所记载的电路。在图2中，是记载1列2行的发光电路180及光传感器210的组合，并省略其它构成，但是本发明也适用于m列n行的触控面板。
此外，在基板10上配置有，连接到发光电路180的第1电源线PV，及连接到光传感器210的第2电源线CV。第1电源线PV连接到第1电源。而第1电源为驱动电源，施加有例如正电位。另一方面，第2电源线CV是连接到较驱动电源还低的第2电源，施加有例如基准电压以下的电位。
在作为显示部21的基板10的周边，设置有垂直方向驱动电路23及水平方向驱动电路22。垂直方向驱动电路23是连接到多条闸极线GL。水平方向驱动电路22是具备多个移位缓存器SR1、SR2…，各个移位缓存器是各自连接到对来自于数据信号线R、G、B的数据信号的供应进行导通/非导通的开关SW2的闸极。开关SW2的漏极是周期性连接数据信号线R、G、B的任一条，开关SW2的源极是各自连接漏极线DL(视讯数据线)。
此外，移位缓存器SR1也连接对来自于随后所述的光传感器210的输出及某固定电压进行比较的比较装置(COMP)160，以及与COMP160连接的开关SW1、SW3的闸极。此COMP160是连接施加有固定电压的第2电源线CV，并且连接开关SW1及SW3的一端。开关SW1的另一端是连接感测数据线SL，开关SW3的另一端连接到数据线RL。此外，第2电源线CV是连接到开关SW4的一端，开关SW4的另一端是连接到感测数据线SL，开关SW4的闸极是连接到开关SW1到SW3的闸极所连接的移位缓存器SR1的前段的移位缓存器SR0。
然后，是交叉配置以上所说明的闸极线GL及漏极线DL及感测数据线SL，并在该交点附近，以矩阵状配置多个显示像素30。
显示像素30的晶体管为薄膜晶体管(Thin Film Transistot：以下称为TFT)。显示像素30是由选择TFT4、驱动TFT6、连接到驱动TFT6的有机电致发光组件7及保持电容器5所组成。在闸极线GL及漏极线DL的交点上各自对应而配置选择TFT4，选择TFT4的闸极是连接到闸极线GL，漏极是连接到漏极线DL，源极是连接到驱动TFT6的闸极电极。驱动TFT6的源极是连接到第1电源线PV，漏极是连接到有机电致发光组件7。此外，并配置有在列(row)方向延伸的多条闸极线GL，以及与该闸极线GL交叉而在行(column)方向上配置多条漏极线DL及第1电源线PV。
光传感器210是由其它的选择TFT2、作为光电晶体管的TFT3、重置TFT80及保持电容器91所构成。在闸极线GL及感测数据线SL的交点附近，配置选择TFT2，选择TFT2的闸极电极是连接到闸极线GL，漏极是连接到感测数据线SL，源极是连接到光电晶体管3的源极。光电晶体管3的漏极是连接到第1电源线PV，闸极是连接施加有例如基准电压以下的固定的非导通电压的第2电源线CV。
此外，第2电源线CV是连接到重置TFT80的一端，重置TFT80的另一端是连接到与选择TFT2的源极为相同电位的节点n90，重置TFT80的闸极是连接到从垂直方向驱动电路23所延伸的重置线RST0。在节点n90上，连接有形成保持电容器91的一方电极，保持电容器91的另一方电极连接到第1电源线PV。此外，并配置有在列方向延伸的多条闸极线GL，以及配置有与该闸极线GL交叉而在行方向上延伸的多个感测数据线SL及第1电源线PV。
此外，在选择TFT2的漏极所连接的感测数据线SL，设置比较器(COMP)160，并对基准电压以及来自在光传感器的输出电压进行比较，而输出该信号来做为检测值。检测值是通过例如为外部IC的图框内存150等，而存储1个像素的量。
图3是显示发光电路180及光传感器210的放大剖面图。此为图1(A)的A-A线的放大图。在本实施例中，构成显示像素30的选择TFT4及驱动TFT6，以及构成光传感器210的选择TFT2及光电晶体管3的各个构成层，是位于同一层，并形成在相同基板上。
首先，在选择TFT4中，是在由石英玻璃、无碱玻璃等所组成的绝缘性基板10上，设置做为缓冲层的绝缘膜(SiN、SiO2等)14，在该上层形成由多晶硅(Poly-Silicon)膜所组成的半导体层43。在半导体层43上迭层闸极绝缘膜12，并在上方形成由铬(Cr)、钼(Mo)等高熔点金属所组成的闸极电极41。在半导体层43中，设置位于闸极电极41的下方，且为非掺杂或者实质非掺杂的信道43c，在信道43c的两侧上设置n+型杂质的扩散区域的源极43s及漏极43d。随后，在闸极绝缘膜12与门极电极41上的全面上，形成依序迭层有SiO2膜及SiN膜及SiO2膜的层间绝缘膜15，在形成在对应此层间绝缘膜15的漏极43d的位置的接触孔中，填入铝(Al)等金属，而设置与漏极线DL为一体的漏极电极46。
此外，配置与闸极电极41为同一层的电容电极线44，并隔介闸极绝缘膜12而设置由半导体层所组成的电容电极45，由此形成保持电容器5。
驱动TFT6与选择TFT4相同，是通过与选择TFT4的构成要素为同一层者，而形成于基板10上。也就是说，缓冲层14、半导体层63、闸极绝缘膜12、闸极电极61及层间绝缘膜15，是形成在各个选择TFT4所对应的构成要素在同一层上，并与漏极线DL为同一层上，配置连接到驱动电源的第1电源线PV。随后，在全面上配置平坦化绝缘膜17，并配置有机电致发光组件7的第1电极71。第1电极71是由接触在源极53s的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)所组成，为每个像素30的独立的像素电极(阳极)。使包覆全面的绝缘膜24开口而使阳极71露出，并包覆阳极71上而在全面上形成由第1空穴输送层及第2空穴输送层所组成的空穴输送层72，在上方设置每个像素30的独立的发光层73及电子输送层74。此外，也可形成电子输送层74在全面上。由空穴输送层72及发光层73及电子输送层74来组成有机电激发光层76。包覆有机电激发光层76上而在全面上配置由铝合金所组成的阴极75以及保护膜78。阴极75是电性连接到第2电源，在显示部21的各个像素30上为共同的电极。此阴极75以及保护膜78是设置在形成有机电激发光装置的基板10的全面。
在有机电激发光层76中，从阳极71所注入的空穴与从阴极75所注入的电子，是在发光层73的内部重新结合，使形成发光层73的有机分子激发而产生激发子(excition)。此激发子在产生放射而失去活性的过程中，从发光层73产生光线，此光线是从透明的阳极71，经由透明绝缘基板10而放射到外部而发光。
此外，构成光传感器210的选择TFT2，也与显示像素30的选择TFT4相同，是通过同一层而形成于基板10上。也就是说，缓冲层14、半导体层123、闸极绝缘膜12、闸极电极121、层间绝缘膜15，是形成与各个选择TFT4在同一层上，并形成与感测数据线SL为一体的漏极电极126。此外，光电晶体管3也与驱动TFT6相同，是由缓冲层14、半导体层133、闸极绝缘膜12与门极电极131所形成，并连接第1电源线PV。
一旦在非导通时从外部射入光线到半导体层133，则光电晶体管3是在通道133c及源极133s之间或者通道133c及漏极133d之间的接合区域，产生电子-空穴对。由在接合区域的电场，此电子-空穴对被分开，产生光激发电力而获得光电流。
在此，采用图4(A)及图4(B)，来说明本实施例的触控面板20的工作原理。触控面板20是通过多个显示像素30，来显示例如使用者用来选择特定处理的按键102等的影像。一旦使用者接触用来选择特定处理的按键102A(图4(A))，则在纸面上方发光的显示像素30A的光线，对手指F产生反射，使反射光射入对应按键102A(显示像素30A)而配置的光传感器210A。另一方面，对应于手指F未选择的按键102B的显示像素30B的光线，是通过触控面板20的上方，因此，反射光并不会射入于对应按键102B而配置的光传感器210B。这样，光传感器210可检测出有否反射光，而检测出手指F是否选择按键102。
接下来参照所述图2以及记载时序图的图5，来说明本实施例的触控面板20的电路工作原理。
首先，一旦供应H(High)电平的信号到重置线RST0，则连接到重置线RST0的所有的重置TFT80成为导通状态，使节点n90成为与第2电源线CV相同电位。也就是说，对应重置线RST0的光电晶体管3被重置。由于在对此重置线RST0的H电平信号供应的同时，也供应L(Low)电平信号到闸极线GL0，因此连接到闸极线GL0的显示像素30内的选择TFT4及光传感器210的选择TFT2，均成为导通状态。接下来，一旦从移位缓存器SR0输出H电平的信号，则连接到移位缓存器SR0的开关SW4成为导通状态，因此，感测数据线SL成为与第2电源线CV相同电位。也就是说，感测数据线SL被重置。
接下来，一旦从移位缓存器SR1输出H电平的信号，则开关SW2成为导通状态，因此，数据信号从数据信号线RL供应到漏极线DL，并经由选择TFT4而施加在驱动TFT6的闸极，并对应该信号，而供应来自于第1电源线PV的电流到有机电致发光组件7。
在选择按键102的情况下，以手指F使有机电致发光组件7的发光产生反射的反射光，射入光传感器210。也就是说，通过相当于反射光的光电流的电压，使节点n90的电位较第2电源线CV的电位还高。另一方面，在未选择按键102的情况下，由于光传感器210未检测出反射光，因此，节点n90的电位维持与第2电源线CV相同的电位。此节点n90的电位是成为感测数据。
一旦与开关SW2同时，使开关SW1亦成为导通状态，则节点n90的电位是做为感测数据，从光电晶体管3当中经由选择TFT2及开关SW1而输出到COMP160。由于在开关SW1及开关SW2成为导通状态的同时，开关SW3也成为导通状态，因此，对输出到COMP160的感测数据以及第2电源线CV的电位进行比较，并将对应此比较结果的信号输出给数据线RL。该信号被写入图框内存150。
接着，下一行的开关SW4也成为导通状态，因此，下一行的感测数据线SL也被重置为与第2电源线CV相同的电位。
以下同样地，依序选择感测数据线SL及漏极线DL，来驱动1列份的显示像素30及光传感器210。随后，垂直方向驱动电路依序切换到下一列的闸极线GL1而加以选择，并选择到最后一列为止，而显示出1个像素份。此外，来自于COMP160的输出，是储存在外部IC的图框内存150等，而存储1个像素份，从而可检测出有否接触以及该位置。
比较器160可分别对应于各个显示像素30而设置，但如上所述，是在选择各个显示像素30的同时而工作，因此也可针对1个画面来设置1个比较器。然而，由于在光电晶体管3所产生的光电流为微弱的电流，因此为了避免衰减，较理想的是尽可能配置在光电晶体管3的附近。此外，在每个显示像素30中也使各像素之间的间隔距离增加，因此较理想是以对应于1行份的光传感器210的方式来设置比较器160。
以上是说明在第1实施例中，以光传感器210对应于各个显示像素30而设置的情况的例子，但也可对邻接的多个显示像素30，配置1个光传感器210而构成。也就是说，可存在未配置光传感器210的显示像素30。在触控面板20的情况下，只要手指F所接触的面积为1mm平方的话，则可充分检测出，因此在对4个像素配置1个光传感器210，或者对9个像素配置1个光传感器210等时，均可进行感测。
此外，以上是说明光线从配置有TFT的基板10往对向基板11侧(上方)发光的顶放射构造，而在光线穿透基板10而往下方发光的底放射构造中，也可加以实施。
接下来，关于第2实施例，是参照图6到图15，来说明采用主动矩阵型的有机电致发光组件的触控面板的例子。
图6是显示本实施例的触控面板的概略图，图6(A)为平面图，图6(B)为图6(A)的模式性的B-B线剖面图。图6(C)为显示部21内部的概略图。
触控面板20是由于基板10上配置显示像素30的显示部21，以及与基板10相对向而设置的密封基板11所组成。在图中是显示密封基板11，但是在第2实施例中，也可以不具备密封基板11。
如图6(A)、(B)所示，基板10为玻璃等绝缘性基板，在基板10上，例如以显示像素30来显示使用者用来进行特定操作的按键102。对向基板11为使来自于显示像素30的光线穿透的玻璃等透明基板。对向基板11及基板10是以密封剂13来黏着，在以密封剂13所密封的内部空间中，配置显示像素30。显示像素30是具备由有机电致发光组件所组成的发光电路180。而至少在一部分的显示像素30的内部中，配置受光电路(光传感器)200。如箭头所示，往下方(基板10的方向)发光的光线，是穿透透明的基板10，而让使用者从基板10的方向辨识出按键102。光传感器200是读取因使用者的手指的接触所造成的光电流的变化，而检测出选择哪一个按键102。关于触控面板的工作原理，将随后详加叙述。
如图6(C)所示，在显示部21的基板10，配置漏极线DL(DL0、DL1、…)与门极线GL(GL0、GL1、…)，在这些交点附近上以行列状来配置连接有多个显示像素30。此外，显示像素30的发光电路(在此图中未显示)是由在阳极及阴极之间具备发光层的电致发光组件及电致发光组件的驱动晶体管，以及选择晶体管所构成。驱动晶体管及选择晶体管均为TFT。
各别设置于显示像素30内的光传感器(在此图中未显示)，是由TFT所组成的受光电路，是通过TFT的非导通时所照射的光，而获得光电流。
在显示部21的侧边上配置有，依序选择延伸在行方向的漏极线DL的水平方向驱动电路22，以及传送扫描信号(闸极信号)到延伸在列方向的闸极线GL的垂直方向驱动电路23。此外，将所输入的各种信号传输给闸极线GL及漏极线DL等的图中未显示的配线，是集中于基板10的侧边，并连接到外部连接端子24。
此外，显示部21是连接到图中未显示的外部集成电路。外部集成电路是进行输出数据信号Vdata给显示部21，以及施加驱动电压在连接到有机电致发光组件的TFT而使有机电致发光组件发光等的对显示部21的控制。
以下参照图7，来说明本实施例的显示像素30。图7(A)是例示1个像素的电路图，图7(B)是图7(A)的圆圈标记部分的平面图，在图7(B)中，是记载对应于图7(A)的电路图的端子A、B、C、D。此外，图7(C)为图7(B)的C-C线的剖面图。图7(B)是从基板10侧观看的平面图。
显示像素30的发光电路180是连接有作为光传感器的受光电路200。在基板10上，是配置有在列方向延伸的多条闸极线GL(GL0、GL1、…)，以及与该闸极线GL(GL0、GL1、…)交叉而在行方向上延伸的多条漏极线DL(DL0、DL1、…)，以及第1电源线PV。第1电源线PV是连接到第1电源。而第1电源为输出例如正的定电压的电源。
发光电路180是由连接到闸极线GL及漏极线DL的各个交点的选择TFT4、保持电容器5、驱动TFT6及有机电致发光组件7所组成。选择TFT4的闸极是连接到闸极线GL，选择TFT4的漏极是连接到漏极线DL。选择TFT4的源极是连接到保持电容器5及驱动TFT6的闸极。
驱动TFT6的漏极是连接到第1电源线PV，源极是连接到有机电致发光组件7的阳极。有机电致发光组件7的阴极是连接到第2电源。第2电源为输出负的定电压的电源。此外，在保持电容器5的对极上，连接有延伸在行方向并连接到第2电源的第2电源线CV。
第1电源线PV是连接到第1电源。也就是说，驱动TFT6是以对应数据信号Vdata的大小的导电率，而连接第1电源线PV及有机电致发光组件7。结果，对应数据信号Vdata的电流是经由驱动TFT6，而从第1电源线PV供应给有机电致发光组件7，并以对应数据信号Vdata的亮度来使有机电致发光组件7发光。
保持电容器5是在第2电源线CV或第1电源线PV等的其它电极之间形成静电电容，可储存一定时间的数据信号Vdata。
在不选择闸极线GL0之后，垂直方向驱动电路是选择其它闸极线GL1。在不选择闸极线GL0使选择TFT4成为非导通之后，数据信号Vdata也通过保持电容器5，而保持在1个垂直扫描期间，在此期间，驱动TFT6保持导电率，而以该亮度来使有机电致发光组件7持续发光。
驱动TFT6及有机电致发光组件7，是串联连接到正的第1电源及负的第2电源之间。在有机电致发光组件7中流通的驱动电流，是通过驱动TFT6而供应给有机电致发光组件7。可通过改变驱动TFT6的闸极电压VG来控制此驱动电流。如上所述，在闸极上输入数据信号Vdata，而使闸极电压VG成为对应数据信号Vdata的值。
作为光传感器的受光电路200是具备光电晶体管205、电容204、第1切换晶体管201、第2切换晶体管202、节点n1、节点n2及电阻体203所组成，并至少在1个显示像素30中，连接到发光电路180的闸极线GL、第1电源线PV第2电源线CV及感测数据线SL。感测数据线SL是连接到受光电路200的电阻体203的一端，并将受光电路(光传感器)200的检测结果(输出电压Vout)输出给外部集成电路。第2电源线CV为低于第1电源线PV的低电位。此外，在图中，保持电容器5连接到第2电源线CV，但也可设置专用的电容线(图中未显示)，并将保持电容器5连接到专用的电容线。关于受光电路200的详细情形将随后进行详述。
以下参照图7(B)、(C)，来说明构成光传感器200的光电晶体管205。
关于光电晶体管205是在由石英玻璃、无碱玻璃等所组成的绝缘性基板10上，迭层由多晶硅(Poly-Silicon)膜所组成的半导体层103。此p-Si膜可先迭层非晶硅膜，随后通过雷射退火(anneal)处理等进行再结晶化而形成。
在半导体层103上迭层由SiN、SiO2等所组成的闸极绝缘膜12，再在闸极绝缘膜12上形成由铬(Cr)、钼(Mo)等高熔点金属所组成的闸极电极101。在半导体层103上，设置位于闸极电极101的下方，且为非掺杂或是实质非掺杂的通道103c。此外，在通道i03c的两侧上，设置n+型杂质的扩散区的源极103s及漏极103d。
在如此构造的p-SiTFT中，一旦TFT在非导通时，从外部(基板10的方向)射入光线到半导体层103，则在通道103c及源极103s之间或是通道103c及漏极103d之间的接合区域，产生电子-空穴对。由于接合区域的电场，此电子-空穴对被分开，产生光激发电力而获得光电流，此光电流例如从源极103s侧输出。也就是说，此光电流为TFT的非导通之际的暗电流，可检测出该电流的增加而做为光传感器来使用。
在此，可在半导体层103设置低浓度杂质区域。所谓的低浓度杂质区域，是指邻接于源极103s或者漏极103d的通道103c侧而设置，且杂质浓度比源极103s或者漏极103d还低的区域。通过设置此区域，可缓和集中于源极103s(或是漏极103d)的端部的电场。低浓度杂质区域的区域宽度，例如约为0.5μm到3μm左右。
在本实施例中，是设定为，例如在通道及源极之间(或者通道及漏极之间)，设置低浓度杂质区域103LD，也就是说，所谓的LDD(LightlyDoped Drain，轻掺杂漏极)构造。若设定为LDD构造，则可将有助于光电流产生的接合区域，往闸极长度L方向增加，因此容易产生光电流。也就是说，只要至少在光电流取出侧设置低浓度杂质区域103LD即可。此外，通过设定为LDD构造，可使Vg-Id特性的OFF特性(检测区域)稳定，而成为稳定的组件。
图8是显示显示像素30的一部分剖面图，其显示出驱动TFT6及有机电致发光组件7的一部分。
显示像素30是在由石英玻璃、无碱玻璃等所组成的绝缘性基板10上，设置成为缓冲层的绝缘膜(SiN、SiO2等)14，在该上层形成由p-Si膜所组成的半导体层63。此p-Si膜可先迭层非晶硅膜，随后通过雷射退火处理进行再结晶化而形成。
在半导体层63上迭层由SiN、SiO2等所组成的闸极绝缘膜12，再在闸极绝缘膜12上形成由铬(Cr)、钼(Mo)等高熔点金属所组成的闸极电极61。在半导体层63上，设置位于闸极电极61的下方，且为非掺杂或是实质非掺杂的通道63c。此外，在通道63c的两侧上，设置n+型杂质的扩散区的源极63s及漏极63d，而构成驱动TFT6。此外，在图式中所省略的选择用TFT4，也具备相同构造(参照图3)。
在闸极绝缘膜12与门极电极61的全面上，依序迭层例如SiO2膜、SiN膜、SiO2膜，而迭层层间绝缘膜15。在闸极绝缘膜12及层间绝缘膜15上，是对应漏极63d及源极63s而设置接触孔，在接触孔中填入铝(Al)等金属，而设置漏极电极66及源极电极68，并分别接触漏极63d及源极63s。在平坦化绝缘膜17上设置做为显示电极的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等阳极71。阳极71是通过设置在平坦化绝缘膜17的接触孔，而连接到源极电极68(或者漏极电极66)。
有机电致发光组件7是在阳极71上设置有机电激发光层76，并在有机电激发光层76上形成由镁铟合金所组成的阴极75。阳极为每个像素30的独立的像素电极，阴极75为显示部21的各个像素30的共同的电极。有机电激发光层76是依序迭层空穴输送层72、发光层73及电子输送层74所组成。此阴极75是设置在例如图图6所示的显示部21的全面上。
此外，在有机电致发光组件7中，从阳极71所注入的空穴，及从阴极75所注入的电子，在发光层73的内部重新结合，使形成发光层73的有机分子激发，而产生激发子。此激发子在放射而失去活性的过程中，从发光层73产生光线，此光线是从透明的阳极71，通过透明的基板10而放射到外部。本实施例作为一个例子是往基板10的方向发光的底放射的构造。
如此，显示像素30为底放射构造时，光传感器200是检测出配置在基板10上的接触/非接触所造成的外光量的变化。因此，光传感器205最好为配置有闸极电极101的顶闸极构造，使来自基板10方向的外光直接射入半导体层103(参照图7(c))。
接下来参照图9到图11，来说明光传感器200。
图9是例示了从图7(A)的电路图中，取出作为光传感器200的受光电路部分的电路图。光传感器200是具备光电晶体管205、电容204、第1切换晶体管201、第2切换晶体管202、节点n1、节点n2、电阻体203、第1电源端子T1及第2电源端子T2。
第1电源端子T1只需比第2电源端子T2为高电位即可，其中，例如设定第1电源端子T1为VDD电位，设定第2电源端子T2为GND电位。
第1切换晶体管201是通过输入信号Vpulse输入到控制端子而导通，并与光电晶体管205串联连接。两者是连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。
此外，第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管也连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。
电容204的一端是从节点n1，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第1电源端子T1或是第2电源端子T2。电容204是通过导通第1切换晶体管而充电，并使节点n1的电位变动。
以下具体说明。电容204的一端是从节点n1，连接到光电晶体管205的输出端子，另一端则连接到第1电源端子T1。此外，第1切换晶体管201是并联连接到电容204。在第1切换晶体管201的控制端子中，是在预定的期间输入脉冲。
第2切换晶体管202是串联连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间，在该控制端子中，施加来自于节点n1的输出。例如，第1切换晶体管201为n通道型TFT，第2切换晶体管202为p通道型TFT。这些晶体管的构造是与图8的驱动TFT6相同。
电阻体203的一端是从节点n2连接到第2切换晶体管202的一端，另一端则连接到第2电源端子T2而接地。电阻体203例如为p通道型TFT，在该控制端子中，施加定电压Va。可使TFT的源极-漏极间成为高电阻的方式，固定闸极电压Va而利用TFT来做为电阻。由此，光电晶体管205所检测出的光电流被转换为电压，而从节点n2中输出，而因定电压Va的变动所输出的电压亦产生变动。此时，源极-漏极间的电阻值，大约设定为103Ω到108Ω左右。
如此，在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间连接具备高电阻值的电阻体203，由此，可输出光电晶体管205所检测出的光电流，来做为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压。第1电源端子T1及第2电源端子T2之间的电压可设定为容易用来进行回授的范围即可。此外，关于定电压Va的变动及详细的电路工作原理，将随后进行详细叙述。
在本实施例中，若设定第1切换晶体管201及第2切换晶体管202均为所谓的LDD构造，则可缓和集中于源极(或是漏极)的电场，因而较为理想。
接下来参照图10，来说明光传感器200的工作。图10(A)为时序图，图10(B)、(C)为输出电压Vout的输出例。
在第1切换晶体管201的控制端子中，也就是说在闸极电极中，在一定的期间中输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管的导通。由此，对电容204充电到电源电位VDD的电荷。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。本实施例是设定节点n1为基准电位(VDD电位)，并通过来自于光电晶体管205的放电，而降低节点n1的电位，并获得输出电压。
一旦照射光线于光电晶体管205，则输出例如约为10-14A到10-9A的极为微小的光电流。如上所述，光电流为当构成光电晶体管205的TFT的非导通的时候，所造成的光量而产生暗电流。也就是说，是通过光线而检测出从光电晶体管205所泄漏的电流，而检测出光量。因此，一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205放出对应该光量的电荷，而如图10(A)的实线a所示，节点n1的基准电位(VDD电位)下降。
第2切换晶体管202为p通道型TFT，该控制端子(闸极电极)是连接到节点n1。也就是说，若节点n1的电位下降到阈值电压VTH以下，则第2切换晶体管202会呈导通状态。
电阻体203是通过定电压Va而导通，可形成对应定电压Va的信道，并视电阻值为固定的电阻体。输出电压Vout是以第2切换晶体管202的电阻值及电阻体203的电阻分压，而输出第1电源端子T1及第2电源端子T2的电位差。也就是说，在导通第2切换晶体管202以前，第2切换晶体管202的电阻值较电阻体203的电阻值还大，使节点n2成为更接近于第2电源端子T2的电位。若导通其中之一，则第2切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还小，使节点n2成为更接近于第1电源端子T1的电位。
也就是说，是以光电晶体管205所检测出的光电流，来做为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压，而检测出接近于电源电位VDD的输出电压Vout。
在此，由于电阻体203的电阻值为极高的电阻值，因此即使为极小的光电流，亦可获得容易进行回授的程度的极大的值的输出电压Vout。
如此，光传感器200，可仅仅在第1切换晶体管201中输入电压Vpulse的脉冲而工作。此外，构成电路的构成要素，亦仅仅需要3个TFT及1个电容而加以实现，因此可减少零件数目。
图10(B)、(C)是显示，依据光量的输出电压Vout的输出例。图式中的X轴为时间，Y轴为输出电压Vout。实线a及虚线a′是显示，虽然电阻体203的定电压Va为相同的值，但是在光电晶体管205所检测出的光量为不同的情况，实线a、b是各自显示电阻体203的Va的不同。
从该图中，可得知光量及电阻体203的定电压Va的值(Va值)，及输出电压Vout的输出时间的关系。
首先，参照图10(B)，来说明在相同的Va值的情况下，光量较大的情况(实线a)及光量较小的情况(虚线a′)。
如上所述，由于输入信号Vpulse而上升到基准电位VDD的节点n1的电位，是因应光电晶体管205所检测出的光量而减少(图10(A)的实线a)。随后，一旦下降到第2切换晶体管202的阈值电压以下，而导通第2切换晶体管202，则电流从第1电源端子T1流通到电阻体(TFT)203(图10(B)：t1)。电阻体203一旦形成对应闸极电压Va的信道，并经过预定的时间，则流通在电阻体203的电流达到饱和状态。由此，成为具备固定的电阻值的电阻体203，在该时间点中，可从节点n2，检测出输出电压Vout，而做为电源电压VDD及电阻体203的分压(图10(B)：t2)。
随后在经过某时间之后，一旦输入Vpulse在第1切换晶体管201，则第2切换晶体管202成为非导通状态，因此，输出电压Vout几乎成为0V(t3)。也就是说，可由二值来检测出做为检测出输出电压Vout的时间(H电平)，及未检测出输出电压Vout的时间(L电平)。另一方面，如虚线a′所示，在光量较少的情况下，光电晶体管205的放电量也变少，因此到达第2切换晶体管202的阈值电压的时间，是比实线a还慢。也就是说，导通第2切换晶体管202的时序会变慢(t4)，且输出电压Vout成为H电平的时序会变慢(t5)。通过在一定的周期下输入到第1切换晶体管201的电压Vpulse，而导通第2切换晶体管202，使输出电压Vout成为L电平(t3)。由在流通在电阻体203的电流达到饱和状态的时间几乎为固定，因此，导通第2切换晶体管202的时序的延迟，是表示输出电压Vout成为H电平的期间变短。
此外，H电平的期间愈长，则可检测出输出电压Vout的时序也变长，因此做为光传感器的受光度变得较佳。因此，光传感器200可通过光量的大小(实线a、虚线a′)来改变受光度。
接下来参照图10(C)，来说明在相同的光量的情况下，Va值较大的情况(实线a)及Va值较小的情况(实线b)。
如上所述，由于输入信号(电压)Vpulse上升到基准电位VDD的节点n1的电位，是因为光电晶体管205所检测出的光量而减少(图10(A)的实线a)。随后，一旦下降到第2切换晶体管202的阈值电压以下，而导通第2切换晶体管202，则电流从第1电源端子T1流通到电阻体(TFT)203(图10(C)：t11)。一旦形成对应较大的闸极电压Va1的信道，并经过预定的时间，则在电阻体203中流通的电流达到饱和状态。由此，成为具备固定的电阻值的电阻体203，在该时间点，可从节点n2中，检测出输出电压Vout，而做为电源电压VDD及电阻体203的分压(图10(C)：t12)。
随后在经过某时间以后，一旦输入电压Vpulse在第1切换晶体管201，则第2切换晶体管202成为非导通，因此，输出电压Vout几乎成为0V(t13)。也就是说，可由二值来检测出做为检测出输出电压Vout的时间(H电平)，及未检测出输出电压Vout的时间(L电平)。
另一方面，如实线b所示，在Va值较低(Va2)的情况下，若光量相同，则到达第2切换晶体管202的阈值电压的时间，是几乎与实线a同时的。因此，导通第2切换晶体管202的时序也几乎是相同(t11)的。
一旦导通第2切换晶体管202，则电流从第1电源端子T1流通到电阻体(TFT)203。一旦形成对应较低的闸极电压Va2的信道，并经过预定的时间，则流通在电阻体203的电流达到饱和状态，随后，可由对应电阻体203的电阻值的分压，而检测出输出电压Vout(t14)。
随后，在经过某时间以后，一旦输入电压Vpulse在第1切换晶体管201，则第2切换晶体管202成为非导通状态，因此，输出电压Vout几乎成为0V(图10(C)：t13)。
在此，若闸极电压Va2愈低，则通道宽度亦愈窄，因此，流通在电阻体203的电流到达饱和状态的时序较闸极电压Va1的情况还快。因此，可检测出输出电压Vout的时序变快，成为H电平的期间变长(t12→t14)。
也就是说，Va值越低，越可以提升光传感器200的受光度，因此可通过Va值的变动来调节受光度。
参照图11进行更进一步的说明。图11(A)例示了电阻体203的闸极电压Va及第2切换晶体管202的Vd-Id特性的一例。实线c、d为第2切换晶体管202的Vd-Id特性，光量较多的状态为实线c，光量较少的状态为实线d。此外，虚线Va3、Va4为电阻体(TFT)203的Vd-Id特性，虚线Va3为闸极电压较小的状态，虚线Va4为闸极电压较大的状态。此外，图11(B)是显示与图11(A)对应，而互换图10(C)的输出例的X轴及Y轴的模式图。
如图11(A)、(B)所示，在闸极电压Va3的情况下，在第2切换晶体管202的线性区域(虚线)中，具有与电阻体203的交叉点x1，在实线c、d下均可检测出输出电压Vout为H电平。而实线d的检测期间是比实线c还长。
另一方面，如图11(C)所示，若设定太大的闸极电压Va(Va4)，则在第2切换晶体管202的线性区域的交叉点x2，仅仅剩下实线d。从该情况当中可得知，由于在电阻体203的饱和状态下，第2切换晶体管202也达到饱和状态，因此无法检测出输出电压Vour。此外，实线d的检测期间也会变短。
因此，在第2切换晶体管202的线性区域中，可用电阻体203的Vd-Id曲线相交的方式，来适当选择电压Vpulse、闸极电压Va。
这样，光传感器200可获得依据第2切换晶体管202的导通、非导通的二值输出，但也可通过计算得出乘算面积等，而进行输出电压Vout的模拟输出。
如所述图7(A)所示，是连接所述光传感器200在闸极线GL、第1电源线PV及第2电源线CV。这样，光传感器200的第1电源端子T1可利用显示部21的第1电源，第2电源端子T2可利用第2电源线CV的电位。如上所述，第2电源线CV是比第1电源线PV的电位还低的电源线。
此外，通过连接到闸极线GL，可使光传感器的输入信号Vpulse与显示部21的闸极信号为共同。也就是说，可将垂直方向驱动电路的扫描信号设为输入信号Vpulse，而重置节点n1的电位。
也就是说，通过垂直方向驱动电路23，依序施加闸极信号在闸极线GL。闸极信号为导通(H电平)或者非导通(L电平)的二值信号，此为光传感器200的输入信号Vpulse。一旦通过垂直方向驱动电路23而施加H电平的闸极信号在1条闸极线GL，则连接到该闸极线GL的所有的选择TFT4成为导通。此外，在此同时，H电平的信号被施加在连接到闸极线GL的第1切换晶体管201，而驱动光传感器200。
H扫描仪22依序选择漏极线DL来供应数据信号Vdata，使有机电致发光组件7发光。外部光线可通过光传感器200来进行感测。
光传感器200是检测出外部光线的光量，并输出给感测数据线SL来做为输出电压Vout。感测数据线SL，与具备例如比较器等外部集成电路(图中未显示)连接，来对周围的显示像素30，及预先设定的基准值等进行比较等处理。由此，可检测出外部光线的多少。
这样，可使驱动光传感器200所需的信号线与显示像素30的信号线为共同，因此，即使由每个像素配置受光电路构成，也可避免配线的复杂化。
此外，通过调整做为电阻体的TFT203的闸极电压Va，可改变光传感器200的输出电压Vout的检测灵敏度。
尤其是，由于光电流为光电晶体管205的暗电流，因此该值会产生变动。然而，由于可通过电阻体203的闸极电压Va来调节输出电压Vout的检测灵敏度，因此，可降低组件间的受光感度的参差不齐。
再者，在所述光传感器200中，不仅可通过电阻体203的Va值，也可通过光电晶体管205的连接数，及输入信号Vpulse的周期，及电容204的大小，来调整检测灵敏度。光电晶体管205的连接数，是有助于检测有机电致发光组件的时候的放电量，输入信号Vpulse的周期，是有助于如图11所示的输出电压Vout成为H电平的期间。此外，电容204的大小为施加在第2切换晶体管202的闸极电极的电位，从V＝Q/C的关系中，可从电容204放出电荷，由此而使电位变动。也就是说，电容204较小时，更可提高检测灵敏度。
图9的电路构成仅仅为例子之一，可针对第1切换晶体管201、光电晶体管205的连接位置，及第2切换晶体管202及电阻体203的连接位置，及电容204的连接位置进行变更。也就是说，可导通第1切换晶体管201，使节点n1的电位，充电到第1电源端子T1或是第2电源端子T2的电位，然后切断第1切换晶体管201，通过来自在光电晶体管205的放电而使节点n1的电位变动，并通过该电位，而导通或者切断第2切换晶体管202，而从第2切换晶体管202及电阻体203的节点n2，检测出输出电压。
图12及图13是例示了图9的光量检测电路的其它构成。首先，图12是例示，可在接近于第1电源电位VDD的电位下，检测出输出电压Vout的电路。
图12(A)：第1切换晶体管201是与光电晶体管205串联连接，并连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管也连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202为p通道型TFT，电阻体203为n通道型TFT。电容204是并联连接到光电晶体管205，一端是从节点n1，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第2电源端子T2。
针对第1切换晶体管201的控制端子，也就是说针对闸极电极，在一定的期间输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管201的导通。由此，对电容204充电电源电位VDD的电荷。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205中，放出对应该光量的电荷，节点n1的基准电位(VDD)下降。
若节点n1的电位下降到阈值电压VTH以下，则导通第2切换晶体管202。由此，第2切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还小，使节点n2成为更接近于第1电源端子T1的电位。也就是说，由于第2切换晶体管202的导通，而以光电晶体管205所检测出的光电流来做为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压，以接近于电源电位VDD的电位而输出输出电压Vout。
图12(B)：第1切换晶体管201是与光电晶体管205串联连接，并连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管也连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202为n沟道型TFT，电阻体203也为n沟道型TFT。电容204是并联连接到第1切换晶体管201，一端是从第1连接点，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第1电源端子T1。
对第1切换晶体管201的控制端子，也就是说，对于闸极电极，在一定的期间中输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管的导通。由此，对电容204充电电源电位VDD的电荷。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205，放出对应该光量的电荷，节点n1的基准电位(VDD)会下降。
n通道型TFT的第2切换晶体管202，是从第1切换晶体管201的导通的时候开始，到节点n1的电位下降到阈值电压VTH为止期间导通。也就是说，在第2切换晶体管202的导通期间，第2切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还小，使节点n2成为更接近于第2电源端子T2的电位。另一方面，若电压下降到阈值电压VTH以下，则第2切换晶体管202被切断，第2切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还大，使节点n2成为更接近于第1电源端子T1的电压。也就是说，由于第2切换晶体管202的切断，而以光电晶体管205所检测出的光电流来做为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压，以接近于电源电位VDD的电位而输出输出电压Vout。
图12(C)：第1切换晶体管201是与光电晶体管205串联连接，并连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管亦连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202为n通道型TFT，电阻体203亦为n通道型TFT。电容204是并联连接到光电晶体管205，一端是从节点n1，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第2电源端子T2。
针对第1切换晶体管201的控制端子，也就是说针对闸极电极，在一定的期间输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管的导通。由此，对电容204充电电源电位VDD的电荷。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205放出对应该光量的电荷，节点n1的基准电位(VDD)会下降。
n沟道型TFT的第2切换晶体管202，是从第1切换晶体管201的导通的时候开始，到节点n1的电位下降到阈值电压VTH为止期间导通。也就是说，在第2切换晶体管202的导通期间，节点n2成为接近于第2电源端子T2的电压。另一方面，若第2切换晶体管202被切断，则节点n2成为更接近于第1电源端子T1得电压。也就是说，由于第2切换晶体管202的切断，可由接近在电源电位VDD的电位而检测出输出电压Vout。
图13是例示，从图9及图12(A)到图12(C)中，互换第1切换晶体管201及光电晶体管205的连接的构造，通过此构成，可在更接近于第2电源端子T2的电位，来检测出输出电压Vout。
图13(A)：第1切换晶体管201是与光电晶体管205串联连接，并连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管也连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202为p沟道型TFT，电阻体203为n沟道型TFT。电容204是并联连接到光电晶体管205，一端是从节点n1，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第1电源端子T1。
针对第1切换晶体管201的控制端子，也就是说针对闸极电极，在一定的期间输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管201的导通。由此，对电容204充电接地电位GND的电荷。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205放出对应该光量的电荷，节点n1的基准电位(GND)会上升。
p沟道型TFT的第2切换晶体管202，是从第1切换晶体管201的导通的时候开始，到节点n1的电位下降到阈值电压VTH为止期间导通。由此，在第2切换晶体管202的导通期间，节点n2成为更接近于第1电源端子T1的电位。另一方面，若节点n1超过阈值电压，则第2切换晶体管202被切断。由此，节点n2成为更接近于第2电源端子T2的电位。也就是说，由于第2切换晶体管202的切断，可由接近于接地电位GND的电位而检测出输出电压Vout。
图13(B)：第1切换晶体管201是与光电晶体管205串联连接，并连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管也连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202为p沟道型TFT，电阻体203为n沟道型TFT。电容204是并联连接到第1切换晶体管201，一端是从节点n1，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第2电源端子T2。
针对第1切换晶体管201的控制端子，也就是说针对闸极电极，在一定的期间输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管201的导通。由此，对电容204充电接地电位GND的电荷。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205，放出对应该光量的电荷，节点n1的基准电位(GND)会上升。
p沟道型TFT的第2切换晶体管202，是从第1切换晶体管201的导通的时候开始，到节点n1的电位上升到阈值电压VTH为止期间导通。由此，在第2切换晶体管202的导通期间，节点n2成为接近于第1电源端子T1的电压。另一方面，若节点n1的电位超过阈值电压VTH，则第2切换晶体管202被切断，节点n2成为接近于第2电源端子T2的电压。也就是说，由于第2切换晶体管202的切断，可由接近于接地电位GND的电位而检测出输出电压Vout。
图13(C)：第1切换晶体管201是与光电晶体管205串联连接，并连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管也连接在第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202为n沟道型TFT，电阻体203亦为n沟道型TFT。电容204是并联连接到光电晶体管205，一端是从第1连接点，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第1电源端子T1。
针对第1切换晶体管201的控制端子，也针对闸极电极，在一定的期间输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管201的导通。由此，对电容204充电接地电位GND的电压。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205放出对应该光量的电荷，节点n1的基准电位(GND)会上升。
n沟道型TFT的第2切换晶体管202是在节点n1的电位达到阈值电压VTH为止则被切断，若超过阈值电压VTH则导通。在第2切换晶体管202的切断期间，节点n2成为接近于第1电源端子T1的电位，在导通状态时，则成为更接近于第2电源端子T2的电位。也就是说，由于第2切换晶体管202的导通，可由接近于接地电位GND的电位，而输出输出电压Vout。
图13(D)：第1切换晶体管201是与光电晶体管205串联连接，并连接到第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202及电阻体203是串联连接，这些晶体管也连接到第1电源端子T1及第2电源端子T2之间。第2切换晶体管202为n沟道型TFT，电阻体203也为n沟道型TFT。电容204是并联连接到第1切换晶体管201，一端是从节点n1，连接到第2切换晶体管202的控制端子，另一端则连接到第2电源端子T2。
针对第1切换晶体管201的控制端子，也就是说针对闸极电极，在一定的期间输入预定电压Vpulse(H电平)的脉冲。在H电平的脉冲的输入期间，是维持第1切换晶体管201的导通。由此，对电容204充电接地电位GND的电荷。
一旦脉冲成为L电平(0V)，则第1切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205放出对应该光量的电荷，节点n1的基准电位(GND)会上升。
n沟道型TFT的第2切换晶体管202，是在节点n1的电位达到阈值电压VTH为止则被切断，若超过阈值电压VTH则导通。在第2切换晶体管202的切断期间，节点n2成为接近于第1电源端子T1的电位，在导通状态时，则成为更接近于第2电源端子T2的电位。也就是说，由于第2切换晶体管202的导通，可由接近于接地电位GND的电位，而输出输出电压Vout。
此外，图中虽未显示，也可连接电阻组件来做为电阻体203。电阻组件例如在多晶硅或ITO等掺杂n型杂质而形成，是具备103Ω到108Ω左右的高电阻值。此时，与所述改变电路的定电压Va的情况相同，可通过变更电阻体203的电阻值，而调整光传感器200的灵敏度。
如上所述，本实施例的第2切换晶体管202，在如图9或者图12(A)、图13(A)、图13(B)所示，在一端连接到高电位的第1电源端子T1时，是使用p沟道型TFT。另一方面，在如图12(B)或者图12(C)、图13(C)、图13(D)所示，在第2切换晶体管202的一端连接到低电位的第2电源端子的情况下，是使用n沟道型TFT来做为第2切换晶体管202。
随后，如图7所示，在连接到做为受光电路200的发光电路180的情况下，是将第1电源端子T1及第2电源端子T2分别连接到第1电源线PV及第2电源线CV的任何一条。由于只要1个发光像素30的电位满足第1电源＞第2电源的关系即可，因此可通过第1电源线PV及第2电源线CV的电位关系，而适当地选择图9及图12、图13的电路。
在此，构成光传感器200的TFT且除了光电晶体管205以外的TFT，与图8的驱动TFT相同，在半导体层的上层配置闸极电极的所谓的顶闸极构造。在光电晶体管205以外的TFT为顶闸极构造时，可在这些晶体管上设置遮光层。遮光层例如为在半导体层的上下侧配置闸极电极等，或者将下层的闸极形成为遮光层。此时，作为遮光层的闸极的电位，可因应为浮动、或者与上层的闸极为共同或是设定为不同电位等的电路构成，而适当的选择。
以下采用第14图(A)、(B)，来说明本实施例的触控面板20的工作原理。触控面板20是例如通过多个显示像素30，来显示使用者用来选择特定处理的按键102等影像。使用者是经由透明的基板10，而辨识出按键102。一旦使用者接触用来进行该预定处理的按键102(A)(第14图(A))，则射入在对应显示出按键102(A)的显示像素30而配置的光传感器200的光线被遮断。另一方面，外部光线是直接射入对应手指F未选择的按键102(B)而设置的光传感器200。
1个图框份的所有的光传感器200的检测结果，是经由感测数据线SL，而输出给图中未显示的外部集成电路。在外部集成电路中，例如进行与内部的基准值的比较，以及多个按键102之间的光传感器200的比较，或者检测出在手指F的接触前后的光电流产生变化的光传感器200等处理。并从比较的结果，或者基准值，或者其它像素30(或者按键102)，设定出受光量较小的像素30(或是按键102)。或者，设定出在手指F的接触前后的光电流产生变化的像素30(或者按键102)。
这样，可通过用手指F来遮断光线，来设定出受光量降低的光传感器200位置(输入坐标)，因此可检测出手指F选择哪个按键102。
此外，由于较理想的情况为即使对触控面板进行轻微的接触，也可检测出输入，因此有必要提高光传感器200的受光灵敏度。例如，所述光传感器200是设定的，在大约0到5000cd之间进行模拟输出，而在采用触控面板20的情况下，是设定为在约为10cd中进行导通及非导通的切换。以下为获得更高的受光灵敏度的一例。
首先参照图15，来说明提高光电晶体管205本身的受光灵敏度的情况。
光电晶体管205的闸极电极101是配置为与半导体层103正交。此时，闸极电极101的闸极宽度W，是远比闸极长度L还长。具体而言，较理想为闸极长度L约为5μm到15μm，闸极宽度W约为100μm到1000μm。所谓的闸极宽度W是指如图15(A)所示的闸极电极101与半导体层103重迭的部分。
图15(B)是三维立体地显示半导体层103的沟道103c及源极103s(或是漏极103d)的接合区域附近的能源带(Energy Band)图的模式图。
如上所示，若是在光电晶体管205的非导通时从外部射入光线到半导体层103，则在沟道103c及源极103s(或是沟道103c及漏极103d)的接合区域产生电子-空穴对，而获得光电流。也就是说，若光电流越大，则光传感器的灵敏度越佳。
因光线的射入所产生的电子-空穴对，是位于图中的影线所示的沟道103c及源极103s的接合区域。也就是说，如果可确保较大的接合区域，则可获得更大的光电流。因此，可通过扩大直接有利于接合区域的增加的闸极宽度W，可确保更大的接合区域的面积，而获得灵敏度更佳的光电晶体管205(光传感器200)。由于闸极宽度W可仅仅通过图案的变更而扩大，因此不需另外增加步骤数，而实现灵敏度更佳的光传感器200。
接下来说明提高光传感器200的灵敏度的例子。
如上所述，光传感器200是连接第1电源线、第2电源线与门极线GL的构成，是将垂直方向驱动电路23的扫描信号设为输入信号Vpulse。也就是说，是以1个图框的量来切换做为受光电路的导通及非导通的构成。
输入信号Vpulse的周期，是有助于如图10所示的输出电压Vout成为H电平的期间。也就是说，由在H电平的期间愈长，则可检测出输出电压Vout的时序愈长，因此可提高光传感器的灵敏度。
因此，是利用较低频率数为垂直方向驱动电路23的扫描信号。例如，在1个图框中采用60Hz的扫描信号的情况下，是通过分频电路等而形成为30Hz或是15Hz，由此可延长H电平的期间。
在本实施例中，也可在往对向基板11的方向发光的顶放射构造中加以实施。此时，由于外部光线从对向基板11的方向射入，因此，更理想的是，光传感器200是在半导体层103的下方配置闸极电极101的底闸极构造。
此外，光传感器200可对应于各个显示像素30而配置，也可对于互相邻接的多个显示像素30配置1个光传感器200。在触控面板20的情况下，只要手指F所接触的面积为1mm平方的话，则可充分检测出，因此在对于4个像素配置1个光传感器210，或是对于9个像素配置1个光传感器210等情况，均可进行感测。
以上是说明在本实施例中，显示部21是以采用有机电致发光组件的显示像素30所构成的触控面板的例子。但并不限于此，只要为LCD等具有以低温多晶硅形成TFT的像素的触控面板，也可同样地来实施。
以下参照图16到图19，说明采用LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)在显示像素30的发光电路中的触控面板，来做为第3及第4实施例。
第3实施例为采用LCD在第1实施例的发光电路的情况。
图16是显示触控面板20的模式性的剖面图。图16(A)是显示往对向基板111侧(上方)发光的顶放射构造的情况，图16(B)是显示往基板10侧(下方)发光的底放射构造的情况。此外，图16(A)为底闸极构造的情况，图16(B)为顶闸极构造的情况。
基板10为玻璃等绝缘性基板，对向基板111是与基板10相对向而设置，基板10及对向基板111是以密封剂(图中未显示)来黏着。在基板10上配置显示像素30。显示像素30至少具备发光电路181，发光电路181是具备选择TFT114、显示电极118及保持电容器115。
此外，受光电路(光传感器)210是邻接于发光电路181而配置。在此，光传感器210是配置在显示像素30内，但是在第3实施例中，也可形成为不配置光传感器210而仅仅形成发光电路181的显示像素30。在图式中，是显示1个显示像素30，但实际上是以矩阵状配置多个。
在底闸极的构造的情况下，选择TFT114是在基板10上，经由绝缘膜211而迭层有闸极214、闸极绝缘膜213及半导体层(p-Si膜)212。在闸极电极214上方的半导体层212，设置沟道212c(图16(A))。
此外，在顶闸极的构造的情况下，是依序迭层半导体层212、闸极绝缘膜213、闸极电极214(图16(B))。在沟道212c的两侧上选择性扩散杂质而形成源极212s及漏极212d。漏极线DL是通过设置在绝缘膜211的接触孔，而连接到漏极212d，并以平坦化绝缘膜17包覆漏极212d。
此外，保持电容器115是由与闸极绝缘膜213为同一层的电容电极线215、闸极绝缘膜213及半导体层212所构成。
在显示电极118上，形成用来配向液晶的配向膜(图中未显示)。对向基板111位于配置液晶的一侧，具备绝缘膜211、对向电极119、彩色滤光片112及配向膜(图中未显示)等。显示电极118为每个显示像素30的独立的像素电极，对向电极119为显示部21的各个像素30的共同的电极。液晶层117是填入由密封剂所密封的绝缘基板10及对向基板111之间的空间。
在触控面板的背面上，配置成为光源部的背光170。液晶是由选择TFT114所驱动，并通过控制(调变)背光170的光的穿透率等的光量，而往箭头方向发光。
在顶闸极的构造的情况下，彩色滤光片112是配置在作为外部光线侧的对向基板111(图16(A))，在底闸极的构造的情况下，彩色滤光片112是配置在作为背光170侧的对向基板111(图16(B))。
光传感器210是配置在显示像素30内的基板10上，并具备光电晶体管3。在图16中是显示光电晶体管3及选择TFT2，该构成与第1实施例的图3相同，因此省略该说明。此外，也可不在显示像素30配置光传感器210，而仅仅配置发光电路181。
在第3实施例中，是通过光传感器210来检测出射入显示像素30的外部光线的光量的不同，来设定输入坐标。因此，必须区别出背光170的光线以及应予检测的外部光线。因此，是在光传感器210及背光170之间，设置用来遮蔽来自于背光170的光线的入射的遮蔽膜190。
遮蔽膜190是因触控面板的放射方向为顶放射(图16(A))或者底放射(图16(B))的不同，而各自配置在图中所示的位置。
也就是说，如图16(A)所示，在顶放射构造的情况下，遮蔽膜190是配置在背光170及光传感器210之间的基板10上，并在上方配置构成光传感器210的TFT。
另一方面，如图16(B)所示，在顶放射构造的情况下，遮蔽膜190是配置在背光170及光传感器210之间的对向电极119的液晶层117侧，并在下方配置构成光传感器210的TFT。
图17是例示抽出1个显示像素30的电路图。在此，是例示在1个显示像素30内配置发光电路181及光传感器210的情况，但也可为因相同显示部内的显示像素30的不同，而不配置光传感器210的情况。
发光电路181是由连接到闸极线GL及漏极线DL的各个交点的液晶层117、选择TFT114及保持电容器115所构成。
选择TFT114的闸极是连接到闸极线GL，选择TFT114的漏极是连接到漏极线DL(图中未显示)。选择TFT114的源极是连接到保持电容器5及液晶层117的一端(显示电极118)。
液晶层117的另一端(对向电极119)是电性连接到第2电源。第2电源为在每个固定周期内进行电位反转的电源。保持电容器15的对极是连接到固定电源，例如为接地电位(GND)。
一旦从闸极线GL施加基准电压以下(L电平)的脉冲于选择TFT114的闸极，则p沟道型TFT的选择TFT114成为导通状态，漏极线DL的数据信号Vdata是经由选择TFT 114，而供应给液晶层117的显示电极118及保持电容器115。数据信号Vdata与闸极的脉冲一同上升，而维持在选择TFT114的闸极电压成为H电平的时间点下的值，并施加于液晶层117。由此来驱动液晶，并控制(调变)背光170的光的穿透率等的光量。
保持电容器115到供应下一个闸极信号为止，是保持数据信号Vdata，并且到施加下一个闸极信号为止，驱动液晶层117的液晶。
作为受光电路的光检测器210是与第1实施例相同，因此省略该说明，但是在第1实施例中，光电晶体管3是检测出发光电路180的反射光，而在第3实施例中，光电晶体管3则是检测出外部光线。
在此采用图18及图17的电路图，来说明第3实施例的触控面板20的工作原理。
触控面板20是通过多个的显示像素30，来显示例如使用者用来选择设定处理的按键102等的影像。一旦使用者接触用来选择设定处理的按键102A(图18(A))，则该部分的外部光线是被手指F遮断，使外部光线无法射入对应按键102A(显示像素30A)而配置的光传感器210A。另一方面，外部光线射入对应于手指F未选择的按键102B的显示像素30B。如此，光传感器210可检测出所射入的外部光线的光量大小，而判断手指F是否选择按键102。
关于感测时的电路工作原理，首先，一旦供应H电平信号给重置线RST，则节点n90的电位成为与第2电源线CV相同的电位，而应对应于重置线RST的光电晶体管3则被重置。
在供应H电平信号给重置线RST的同时，也供应L电平信号到闸极线GL，因此连接到闸极线GL的显示像素30内的选择TFT4及光传感器210的选择TFT2，均成为导通状态。接下来，一旦从移位缓存器(图中未显示)输出H电平的信号，则感测数据线SL被重置。
在选择按键102的情况下，射入光传感器210的外部光线被遮断。也就是说，由于光线并未射入构成按键102的显示像素30的光电晶体管3，因此并未产生光电流。由于光电流为光电晶体管3的暗电流，因此在未产生光电流的情况下，节点n90的电位处于重置状态，几乎未改变。也就是说，节点n90的电位与第2电源线CV的电位大约相等。
另一方面，在未选择按键102的情况下，外部光线射入光传感器210，而产生光电流。由此，通过相当于光电流的电压，使节点n90的电位上升为比第2电源线CV的电位还高。而感测出节点n90的电位。
节点n90的电位是做为感测数据，从光电晶体管3经由选择TFT2及开关SW1而输出到COMP160。随后对输出在COMP160的感测数据以及第2电源线CV的电位进行比较，并输出对应该结果的信号给数据线RL。该信号被写入图框内存150(参照图2)。其它与第1实施例相同。
第4实施例为采用LCD在第2实施例的发光电路中的情况。第4实施例的触控面板的剖面图是与图16相同，图16的光传感器210为光传感器200。
图19是显示抽出1个显示像素30的电路图。
发光电路181是与第3实施例相同。但是连接到选择TFT114的源极的保持电容器5的对极，是连接到第2电源线CV。
在第4实施例中，也在光传感器210及背光170之间，设置如图16所示的用来遮蔽背光170的光线的遮蔽膜190。
参照图19的电路图，来说明第4实施例的触控面板20的工作原理。关于触控面板20，是参照图图16。在所述图图16中，符号210成为光传感器200。
一旦施加闸极信号于闸极线GL，则驱动选择TFT114，由于液晶的驱动而显示出按键102。此外，光传感器200亦通过闸极信号而驱动。在未选择由显示像素30所显示的按键102的情况下，外部光线照射于光传感器200内的光电晶体管，而产生光电流。由此，如图5(A)的实线a所示，节点n1的基准电位(VDD电位)会下降。
第2切换晶体管202为p沟道型TFT，若节点n1下降到阈值电压VTH以下，则第2切换晶体管202会呈导通状态。
输出电压Vout是以第2切换晶体管202的电阻值及电阻体203的电阻分压，而输出第1电源端子T1及第2电源端子T2的电位差。也就是说，通过第2切换晶体管202的导通，使节点n2成为接近于第1电源端子T1的电位。因此，可输出接近于电源电位VDD的输出电压Vout(H电平)。
另一方面，若通过选择按键102而使射入光传感器200的外部光线被遮断，则抑制节点n1的电位的下降，而第2切换晶体管202呈非导通状态。在未导通第2切换晶体管202的情况下，第2切换晶体管202的电阻值远较电阻体203的电阻值还大，使节点n2成为更接近于第2电源端子T2的电位。因此，是从感测数据线SL输出接近于电源电位VDD的输出电压Vout(H电平)。感测数据线SL是连接到外部集成电路，而特定出光量产生变化的像素。
关于光电晶体管3、205的闸极电极以及半导体层的迭层顺序，只要为对在所检测的光线，TFT的半导体层成为接受光线的一侧即可。也就是说，在图16(A)的情况下，由于外部光线是从对向基板111侧射入，因此可为半导体层位于上层(对向基板111侧)且闸极电极位于下层(基板10侧)的底闸极构造。另一方面，在图16(B)的情况下，由于外部光线是从基板10侧射入，因此可为半导体层位于下层(基板10侧)，闸极位于上层(对向基板111侧)的顶闸极构造。

Claims (17)

1.一种触控面板，其具备：
基板；
设置在所述基板上，并具有发光电路的显示像素；
在所述基板上以矩阵状配置了多个所述显示像素的显示部；
设置在所述显示部内的多个受光电路；
驱动所述发光电路及所述受光电路的水平方向驱动电路及垂直方向驱动电路；以及
连接到所述驱动电路，并对所述受光电路的输出值与预定的基准值进行比较的比较装置。
2.一种触控面板，其具备：
基板；
设置在所述基板上，并具有发光电路的显示像素；
在所述基板上以矩阵状配置的数据输出线与门极线；
在所述基板上，将多个所述显示像素连接到所述数据输出线与门极线的交点附近的显示部；
连接到所述数据输出线与门极线的交点附近，并设置在所述显示部内的多个受光电路；
依序选择所述数据输出线的水平方向驱动电路；
传送扫描信号到所述闸极线的垂直方向驱动电路；以及
连接到所述水平方向驱动电路，并对所述受光电路的输出值及预定的基准值进行比较的比较装置。
3.如权利要求1或权利要求2所述的触控面板，其中，所述显示像素是具备：像素电极；发光层；共同电极；连接到所述像素电极的驱动晶体管；以及包含连接到该驱动晶体管的选择晶体管的发光电路。
4.如权利要求1或权利要求2所述的触控面板，其中，所述显示像素具备：像素电极；液晶层；共同电极；以及包含连接到该像素电极的选择晶体管的发光电路。
5.如权利要求1或权利要求2所述的触控面板，其中，所述受光电路是由：光电晶体管及连接到该光电晶体管的其它的选择晶体管所组成；其中所述光电晶体管具备：将闸极电极、绝缘膜，及半导体层予以迭层，并在该半导体层上形成有信道及在该信道的两侧掺杂杂质的源极及漏极。
6.如权利要求1或权利要求2所述的触控面板，其中，所述比较装置是对于1个所述显示部，设置至少1个。
7.如权利要求1或权利要求2所述的触控面板，其中，所述受光电路是在与该受光电路所邻接的所述发光电路进行驱动的同时驱动。
8.如权利要求1或权利要求2所述的触控面板，其中，所述受光电路是连接到所述水平方向驱动电路及垂直方向驱动电路。
9.如权利要求1或权利要求2所述的触控面板，其中，所述受光电路是对于多个所述发光电路，设置至少1个。
10.一种触控面板，其具备：
在基板上配置成为矩阵状的漏极线与门极线；
具有发光电路的显示像素；
将多个所述显示像素连接到所述漏极线与门极线的交点附近的显示部；以及
设置在至少一部分的所述显示像素内，并具备薄膜晶体管的受光电路；
通过所述受光电路所检测出的外部光量，设定输入坐标。
11.一种触控面板，其具备：
在基板上配置为矩阵状的漏极线与门极线；
具有包含驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件的发光电路的显示像素；
将多个所述显示像素连接到所述漏极线与门极线的交点附近的显示部；以及
设置在至少一部分的所述显示像素内的受光电路；
所述受光电路是由至少具备连接到所述闸极线及所述驱动晶体管的多个薄膜晶体管，以及可调整受光灵敏度的受光电路所构成，并通过所述受光电路所检测出的外部光量，而设定输入坐标。
12.如权利要求10或权利要求11所述的触控面板，其中，所述受光电路具备：光电晶体管，是在基板上迭层闸极电极、绝缘膜及半导体层，并具有设置在该半导体层的沟道、及设置在该沟道的两侧的源极及漏极，并将所接受的光转换为电气信号；第1及第2切换晶体管；电阻体；及电容；
在连接到所述显示像素的第1电源线及第2电源线之间，串联连接所述第1切换晶体管及光电晶体管；在所述第1电源线及所述第2电源线之间，串联连接所述第2切换晶体管及所述电阻体；所述电容的一端是从第1连接点连接到所述第2切换晶体管的控制端子，另一端则与第1电源线连接，并通过所述电阻体的电阻值，来调整所述受光灵敏度。
13.如权利要求12所述的触控面板，其中，所述半导体层是在所述源极及所述沟道之间或者在所述漏极及所述信道之间的接合区域上，直接受光，而产生光电流。
14.如权利要求12项所述的触控面板，其中，在所述半导体层的所述源极与所述沟道之间或者在所述漏极与所述沟道之间，设置低浓度杂质区域。
15.如权利要求14所述的触控面板，其中，所述低浓度杂质区域是设置在将由射入光所产生的光电流加以输出的一侧。
16.如权利要求10所述的触控面板，其中，所述发光电路包含：像素电极；液晶层；共同电极；及连接到该像素电极的选择晶体管。
17.如权利要求16所述的触控面板，其中，其具备所述液晶层的光源部，并在该光源部与所述受光电路之间配置遮光膜。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101598993B (zh) * 2008-06-03 2012-04-18 奇景光电股份有限公司 触控式屏幕
CN102903723A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 三星电子株式会社 感光设备、驱动感光设备的方法以及光触摸屏设备
CN101515094B (zh) * 2008-02-20 2014-07-09 株式会社日本显示器西 液晶显示设备及其制造方法
CN102460734B (zh) * 2009-06-26 2014-08-27 夏普株式会社 光电晶体管以及具备该光电晶体管的显示装置
WO2014205951A1 (zh) * 2013-06-26 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸驱动电路、液晶面板及其驱动方法
CN104765422A (zh) * 2015-04-28 2015-07-08 小米科技有限责任公司 移动设备的屏幕模组和移动设备
CN104813475A (zh) * 2012-11-27 2015-07-29 苹果公司 具有显示器集成的光传感器的电子设备
TWI496042B (zh) * 2009-07-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Lab 觸控面板及其驅動方法
TWI588811B (zh) * 2016-02-26 2017-06-21 瀚宇彩晶股份有限公司 驅動電路和顯示裝置
US10453409B2 (en) 2016-02-26 2019-10-22 Hannstar Display Corporation Driving circuit and display device with enhanced moisture prevention capability

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006013407A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 光量検出回路およびそれを用いた表示パネル
JP2006030317A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR101160837B1 (ko) * 2005-10-26 2012-06-29 삼성전자주식회사 접촉 감지 기능이 있는 표시 장치
KR101248228B1 (ko) * 2006-06-10 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100743545B1 (ko) * 2006-06-30 2007-07-27 이영종 유기 ｌｅｄ에 접촉 감지 기능을 제공하는 방법 및 시스템
KR101275175B1 (ko) * 2006-07-06 2013-06-18 엘지전자 주식회사 키패드 조립체를 구비한 통신 단말기
JP4976765B2 (ja) * 2006-07-07 2012-07-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
KR101309174B1 (ko) 2006-11-15 2013-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그 제조 방법
KR101365491B1 (ko) * 2006-11-17 2014-02-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이장치
WO2008073289A2 (en) * 2006-12-08 2008-06-19 Johnson Controls Technology Company Display and user interface
CN101763822B (zh) 2006-12-26 2012-10-03 乐金显示有限公司 有机发光二极管板
JP5391519B2 (ja) 2007-02-06 2014-01-15 三菱電機株式会社 画像表示装置
KR101350876B1 (ko) 2007-03-23 2014-01-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이장치 및 그 제어방법
US20110001728A1 (en) * 2007-03-26 2011-01-06 Sharp Kabushiki Kaisha Pointing device and display device using the same
US20110069018A1 (en) * 2007-05-11 2011-03-24 Rpo Pty Limited Double Touch Inputs
KR200445988Y1 (ko) * 2007-05-30 2009-09-14 엄홍섭 가공기의 작동패널
JP4506785B2 (ja) * 2007-06-14 2010-07-21 エプソンイメージングデバイス株式会社 静電容量型入力装置
US8657064B2 (en) * 2007-06-17 2014-02-25 Personics Holdings, Inc. Earpiece sealing system
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
US20090141004A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR101458569B1 (ko) * 2008-03-13 2014-11-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI384666B (zh) * 2008-04-10 2013-02-01 Univ Nat Chiao Tung Light detection device structure
KR101462149B1 (ko) 2008-05-22 2014-12-04 삼성디스플레이 주식회사 터치센서, 이를 갖는 액정표시패널 및 터치센서의 센싱방법
BRPI0913393A2 (pt) * 2008-06-03 2015-11-24 Sharp Kk dispositivo de vídeo
WO2009147992A1 (ja) * 2008-06-03 2009-12-10 シャープ株式会社 表示装置
TWI375485B (en) 2008-07-04 2012-10-21 Au Optronics Corp Electroluminescent display touch panel
US8736587B2 (en) * 2008-07-10 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8928597B2 (en) * 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
WO2010007890A1 (ja) 2008-07-16 2010-01-21 シャープ株式会社 表示装置
US9342176B2 (en) 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR100970129B1 (ko) * 2008-07-29 2010-07-15 비에스엔텍(주) 광 포인팅 장치 및 동작 방법
KR101020903B1 (ko) * 2008-08-06 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 송신장치, 표시장치 및 원격 신호 입력 시스템
TW201009665A (en) * 2008-08-28 2010-03-01 Wintek Corp Touch panel and sensing circuit thereof
JP5116851B2 (ja) * 2008-09-02 2013-01-09 シャープ株式会社 表示装置
JP4688229B2 (ja) * 2008-10-03 2011-05-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置
KR101015883B1 (ko) 2008-10-17 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법
KR100975872B1 (ko) * 2008-10-20 2010-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 광 감지 장치, 회로 및 광 감지 회로 구동 방법
EP2863289A1 (en) * 2008-11-18 2015-04-22 Studer Professional Audio GmbH Input device and method of detecting a user input with an input device
TW201023005A (en) * 2008-12-08 2010-06-16 Wintek Corp Touch panel and circuit thereof
KR100975873B1 (ko) * 2008-12-10 2010-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법
JP2010165032A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Hitachi Displays Ltd タッチパネルディスプレイ装置
KR101050460B1 (ko) 2009-03-25 2011-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101058106B1 (ko) * 2009-08-06 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
KR101022118B1 (ko) * 2009-09-02 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 광 감지회로 및 그 구동방법과 이를 구비한 터치 스크린 패널
JP5284487B2 (ja) * 2009-11-30 2013-09-11 シャープ株式会社 表示装置
KR101054881B1 (ko) * 2010-02-17 2011-08-05 영남대학교 산학협력단 양방향 표시 장치 및 터치 지점 검출 방법
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
KR101791253B1 (ko) 2010-03-08 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기 및 전자 시스템
KR101754382B1 (ko) 2010-03-11 2017-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011143719A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Rpo Pty Limited Optical systems for infrared touch screens
TWI424342B (zh) * 2010-11-05 2014-01-21 Au Optronics Corp 感測裝置與相關顯示裝置
JP5718047B2 (ja) * 2010-12-28 2015-05-13 株式会社翔栄 光学式タッチパネル及び光学式タッチパネルの製造方法
KR102021908B1 (ko) 2011-05-03 2019-09-18 삼성전자주식회사 광터치 스크린 장치 및 그 구동 방법
JP2013044867A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd タッチセンサ及びタッチセンサ内蔵液晶ディスプレイ
TWI475433B (zh) * 2011-12-28 2015-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 增加報點率的觸控系統及增加觸控系統報點率的方法
TWI448940B (zh) * 2011-12-29 2014-08-11 Shih Hua Technology Ltd 調整觸控面板靈敏度之方法
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US9310843B2 (en) 2013-01-02 2016-04-12 Apple Inc. Electronic devices with light sensors and displays
TWI489354B (zh) * 2013-09-25 2015-06-21 Au Optronics Corp 觸控模組的感光畫素電路
CN104600150B (zh) * 2013-10-30 2016-12-07 颜莉华 一种光电感应器件的封装方法及应用
US10644077B1 (en) 2015-10-28 2020-05-05 Apple Inc. Display with array of light-transmitting windows
US10157590B1 (en) 2015-12-15 2018-12-18 Apple Inc. Display with localized brightness adjustment capabilities
US10163984B1 (en) 2016-09-12 2018-12-25 Apple Inc. Display with embedded components and subpixel windows
CN107026178B (zh) * 2017-04-28 2019-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示装置及其制作方法
JP6993168B2 (ja) * 2017-10-18 2022-01-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および、タッチパネル装置
CN108446051B (zh) * 2018-03-16 2020-10-30 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及触控显示装置
CN109359641B (zh) * 2018-12-24 2021-08-24 厦门天马微电子有限公司 显示装置及其驱动方法
JP7462619B2 (ja) * 2019-05-10 2024-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び電子機器
KR20210063081A (ko) * 2019-11-22 2021-06-01 삼성전자주식회사 광 센서를 이용하여 디스플레이를 제어하는 전자 장치 및 방법
CN112882615B (zh) * 2021-01-14 2022-09-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331889A (en) * 1980-06-03 1982-05-25 Hughes Aircraft Co. Charge coupled device focal plane integrater
USRE32253E (en) * 1980-09-22 1986-09-30 Xerox Corporation Interactive user-machine interface method and apparatus for copier/duplicator
US4332464A (en) * 1980-09-22 1982-06-01 Xerox Corporation Interactive user-machine interface method and apparatus for copier/duplicator
US4766471A (en) * 1986-01-23 1988-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electro-optical devices
JP2617798B2 (ja) * 1989-09-22 1997-06-04 三菱電機株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
US6690493B1 (en) * 1996-02-22 2004-02-10 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and driving method therefor
US5844265A (en) * 1996-07-11 1998-12-01 Synaptics, Incorporated Sense amplifier for high-density imaging array
KR100450544B1 (ko) * 1996-11-27 2004-10-01 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치
JPH11264761A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Honda Motor Co Ltd 光センサ回路およびこれを用いたイメージセンサ
JP2000020227A (ja) 1998-07-03 2000-01-21 Minato Electronics Inc 高分解能手段を有する光学式タッチパネル及び方法
US20030089929A1 (en) * 2001-02-14 2003-05-15 Rhodes Howard E. Trench photosensor for a CMOS imager
JP3448704B2 (ja) 1999-03-17 2003-09-22 日本航空電子工業株式会社 光学式タッチパネル装置
JP2003509728A (ja) * 1999-09-11 2003-03-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリックスｅｌディスプレイ装置
CN1358297A (zh) * 2000-01-14 2002-07-10 松下电器产业株式会社 有源矩阵型显示装置及其驱动方法
US6583576B2 (en) * 2000-05-08 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, and electric device using the same
GB0014961D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
AU2002231535A1 (en) * 2001-02-16 2002-09-04 Ignis Innovation Inc. Active pixel sensor for digital imaging
US6777249B2 (en) * 2001-06-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device, and method of manufacturing a light-emitting device
US6897477B2 (en) * 2001-06-01 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device
JP4054985B2 (ja) 2001-12-27 2008-03-05 Ｔｏｔｏ株式会社 光学式タッチパネル装置
US7006080B2 (en) * 2002-02-19 2006-02-28 Palm, Inc. Display system
JP4146421B2 (ja) * 2002-04-26 2008-09-10 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の駆動方法
JP2004030003A (ja) 2002-06-24 2004-01-29 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 光学式タッチパネル装置
JP4487024B2 (ja) * 2002-12-10 2010-06-23 株式会社日立製作所 液晶表示装置の駆動方法および液晶表示装置
JP2005038729A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
US6975008B2 (en) * 2003-10-27 2005-12-13 Eastman Kodak Company Circuit for detecting ambient light on a display
KR101032946B1 (ko) * 2004-04-01 2011-05-09 삼성전자주식회사 광센서 및 이를 구비한 표시 장치
JP2006013407A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 光量検出回路およびそれを用いた表示パネル
JP2006030317A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2006029832A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 光量検出回路
US7462811B2 (en) * 2004-11-24 2008-12-09 Eastman Kodak Company Light detection circuit

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101515094B (zh) * 2008-02-20 2014-07-09 株式会社日本显示器西 液晶显示设备及其制造方法
CN101598993B (zh) * 2008-06-03 2012-04-18 奇景光电股份有限公司 触控式屏幕
CN102460734B (zh) * 2009-06-26 2014-08-27 夏普株式会社 光电晶体管以及具备该光电晶体管的显示装置
TWI547845B (zh) * 2009-07-02 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板及其驅動方法
TWI496042B (zh) * 2009-07-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Lab 觸控面板及其驅動方法
CN102903723A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 三星电子株式会社 感光设备、驱动感光设备的方法以及光触摸屏设备
CN104813475A (zh) * 2012-11-27 2015-07-29 苹果公司 具有显示器集成的光传感器的电子设备
WO2014205951A1 (zh) * 2013-06-26 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸驱动电路、液晶面板及其驱动方法
US9529468B2 (en) 2013-06-26 2016-12-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Touch driving circuit, liquid crystal panel and its driving method
CN104765422A (zh) * 2015-04-28 2015-07-08 小米科技有限责任公司 移动设备的屏幕模组和移动设备
WO2016173201A1 (zh) * 2015-04-28 2016-11-03 小米科技有限责任公司 移动设备的屏幕模组和移动设备
TWI588811B (zh) * 2016-02-26 2017-06-21 瀚宇彩晶股份有限公司 驅動電路和顯示裝置
US10453409B2 (en) 2016-02-26 2019-10-22 Hannstar Display Corporation Driving circuit and display device with enhanced moisture prevention capability

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