KR102536122B1 - 표시 장치 및 이의 구동방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 화소부가 배치되며, 사용자의 손가락 지문을 인식하여 제1 지문 데이터를 생성하는 지문 인식부를 포함하는 표시부, 제1 지문 데이터에서 지문의 융에 대응되는 복수의 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터를 생성하고, 생성된 제2 지문 데이터를 기초로 휘도 데이터를 생성하는 지문 센싱부 및 휘도 데이터를 기초로 지문 인식부의 열화량을 산출하여 보상 데이터를 생성하는 타이밍 제어부를 포함한다.

Description

표시 장치 및 이의 구동방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이의 구동방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 소자를 이용하여 영상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치는 빠른 응답 속도를 가지며, 휘도 및 시야각이 크고, 동시에 낮은 소비 전력으로 구동되는 장점이 있다.
또한, 표시 장치 중 액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 복수의 화소부로부터 방출되는 광을 이용하여 사용자의 지문을 인식하는 지문 인식부의 열화량을 측정하고, 이를 보상해줄 수 있는 표시 장치 및 이의 구동방법을 제공한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소부가 배치되며, 사용자의 손가락 지문을 인식하여 제1 지문 데이터를 생성하는 지문 인식부를 포함하는 표시부; 상기 제1 지문 데이터에서 상기 지문의 융에 대응되는 복수의 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터를 생성하고, 생성된 상기 제2 지문 데이터를 기초로 휘도 데이터를 생성하는 지문 센싱부; 및 상기 휘도 데이터를 기초로 상기 지문 인식부의 열화량을 산출하여 보상 데이터를 생성하는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 지문 인식부는 상기 보상 데이터에 대응되는 데이터 신호를 제공받는다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소부로부터 방출되는 광을 기초로 사용자의 지문을 인식하여 제1 지문 데이터를 생성하는 지문 인식부를 포함하는 표시부; 상기 제1 지문 데이터에서 상기 지문의 융에 대응되는 복수의 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터를 생성하고, 생성된 상기 제2 지문 데이터를 기초로 휘도 데이터를 생성하는 지문 센싱부; 상기 휘도 데이터를 기초로 상기 지문 인식부의 열화량을 산출하여 보상 데이터를 생성하는 타이밍 제어부; 및 상기 복수의 화소부와 복수의 데이터 라인을 통해 연결되는 데이터 구동부를 포함하고, 상기 지문 인식부는 상기 데이터 구동부로부터 상기 보상 데이터에 대응되는 복수의 데이터 신호를 제공받는다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동방법은 복수의 화소부가 배치되는 지문 인식부를 갖는 표시부를 포함하는 표시 장치에 있어서, 사용자의 지문을 인식하여 제1 지문 데이터를 생성하는 단계; 상기 제1 지문 데이터에서 상기 지문의 융에 대응되는 복수의 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터를 생성하는 단계; 상기 생성된 상기 제2 지문 데이터를 기초로 휘도 데이터를 생성하는 단계; 및 상기 휘도 데이터를 기초로 상기 지문 인식부의 열화량을 산출하여 보상 데이터를 생성하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 지문 인식부의 열화량을 측정하여 보상해줌으로써, 지문 인식부가 열화되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 표시 장치의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시한 표시 패널을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 4a는 도 3에 도시한 화소부의 일 실시예를 나타낸 등가 회로도이다.
도 4b는 도 3에 도시한 화소부의 다른 실시예를 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 도 3에 도시한 지문 인식부의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 도 1에 도시한 표시 장치의 지문 인식 영역에 사용자가 손가락을 접촉시킨 상태를 나타낸 도면이다.
도 8의 (a)는 사용자의 지문을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 8의 (b)는 도 8의 (a)의 도면에서 맥스 포인트를 도시한 도면이다.
도 9는 도 8의 (b)에 도시한 I-I'선을 따라 배열되는 복수의 디지털 값을 나타낸 그래프이다.
도 10은 도 9에 도시한 A 영역을 사용자의 지문과 대응시킨 도면이다.
도 11은 복수의 맥스 포인트의 분포를 나타낸 그래프이다.
도 12는 대표 데이터를 이용하여 휘도 데이터를 생성하는 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
도 13은 도 3에 도시한 화소부의 다른 실시예를 나타낸 등가 회로도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 또한 도면을 기준으로 다른 소자의 "좌측"에 위치하는 것으로 기술된 소자는 시점에 따라 다른 소자의 "우측"에 위치할 수도 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 영역(11) 및 비표시 영역(12)으로 구분될 수 있다.
표시 영역(11)은 화상을 표시하는 영역으로 정의된다. 또한, 표시 영역(11)은 외부 환경을 검출하기 위한 검출 부재로 사용될 수 있다. 일 실시예로, 표시 영역(11) 중 적어도 일부 영역은 사용자의 지문 인식을 위한 지문 인식 영역(13)일 수 있다. 즉, 지문 인식 영역(13)은 화상을 표시할 수도 있으며, 사용자의 지문 인식이 필요한 경우에는 사용자의 지문을 인식하는 영역으로 사용될 수 있다.
도 1에서는 표시 영역(11) 중 지문 인식 영역(13)에서 사용자의 지문을 인식할 수 있는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 표시 영역(11) 전체가 사용자의 지문 인식을 위한 영역으로 사용될 수도 있다. 이 경우, 사용자가 표시 영역(11) 중 어떠한 영역을 터치하더라도, 사용자의 지문이 인식될 수 있다. 또한, 지문 인식 영역(13)의 크기 및 모양 등은 도 1에 도시된 것으로 제한되는 것은 아니다. 이하, 지문 인식 영역(13)에서 사용자의 지문이 인식되는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.
비표시 영역(12)은 표시 영역(11)의 외측에 배치되되, 화상이 표시되지 않는 영역으로 정의된다. 비표시 영역(12)에는 스피커 모듈(14), 카메라 모듈(15) 및 센서 모듈(16)이 배치될 수 있다. 센서 모듈(16)은 일 실시예로, 조도 센서, 근접 센서, 적외선 센서, 초음파 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 센서 모듈(16)은 사용자의 홍채를 인식하는 기능을 수행할 수도 있다. 다만, 스피커 모듈(14), 카메라 모듈(15) 및 센서 모듈(16)의 배치 형태는 도 1에 도시한 것으로 제한되지는 않는다.
표시 영역(11)은 일 실시예로 평평한 형상을 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 표시 영역(11)의 적어도 일부 영역이 구부러질 수도 있다. 또한, 표시 영역(11)은 표시 장치(10)의 에지(edge) 영역에 배치될 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시한 표시 장치의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 표시 패널(100), 입력 감지층(200), 반사 방지층(300) 및 윈도우 패널(400)을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 다른 구성과 접착 부재를 통해 결합된 구성은 “패널”로 표현하기로 한다. 또한, 다른 구성과 연속 공정을 통해 형성된 당해 구성은 “층”으로 표현하기로 한다. 패널은 베이스 면을 제공하는 베이스층을 포함한다. 이에 반해, 층은 상기 베이스층이 생략될 수 있다. 즉, “층”이라 표현하면, 다른 구성이 제공하는 베이스 면 상에 배치되는 것을 의미한다. 여기서, 베이스층은 일 실시예로 합성 수지 필름, 복합 재료 필름 및 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 전술한 화상을 표시하는 패널로 정의된다. 이를 위해, 표시 패널(100)은 복수의 표시 소자를 포함한다. 여기서, 복수의 표시 소자는 일 실시예로 유기 발광 소자일 수 있다. 즉, 표시 패널(100)은 유기 발광 표시 패널일 수 있다. 다만, 표시 패널(100)의 종류는 유기 발광 표시 패널로 제한되는 것은 아니며, 표시 소자의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 퀀텀 닷(quantum dot) 표시 패널 또는 액정 표시 패널 등일 수 있다. 이하, 표시 패널(100)이 유기 발광 표시 패널인 것으로 설명하기로 한다.
입력 감지층(200)은 일 실시예로 접촉된 사용자의 손 또는 터치 펜을 감지할 수 있다. 입력 감지층(200)은 표시 패널(100) 상에 배치될 수 있다. 입력 감지층(200)은 표시 패널(100) 상에 연속 공정을 통해 형성될 수 있다.
반사 방지층(300)은 윈도우 패널(400)의 상측으로부터 입사되는 외부 광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층(300)은 일 실시예로 위상 지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 또한, 반사 방지층(300)은 블랙 매트릭스(Black Matrix) 및 컬러 필터(Color Filter)를 포함할 수도 있다. 반사 방지층(300)은 생략될 수도 있다.
윈도우 패널(400)은 외부의 스크래치 등으로부터 표시 패널(100) 또는 입력 감지층(200)을 보호할 수 있다. 윈도우 패널(400)은 반사 방지층(300) 상에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는, 윈도우 패널(400)은 접착 부재(500)를 통해 반사 방지층(300)과 결합될 수 있다. 여기서, 접착 부재(500)는 일 실시예로, 감압 접착 부재(PSA), 광학 투명 접착 부재(OCA) 또는 광학 투명 접착 필름(OCR)일 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 것과는 달리, 입력 감지층(200)은 입력 감지 패널일 수도 있다. 또한, 반사 방지층(300)은 반사 방지 패널일 수도 있다. 이 경우, 입력 감지 패널 또는 반사 방지 패널은 별도의 접착 부재를 통해 각각 표시 패널 또는 입력 감지 패널과 결합될 수 있다.
이하, 표시 패널(100)에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 도 2에 도시한 표시 패널을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(100)은 표시부(110), 스캔 구동부(120), 데이터 구동부(130), 타이밍 제어부(140) 및 지문 센싱부(150)를 포함할 수 있다.
표시부(110)는 화상을 표시할 수 있다. 표시부(110)는 도 1에서 설명한 표시 영역(11)과 중첩될 수 있다. 복수의 화소부(PX)는 상기 표시부(110)에 배치된다. 표시부(110)는 제1 방향(d1)으로 연장되는 제1 내지 제n 스캔 라인(SL1 내지 SLn, n은 1 이상의 자연수) 및 제2 방향(d2)으로 연장되는 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 내지 DLm, m은 1 이상의 자연수)과 연결될 수 있다. 여기서, 제1 방향(d1)은 일 실시예로 제2 방향(d2)과 교차할 수 있다. 도 3을 기준으로, 제1 방향(d1)을 행 방향으로, 제2 방향(d2)을 열 방향으로 예시한다.
도 4a를 참조하여, 상기 화소부(PX)의 일 실시예에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 4a는 도 3에 도시한 화소부의 일 실시예를 나타낸 등가 회로도이다. 도 4에서는 제i 스캔 라인(SLi, i는 1 이상의 자연수) 및 제j 데이터 라인(DLj, j는 이 1이상의 자연수)과 각각 연결되는 제ij 화소부(PXij)를 기준으로 설명하기로 한다.
도 4a를 참조하면, 제ij 화소부(PXij)는 스캔 트랜지스터(ST), 구동 트랜지스터(DT), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
스캔 트랜지스터(ST)는 제1 방향(d1)으로 연장되는 제j 데이터 라인(DLj)과 전기적으로 연결되는 소스 전극, 제2 방향(d2)으로 연장되는 제i 스캔 라인(SLi)과 전기적으로 연결되는 게이트 전극 및 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 스캔 트랜지스터(ST)는 제i 스캔 라인(SLi)으로부터 제공받은 제i 스캔 신호(Si)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제j 데이터 라인(DLj)으로부터 제공받은 제j 데이터 신호(Dj)를 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다.
구동 트랜지스터(DT)는 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되는 게이트 전극, 제1 구동 전압(ELVDD)을 제공받는 소스 전극 및 유기 발광 소자(OLED)의 일 전극과 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)의 타 전극은 제2 구동 전압(ELVSS)이 제공된다. 여기서, 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)은 직류 전압이며, 제2 구동 전압(ELVSS)은 제1 구동 전압(ELVDD)보다 전압 레벨이 낮다.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)는 제j 데이터 신호(Dj)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 구동 전류의 전류량을 제어할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되는 일 전극 및 제1 구동 전압(ELVDD)을 제공받는 타 전극을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 제공되는 전압과 제1 구동 전압(ELVDD) 간의 전압 차를 충전할 수 있다.
제ij 화소부(PXij)는 스캔 트랜지스터(ST) 및 구동 트랜지스터(DT) 외에도 트랜지스터를 추가로 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제ij 화소부(PXij)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압을 보상하기 위한 보상 트랜지스터, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극 등을 초기화시키는 초기화 트랜지스터 또는 유기 발광 소자(OLED)의 발광을 제어하는 발광 제어 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
도 4b를 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 이하, 도 4a에 도시한 제ij 화소부(PXij)와의 구별을 위해, 제ij 화소부의 도면 부호를 PX'로 나타내기로 한다.
도 4b는 도 3에 도시한 화소부의 다른 실시예를 나타낸 등가 회로도이다.
도 4b는 도 1에 도시한 화소부의 다른 실시예를 나타낸 등가 회로도이다. 도 4b에 도시한 화소부(PX')는 제j 데이터 라인(DLj)을 통해 구동 집적회로(130)와 전기적으로 연결되며, 서로 이웃하는 제i-1 스캔 라인(SLi-1) 및 제i 스캔 라인(SLi)을 통해 신호 배선부(150)와 전기적으로 연결되는 것을 예시한다. 또한, 화소부(PX')는 신호 배선부(150)와 제i 발광 제어 라인(EMLi)을 통해 전기적으로 연결되는 것을 예시한다.
도 4b를 참조하면, 화소부(PX')는 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7)는 일 실시예로 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7)는 NMOS 트랜지스터일 수도 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 제3 노드(N3)와 연결되는 소스 전극 및 제2 노드(N2)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제i 스캔 신호(Si)를 제공받는 게이트 전극, 제j 데이터 라인(DLj)과 연결되는 소스 전극 및 제3 노드(N3)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제i 스캔 신호(Si)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제j 데이터 신호(Dj)를 제3 노드(N3)와 연결되는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 제공할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제j 데이터 신호(Dj)를 기초로, 유기 발광 다이오드(OLED)에 제공되는 구동 전류(I1)의 전류량을 제어할 수 있다.
보다 상세하게 설명하기로 한다. 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극 및 소스 전극 간 전위 차(Vgs, 이하 게이트-소스 전압(Vgs))에 따라, 유기 발광 소자(OLED)에 제공되는 구동 전류(I1)를 제어할 수 있다. 보다 상세하게는, 제1 트랜지스터(T1)는 게이트-소스 전압(Vgs)이 문턱 전압(Vth)보다 클 때 턴 온 되며, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극의 전압 레벨이 유기 발광 소자(OLED)의 문턱 전압보다 커지면, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 드레인 전극 간의 전류, 즉 구동 전류(I1)가 유기 발광 소자(OLED)에 제공된다. 즉, 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터일 수 있으며, 도 4의 구동 트랜지스터(DA)에 대응될 수 있다. 또한, 제2 트랜지스터(T2)는 스캔 트랜지스터일 수 있으며, 도 4의 스캔 트랜지스터(ST)에 대응될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제i 스캔 신호(Si)를 제공받는 게이트 전극과, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결되는 소스 전극 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제i 스캔 신호(Si)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 게이트 전극을 서로 연결시킬 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 스위칭 동작을 통해, 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킴으로써, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)을 보상할 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(T3)는 보상 트랜지스터일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)가 다이오드 연결되면, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 제공되는 제j 데이터 신호(Dj)에 대응되는 전압에서, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)만큼 하강된 전압이, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 제공될 수 있다. 상기 제j 데이터 신호(Dj)에 대응되는 전압(Vk)에서, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)만큼 하강된 전압을 문턱 전압(Vth)이 반영된 전압(Vk-Vth)으로 지칭한다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극과 연결되어 있으므로, 문턱 전압(Vth)이 반영된 전압(Vk-Vth)은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 유지된다. 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)이 반영된 전압(Vk-Vth)이 게이트 전극에 인가되어 유지되므로, 제1 트랜지스터(T1)에 흐르는 구동 전류(I1)는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)에 따른 영향을 받지 않는다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth) 편차가 보상될 수 있으며, 휘도가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제i-1 스캔 신호(Si-1)를 제공받는 게이트 전극과, 초기화 전압(VINT)을 제공받는 소스 전극 및 제1 노드(N1)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제i-1 스캔 신호(Si-1)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 초기화 전압(VINT)을 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결된다. 또한, 제i-1 스캔 신호(Si-1)는 제i 스캔 신호(Si)에 비해 상대적으로 먼저 제공되는 신호이다.
따라서, 제4 트랜지스터(T4)는 제2 트랜지스터(T2)가 턴 온 되기 전에 먼저 턴 온 됨으로써, 초기화 전압(VINT)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 제공할 수 있다. 초기화 전압(VINT)의 전압 레벨은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압 레벨을 충분히 낮출 수 있는 경우라면, 특별히 제한되지 않는다. 즉, 제4 트랜지스터(T4)는 초기화 트랜지스터일 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 제공받는 게이트 전극, 제1 구동 전압(ELVDD)을 제공받는 소스 전극 및 제3 노드(N3)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 제1 구동 전압(ELVDD)을 제3 노드(N3)와 연결되는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 제공할 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 제공받는 게이트 전극, 제2 노드(N2)와 연결되는 소스 전극 및 제4 노드(N4)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제i 발광 제어 신호(EMi)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 유기 발광 소자(OLED) 방향으로 구동 전류(I1)가 흐를 수 있도록 전류 경로를 형성할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 전류(I1)에 대응하는 발광 전류(I2)에 따라 발광할 수 있다. 즉, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 트랜지스터일 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 제i 스캔 신호(Si)를 제공받는 게이트 전극, 초기화 전압(VINT)을 제공받는 소스 전극 및 제4 노드(N4)와 연결되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)가 턴 오프된 상태에서, 초기화 전압(VINT)의 설정 전압에 의해, 제4 노드(N4)에서 제7 트랜지스터(T7) 방향으로 바이패스 전류(I3)가 흐를 수 있다.
만약, 블랙 영상을 표시하기 위한 제1 트랜지스터(T1)의 최소 전류가 구동 전류(I1)로써 흐를 경우에도, 유기 발광 소자(OLED)가 발광하게 된다면 블랙 영상이 제대로 표시되지 않는다. 즉, 제7 트랜지스터(T7)는 제1 트랜지스터(T1)의 최소 전류의 일부를 바이패스 전류(I3)로써, 유기 발광 소자(OLED) 방향 외의 전류 경로로 분산시킬 수 있다. 여기서, 제1 트랜지스터(T1)의 최소 전류는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)보다 전압 레벨이 낮아, 제1 트랜지스터(T1)가 턴 오프되는 조건에서의 전류를 의미한다. 상기 블랙 영상은 제1 트랜지스터(T1)를 턴 오프시키는 조건에서의 최소 구동 전류가 유기 발광 소자(OLED)에 전달됨으로써 표시된다. 블랙 영상을 표시하는 최소 구동 전류가 흐르는 경우, 바이패스 전류(I3)의 우회 전달의 영향이 크다. 이에 반해, 일반 영상 또는 화이트 영상을 표시하는 구동 전류가 흐르는 경우, 바이패스 전류(I3)의 영향이 거의 없다고 할 수 있다. 이에 따라, 블랙 영상을 표시하는 구동 전류가 흐를 경우, 구동 전류(I1)로부터 제7 트랜지스터(T7)를 통해 빠져나온 바이패스 전류(I3)의 전류량만큼 감소된 유기 발광 소자(OLED)의 발광 전류(I2)는 상기 블랙 영상을 확실히 표현할 수 있을 수준으로의 최소 전류량을 가지게 된다. 따라서, 정확한 블랙 영상을 구현함으로써, 콘트라스트비를 향상시킬 수 있다. 즉, 제7 트랜지스터(T7)는 바이패스 트랜지스터일 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 표시부(110) 상에 배치되는 복수의 화소부(PX) 중 일부는 지문 인식부(FA)에 포함될 수 있다. 여기서, 지문 인식부(FA)는 도 1에서 전술한 지문 인식 영역(13)과 중첩될 수 있다. 지문 인식부(FA)는 복수의 화소부(PX) 외에도, 후술하는 복수의 지문 센서가 더 배치될 수 있다. 지문 인식부(FA)에 포함되는 화소부(PX)의 개수 및 지문 센서의 개수는 특별히 제한되지 않는다. 지문 인식부(FA)에 대해서는 후술하기로 한다.
스캔 구동부(120)는 제1 내지 제n 스캔 라인(SL1 내지 SLn)을 통해 복수의 화소부(PX)와 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 상세하게 설명하면, 스캔 구동부(120)는 타이밍 제어부(140)로부터 제공받은 제1 제어 신호(CONT1)를 기초로, 제1 내지 제n 스캔 신호(S1 내지 Sn)를 생성할 수 있다. 스캔 구동부(120)는 생성된 제1 내지 제n 스캔 신호(S1 내지 Sn)를 제1 내지 제n 스캔 라인(SL1 내지 SLn)을 통해 복수의 화소부(PX)에 제공할 수 있다. 스캔 구동부(120)는 일 실시예로, 복수의 트랜지스터를 갖는 복수의 레지스터 등으로 형성될 수 있다. 또는 스캔 구동부(120)는 집적 회로(Intergrated Circuit, IC)일 수도 있다.
데이터 구동부(130)는 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 내지 DLm)을 통해 복수의 화소부(PX)와 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 상세하게는, 데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(140)로부터, 제2 제어 신호(CONT2) 및 영상 데이터(DATA)를 제공받을 수 있다. 데이터 구동부(130)는 제2 제어 신호(CONT2) 및 영상 데이터(DATA)를 기초로, 제1 내지 제m 데이터 신호(D1 내지 Dm)를 생성할 수 있다. 데이터 구동부(130)는 생성된 제1 내지 제m 데이터 신호(D1 내지 Dm)를 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 내지 DLm)을 통해 복수의 화소부(PX)에 제공할 수 있다. 데이터 구동부(130)는 일 실시예로 쉬프트 레지스터(shift register), 래치(latch) 및 디지털-아날로그 변환부 등을 포함하는 집적 회로(IC)로 형성될 수 있다.
타이밍 제어부(140)는 외부로부터 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CS)를 입력받을 수 있다. 영상 신호(RGB)는 복수의 화소부(PX)에 제공될 복수의 계조 데이터를 포함할 수 있다. 제어 신호(CS)는 일 실시예로, 수평 동기 신호, 수직 동기 신호 및 메인 클럭 신호 등을 포함할 수 있다. 수평 동기 신호는 표시부(110)의 한 라인을 표시하는데 걸리는 시간을 나타낸다. 수직 동기 신호는 한 프레임(frame)의 영상을 표시하는데 걸리는 시간을 나타낸다. 메인 클럭 신호는 타이밍 제어부(140)가 스캔 구동부(120) 및 데이터 구동부(130) 각각과 동기되어, 각종 신호 생성을 위한 기준이 되는 신호이다.
타이밍 제어부(140)는 영상 신호(RGB) 및 제어 신호(CS)를 표시부(110)의 동작 조건에 적합하도록 처리하여, 영상 데이터(DATA), 제1 제어 신호(CONT1) 및 제2 제어 신호(CONT2)를 생성할 수 있다. 타이밍 제어부(140)는 데이터 구동부(130)에 임베디드(embedded)될 수도 있다.
지문 센싱부(150)는 지문 인식부(FA)를 통해 인식된 사용자의 제1 지문 데이터(FDATA1)에서 사용자 지문의 융과 골에 따른 광량의 차이를 이용함으로써, 휘도 데이터(LDATA)를 생성할 수 있다. 타이밍 제어부(140)는 상기 휘도 데이터(LDATA)를 제공받아, 지문 인식부(FA)의 열화량을 판단할 수 있다. 지문 센싱부(150)는 일 실시예로 별도의 집적 회로로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 지문 센싱부(150)는 타이밍 제어부(140) 또는 데이터 구동부(130) 내에 포함될 수도 있다.
보다 상세히 설명하기로 한다. 지문 센싱부(150)는 융 추출부(151), 대표 데이터 생성부(152) 및 휘도 데이터 변환부(153)를 포함할 수 있다.
융 추출부(151)는 지문 인식부(FA)로부터 제공받은 제1 지문 데이터(FDATA1)를 기초로 제2 지문 데이터(FDATA2)를 생성할 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 제1 지문 데이터(FDATA1)는 일 실시예로 복수의 디지털 값을 가질 수 있다. 즉, 지문 인식부(FA)는 일 실시예로 센싱된 사용자의 지문에 대응되는 복수의 디지털 값을 갖는 제1 지문 데이터(FDATA1)를 융 추출부(151)에 제공할 수 있다. 다른 실시예로, 지문 센싱부(150)는 별도의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 통해, 지문 인식부(FA)로부터 제공받은 사용자의 지문을 복수의 디지털 값으로 변환할 수도 있다.
융 추출부(151)는 일 실시예로 제1 지문 데이터(FDATA1)에서 맥스 포인트(max point)를 추출하여 제2 지문 데이터(FDATA2)를 생성할 수 있다. 여기서, 맥스 포인트는 사전에 설정된 영역 내에서 가장 디지털 값이 큰 지점으로 정의된다. 이에 대해서는 도 7 내지 도 10을 참조하여 후술하기로 한다. 융 추출부(151)는 생성된 제2 지문 데이터(FDATA2)를 대표 데이터 생성부(152)로 제공할 수 있다.
대표 데이터 생성부(152)는 제2 지문 데이터(FDATA2)에서 대표 값을 산출할 수 있다. 보다 상세하게는, 제2 지문 데이터(FDATA2)에 포함된 복수의 맥스 포인트 중 대표 값을 산출하여 대표 데이터(RDATA)를 생성할 수 있다. 여기서, 일 실시예로, 대표 값은 제2 지문 데이터(FDATA2)에 포함된 복수의 맥스 포인트 중 특정 범위에 포함된 맥스 포인트의 디지털 값일 수 있다. 다른 실시예로 대표 값은 제2 지문 데이터(FDATA2)에 포함된 복수의 맥스 포인트의 평균일 수 있다. 이에 대해서는 도 11을 참조하여 후술하기로 한다. 한편, 대표 값 추출 방법은 지문 인식부(FA)의 열화량을 정확히 측정할 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않는다. 또한, 대표 데이터(RDATA) 생성이 생략될 수도 있다. 이 경우, 융 추출부(151)는 제2 지문 데이터(FDATA2)를 직접 휘도 데이터 변환부(153)로 제공할 수 있다.
휘도 데이터 변환부(153)는 제공받은 대표 데이터(RDATA)를 휘도 데이터(LDATA)로 변환할 수 있다. 일 실시예로, 휘도 데이터 변환부(153)는 사전에 저장된 휘도 변환 그래프를 이용하여, 대표 데이터(RDATA)를 휘도 데이터(LDATA)로 변환할 수 있다. 이에 대해서는 도 12를 참조하여 후술하기로 한다.
휘도 데이터 변환부(153)는 생성된 휘도 데이터(LDATA)를 타이밍 제어부(140)로 제공할 수 있다. 한편, 타이밍 제어부(140)는 사전에 지문 인식부(FA)의 초기 휘도 값을 저장할 수 있다. 타이밍 제어부(140)는 상기 휘도 데이터(LDATA)와 상기 초기 휘도 값을 비교함으로써, 지문 인식부(FA)의 열화량을 판단할 수 있다. 타이밍 제어부(140)는 판단된 열화량을 기초로, 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 데이터 구동부(130)에 제공할 수 있다. 즉, 보상 데이터(CDATA)는 지문 인식부(FA)의 열화를 보상하기 위한 데이터로 정의된다.
지문 인식부(FA)는 데이터 구동부(130)로부터 상기 보상 데이터(CDATA)에 대응되는 데이터 신호를 제공받음으로써, 열화를 보상할 수 있다.
한편, 도 3에서는 타이밍 제어부(140)가 휘도 데이터(LDATA)를 제공받아 보상 데이터(CDATA)를 생성하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예로, 데이터 구동부(130)가 휘도 데이터(LDATA)를 제공받아 휘도 데이터(LDATA)에 대응되는 데이터 신호를 직접 생성할 수도 있다. 다른 실시예로, 지문 센싱부(150)가 직접 휘도 데이터(LDATA)를 기초로 보상 데이터(CDATA)를 생성하여, 데이터 구동부(130)에 제공할 수도 있다.
다음으로, 지문 인식부(FA)에 배치되는 구성 및 지문 인식 방법에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다. 도 5에서는, 지문 인식부(FA)에 배치되는 복수의 화소부(PX) 중 제1 내지 제3 화소부(PX1 내지 PX3)를 기준으로 설명하기로 한다.
도 5는 도 3에 도시한 지문 인식부의 일 실시예를 나타낸 단면도이다. 다만, 도 5에서는 도 2에 도시한 반사 방지층(300) 및 접착 부재(500)의 도시를 생략하기로 한다.
제1 기판(610)은 절연 기판일 수 있다. 제1 기판(610)은 일 실시예로, 유리, 석영, 고분자 수지 등의 물질을 포함할 수 있다. 제1 기판(610)은 다른 실시예로 폴리이미드(polyimide: PI)를 포함하는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
제1 기판(610) 상에는 광을 방출하는 제1 내지 제3 화소부(PX1 내지 PX3)와, 외부로부터 유입된 광 등의 광량을 검출하는 수광 모듈이 배치될 수 있다. 여기서, 제1 내지 제3 화소부(PX1 내지 PX3)는 서로 다른 색을 갖는 광을 방출하는 것으로 예시한다. 또한, 수광 모듈은 광 센서(620) 및 광 변환부(680)를 포함할 수 있다. 한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 제1 기판(610) 상에는 복수의 구성이 더 배치될 수 있다. 상기 복수의 구성은 일 실시예로 버퍼층, 복수의 도전성 배선 및 절연층 등을 포함할 수 있다.
이하, 제1 화소부(PX1)를 기준으로 제1 내지 제3 화소부(PX1 내지 PX3)에 대해 설명하기로 한다.
제1 화소부(PX1)는 제1 스위칭 소자(T1), 제1 화소 전극(641) 및 제1 유기 발광층(661)을 포함할 수 있다. 제1 화소부(PX1)는 제1 스위칭 소자(T1), 제1 화소 전극(641) 및 제1 유기 발광층(661) 외에도, 스토리지 커패시터 및 복수의 스위칭 소자를 더 포함할 수도 있다. 한편, 제1 스위칭 소자(T1)는 도 4a에서 전술한 구동 트랜지스터(DT)에 대응된다.
절연층(630)은 제1 스위칭 소자(T1) 상에 배치될 수 있다. 절연층(630)은 제1 스위칭 소자(T1)의 일 전극을 노출시키는 컨택홀을 포함할 수 있다. 절연층(630)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연물질, BCB(BenzoCycloButene), 아크릴계 물질, 및 폴리이미드와 같은 유기 절연 물질로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 하나 이상의 물질을 혼합하여 형성할 수 있다.
제1 화소 전극(641)은 절연층(630) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(641)은 일 실시예로 애노드(anode) 전극일 수 있다. 제1 화소 전극(641)이 애노드 전극인 경우, 제1 화소 전극(641)은 투명 전극 또는 반투명 전극이나, 또는 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 재료로 형성될 수 있다. 투명 또는 반투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 반사성 재료는 일 실시예로, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 및 알루미늄(Al)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 반사막을 포함할 수 있다.
화소 정의막(650)은 제1 화소 전극(641)을 포함하는 복수의 화소 전극 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(650)은 제1 화소 전극(641)의 적어도 일부를 노출할 수 있다. 화소 정의막(650)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소 정의막(650)은 포토 레지스트, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물, 폴리아크릴계 수지 등의 재료를 포함할 수 있다.
제1 유기 발광층(661)을 포함하는 복수의 유기 발광층은 복수의 화소 전극 및 화소 정의막(650) 상에 배치될 수 있다. 제1 유기 발광층(661)은 제1 화소 전극(641) 중 화소 정의막(650)에 의해 노출되는 영역 상에 배치될 수 있다.
제1 유기 발광층(661)은 일 실시예로 적색(red) 광, 녹색(green) 광 및 청색(blue) 광 중 하나를 발광할 수 있다. 적색 광의 파장은 약 620nm 내지 750nm일 수 있으며, 녹색 광의 파장은 약 495nm 내지 570nm일 수 있다. 또한, 청색 광의 파장은 약 450nm 내지 495nm일 수 있다.
다른 실시예로, 제1 유기 발광층(661)은 백색(white)을 발광할 수 있다. 제1 유기 발광층(661)이 백색을 발광하는 경우, 제1 유기 발광층(661)은 일 실시예로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 형태를 가질 수 있다. 또한, 적색, 녹색 및 청색을 표시하기 위한 별도의 컬러 필터(Color Filter)를 더 포함할 수 있다.
공통 전극(670)은 제1 유기 발광층(661)을 포함하는 복수의 유기 발광층 및 화소 정의막(650) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(670)은 일 실시예로 복수의 유기 발광층 및 화소 정의막(650) 상에 전면적으로 형성될 수 있다. 공통 전극(670)은 일 실시예로 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 공통 전극(670)은 일 실시예로 Li. Ca, Lif/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 공통 전극(670)은 일함수가 낮은 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 공통 전극(670)은 일 실시예로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), (IGO, Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 투명 또는 반투명 전극일 수 있다.
봉지층(690)은 제1 유기 발광층(661)을 포함하는 복수의 유기 발광층을 덮도록 제1 기판(610) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(690)은 복수의 유기 발광층을 외부의 산소 및 수분으로부터 차단시킬 수 있다. 봉지층(690)은 일 실시예로, 유기층 및 무기층 중 적어도 하나가 단층 또는 다층 구조로 적층된 형태일 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 봉지층(690)은 제1 무기층(691), 유기층(692) 및 제2 무기층(693)을 포함할 수 있다.
제1 무기층(691)은 공통 전극(670) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기층(691)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiONx)로 이루어진 군에서 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiONx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
유기층(692)은 제1 무기층(691) 상에 배치될 수 있다. 유기층(692)은 에폭시, 아크릴레이트 또는 우레탄아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 유기층(692)은 화소 정의막(650)에 의한 단차를 평탄화시킬 수 있다.
제2 무기층(693)은 유기층(692) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기층(693)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiONx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
도 5에서는 제1 무기층(691), 유기층(692) 및 제2 무기층(693) 각각이 단일 층인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제 제1 무기층(691), 유기층(692) 및 제2 무기층(693) 중 적어도 하나의 층은 다층 구조로 적층될 수도 있다
한편, 봉지층(690)은 다른 실시예로 투명 절연 기판일 수 있다. 여기서, 투명 절연 기판은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등일 수 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았으나 봉지층(690)의 상부 또는 하부에 버퍼층이 더 포함될 수도 있다. 버퍼층의 재료는 특별히 제한되지 않으며, 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있다. 봉지층(690) 상에는 입력 감지층(200) 및 윈도우 패널(400)이 배치될 수 있다.
다음으로, 수광 모듈에 대해 설명하기로 한다.
광 변환부(680)는 외부로부터 유입되는 광 또는 사용자의 손가락 등과 같이 외부 물체에 반사되는 광의 파장을 특정 파장 영역으로 변환할 수 있다. 광 센서(620)는 상기 광 변환부(680)에 의해 변환된 특정 파장 영역을 갖는 광의 광량을 검출할 수 있다. 여기서, 특정 파장 영역을 갖는 광은 일 실시예로 약 750nm 이상의 파장 영역을 갖는 적외선일 수 있다. 이에 따라, 광 센서(620)는 상기 적외선을 검출하기 위한 IR(infrared) 센서를 포함할 수 있다.
광 센서(620)는 일 실시예로 광 변환부(680)와 제1 기판(610)을 기준으로 수직 방향으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 다만, 사용자의 지문을 인식할 수 있는 경우라면, 광 센서(620) 및 광 변환부(680)의 배치 위치는 특별히 제한되지 않는다.
광 변환부(680)는 일 실시예로 퀀텀 도트(Quantum Dot)을 포함할 수도 있다. 여기서, 퀀텀 도트는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 코어는 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 제1 퀀텀 도트의 코어는 일 실시예로, II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 또한 하나의 퀀텀 도트가 다른 퀀텀 도트를 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 한편, 광 센서(620)는 상기 광 변환부(680)가 퀀텀 도트를 포함하는 경우, 상기 퀀텀 도트에 의해 파장 영역이 변환된 광을 검출하기 위한 센서를 포함할 수 있다.
한편, 수광 모듈은 각 화소부(PX)에서 발생되는 광의 누설을 방지하기 위한 격벽(681)을 더 포함할 수도 있다.
이하, 사용자의 지문 인식 방법에 대해 설명하기로 한다.
제1 내지 제3 유기 발광층(661, 662, 663)으로부터 방출된 광은 사용자의 손가락(finger)에 의해 반사될 수 있다. 광 변환부(680)는 사용자의 손가락(finger)에 의해 반사된 광을 특정 파장 영역을 갖는 광으로 변환시킬 수 있다. 광 센서(620)는 상기 광 변환부(680)에 의해 변환된 특정 파장 영역을 갖는 광의 광량을 검출할 수 있다. 보다 상세하게 설명하면, 사용자의 손가락(finger)에 형성된 지문은 융(ridge)과 골(valley)을 포함한다. 사용자 손가락(finger)의 융에서 반사되는 광과, 골에서 반사되는 광은 서로 광량이 상이할 수 있다. 광 센서(620)는 상기 광량의 차이를 이용하여, 사용자 손가락(finger)의 지문을 인식할 수 있다.
다음으로, 도 3, 도 6 내지 도 12를 참조하여, 지문 인식부(FA)의 열화 보상 방법에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 열화 보상 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
먼저, 도 3, 도 6 내지 도 10을 참조하여, 제2 지문 데이터(FDATA2)를 생성하는 방법을 먼저 설명하기로 한다.
도 7은 도 1에 도시한 표시 장치의 지문 인식 영역에 사용자가 손가락을 접촉시킨 상태를 나타낸 도면이다. 도 8의 (a)는 사용자의 지문을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 8의 (b)는 도 8의 (a)의 도면에서 맥스 포인트를 도시한 도면이다. 도 9는 도 8의 (a)에 도시한 I-I'선을 따라 배열되는 복수의 디지털 값을 나타낸 그래프이다. 도 10은 도 9에 도시한 A 영역을 사용자의 지문과 대응시킨 도면이다.
지문 인식부(FA)는 지문 인식 영역(13)에 접촉된 사용자의 손가락(finger)의 지문을 인식하여 제1 지문 데이터(FDATA1)를 생성할 수 있다(S10). 융 추출부(151)는 상기 제1 지문 데이터(FDATA1)를 제공받아, 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터(FDATA2)를 생성할 수 있다(S20).
보다 상세하게 설명하기로 한다. 지문 인식부(FA)에 배치되는 복수의 화소부(PX)로부터 방출된 광은 사용자의 손가락(finger)에 의해 반사될 수 있다. 광 변환부(680)는 사용자의 손가락(finger)에 의해 반사된 광을 특정 파장 영역을 갖는 광으로 변환시킬 수 있다. 광 센서(620)는 상기 광 변환부(680)에 의해 변환된 특정 파장 영역을 갖는 광의 광량을 검출할 수 있다. 전술한 바와 같이, 사용자 지문의 골과 융에서 반사되는 광의 광량은 서로 상이할 수 있다. 도 8의 (a)를 참조하면, 상대적으로 밝은 부분은 사용자 지문의 융에 대응되며, 어두운 부분은 사용자 지문의 골에 대응된다.
광 센서(620)는 광 변환부(680)로부터 변환된 광의 광량을 검출하여 복수의 디지털 값을 갖는 제1 지문 데이터(FDATA1)를 생성할 수 있다. 상기 복수의 디지털 값은 사용자 지문의 골 및 융 각각과 대응되는 디지털 값을 모두 포함한다.
도 8의 (b)의 I-I'선에 대응되는 복수의 디지털 값을 그래프로 표현하면 도 9와 같다. 도 9의 가로축은 거리이며, 도 9의 세로축은 디지털 값의 크기를 나타낸다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 상대적으로 밝은 부분, 즉 사용자 지문의 융에 대응되는 영역은 디지털 값의 크기가 상대적으로 크다. 또한, 상대적으로 어두운 부분, 즉 사용자 지문의 골에 대응되는 영역은 디지털 값의 크기가 상대적으로 작다.
여기서, 맥스 포인트는 사전에 설정된 영역 내에서 디지털 값의 크기가 가장 큰 지점으로 정의되므로, 도 9에서 도면 부호 g1에 대응된다. 또한, 맥스 포인트는 도 8의 (b)에서 도면 부호 g2에 대응된다. 여기서, 사전에 설정된 영역은 지문 인식부(FA) 내에 복수 개가 배치될 수 있다. 또한, 사전에 설정된 영역에 포함되는 화소부의 개수는 특별히 제한되지 않는다. 도 8의 (b)를 참조하면, 맥스 포인트는 지문 인식부(FA) 내에 복수 개가 배치될 수 있다. 제2 지문 데이터(FDATA2)는 상기 복수 개의 맥스 포인트를 포함한다.
즉, 융 추출부(151)는 제1 지문 데이터(FDATA1)에서 복수 개의 맥스 포인트를 추출함으로써, 제2 지문 데이터(FDATA2)를 생성할 수 있다. 융 추출부(151)는 생성된 제2 지문 데이터(FDATA2)를 대표 데이터 생성부(152)로 제공할 수 있다.
대표 데이터 생성부(152)는 제2 지문 데이터(FDATA2)를 기초로, 대표 데이터(RDATA)를 생성할 수 있다(S30). 보다 상세하게는, 대표 데이터 생성부(152)는 제2 지문 데이터(FDATA2)에 포함된 복수의 맥스 포인트 중 대표 값을 산출하여 대표 데이터(RDATA)를 생성할 수 있다. 전술한 바와 같이, 대표 값은 제2 지문 데이터(FDATA2)에 포함된 복수의 맥스 포인트 중 특정 조건에 해당되는 값일 수 있다.
도 11을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 도 11은 복수의 맥스 포인트의 분포를 나타낸 그래프이다.
도 11을 참조하면, 복수의 맥스 포인트 중 도면 부호 g3에 해당되는 맥스 포인트의 디지털 값이 가장 크다. 따라서, 대표 데이터 생성부(152)는 상기 맥스 포인트(g3)의 디지털 값을 대표 값으로 산출하여, 대표 데이터(RDATA)를 생성할 수 있다.
다른 실시예로, 대표 데이터 생성부(152)는 제2 지문 데이터(FDATA2)에 포함된 복수의 맥스 포인트의 디지털 값의 평균 값을 대표 값으로 산출할 수 있다. 또 다른 실시예로, 대표 데이터 생성부(152)는 제2 지문 데이터(FDATA2)에 포함된 복수의 맥스 포인트의 디지털 값의 상위 10%의 평균 값을 대표 값으로 산출할 수 있다. 즉, 대표 값 추출 방법은 지문 인식부(FA)의 열화량을 정확히 측정할 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않는다.
휘도 데이터 변환부(153)는 상기 대표 데이터(RDATA)를 휘도 데이터(LDATA)로 변환할 수 있다(S40). 도 12를 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 12는 대표 데이터를 이용하여 휘도 데이터를 생성하는 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
휘도 데이터 변환부(153)는 제공받은 대표 데이터(RDATA)를 휘도 데이터(LDATA)로 변환할 수 있다(S40). 일 실시예로, 휘도 데이터 변환부(153)는 사전에 저장된 휘도 변환 그래프를 이용하여, 대표 데이터(RDATA)를 휘도 데이터(LDATA)로 변환할 수 있다.
도 12를 참조하면, 휘도 변환 그래프는 디지털 값에 대응되는 휘도 값을 나타낸다. 여기서, 휘도 100은 지문 인식부(FA)가 필요로 하는 휘도 값을 의미한다. 휘도 데이터 변환부(153)는 대표 데이터(RDATA)에 포함된 맥스 포인트의 디지털 값에 대응되는 휘도 값을 산출하여, 휘도 데이터(LDATA)를 생성할 수 있다. 휘도 데이터 변환부(153)는 상기 휘도 데이터(LDATA)를 타이밍 제어부(140)로 제공할 수 있다.
타이밍 제어부(140)는 휘도 데이터(LDATA)를 기초로, 보상 데이터(CDATA)를 생성할 수 있다(S50). 보다 상세하게는, 타이밍 제어부(140)는 사전에 지문 인식부(FA)의 초기 휘도 값을 저장할 수 있다. 타이밍 제어부(140)는 상기 휘도 데이터(LDATA)와 상기 초기 휘도 값을 비교함으로써, 지문 인식부(FA)의 열화량을 판단할 수 있다. 일 실시예로, 지문 인식부(FA)의 열화량은 초기 휘도 값을 상기 휘도 데이터(LDATA)로 나눈 값으로 산출될 수 있다.
타이밍 제어부(140)는 산출된 열화량을 기초로, 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 데이터 구동부(130)에 제공할 수 있다. 즉, 보상 데이터(CDATA)는 지문 인식부(FA)의 열화를 보상하기 위한 데이터로 정의된다.
지문 인식부(FA)는 데이터 구동부(130)로부터 상기 보상 데이터(CDATA)에 대응되는 데이터 신호를 제공받음으로써, 열화를 보상할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 지문 인식부(FA)의 열화량을 사용자 지문의 융을 이용하여 산출하고, 이를 보상해줌으로써 지문 인식부(FA)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 상기 휘도 데이터(LDATA)를 이용한 지문 인식부(FA)의 보상 방법의 다른 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 도 1 내지 도 12에서 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
타이밍 제어부(140)는 표시부(110) 전체의 열화량을 측정하고, 그 결과를 지문 센싱부(150)로부터 제공받은 휘도 데이터(LDATA)와 비교함으로써, 보상 데이터(CDATA)를 생성할 수 있다.
여기서, 표시부(110)의 열화량을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 않는다.
일 실시예로, 별도의 센싱 트랜지스터를 통해 표시부(110)의 열화량을 측정할 수 있다. 도 13을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 13은 도 3에 도시한 화소부의 다른 실시예를 나타낸 등가 회로도이다. 제ij 화소부(PXij')는 센싱 트랜지스터(SET)를 더 포함할 수 있다. 센싱 트랜지스터(SET)는 제i 센싱 라인(SELi)으로부터 제공받은 제i 센싱 신호(SEi)를 기초로 스위칭 동작을 수행하여, 구동 트랜지스터(DT)의 구동 전류를 측정하여 데이터 구동부(130)로 제공할 수 있다. 이를 위해, 표시 패널(100)은 일 실시예로 구동 집적회로로 형성되는 별도의 센싱부를 더 포함할 수도 있다.
즉, 타이밍 제어부(140)는 별도의 센싱 트랜지스터(SET)를 통해 표시부(110)의 열화량을 측정할 수 있다. 타이밍 제어부(140)는 측정된 표시부(110)의 열화량을 휘도 데이터(LDATA)와 비교하여, 보상 데이터(CDATA)를 생성할 수 있다.
다른 실시예로, 표시부(110)의 열화량은 예측 보상 방법을 이용하여 예측할 수도 있다. 즉, 타이밍 제어부(140)는 표시부(110) 전체의 상대적 열화량을 예측하고, 휘도 데이터(LDATA)를 기초로 상기 상대적 열화량을 절대적 열화량으로 변환함으로써, 보상 데이터(CDATA)를 생성할 수 있다.
즉, 타이밍 제어부(140)는 사전에 표시부(110)의 열화 정도를 예측하여 상대적 열화량에 대응되는 값을 설정할 수 있다. 이후, 타이밍 제어부(140)는 휘도 데이터(LDATA)를 기초로 상기 상대적 열화량에 대응되는 값을 절대적 값으로 변환하고, 이를 기초로 보상 데이터를 생성할 수 있다. 상기 보상 데이터는 지문 인식부(FA) 뿐만 아니라, 표시부(110) 전체에 제공될 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 12에서는 지문 인식부(FA)의 열화량을 측정하여 보상하는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 실시예로, 타이밍 제어부(140)는 표시부(110)의 열화량과 지문 인식부(FA)의 열화량을 비교한 데이터를 사전에 저장할 수 있다. 이후, 지문 인식부(FA)의 열화량을 산출한 휘도 데이터(LDATA) 및 상기 비교 데이터를 이용하여, 표시부(110) 전체의 열화량을 예측할 수도 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 표시부(110) 전체에서 지문 인식이 수행될 수도 있다. 이 경우, 동일한 방법을 이용하여 표시부(110)의 휘도 데이터를 산출하고, 이를 기초로 표시부(110)의 열화를 보상할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 표시 장치;
100: 표시 패널;
110: 표시부;
120: 스캔 구동부;
130: 데이터 구동부;
140: 타이밍 제어부;
150: 지문 센싱부;
200: 입력 감지층;
300: 반사 방지층;
400: 윈도우 패널;
FA: 지문 인식부;

Claims (20)

  1. 복수의 화소부가 배치되며, 변환된 광을 이용하여 사용자의 손가락 지문을 인식하여 제1 지문 데이터를 생성하는 지문 인식부를 포함하는 표시부;
    상기 제1 지문 데이터에서 상기 지문의 융에 대응되는 복수의 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터를 생성하고, 생성된 상기 제2 지문 데이터를 기초로 휘도 데이터를 생성하는 지문 센싱부로서, 반사 광을 미리 정의된 파장 범위 내의 하나 이상의 파장을 갖는 상기 변환된 광으로 변환하며, 측면 방향으로 상기 복수의 화소부의 유기 발광층과 중첩하는 광 변환부를 포함하는 지문 센싱부; 및
    상기 휘도 데이터를 기초로 상기 지문 인식부의 열화량을 산출하여 보상 데이터를 생성하는 타이밍 제어부를 포함하고,
    상기 지문 인식부는 상기 보상 데이터에 대응되는 데이터 신호를 제공받는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 지문 데이터는 복수의 디지털 값을 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 지문 센싱부는 상기 복수의 디지털 값에서 상기 복수의 맥스 포인트를 검출하여 상기 제2 지문 데이터를 생성하고,
    상기 맥스 포인트는 사전에 설정된 영역 내에 위치하는 상기 복수의 디지털 값 중 최댓값으로 정의되는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소부와 복수의 데이터 라인을 통해 연결되는 데이터 구동부를 더 포함하고,
    상기 데이터 구동부는 상기 보상 데이터를 기초로 생성된 상기 데이터 신호를 상기 지문 인식부에 제공하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지문 센싱부는 외부로부터 입사되는 광의 광량을 검출하는 광 센서를 포함하고,
    상기 외부로부터 입사되는 광은 상기 복수의 화소부로부터 방출되는 광이 상기 사용자의 손가락에 의해 반사된 광인 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 지문 센싱부는 상기 외부로부터 입사되는 광의 파장을 변환하는 광 변환부를 더 포함하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 지문 센싱부는 상기 제2 지문 데이터를 기초로 대표 데이터를 생성하고, 생성된 상기 대표 데이터를 상기 휘도 데이터로 변환하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 대표 데이터는 상기 제2 지문 데이터에 포함되는 상기 복수의 맥스 포인트의 평균 값 또는 가장 큰 값인 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 휘도 데이터와 사전에 저장된 상기 지문 인식부의 초기 휘도 값을 비교하여, 상기 보상 데이터를 생성하는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 휘도 데이터와 상기 표시부의 열화량을 비교하여 상기 보상 데이터를 생성하는 표시 장치.
  11. 복수의 화소부로부터 방출되는 광의 변환된 광을 기초로 사용자의 지문을 인식하여 제1 지문 데이터를 생성하는 지문 인식부를 포함하는 표시부;
    상기 제1 지문 데이터에서 상기 지문의 융에 대응되는 복수의 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터를 생성하고, 생성된 상기 제2 지문 데이터를 기초로 휘도 데이터를 생성하는 지문 센싱부로서, 반사 광을 미리 정의된 파장 범위 내의 하나 이상의 파장을 갖는 상기 변환된 광으로 변환하며, 측면 방향으로 상기 복수의 화소부의 유기 발광층과 중첩하는 광 변환부를 포함하는 지문 센싱부;
    상기 휘도 데이터를 기초로 상기 지문 인식부의 열화량을 산출하여 보상 데이터를 생성하는 타이밍 제어부; 및
    상기 복수의 화소부와 복수의 데이터 라인을 통해 연결되는 데이터 구동부를 포함하고,
    상기 지문 인식부는 상기 데이터 구동부로부터 상기 보상 데이터에 대응되는 복수의 데이터 신호를 제공받는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 지문 데이터는 복수의 디지털 값을 포함하고,
    상기 지문 센싱부는 상기 복수의 디지털 값 중 사전에 설정된 영역 내에서 가장 큰 값을 상기 복수의 맥스 포인트로 검출하여 상기 제2 지문 데이터를 생성하는 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 지문 센싱부는 외부로부터 입사되는 광의 광량을 검출하는 광 센서를 포함하고,
    상기 외부로부터 입사되는 광은 상기 복수의 화소부로부터 방출되는 광이 상기 사용자의 손가락에 의해 반사된 광인 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 지문 센싱부는 상기 제2 지문 데이터를 기초로 대표 데이터를 생성하고, 생성된 상기 대표 데이터를 상기 휘도 데이터로 변환하며,
    상기 대표 데이터는 상기 제2 지문 데이터에 포함되는 상기 복수의 맥스 포인트의 평균 값 또는 가장 큰 값인 표시 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 타이밍 제어부는 상기 휘도 데이터와 사전에 저장된 상기 지문 인식부의 초기 휘도 값을 비교하여, 상기 보상 데이터를 생성하는 표시 장치.
  16. 복수의 화소부가 배치되는 지문 인식부를 갖는 표시부를 포함하는 표시 장치에 있어서,
    상기 복수의 화소부로부터 사용자의 지문 측으로 제1 광을 방출하는 단계;
    측면 방향으로 상기 복수의 화소부의 유기 발광층과 중첩하는 광 변환부를 이용하여, 상기 사용자의 상기 지문으로부터 반사된 제1 광의 반사 광을 미리 정의된 파장 범위 내의 하나 이상의 파장을 갖는 상기 변환된 광으로 변환하는 단계;
    상기 지문 인식부 및 상기 반사 광을 이용하여 상기 사용자의 상기 지문을 인식하여 제1 지문 데이터를 생성하는 단계;
    상기 제1 지문 데이터에서 상기 지문의 융에 대응되는 복수의 맥스 포인트를 추출하여 제2 지문 데이터를 생성하는 단계;
    상기 생성된 상기 제2 지문 데이터를 기초로 휘도 데이터를 생성하는 단계; 및
    상기 휘도 데이터를 기초로 상기 지문 인식부의 열화량을 산출하여 보상 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 보상 데이터에 대응되는 데이터 신호를 상기 지문 인식부에 제공하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 구동방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 사용자의 지문을 인식하는 단계는,
    상기 복수의 화소부가 광을 방출하는 단계; 및
    상기 방출된 광이 상기 사용자의 손가락에 의해 반사되는 광의 광량을 측정하는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 휘도 데이터를 생성하는 단계는,
    상기 제2 지문 데이터를 기초로 대표 데이터를 생성하는 단계; 및
    생성된 상기 대표 데이터를 상기 휘도 데이터로 변환하는 단계를 포함하고,
    상기 대표 데이터는 상기 제2 지문 데이터에 포함되는 상기 복수의 맥스 포인트의 평균 값 또는 가장 큰 값인 표시 장치의 구동방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 보상 데이터를 생성하는 단계는,
    상기 휘도 데이터와 사전에 저장된 초기 휘도 값을 비교하여, 상기 보상 데이터를 생성하는 표시 장치의 구동방법.
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