CN1734541A - 有机el显示装置 - Google Patents

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Abstract

一般对LCD及有机电致发光(EL)显示装置，要求整体的亮度一致，但是在有机电致发光显示装置，有每个像素的亮度波纹较大的问题。此外，有机电致发光组件有亮度半衰期，因而也有无法达到较长寿命的问题。本发明的解决手段为，在每个像素设置光传感器，并响应有机电致发光组件的发光量，来调整每个像素的亮度。亮度的调整，是通过配合发光量较小的像素，而降低发光量较大的像素的电流量，来加以实现。由此减低消耗电力而校正亮度波纹。此外，在每个像素设置以受光电路所构成的光传感器，由此进行亮度波纹的校正，又可进行亮度半衰期的亮度校正，而达到较长寿命。

Description

有机EL显示装置
技术领域
本发明是关于有机电致发光(organic electroluminescence，简称为有机EL，本文中称为“有机电致发光”)显示装置，尤其是关于，可调整显示部的每个像素的亮度不均的有机电致发光显示装置。
背景技术
由于有机电致发光组件为自发光，因此不需采用在液晶显示装置中为必需的背光，而最适合于薄型化，并且，由于视角并无限制，因此，其作为下一代的显示装置而受到极大的瞩目。
然而关于有机电致发光显示装置的驱动方式，有单纯的矩阵的无源型(passive type)，以及采用TFT(Thin-Film Transistor，薄膜晶体管)的有源型(active type)2种，有源型一般采用如图15(A)所示的电路构成。图15(A)是显示说明有机电致发光显示装置的显示部的电路概略图，图15(B)为1个像素的一部分剖面图。
如图15(A)所示，配置有在行(row)方向延伸的多数的栅极线1，并与此栅极线1呈交叉状，在列方向配置多数的漏极线2及第一电源线3。
在栅极线1及漏极线2的各个交叉点上，连接选择TFT4。选择TFT4的栅极连接于栅极线1，选择TFT4的漏极连接于漏极线2。选择TFT4的源极连接于保持电容5及驱动TFT6的栅极。
驱动TFT6的漏极连接于第一电源线3，源极连接于有机电致发光组件7的阳极。保持电容5的相对电极，连接在在列方向延伸的第二电源线9。
栅极线1连接于图中未显示的V扫描仪，并通过V扫描仪，依序在栅极线1上施加栅极信号。栅极信号为导通或是非导通的2值信号，在导通之际成为正的特定电压，在非导通之际为0V。V扫描仪是从多数所连接的栅极线1中，导通所选择的特定栅极线的栅极信号。一旦栅极信号为导通，则连接于该栅极线1的所有的选择TFT4为导通，并经由选择TFT4而连接漏极线2及驱动TFT6的栅极。
从H扫描仪22，将响应所显示的影像而决定的数据信号输出至漏极线2，将数据信号输入至驱动TFT6的栅极，并对保持电容5进行充电。
驱动TFT6以响应数据信号的大小的导电率，而连接第一电源线3及有机电致发光组件7。结果为，有响应数据信号的电流经由驱动TFT6，从第一电源线3供应至有机电致发光组件7，并以响应数据信号的亮度使有机电致发光组件7发光。
保持电容5是在第二电源线9或是第一电源线3等的其它电极之间形成静电电容，可储存一定时间的数据信号。
在V扫描仪选择其它栅极线1，使该栅极线1成为非选择线，在选择TFT4不导通之后，使数据信号也通过保持电容5，而在1个垂直扫描期间中加以保持，在其间，驱动TFT6保持上述导电率，而以该亮度来使有机电致发光组件7持续发光。
如图15(B)所示，在有机电致发光显示装置130中，具有多个驱动TFT6配置于玻璃基板151上。驱动TFT6具有栅极电极6G将栅极绝缘膜152夹在中间，而与源极6S、沟道6C、漏极6D相对向的构造，在此所示的例子，为栅极电极6G位于沟道6C的下方的底栅极(bottom gate)构造。
在驱动TFT6上形成层间绝缘膜153，之后在上方配置漏极线2及第一电源线3。第一电源线3经由接触孔而连接到驱动TFT6的漏极6D。在这些的上方，形成平坦化绝缘膜154，在平坦化绝缘膜154上，于每个像素上配置有机电致发光组件7。
有机电致发光组件7，是通过依序层叠由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等透明电极所组成的阳极155，空穴输送层156，发光层157，电子输送层158，及铝等金属所组成的阴极159而形成。从阳极155注入至空穴输送层156的空穴，以及从阴极159注入至电子输送层158的电子，在发光层157的内部重新结合，由此而发光，此光线如图中箭头所示，从透明的阳极155侧，穿透玻璃基板151而放射至外部。阳极155及发光层157是每个像素上独立形成，空穴输送层156及电子输送层158及阴极159，是以各像素为共通而形成(例如参照专利文献1)。
[专利文献1]日本特开2002-251167
发明内容
在具备多数的像素的LCD及有机电致发光显示装置中，在每个像素，由于发光亮度不同，而产生亮度波纹(亮度不均匀)，尤其是如上所述，在响应阳极—阴极之间的电流而发光的电流驱动型发光组件的有机电致发光组件中，极容易产生显著的亮度波纹的问题。
此外，有机电致发光组件具有亮度半衰期，在此期间，每个像素130的亮度并不一致。因此，在某像素的亮度远比周围的像素还低的情况下，即使其它像素130并无问题，也可能导致有机电致发光显示装置无法充分发挥特性，且无法达到较长寿命的问题。
本发明是鉴于上述课题而创作的发明，第一，其具备，在基板上配置成为矩阵状的漏极线与栅极线；配置有多数的发光像素的显示部，该发光像素连接于上述漏极线与栅极线的交叉点附近，并由驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件所组成；设置于上述发光像素内的光传感器；通过上述光传感器来检测出上述有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正，由此来解决上述课题。
第二，其具备，在基板上配置为矩阵状的漏极线与栅极线；配置有多数的发光像素的显示部，该发光像素连接于上述漏极线与栅极线的交叉点附近，并由驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件所组成；设置于上述发光像素内的光传感器(photosensor)；上述光传感器是由，一边的端子连接于上述驱动晶体管的电源端子，另一边的端子连接于上述驱动晶体管的控制端子，并施加定电压于控制端子的晶体管所组成；用来检测出上述有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正，由此来解决上述课题。
并且，响应上述发光量，而降低供应至上述有机电致发光组件的电流。
并且，上述光传感器是由，在基板上层叠栅极及绝缘膜及半导体层，并具备设置于该半导体层的沟道，及设置于该沟道的两侧的源极及漏极的薄膜晶体管所组成；由此能够将所感光的光转换为电气信号。
第三，其具备，在基板上配置为矩阵状的漏极线与栅极线；配置有多数的发光像素的显示部，该像素连接于上述漏极线与栅极线的交叉点附近，并由驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件所组成；设置于上述发光像素内的光传感器；上述光传感器是由，至少具备连接于上述栅极线及上述漏极线及上述驱动晶体管的多数的晶体管，而可调整光感测度的受光电路所构成；于是用来检测出上述有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正，由此来解决上述课题。
此外，响应上述发光量，而调整供应至上述漏极线的数据信号的参考电压。
此外，上述光传感器具备，在基板上层叠栅极及绝缘膜及半导体层，并具备设置于该半导体层的沟道，及设置于该沟道的两侧的源极及漏极，而将所感测的光转换为电气信号的光电晶体管；第一及第二切换晶体管；电阻体；电容；在连接于上述发光像素的第一电源线及第二电源线之间，串联连接上述第一切换晶体管及光电晶体管，在上述第一电源线及上述第二电源线之间，串联连接上述第二切换晶体管及上述电阻体，上述电容的一端是从第一连接点连接至上述第二切换晶体管的控制端子，另一端则连接于上述第一电源线，并通过上述电阻体的电阻值，而调整上述光感测度。
此外，上述半导体层，是在上述源极及上述沟道之间，或是上述漏极及上述沟道之间的接合区域当中，直接感光而产生光电流。
此外，是在上述半导体层的上述源极及上述沟道之间，或是上述漏极及上述沟道之间，设置低浓度掺杂物区域。
此外，上述低浓度掺杂物区域设置于，输出由入射光所产生的光电流的一侧上。
根据本发明，第一，在有机电致发光显示装置的发光像素内设置光传感器，可检测出有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正。由此，可响应各个像素的发光量来校正亮度，因此可抑制显示部的亮度波纹。
第二，通过有机电致发光组件的发光量，来调整连接于有机电致发光组件的驱动晶体管的电流量，因此可响应发光量而降低供应至有机电致发光组件的电流量。由此，由于接近于发光亮度较小的像素，因此可抑制亮度波纹。此外，由于是接近于发光亮度较小的像素的调整，因此有益于低消耗电力化及长寿命化。
第三，以1个薄膜晶体管而构成光传感器，因此可以较小的占有面积，而进行每个像素的亮度校正。
第四，光传感器是由至少具备多数的晶体管的受光电路所构成，因此可在每个受光电路中调整光感测度。因此，可在多数的像素之间达到几乎一致的光感测度，而抑制亮度波纹，因此可均化各个像素之间的亮度。
第五，响应发光量而调整供应至漏极线的数据信号的参考电压，来进行亮度校正，因此有益于低消耗电力化。此外，通过参考电压的调整，可延长亮度半衰期，而有益于长寿命化。
第六，通过第一电源线及第二电源线来供应受光电路的电源及输入信号，因此，发光像素的电源及输入信号可达到共通。即，即使是在每个像素当中配置受光电路的结构，也可避免配线的复杂化。此外，由于可通过构成受光电路的电阻体的电阻值，而调整光感测度，因此，可在多数的像素之间达到几乎一致的光感测度。
第七，检测发光量的晶体管具备LDD构造，因此可促进光电流(photo current)的产生。尤其是若形成光电流的输出侧为LDD构造，则可有效促进光电流的产生。此外，通过设定为LDD构造，可使Vg-Id特性的OFF特性(检测区域)稳定，而成为稳定的组件。
附图说明
图1显示了本发明的第一实施例的有机电致发光显示装置的概略图；
图2显示了说明本发明的发光像素的剖面图；
图3显示了说明本发明的第一实施例的发光像素的电路图；
图4显示了说明本发明的第一实施例的光传感器，(A)为平面图，(B)为剖面图；
图5显示了本发明的第二实施例的有机电致发光显示装置的概略图；
图6显了说明本发明的第二实施例的发光像素，(A)为电路图，(B)为光传感器的平面图；
图7显示了说明本发明的第二实施例的光传感器的电路图；
图8(A)至(C)显示了说明本发明的第二实施例的光传感器的特性图；
图9(A)至(C)显示了说明本发明的第二实施例的光传感器的特性图；
图10(A)至(C)显示了说明本发明的第二实施例的光传感器的电路图；
图11(A)至(C)显示了说明本发明的第二实施例的光传感器的电路图；
图12显示了说明本发明的第二实施例的有机电致发光显示装置，(A)为方块图，(B)为特性图；
图13显示了说明本发明的第二实施例的有机电致发光显示装置，(A)为方块图，(B)为电路图；
图14显示了说明本发明的第二实施例的有机电致发光显示装置的特性图；
图15显示了以往的有机电致发光显示装置，(A)为电路概略图，(B)为剖面图。
主要组件符号说明
1    栅极线              2      漏极线
3    第一电源线          4      选择TFT
5    电容                6      动TFT
6    G栅极电极           7      有机电致发光组件
8    传感器输出线        9      第二电源线
10   绝缘性基板         12      栅极绝缘膜
14   缓冲层             15      层间绝缘膜
17   平坦化膜           66、106 漏极
68、108源极
20、130有机电致发光显示装置
21      显示部              22      H扫描仪
23      V扫描仪             30、130 发光像素
50      驱动用集成电路      51      亮度调节控制器
52      参考电压取得部      53      显示数据校正电路
54      灰阶基准电压产生电路
55      色温校正电路        56      DC/DC转换器
61、101栅极                 63、103 半导体层
63s、103s、6S源极
63d、103d、6D漏极
63c、103c、6C沟道
71、155阳极                 72、156 空穴输送层
73、157发光层               74、158 电子输送层
75、159阴极                 76      有机电致发光层
100、200光传感器            103     LD LDD区域
130     显示像素            180     发光电路
201     第一切换晶体管      202     第二切换晶体管
203     电阻体              204     电容
205     光电晶体管          CV、PV  电源
GND     接地电位            L       基准亮度
n1      第一连接点          n2      第二连接点
T1      第一电源端子        T2      第二电源端子
Va、Va1、Va2、Va3、Va4定电压(栅极电压)
Vbias   反偏压之定电压      Vdata   数据信号
VDD     电源电位            VG      栅极电压
Vgs     栅极—源极间电压
Vout    输出电压            Vpulse  输入信号
Vsig    校正值              VTH     临限值电压
具体实施方式
以下参照图1至图14，来详细说明有源矩阵型有机电致发光显示装置。
图1至图4说明了本发明的第一实施例。
图1显示了有机电致发光显示装置的构成的概略图。有机电致发光显示装置20由，基板10及漏极线2与栅极线1，显示部21，水平方向扫描电路22，垂直方向扫描电路23，以及光传感器所构成。
并且，有机电致发光显示装置20具备驱动用集成电路50。驱动用集成电路50用来进行数据信号Vdata的输出，以及对连接于显示部21的有机电致发光组件的晶体管施加驱动电压而控制有机电致发光组件发光等的显示装置。
显示部21被构成为，在玻璃等绝缘性基板10上以行列状配置多数的发光像素30。发光像素30由，于阳极及阴极之间具备发光层的有机电致发光组件，有机电致发光组件的驱动晶体管，以及选择晶体管所构成。驱动晶体管及选择晶体管均为薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，以下简称TFT)。
在显示部21的侧边上，在列(column)侧上配置用来依序选择漏极线2的水平方向扫描电路(以下称为H扫描仪)22，在行(row)侧上配置用来传送栅极信号至栅极线1的垂直方向扫描电路(以下称为V扫描仪)23。此外，用来传输往栅极线1及漏极线2等而输入的各种信号的图中未显示的配线，集中于基板10的侧边，并连接于外部连接端子24。
光传感器(在此，图中未显示)为设置于各个发光像素30内的TFT，通过在TFT的非导通之际所照射的光，而获得光电流(Photocurrent)。本实施例的光传感器，检测出构成发光像素30的有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正。
发光像素30被构成为，在由石英玻璃、无碱玻璃等所组成的绝缘性基板10上，设置由缓冲层所组成的绝缘膜(SiN、SiO2等)14，在该上层层叠由p-Si膜所组成的半导体层63。此p-Si膜可先层叠非晶硅膜，之后通过激光退火进行再结晶化而形成。
在半导体层63上层叠由SiN、SiO2等所组成的栅极绝缘膜12，再于栅极绝缘膜12上形成由铬(Mo)、钼(Mo)等高熔点金属所组成的栅极61。在半导体层63上，设置位于栅极61的下方，且为非掺杂或是实质非掺杂的沟道63c。此外，在沟道63c的两侧上，设置n+型掺杂物的扩散区的源极63s及漏极63d，而构成驱动TFT6。此外，在附图当中所省略的选择用TFT，也具备相同构造。
在栅极绝缘膜12与栅极61的全面上，依序层叠例如SiO2膜、SiN膜、SiO2膜，而层叠层间绝缘膜15。在栅极绝缘膜12及层间绝缘膜15上，对应漏极63d及源极63s而设置接触孔，在接触孔中填充铝(Al)等金属，而设置漏极66及源极68，并各自接触于漏极63d及源极63s。在平坦化绝缘膜17上设置作为显示电极的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等阳极71。阳极71通过设置于平坦化绝缘膜17的接触孔，而连接于源极68(或是漏极66)。
有机电致发光组件7，是在阳极71上依序层叠由空穴输送层72、发光层73及电子输送层74所组成的有机电致发光层76，之后形成由镁铟合金所组成的阴极75。此阴极75设置于，形成有图1所示的有机电致发光显示装置20的基板10的全面上，或是显示部21的全面上。
此外，在有机电致发光组件7中，从阳极71所注入的空穴，以及从阴极75所注入的电子，在发光层73的内部重新结合，激起形成发光层73的有机分子，而产生激子(Exciton)。此激子在放射而失去活性的过程当中，从发光层73产生光线，此光线从透明的阳极71侧中，经介于透明绝缘基板10而放射至外部。在本实施例当中，例如为往基板10的方向发光的底栅极构造。
图3显示了显示部21的显示像素30的1个像素的电路图。
配置多数的往行方向延伸的多数的栅极线1，并以与栅极线1交叉的方式，在列方向配置多数的漏极线2及第一电源线3。第一电源线3连接于电源PV。电源PV例如为输出正的定电压的电源。
在栅极线1及漏极线2的各个交叉点上连接选择TFT4。选择TFT4的栅极连接于栅极线1，选择TFT4的漏极连接于漏极线2。选择TFT4的源极连接于保持电容5及驱动TFT6的栅极。
驱动TFT6的漏极连接于第一电源线3，源极连接于有机电致发光组件7的阳极。有机电致发光组件7的阴极连接于电源CV。电源CV例如为输出负的定电压的电源。在保持电容5的反电极上，连接有在列方向延伸的第二电源线9。在附图当中，保持电容5连接于第二电源线9，但也可设专用的电容线(图中未显示)，而连接于该电容线。
通过V扫描仪(未图示)，依序将栅极信号施加到栅极线1。栅极信号为导通或是非导通的2值信号，在导通之际成为正的特定电压，在非导通之际为0V。V扫描仪是从多数所连接的栅极线1当中，导通所选择的特定栅极线的栅极信号。一旦栅极信号为导通，则连接在该栅极线1的所有的选择TFT4为导通，并经由选择TFT4而连接漏极线2及驱动TFT6的栅极。
从H扫描仪22(未图示)，将响应所显示的影像而决定的数据信号Vdata输出至漏极线2，数据信号Vdata被输入至驱动TFT6的栅极，并对保持电容5进行充电。
保持电容5是在第二电源线9或是第一电源线3等的其它电极之间形成的静电电容，可储存一定时间的数据信号。
在V扫描仪选择其它栅极线1，使该栅极线1成为非选择线而非导通选择TFT4之后，数据信号也通过保持电容5，而在1个垂直扫描期间当中被保持，在这之间，驱动TFT6保持上述导电率，而以该亮度来使有机电致发光组件7持续发光。
驱动TFT6及有机电致发光组件7串联连接于正的电源PV及负的电源CV之间。即，驱动TFT6以响应数据信号Vdata的大小的导电率，而连接第一电源线3及有机电致发光组件7。在有机电致发光组件7当中流通的驱动电流，经由驱动TFT6而从电源PV供应至有机电致发光组件7，并以响应数据信号Vdata的亮度来使有机电致发光组件7发光。之后，可通过改变驱动TFT6的栅极电压VG来控制此驱动电流。如上所述，在栅极上输入数据信号Vdata，而使栅极电压VG成为响应数据信号Vdata的值。
在本实施例当中，在图中所示的发光像素30内，连接光传感器100。光传感器100的一边的端子连接于第一电源线而连接于电源PV，另一边的端子则连接于驱动TFT6的控制端子(栅极)。在驱动TFT6的控制端子(栅极)上，施加成为反偏压的定电压Vbias。
图4显示了光传感器100的构造的附图。图4(A)为图3的圆形标记附近的平面图，记载了对应于图3的电路图的A、B、C、D的端子A、B、C、D。此外，图4(B)为图4(A)的X-X线剖面图。图4(A)是从基板10的一方观看的平面图。
如图2所示，光传感器100，几乎与发光像素30的驱动TFT6为相同，因此省略重复部分的说明。
即，光传感器100为，在绝缘性基板10上层叠栅极101，绝缘膜12，由p-Si膜所组成的半导体层103，并在半导体层上设置沟道103c、源极103s、漏极103d的TFT(图4(B))。
在如此构造的p-SiTFT当中，一旦TFT为非导通而从外部入射光线至半导体层103，则在沟道103c及源极103s，或是沟道103c及漏极103d的接合区域当中，产生电子—空穴对。由于接合区域的电场，此电子—空穴对被分开，产生光激发电力而获得光电流，光电流例如从源极108侧当中输出。即，此光电流为TFT的非导通的暗电流，可检测出该暗电流的增加，而作为光传感器100来加以利用。
在此，可在半导体层103上设置低浓度掺杂物区域。所谓的低浓度掺杂物区域，是指邻接于源极103s或是漏极103d的沟道103c侧而设置的，且掺杂物浓度比源极103s或是漏极103d还低的区域。通过设置此区域，可缓和集中于源极103s(或是漏极103d)的端部的电场。低浓度掺杂物区域的区域宽度，例如约为0.5μm至3pm。
在本实施例当中，设定为，例如在沟道及源极之间(或是沟道及漏极之间)，设置低浓度掺杂物区域103LD，即所谓的LDD(LightlyDoped Drain，轻掺杂漏极)构造。若设定为LDD构造，则可将有益于光电流的产生的接合区域，往栅极区长度L方向增加，因此容易产生光电流。即，只要至少在光电流取出侧上设置低浓度掺杂物区域103LD即可。此外，通过设定为LDD构造，可使Vg-Id特性的OFF特性(检测区域)稳定，而成为稳定的组件。
本实施例的光传感器100，检测出有机电致发光组件7所发出的光。因此，有机电致发光组件7的有机电致发光层76及阴极，在光传感器100上延伸。通过此构造，有机电致发光组件7所发出的光，可入射到光传感器100的半导体层103，而响应发光量的光电流，从源极103s侧被输出。
再次参照图3，来说明此电路的动作。括号内的电压值为例子之一。
驱动TFT6及有机电致发光组件7串联连接于电源PV(6V)及电源CV(-6V)之间。光传感器100为n沟道型TFT，施加有比数据信号Vdata的最低电压(0V)还低的反偏压Vbias(-2V)。
在漏极线2输入比电源PV(6V)还低的电压的数据信号Vdata。例如若输入3V的数据信号Vdata，则连接点n1的电压成为3V。若在光传感器100为非导通下使有机电致发光组件7发光，则该光线入射到光传感器100，而产生响应有机电致发光组件7的光电流。如上述般，光电流为非导通时的暗电流(漏电流)，即，连接点n1的电位响应有机电致发光组件的发光量，被拉引而上升至电源PV的电位。连接点n1的电位被施加到驱动TFT6的栅极。因此，若响应有机电致发光组件7的发光量而使连接点n1的电位上升，则驱动TFT6的栅极—源极间电压Vgs变小。由此，而降低供应至有机电致发光组件7的电流，该发光像素30的亮度降低。
如此，在第一实施形态当中，驱动TFT6的Vgs响应有机电致发光组件7的发光量的变化而改变。此外，若发光量较大，则在光传感器100的漏电流量增加，驱动TFT6的Vgs变小，有机电致发光组件7的发光量变小。
即，赋予相同的数据信号Vdata，并响应亮度的大小，可降低有机电致发光组件7的发光量，就全体而言可接近于亮度较小的像素。因此，可在降低消耗电力之下，来校正亮度波纹。
此外，也可仅仅在像素内配置1个成为光传感器100的TFT，该TFT可与上述的构成像素的驱动TFT及选择TFT，在相同的工艺当中制造。因此像素内的占有面积变小，且在不会使工艺复杂化的情况下来调整各个像素的亮度波纹。
本实施例的光传感器100，并非用来检测外部光线，而是检测出有机电致发光组件7的发光量。因此，较理想是采用，以可直接将有机电致发光层76的光入射到半导体层103的方式，在半导体层103的下方配置栅极101的底栅极构造(参照图4)。
接下来参照图5至图14，来说明本发明的第二实施例。第二实施例为，在每个像素当中，设置可调整检测感应度的受光电路所构成额光传感器200。
图5显示了有机电致发光显示装置20的概略图。显示部21与第一实施例相同，因此省略该说明。
驱动用集成电路50具备，进行亮度调整的亮度调节控制器51，以及输出数据信号Vdata至显示部21的显示数据校正电路53。此外，也具备DC/DC转换器56，其对连接于有机电致发光组件的驱动TFT施加驱动电压，而使有机电致发光组件发光。
亮度调节控制器51对所有的发光像素30，根据光传感器(在此，图中未显示)的输出，而进行均匀化亮度的变动的调整。由于光传感器对外部光线具备模拟输出及数字数出，因此可通过预先测定光传感器100的特性，而获得对外部光线的光电流的关系。
具体情形将在之后详细叙述，在此，在参考电压取得部52中，取得用来均化亮度的基准亮度(以下称为基准亮度L)，并取得用来使各个像素达到基准亮度的校正值。校正值在显示数据校正电路53当中，反映于数据信号Vdata。
显示数据校正电路53具备，通过在第一参考电压及第二参考电压之间分压，而取得多数的灰阶显示电压的灰阶基准电压产生电路54及珈玛(gamma)校正电路55。所谓的珈玛校正是指将输出亮度与输入信号的珈玛乘积成比例的关系，校正为输出亮度与输入信号成比例的关系。
低电位的第一参考电压，是有机电致发光组件的最高亮度位准(白)，高电位的第二参考电压，是有机电致发光组件的最低亮度位准(黑)。在本说明书当中，将第一参考电压称为白色参考电压，将第二参考电压称为黑色参考电压。
校正值被输入至显示数据校正电路53，而反映于灰阶(grodtion)基准电压产生电路54的白色参考电压。灰阶基准电压产生电路54是在每个RGB当中，分压白色参考电压及黑色参考电压，而产生多数的灰阶显示电压。显示数据校正电路53进行数据信号的D/A(数字—模拟)转换，并通过多数的灰阶显示电压而生成模拟的RGB的数据信号，之后再通过珈玛校正电路55来进行校正。然后将数据信号Vdata输出至显示部21而显示影像。由此，显示部21可根据灰阶显示电压而进行灰阶显示。
即，在本实施例当中，取得使各个发光像素的亮度达到基准亮度L的校正值，并反映至灰阶基准电压产生电路54的白色参考电压。
图6显示了第二实施例的1个像素，图6(A)为电路图，记载了对应于图6(B)的电路图的A、B、C、D的端子A、B、C、D。此外，图6(B)的Y-Y线与图4(B)相同，因此省略该说明。图6(B)为从基板10的一方所观看的平面图。
发光像素30被构成为，在发光电路180上，连接成为光传感器的受光电路200。在基板上，配置多数的往行方向延伸的多数的栅极线1，并以与栅极线1交叉的方式，在行方向配置多数的漏极线2及第一电源线3。第一电源线3连接于电源PV。电源PV例如为输出正的定电压的电源。
发光电路180由连接于栅极线1及漏极线2的各个交叉点上的选择TFT4，保持电容5，驱动TFT6，以及有机电致发光组件7而构成。
选择TFT4的栅极连接于栅极线1，选择TFT4的漏极连接于漏极线2。选择TFT4的源极连接于保持电容5及驱动TFT6的栅极。
驱动TFT6的漏极连接于第一电源线3，源极连接于有机电致发光组件7的阳极。有机电致发光组件7的阴极连接于电源CV。电源CV例如为输出负的定电压的电源。在保持电容5的反电极上，连接有在列方向延伸的第二电源线9。
第一电源线3连接于电源PV。即，驱动TFT6以响应数据信号Vdata的大小的导电率，而连接第一电源线3及有机电致发光组件7。结果为，响应数据信号Vdata的电流，经由驱动TFT6而从第一电源线3供应至有机电致发光组件7，并以响应数据信号Vdata的亮度来使有机电致发光组件7发光。
保持电容5是在第二电源线9或是第一电源线3等的其它电极之间形成的静电电容，可储存一定时间的数据信号。
在V扫描仪选择其它栅极线1，使该栅极线1成为非选择线而非导通选择TFT4之后，数据信号也通过保持电容5，而在1个垂直扫描期间被保持，在这之间，驱动TFT6保持上述导电率，而以该亮度来使有机电致发光组件7持续发光。
驱动TFT6及有机电致发光组件7串联连接于正的电源PV及负的电源CV之间。在有机电致发光组件7中流通的驱动电流，经由驱动TFT6而从电源PV供应至有机电致发光组件7，之后，可通过改变驱动TFT6的栅极电压VG来控制此驱动电流。如上述，在栅极上输入数据信号Vdata，而使栅极电压VG成为响应数据信号Vdata的值。
作为光传感器的受光电路200，在1个发光像素30当中，与发光电路180的栅极线1，第一电源线3，第二电源线9，以及传感器输出线8连接。传感器输出线8连接于受光电路200的电阻体203的一端，并将受光电路(光传感器)200的输出结果Vout输出至驱动用集成电路50。此外，第二电源线9的电位比第一电源线3还低。在附图当中，保持电容5连接于第二电源线9，但是，也可设专用的电容线而将保持电容5连接于该电容线。
接下来参照图7至图9，来说明第二实施例的光传感器200。
图7显示了光传感器200的受光电路部分的电路图。光传感器200具备光电晶体管205、电容204、第一切换晶体管201、第二切换晶体管202、第一连接点n1，第二连接点n2、电阻体203、第一电源端子T1及第二电源端子T2。
第一电源端子T1只需比第二电源端子T2的电位高即可，在此，例如设定第一电源端子T1为VDD电位，第二电源端子T2为GND电位。
第一切换晶体管201，通过输入信号Vpulse输入至控制端子而导通，并与光电晶体管205串联连接。两者连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。
此外，第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。
电容204的一端从第一连接点n1，连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第一电源端子T1或是第二电源端子T2。电容204通过导通第一切换晶体管而充电，并改变第一连接点n1的电位。
以下具体说明。电容204的一端从第一连接点n1，连接于光电晶体管205的输出端子，另一端则连接于第一电源端子T1。此外，第一切换晶体管201并联连接于电容204。第一切换晶体管201的控制端子，在特定的期间当中输入脉冲。
第二切换晶体管202串联连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间，在该控制端子当中，施加来自于第一连接点n1的输出。例如，第一切换晶体管201为n沟道型TFT，第二切换晶体管202为p沟道型TFT。这些晶体管的构造与第二图的驱动TFT6相同。
电阻体203的一端从第二连接点n2，连接于第二切换晶体管202的一端，另一端则连接于第二电源端子T2而接地。电阻体203例如为p沟道型TFT，在该控制端子当中，施加定电压Va。可按照使TFT的源极—漏极间成为高电阻的方式，固定栅极电压Va而利用TFT来作为电阻。由此，光电晶体管205所检测出的光电流被转换为电压，而从第二连接点n2当中输出，而因定电压Va的变动所输出的电压，也产生变动。在此情况下，源极—漏极间的电阻值，大约设定为103Ω至108Ω。
如此，在第一电源端子T1及第二电源端子T2之间连接具备高电阻值的电阻体203，由此，可输出光电晶体管205所检测出的光电流，来作为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压而输出。第一电源端子T1与第二电源端子T2间的电压可设定为容易用来进行回馈的范围即可。此外，关于定电压Va的变动及详细的电路动作，将于之后详细叙述。此外，光电晶体管205与图4(B)所示者为相同的构造，因此省略该说明。
在本实施例当中，若设定第一切换晶体管201及第二切换晶体管202均为所谓的LDD构造，则可缓和集中于源极(或是漏极)的电场，因而较为理想。
接下来参照图7及图8，来说明光传感器200的动作。
在第一切换晶体管201的控制端子当中，即，在栅极当中，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。在H位准的脉冲的输入期间，维持第一切换晶体管的导通。由此，将电容204充电至电源电位VDD。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。本实施例将第一连接点n1设定为基准电位(VDD电位)，并通过来自于光电晶体管205的放电，而降低第一连接点n1的电位，并获得输出电压。
一旦光线照射到光电晶体管205，则输出例如约为10-14A至10-9A的极为微小的光电流。如上述般，光电流为，在构成光电晶体管205的TFT的非导通之际，所造成的光量而产生的暗电流。即，通过光线而检测出从光电晶体管205所泄漏的电流，而检测出光量。因此，一旦光线照射到光电晶体管205，则从光电晶体管205放出响应该光量的电荷，而如图8(A)所示，第一连接点n1的基准电位(VDD电位)下降。
第二切换晶体管202为p沟道型TFT，该控制端子连接于第一连接点n1。即，若第一连接点n1下降至临限值电压VTH以下，则导通第二切换晶体管202。
电阻体203通过定电压Va而导通，可形成响应定电压Va的沟道，并视为电阻值为固定的电阻体。输出电压Vout以第二切换晶体管202的电阻值及电阻体203的电阻分压，而输出第一电源端子T1及第二电源端子T2的电位差。即，在导通第二切换晶体管202之前，第二切换晶体管202的电阻值比电阻体203的电阻值还大，使第二连接点n2成为更接近于第二电源端子T2的电压。若使其中之一导通，则第二切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还小，使第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压。
即，以光电晶体管205所检测出的光电流来作为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压，而检测出接近于电源电位VDD的输出电压Vout。
在此，由于电阻体203的电阻值为极高的电阻值，因此即使为极小的光电流，也可获得容易进行回馈程度的极大值的输出电压Vout。
如此，光传感器200，可仅仅在第一切换晶体管201当中输入电压Vpulse的脉冲而动作。此外，构成电路的构成要素，也仅仅需要3个TFT及1个电容而加以实现，因此可减少零件数目。
图8(B)、(C)显示了依据光量的输出电压Vout的输出的例子。附图中的X轴为时间，Y轴为输出电压Vout。实线a及虚线a’系显示了虽然电阻体203的定电压Va为相同的值，但是在光敏晶体管205所检测出的光量为不同的情况，实线a、b是分别显示电阻体203的定电压Va不同的情形。
从该附图可得知光量及电阻体203的定电压Va值(Va值)，以及输出电压Vout的输出时间的关系。
首先，参照图8(B)，来说明在相同的Va值之下，光量较大的情况(实线a)及光量较小的情况(虚线a’)。
如上所述般，由于输入信号Vpulse而上升至基准电位VDD的第一连接点n1的电压，响应光电晶体管205所检测出的光量而减少(图8(A)的实线a)。之后，一旦下降至第二切换晶体管202的临限值电压(threshold voltage)以下，而导通第二切换晶体管202，则电流从第一电源端子T1流通至电阻体(TFT)203(图8(B)：t1)。一旦形成响应栅极电压Va的沟道，并经过特定的时间，则流通于电阻体203的电流达到饱和状态。由此，成为具备固定的电阻值的电阻体203，在该时点当中，可从第二连接点n2当中，检测出输出电压Vout，而作为电源电压VDD及电阻体203的分压(图8(B)：t2)。
之后在经过某时间之后，一旦将Vpulse输入到第一切换晶体管201，则第二切换晶体管202成为非导通，因此，输出电压Vout几乎成为0V(t3)。即，可由2值来检测出作为检测出输出电压Vout的时间(H位准)，以及未检测出输出电压Vout的时间(L位准)两者。
另一方面，如虚线a’所示，在光量较少的情况下，光电晶体管205的放电量也变少，因此到达第二切换晶体管202的临限值电压的时间，比实线a还慢。即，导通第二切换晶体管202的时机变慢(t4)，输出电压Vout成为H位准的时机变慢(t5)。通过在一定的周期下输入至第一切换晶体管201的Vpulse，而导通第二切换晶体管202，使输出电压Vout成为L位准(t3)。由于流通于电阻体203的电流达到饱和状态的时间几乎为一定，因此，导通第二切换晶体管202的时机的延迟，表示输出电压Vout成为H位准的期间变短。
此外，H位准的期间愈长，则可检测出输出电压Vout的时机也变长，因此作为光传感器的光感测度变得较佳。因此，光传感器200可通过光量的大小(实线a、虚线a’)来改变光感测度。
接下来参照图8(C)，来说明在相同的光量之下，Va值较大的情况(实线a)及Va值较小的情况(实线b)。
如上述，由于输入信号Vpulse而上升至基准电位VDD的第一连接点n1的电压，响应光电晶体管205所检测出的光量而减少(图8(A)的实线a)。之后，一旦下降至第二切换晶体管202的临限值电压以下，而导通第二切换晶体管202，则电流从第一电源端子T1流通至电阻体(TFT)203(图8(C)：t11)。一旦形成响应较大的栅极电压Va1的沟道，并经过特定的时间，则流通于电阻体203的电流达到饱和状态。由此，成为具备固定的电阻值的电阻体203，在该时点当中，可从第二连接点n2当中，检测出输出电压Vout，而作为电源电压VDD及电阻体203的分压(图8(C)：t12)。
之后在经过某时间之后，一旦输入Vpulse于第一切换晶体管201，则第二切换晶体管202成为非导通，因此，输出电压Vout几乎成为0V(t13)。即，可由2值来检测出作为检测出输出电压Vout的时间(H位准)，以及未检测出输出电压Vout的时间(L位准)两者。
另一方面，如实线b所示般，在Va值较低(Va2)的情况下，若光量为相同，则到达第二切换晶体管202的临限值电压的时间，几乎与实线a为相同。因此，导通第二切换晶体管202的时机也几乎为相同(t11)。
一旦导通第二切换晶体管202，则电流从第一电源端子T1流通至电阻体(TFT)203。一旦形成响应较低的栅极电压Va2的沟道，并经过特定的时间，则流通于电阻体203的电流达到饱和状态，之后，可由响应电阻体203的电阻值的分压，而检测出输出电压Vout(t14)。
之后，在经过某时间之后，一旦输入Vpulse于第一切换晶体管201，则第二切换晶体管202成为非导通，因此，输出电压Vout几乎成为0V(图8(C)：t13)。
在此，若栅极电压Va2愈低，则沟道宽度也愈窄，因此，流通于电阻体203的电流到达饱和状态的时间比栅极Va1的情况还快。因此，可检测出输出电压Vout的时机变快，成为H位准的期间变长(t12→t14)。
即，Va值愈低，愈可提升光传感器200的光感测度，因此可通过Va值的变动来调节光感测度。
参照图9来更进一步的说明。图9(A)显示了电阻体203的栅极电压Va及第二切换晶体管202的Vd-Id特性的一例。实线c、d为第二切换晶体管202的Vd-Id特性，虚线Va3、Va4为电阻体(TFT)203的Vd-Id特性。此外，图9(B)显示了与图9(A)对应，而互换图8(C)的输出例的X轴及Y轴的模式图。实线c，d表示光量，而设定光量d多于光量c0而且，虚线Va3，Va4为栅极电压，而设定栅极电压Va4大于栅极电压Va3。
如图9(A)、(B)所示，在栅极电压Va3的情况下，在第二切换晶体管202的线性区域当中，具有与电阻体203的交叉点x1，于光量c、d下均可检测出输出电压Vout为H位准。而光量d的检测期间比光量c还长。
另一方面，如图9(C)所示，若设定太大的栅极电压Va(Va4)，则在第二切换晶体管202的线性区域的交叉点x2，仅仅剩下光量d的情况。从该情况当中可得知，由于在电阻体203的饱和状态下，第二切换晶体管202也达到饱和状态，因此无法检测出输出电压Vout。此外，光量d的检测期间也变短。
因此，在第二切换晶体管202的线性区域当中，可以电阻体203的Vd-Id曲线相交的方式，来适当的选择Vpulse、Va。
如此，光传感器200可获得依据第二切换晶体管202的导通。非导通的2值输出，但也可通过算出乘算面积等，而进行输出电压Vout的模拟输出，并可在第二实施形态当中利用模拟输出。
在第二实施形态中，如上述图6(A)所示，将上述光传感器200连接于栅极线1，第一电源线3，以及第二电源线9。如此，光传感器200的第一电源端子T1可利用显示部21的电源PV，第二电源端子T2可利用第二电源线9的电位。如上所述，第二电源线9是比第一电源线3的电位还低的电源线。此外，通过连接于栅极线1，可使光传感器的输入信号Vpulse与用显示部21的栅极信号为共通。此外，输出电压Vout被输出至传感器输出线8。因此，即使是在每个像素当中配置受光电路的构成，也可避免配线的复杂化。
此外，通过调整作为电阻体的TFT203的栅极电压Va，可改变光传感器200的输出电压Vout的检测感应度。
尤其是，由于光电流为光电晶体管205的暗电流，因此该值会产生变动。然而，由于可通过电阻体203的栅极电压Va来调节输出电压Vout的检测感应度，因此可在每个发光像素30当中，固定光传感器200的检测感应度。因此，可降低捡测结果的变动，而降低亮度波纹。
再者，在上述光传感器200当中，不仅可通过电阻体203的Va值，也可通过光电晶体管205的连接数，输入信号Vpulse的周期，以及电容204的大小，来调整检测感应度。光电晶体管205的连接数，有助于检测有机电致发光组件的放电量，输入信号Vpulse的周期，有助于如图8所示的输出电压Vout成为H位准的期间。此外，电容204的大小为施加于第二切换晶体管202的栅极的电位，在V＝Q/C的关系当中，可从电容204当中放出电荷，由此而使电位改变。即，电容204较小的，更可提高检测感应度。
图7的电路构成仅仅为例子之一，可针对第一切换晶体管201及光电晶体管205的连接位置，第二切换晶体管202及电阻体203的连接位置，以及电容204的连接位置进行变更。即，可导通第一切换晶体管201，使第一连接点n1的电位，充电至第一电源端子T1或是第二电源端子T2的电位，然后切断第一切换晶体管201，通过来自于光电晶体管205的放电而改变第一连接点n1的电位，并通过该电位，而导通或是切断第二切换晶体管202，而从第二切换晶体管202及电阻体203的第二连接点n2中，检测出输出电压。
图10及图11显示了图7的光量检测电路的其它构成。首先，图10显示了可在接近于第一电源电位VDD的电位的情况下，检测出输出电压Vout的电路。
图10(A)：第一切换晶体管201与光电晶体管205串联连接，并连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202为p沟道型TFT，电阻体203为n沟道型TFT。电容204并联连接于光电晶体管205，一端从第一连接点n1，连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第二电源端子T2。
在第一切换晶体管201的控制端子当中，即在栅极当中，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。在H位准的脉冲的输入期间，维持第一切换晶体管的导通。由此，对电容204充电至电源电位VDD。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205当中，放出响应该光量的电荷，第一连接点n1的基准电位(VDD)下降。
若第一连接点n1的电位下降至临限值电压VTH以下，则导通第二切换晶体管202。由此，第二切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还小，使第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压。即，由于第二切换晶体管202的导通，而以光电晶体管205所检测出的光电流来作为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压，以接近于电源电位VDD的电位而输出输出电压Vout。
图10(B)：第一切换晶体管201与光电晶体管205串联连接，并连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202为n沟道型TFT，电阻体203也是n沟道型TFT。电容204并联连接于第一切换晶体管201，一端从第一连接点连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第一电源端子T1。
在第一切换晶体管201的控制端子中，，在栅极当中，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。在H位准的脉冲的输入期间，维持第一切换晶体管的导通。由此，将电容204充电至电源电位VDD。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205当中，放出响应该光量的电荷，第一连接点n1的基准电位(VDD)下降。
n沟道型TFT的第二切换晶体管202，从第一切换晶体管201的导通之际开始，至第一连接点n1的电位下降至临限值电压VTH为止之间导通。即，在第二切换晶体管202的导通之间，第二切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还小，使第二连接点n2成为更接近于第二电源端子T2的电压。另一方面，若电压下降至临限值电压VTH以下，则第二切换晶体管202被切断，第二切换晶体管202的电阻值变得远比电阻体203的电阻值还大，使第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压。即，由于第二切换晶体管202的切断，而以光电晶体管205所检测出的光电流来作为电源电位VDD及接地电位GND之间的电位差的分压，以接近于电源电位VDD的电位而输出输出电压Vout。
图10(C)：第一切换晶体管201与光电晶体管205串联连接，并连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202为n沟道型TFT，电阻体203也是n沟道型TFT。电容204并联连接于光电晶体管205，一端从第一连接点n1连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第二电源端子T2。
在第一切换晶体管201的控制端子当中，即，在栅极当中，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。在H位准的脉冲之输入期间，维持第一切换晶体管的导通。由此，将电容204充电至电源电位VDD。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205当中，放出响应该光量的电荷，第一连接点n1的基准电位(VDD)下降。
n沟道型TFT的第二切换晶体管202，从第一切换晶体管201的导通之际开始，至第一连接点n1的电位下降至临限值电压VTH为止之间导通。即，在第二切换晶体管202的导通之间，第二连接点n2成为更接近于第二电源端子T2的电压。另一方面，若第二切换晶体管202被切断，则第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压。即，由于第二切换晶体管202的切断，可由接近于电源电位VDD的电位而检测出输出电压Vout。
图11显示了从图10(A)及图7中，互换第一切换晶体管201及光电晶体管205的连接的构造，通过此构成，可在更接近于第二电源端子T2的电位，来检测出输出电压Vout。
图11(A)：第一切换晶体管201与光电晶体管205串联连接，并连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接在第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202为p沟道型TFT，电阻体203为n沟道型TFT。电容204并联连接于光电晶体管205，一端从第一连接点n1连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第一电源端子T1。
在第一切换晶体管201的控制端子当中，即，在栅极当中，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。于H位准的脉冲的输入期间，维持第一切换晶体管的导通。由此，将电容204充电至接地电位GND。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205当中，放出响应该光量的电荷，第一连接点n1的基准电位(GND)上升。
p沟道型TFT的第二切换晶体管202，从第一切换晶体管201的导通之际开始，至第一连接点n1的电位下降至临限值电压VTH为止之间导通。由此，在第二切换晶体管202的导通之间，第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压。另一方面，若第一连接点n1超过临限值电压，则第二切换晶体管202被切断。由此，第二连接点n2成为更接近于第二电源端子T2的电压。即，由于第二切换晶体管202的切断，可由接近于接地电位GND的电位而检测出输出电压Vout。
图11(B)：第一切换晶体管201与光电晶体管205串联连接，并连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202为p沟道型TFT，电阻体203为n沟道型TFT。电容204并联连接于第一切换晶体管201，一端从第一连接点n1连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第二电源端子T2。
在第一切换晶体管201的控制端子当中，即，在栅极当中，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。于H位准的脉冲的输入期间，维持第一切换晶体管201的导通。由此，对电容204充电至接地电位GND。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205当中，放出响应该光量的电荷，第一连接点n1的基准电位(GND)上升。
p沟道型TFT的第二切换晶体管202，从第一切换晶体管201的导通之际开始，至第一连接点n1的电位上升至临限值电压VTH为止之间导通。由此，在第二切换晶体管202的导通之间，第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压。另一方面，若第一连接点n1超过临限值电压，则第二切换晶体管202被切断，第二连接点n2成为更接近于第二电源端子T2的电压。即，由于第二切换晶体管202的切断，可由接近于接地电位GND的电位而检测出输出电压Vout。
图11(C)：第一切换晶体管201与光电晶体管205串联连接，并连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202为n沟道型TFT，电阻体203也是n沟道型TFT。电容204并联连接于光电晶体管205，一端从第一连接点n1连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第一电源端子T1。
在第一切换晶体管201的控制端子，即，在栅极，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。在H位准的脉冲的输入期间，维持第一切换晶体管201的导通。由此，将电容204充电至接地电位GND。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205当中，放出响应该光量的电荷，第一连接点n1的基准电位(GND)上升。
n沟道型TFT的第二切换晶体管202，在第一连接点n1的电位达到临限值电压VTH为止被切断，若超过临限值电压VTH则导通。在第二切换晶体管202的切断之间，第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压，若导通，则成为更接近于第二电源端子T2的电压。即，由于第二切换晶体管202的导通，可由接近于接地电位GND的电位，而输出输出电压Vout。
图11(D)：第一切换晶体管201与光电晶体管205串联连接，并连接于第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202及电阻体203串联连接，这些晶体管也连接在第一电源端子T1及第二电源端子T2之间。第二切换晶体管202为n沟道型TFT，电阻体203也是n沟道型TFT。电容204并联连接于第一切换晶体管201，一端从第一连接点n1连接于第二切换晶体管202的控制端子，另一端则连接于第二电源端子T2。
在第一切换晶体管201的控制端子，即，在栅极，于特定的期间中输入特定电压Vpulse(H位准)的脉冲。在H位准的脉冲的输入期间，维持第一切换晶体管201的导通。由此，将电容204充电至接地电位GND。
一旦脉冲成为L位准(0V)，则第一切换晶体管201被切断。一旦照射光线于光电晶体管205，则从光电晶体管205当中，放出响应该光量的电荷，第一连接点n1的基准电位(GND)上升。
n沟道型TFT的第二切换晶体管202，在第一连接点n1的电位达到临限值电压VTH为止被切断，若超过临限值电压VTH则导通。在第二切换晶体管202的切断之间，第二连接点n2成为更接近于第一电源端子T1的电压，若导通，则成为更接近于第二电源端子T2的电压。即，由于第二切换晶体管202的导通，可由接近于接地电位GND的电位，而输出输出电压Vout。
此外，图中虽未显示，但也可连接电阻组件来作为电阻体203。电阻组件例如在多晶硅或是ITO等当中掺杂n型掺杂物而形成，具备103Ω至108Ω的高电阻值。在此情况下，可通过改变电阻体203的电阻值，而予上述改变电路的定电压Va的情况相同，而调整光传感器200的光感测度。
如上所述，本实施例的第二切换晶体管202，如图7或是图10(A)、图11(A)、图11(B)所示，在一端连接于高电位的第一电源端子T1的情况下，使用p沟道型TFT。另一方面，如图10(B)或是图10(C)、图11(C)、图11(D)所示，在第二切换晶体管202的一端连接于低电位的第二电源端子的情况下，使用n沟道型TFT来作为第二切换晶体管202。
之后，如图6所示，在连接于作为受光电路200的发光电路180的情况下，分别将第一电源端子T1及第二电源端子T2连接到第一电源线3及第二电源线9的任一条。由于只要1个发光像素30的电位满足PV电源＞CV电源的关系即可，因此可通过第一电源线3及第二电源线9的电位关系，而适当的选择图7及图10、图11s的电路。
图12说明了亮度调节控制器51的附图，图12(A)为方块图，图12(B)为参考电压取得部52所保持的特性图的一例。
在亮度调节控制器51，输入光传感器200的检测结果(对应于各个发光像素的亮度的输出电压Vout)。第二实施例的光传感器(受光电路)200，因亮度的不同而使导通的时机有所不同，因此可通过对导通状态的脉冲部分的面积进行积分，而获得模拟值。
即，在亮度调节控制器51，输入如图所示的脉冲波形。亮度调节控制器51内的积分电路，对脉冲波形进行积分，算出面积后可获得模拟DC波形。
在参考电压取得部52，从图12(B)所示的特性图当中，算出对应于光传感器200的输出电压Vout的发光像素30的亮度，并与基准亮度L进行比较。例如，在像素1当中为了达到基准亮度L，而须降低亮度，或是在像素2当中为了达到基准亮度L，而须提高亮度。此外，由于亮度及参考电压具备如图12(B)的右图所示的关系，因此，取得每个像素30的配合基准亮度L的参考电压，来作为校正值Vsig。之后输出此校正值Vsig至灰阶基准电压产生电路54。
基准亮度L可例如为全部发光像素30的亮度的平均，也可配合发光亮度较小的像素。此外，也可预先设定基准亮度L。
此外，校正值Vsig可设定为取得对应基准亮度L的白色参考电压值，也可对每个像素，以成为对应基准亮度L的白色参考电压值的方式来求取加减值，并输出该加减值，来作为校正值Vsig。
从亮度调节控制器51所输出的校正值Vsig，反映于灰阶基准电压产生电路54的白色参考电压，并在珈玛校正电路55当中进行校正，然后传送至显示部21来作为漏极线2的数据信号Vdata(参照第五图)。
图13显示了说明显示数据校正电路53的附图，图13(A)为方块图，图13(B)为灰阶基准电压产生电路54的电路图。
显示数据校正电路53具备灰阶基准电压产生电路54及色温校正电路55，如上所述，所输出的校正值Vsig被输出至灰阶基准电压产生电路54。
灰阶基准电压产生电路54是响应灰阶数(256)的数目的电阻为串联连接的电阻分割电路。白色参考电压(白ret)是像素30的有机电致发光组件的最高亮度位准(白)的低电位的参考电压，黑色参考电压是(黑ref)有机电致发光组件的最低亮度位准(黑)的高电位的参考电压。
在本实施例中，在此电路当中设定黑色参考电压为一定，并将校正值Vsig反映在灰阶基准电压产生电路54的白色参考电压。例如，在输出对应基准亮度L的白色参考电压值来作为校正值Vsig的情况下，可输出该值。此外，在以成为对应基准亮度L的白色参考电压值的方式输出所求取的加减值来作为校正值Vsig的情况下，可通过校正值Vsig而改变白色参考电压。
接下来说明改变白色参考电压的理由。对比CR为白色的亮度及黑色的亮度的差，在产品出货之际，将其调整为在室内可获得充分的的对比(在黑色之际可充分辨识出为“黑色”)。
即，成为黑的亮度很小而几近于0。于是，要调整亮度时，只调整白的亮度即可，而以白参考电压的变动来实现。
灰阶基准电压产生电路54，是在校正后的白色参考电压(Vsig)以及黑色参考电压(固定值)之间，产生灰阶显示电压。
灰阶基准电压产生电路54所产生的256种的灰阶显示用的模拟电压(灰阶显示电压)，对于每个RGB，经由珈玛校正电路55与栅极信号线而输出至显示部21的发光像素30，来作为数据信号。
以上说明了校正各个发光像素30的亮度的例子，但也可利用于亮度半衰期的调整。
图14显示了有机电致发光组件的亮度及时间的关系的特性图。如图所示，有机电致发光组件具备亮度半衰期。在第二实施例当中，在所有发光像素的亮度比产品出货时还小的情况下(L→L3)，如图14(B)所示，可通过提高因校正值Vsig所造成的恶化的量的白色参考电压，而延长亮度半衰期。由此，有益于有机电致发光显示装置的长寿命化。
此外，也可兼用亮度较正及亮度半衰期的调整，由此，可提供显示质量更佳的长寿命的有机电致发光显示装置。
在本实施例当中，对于像素30在图4(B)中是以相反的顺序来层叠有机电致发光层76、阳极71、阴极75，并往纸面上发光的顶放射构造，也可同样来实施，在该情况下，光传感器100、200可形成为底栅极构造。

Claims (10)

1.一种有机电致发光(EL)显示装置，具备：
在基板上配置成为矩阵状的漏极线与栅极线；及
配置有多数的发光像素的显示部，该发光像素连接于上述漏极线与栅极线的交叉点附近，并由驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件所组成；及
设置于上述发光像素内的光传感器；
通过上述光传感器来检测出上述有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正。
2.一种有机电致发光显示装置，具备：
在基板上配置为矩阵状的漏极线与栅极线；及
配置有多数的发光像素的显示部，该发光像素连接于上述漏极线与栅极线的交叉点附近，并由驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件所组成；及
设置于上述发光像素内的光传感器；
上述光传感器是由，一边的端子连接于上述驱动晶体管的电源端子，另一边的端子连接于上述驱动晶体管的控制端子，并施加定电压于控制端子的晶体管所组成；用来检测出上述有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正。
3.如权利要求2所述的有机电致发光显示装置，其中，响应上述发光量，而降低供应至上述有机电致发光组件的电流。
4.如权利要求2所述的有机电致发光显示装置，其中，上述光传感器是由，具备在基板上层叠栅极及绝缘膜及半导体层，设置在该半导体层的沟道，以及设置在该沟道的两侧的源极及漏极的薄膜晶体管所组成；其将所感光的光转换为电气信号。
5.一种有机电致发光显示装置，其特征为具备：
在基板上配置为矩阵状的漏极线与栅极线；及
配置有多数的发光像素的显示部，该发光像素连接于上述漏极线与栅极线的交叉点附近，并由驱动晶体管及选择晶体管及有机电致发光组件所组成；及
设置在上述发光像素内的光传感器；
上述光传感器是由，至少具备连接于上述栅极线及上述漏极线及上述驱动晶体管的多数的晶体管，而可调整光感测度的受光电路所构成；用来检测出上述有机电致发光组件的发光量，而进行该有机电致发光组件的亮度校正。
6.如权利要求5所述的有机电致发光显示装置，其中，响应上述发光量，而调整供应至上述漏极线的数据信号的参考电压。
7.如权利要求5所述的有机电致发光显示装置，其中，上述光传感器具备：
在基板上层叠栅极及绝缘膜及半导体层，其具有设置在该半导体层的沟道、设置在该沟道的两侧的源极及漏极，将所受光的光转换为电气信号的光电晶体管；第一及第二切换晶体管；电阻体；及电容；
在连接于上述发光像素的第一电源线及第二电源线之间，串联连接上述第一切换晶体管及光电晶体管，在上述第一电源线及上述第二电源线之间，串联连接上述第二切换晶体管及上述电阻体，上述电容的一端从第一连接点连接至上述第二切换晶体管的控制端子，另一端则连接于上述第一电源线，并通过上述电阻体的电阻值，而调整上述光感测度。
8.如权利要求4或7所述的有机电致发光显示装置，其中，上述半导体层，是在上述源极及上述沟道之间，或是上述漏极及上述沟道之间的接合区域中，直接受光而产生光电流。
9.如权利要求4项或是7所述的有机电致发光显示装置，其中，在上述半导体层的上述源极及上述沟道之间，或是上述漏极及上述沟道之间，设置低浓度掺杂物区域。
10.如权利要求9所述的有机电致发光显示装置，其中，上述低浓度掺杂物区域设置于，输出由入射光所产生的光电流的一侧。
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