CN110164370B - 一种像素电路、补偿组件、显示装置及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种像素电路、补偿组件、显示装置及其驱动方法，涉及显示技术领域，可改善因IR Drop、器件老化等问题导致显示装置的显示画面亮度不均的问题。像素电路，包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：自发光器件和用于驱动所述自发光器件发光的驱动单元，还包括光敏检测电路；所述光敏检测电路用于检测所述自发光器件的发光亮度，并将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至读取信号端。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路、补偿组件、显示装置及其驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示装置，其因具有自发光、发光效率高、响应时间短、高清晰度和高对比度等优点，成为当前最具发展潜力的显示装置。
现有的OLED显示装置主要分为AMOLED(Active Matrix OLED)和PMOLED(PassiveMatrix OLED)两大类，其中，由于AMOLED制作成本低、工作温度范围大、可用于便携式设备的直流驱动、可用作高清晰度的大尺寸显示装置等优点，越来越被人们所认可，也成为OLED显示装置的主流发展趋势。
然而，一方面，AMOLED显示装置由于工艺、材料及设计等方面的原因，容易导致驱动薄膜晶体管的阈值电压(常用Vth表示)产生漂移，而造成显示画面亮度不均的现象；另一方面，由于电源线存在一定的电阻，导致显示面板中靠近电源供电位置的电源电压，相较于远离供电位置较远区域的电源电压要高(也可称之为IR Drop现象，或者，电阻压降现象)，以及其他因器件老化等因素同样也会导致显示装置的显示画面亮度不均的现象。而显示装置的显示画面亮度的均匀性作为评价显示装置优劣的一个重要参数指标，因此，解决显示装置的显示画面亮度不均的问题成为本领域的研究热点。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素电路、补偿组件、显示装置及其驱动方法，可改善因IR Drop、器件老化等问题导致显示装置的显示画面亮度不均的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种像素电路，包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：自发光器件和用于驱动所述自发光器件发光的驱动单元，还包括光敏检测电路；所述光敏检测电路用于检测所述自发光器件的发光亮度，并将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至读取信号端。
可选的，所述光敏检测电路与所述像素驱动电路连接，用于在发光与检测阶段向所述像素驱动电路输入电源电压，在读取阶段停止向所述像素驱动电路输入电源电压。
可选的，所述光敏检测电路包括感光单元和读取单元；所述感光单元用于检测所述自发光器件的发光亮度，并将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至输出端；所述读取单元连接所述输出端和所述读取信号端，用于将所述输出端输出的用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至所述读取信号端。
可选的，所述感光单元包括光敏二极管、第一晶体管和第二晶体管；所述光敏二极管的第一极连接第一电压端，所述光敏二极管的第二极连接所述第一晶体管的第一极；所述第一晶体管的栅极连接第一信号端，所述第一晶体管的第二极连接所述输出端；所述第二晶体管的栅极连接第二信号端，所述第二晶体管的第一极连接第二电压端，所述第二晶体管的第二极连接所述输出端；所述光敏二极管的感光区与所述自发光器件对应。
可选的，所述读取单元包括第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管的栅极连接所述输出端，所述第三晶体管的第一极连接第二电压端，所述第三晶体管的第二极连接所述第四晶体管的第一极和所述像素驱动电路；所述第四晶体管的栅极连接第三信号端，所述第四晶体管的第二极连接所述读取信号端。
可选的，所述驱动单元包括驱动晶体管；所述驱动晶体管的栅极连接数据电压端，所述驱动晶体管的第一极连接所述第三晶体管的第二极，所述驱动晶体管的第二极连接自发光器件。
可选的，所述驱动单元包括第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述第五晶体管的栅极连接扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接数据电压端，所述第五晶体管的第二极连接所述驱动晶体管的栅极；所述驱动晶体管的第一极连接所述光敏检测电路，所述驱动晶体管的第二极连接所述自发光器件的第一极；所述第六晶体管的栅极连接所述扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第六晶体管的第二极连接所述读取信号端；所述存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极和所述第五晶体管的第二极，所述存储电容的第二端连接所述驱动晶体管的第二极；所述自发光器件的第二极连接第三电压端。
第二方面，提供一种补偿组件，其特征在于，包括至少一个第一方面所述的像素电路、源极驱动电路以及与所述像素电路和所述源极驱动电路均连接的控制单元；所述控制单元用于根据所述像素电路输出的用于表征自发光器件的发光亮度的电信号得到所述自发光器件的实际发光亮度，通过对比实际发光亮度和理论发光亮度对数据电压信号进行补偿；所述源极驱动电路用于根据补偿后的数据电压信号向所述像素电路输出驱动信号。
第三方面，提供一种显示装置，包括第二方面所述的补偿组件。
第四方面，提供一种如第二方面所述的补偿组件的补偿方法，所述补偿方法包括：检测自发光器件的实际发光亮度；对比实际发光亮度和理论发光亮度，对数据电压信号进行补偿；根据补偿后的数据电压信号输出驱动信号。
第五方面，提供一种如第三方面所述的显示装置的驱动方法，所述驱动方法包括：在一帧的发光与检测阶段：自发光器件逐行发光，同时检测所述自发光器件的发光亮度；在一帧的读取阶段：将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至读取信号端。
可选的，光敏检测电路包括光敏二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；驱动单元包括第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述自发光器件逐行发光，包括：所述第五晶体管开启，将数据电压端的信号传输至所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一端，所述驱动晶体管开启；所述第六晶体管开启，将读取信号端的信号传输至所述驱动晶体管的第二极；所述第二晶体管开启，将第二电压端的信号传输至输出端，所述第三晶体管开启；所述自发光器件在所述驱动晶体管的第二极输出的驱动信号和第三电压端输出的电源电压的驱动下发光。
可选的，光敏检测电路包括光敏二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；驱动单元包括第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述检测所述自发光器件的发光亮度，包括：所述第二晶体管开启的情况下，所述第一晶体管先开启，将所述第二电压端的信号传输至所述光敏二极管的第二极，使所述光敏二极管反偏，然后所述第一晶体管截止；在光照条件下，所述光敏二极管产生光电流，释放所述光敏二极管的第二极的信号。
可选的，光敏检测电路包括光敏二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；驱动单元包括第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至读取信号端，包括：所述第一晶体管开启，将所述光敏二极管的第二极的电位传输至所述输出端；所述第三晶体管和所述第六晶体管开启，将所述输出端输出的电信号传输至所述读取信号端。
本发明实施例提供一种像素电路、补偿组件、显示装置及其驱动方法，当显示面板中包括多个该像素电路时，在无论像素电路中自发光器件发光亮度不均一是由哪些原因引起的，最终的发光亮度反映了自发光器件当前的发光能力。本发明通过光敏检测电路检测自发光器件最终的发光亮度，从而生成补偿信号，此时的补偿信号是对多种引起发光亮度不均一的因素进行综合后得到的补偿，因此，可改善由于自发光器件老化、IR Drop等原因引起的发光亮度不均一，提高补偿效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的再一种像素电路的结构示意图；
图4为图3中各模块的一种结构示意图；
图5为图3中各模块的又一种结构示意图；
图6为用于驱动图5所示的像素电路的各信号端的时序图；
图7为图3中各模块的再一种结构示意图；
图8为本发明实施例提供的补偿组件的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的补偿组件的驱动方法的流程图；
图10为本发明提供的显示装置的驱动方法的流程图；
图11为显示装置在驱动过程中栅极扫描信号和第三信号端的时序图。
附图标记
100-像素驱动电路；10-自发光器件；11-驱动单元；200-光敏检测电路；20-感光单元；21-读取单元；A-输出端；Readout-读取信号端。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种像素电路，如图1所示，包括像素驱动电路100，像素驱动电路100包括：自发光器件10和用于驱动自发光器件10发光的驱动单元11，还包括光敏检测电路200；光敏检测电路200用于检测自发光器件10的发光亮度，并将用于表征自发光器件10的发光亮度的电信号传输至读取信号端Readout。
需要说明的是，第一，本领域技术人员应该明白，像素驱动电路100用于使子像素实现发光功能，其本质在于通过驱动单元11驱动自发光器件10(电致发光器件)发光。本发明实施例对驱动单元11不进行具体限定，能够驱动自发光器件10发光即可。
第二，光敏检测电路200检测自发光器件10的发光亮度后，生成的用于表征自发光器件10的发光亮度的电信号，可以是直接反应发光亮度的电信号，也可以是间接反应发光亮度的电信号，但确定的是，一个信号值对应一个发光亮度，通过光敏检测电路200可以得知自发光器件10的最终发光亮度。
第三，光敏检测电路200用于检测自发光器件10的发光亮度，因此，光敏检测电路200中检测发光亮度的部件的设置位置必然是使其能检测到自发光器件10发出的光的。
第四，当将上述像素电路设置在显示面板中时，显示面板包括多个子像素，至少一个子像素包括上述像素电路，当然，为了使补偿效果达到最好，较为优选的一种方案则是显示面板中的每个子像素均包括上述像素电路，也就是说，对显示面板中的每个自发光器件10都进行补偿，当然，可以是全部自发光器件10同时补偿，也可以是分为多部分，多部分分时补偿。
本发明实施例提供的像素电路，当显示面板中包括多个该像素电路时，在无论像素电路中自发光器件10发光亮度不均一是由哪些原因引起的，最终的发光亮度反映了自发光器件10当前的发光能力。本发明通过光敏检测电路200检测自发光器件10最终的发光亮度，从而生成补偿信号，此时的补偿信号是对多种引起发光亮度不均一的因素进行综合后得到的补偿，因此，可改善由于自发光器件10老化、IR Drop等原因引起的发光亮度不均一，提高补偿效果。
在一些实施例中，如图2所示，光敏检测电路200与像素驱动电路100连接，用于在发光与检测阶段向像素驱动电路100输入电源电压，在读取阶段停止向像素驱动电路100输入电源电压。
其中，光敏检测电路200用于控制是否向像素驱动电路100输入电源电压，光敏检测电路200必然与电源电压端连接，光敏检测电路200在检测自发光器件10的发光亮度的同时还等同于一个控制电源电压端与像素驱动电路100是否连通的开关。
此处，在发光与检测阶段，电源电压端向像素驱动电路100输入电源电压，该电压同时输送至光敏检测电路200，用于对自发光器件10的发光亮度进行检测。像素驱动电路100的发光和光敏检测电路200的检测共用同一电压端，可以减少显示面板中走线的排布，减少电压端的数量，提高像素电路的集成度。
在一些实施例中，如图3所示，光敏检测电路200包括感光单元20和读取单元21。
感光单元20用于检测自发光器件10的发光亮度，并将用于表征自发光器件10的发光亮度的电信号传输至输出端A。
当然，感光单元20设置在能够被自发光器件10发出的光照射到的地方。
读取单元21连接输出端A和读取信号端Readout，用于将输出端A输出的用于表征自发光器件10的发光亮度的电信号传输至读取信号端Readout。
读取单元21起到一个信号读取的作用，在设置时以尽量增大子像素的开口率为宗旨进行合理设置即可。
在一些实施例中，如图4所示，感光单元20包括光敏二极管D、第一晶体管T1和第二晶体管T2。
光敏二极管D的第一极连接第一电压端V1，光敏二极管D的第二极连接第一晶体管T1的第一极。
此处，光敏二极管D的感光区与自发光器件10对应，是指光敏二极管D用于检测自发光器件10的发光亮度，因此，光敏二极管D设置的位置应确保光敏二极管D的感光区能被待检测的自发光器件10发出的光照射到。若一个光敏二极管D仅用于检测一个自发光器件10的发光亮度时，该光敏二极管D的设置位置应确保不会被其他自发光器件10发出的光照射到。若一个光敏二极管D用于检测多个自发光器件10的发光亮度时，该光敏二极管D的设置位置应确保被每个待检测的自发光器件10发出的光照射到，此时，一个光敏二极管D对应的自发光器件10应不同时发光。
若是为了进一步提高检测效果，可以将光敏二极管D的感光区和自发光器件10正对。
第一晶体管T1的栅极连接第一信号端S1，第一晶体管T1的第二极连接输出端A。
第二晶体管T2的栅极连接第二信号端S2，第二晶体管T2的第一极连接第二电压端V2，第二晶体管T2的第二极连接输出端A。
读取单元21包括第三晶体管T3和第四晶体管T4。
第三晶体管T3的栅极连接输出端A，第三晶体管T3的第一极连接第二电压端V2，第三晶体管T3的第二极连接第四晶体管T4的第一极和像素驱动电路100。
示例性的，第三晶体管T3的第二极连接像素驱动电路100中的驱动单元11。
第四晶体管T4的栅极连接第三信号端S3，第四晶体管T4的第二极连接读取信号端Readout。
驱动单元11包括驱动晶体管Td。
驱动晶体管Td的栅极连接数据电压端Data，驱动晶体管Td的第一极连接第三晶体管T3的第二极，驱动晶体管Td的第二极连接自发光器件10。
也就是说，如图4所示，驱动晶体管Td接收的电源电压是由第二电压端V2提供的，在发光与检测阶段，第二电压端V2的电压经第二晶体管T2、第三晶体管T3传输至驱动晶体管Td的第一极，以使驱动单元11驱动自发光器件10发光。
在一些实施例中，为了简化电路结构，提高像素电路的集成度，如图5所示，驱动单元11包括第五晶体管T5、第六晶体管T6、驱动晶体管Td和存储电容Cst。
第五晶体管T5的栅极连接扫描信号端G1，第五晶体管T5的第一极连接数据电压端Data，第五晶体管T5的第二极连接驱动晶体管Td的栅极。
驱动晶体管Td的第一极连接光敏检测电路200，驱动晶体管Td的第二极连接自发光器件10的第一极。
第六晶体管T6的栅极连接扫描信号端G1，第六晶体管T6的第一极连接驱动晶体管Td的第二极，第六晶体管T6的第二极连接读取信号端Readout。
存储电容Cst的第一端连接驱动晶体管Td的栅极和第五晶体管T5的第二极，存储电容Cst的第二端连接驱动晶体管Td的第二极。
自发光器件10的第二极连接第三电压端V3。
这样一来，如图5所示的像素电路的驱动过程如图6所示：
在发光与检测阶段：
扫描信号端G1输入开启信号，控制第五晶体管T5和第六晶体管T6开启，数据电压端Data的电压信号经第五晶体管T5传输至G点，并存储至存储电容Cst，读取信号端Readout的电压信号经第六晶体管T6传输至S点，存储电容上Cst存储压差Vgs。
第二信号端S2输入开启信号，控制第二晶体管T2开启，将第二电压端V2的信号传输至输出端A，控制第三晶体管T3开启。此时由于第四晶体管T4处于截止状态，读取信号端Readout并未读取到信号，第二电压端V2的电压经第三晶体管T3传输至驱动晶体管Td的第一极，自发光器件10在驱动晶体管Td第二极输出的驱动电流的驱动下发光。
在第二信号端S2输入开启信号的同时，第一信号端S1先输入开启信号控制第一晶体管T1开启，将第二电压端V2的信号经第二晶体管T2和第一晶体管T1传输至光敏二极管D的第二极，使光敏二极管D发生反偏。然后第一信号端S1输入截止信号，控制第一晶体管T1截止。整个过程中第二晶体管T2一直处于开启状态，自发光器件10处于发光状态。光敏二极管D在光照的作用下产生光电流，释放光敏二极管D第二极的电位。
在读取阶段：
第二信号端S2输入截止信号，控制第二晶体管T2截止，自发光器件10停止发光。第一信号端S1输入开启信号，控制第一晶体管T1开启，第三信号端S3输入开启信号，控制第四晶体管T4开启。光敏二极管D第二极上的电位经第一晶体管T1传输至输出端A，光敏二极管D第二极上的电位也就是光敏二极管D上存储的电荷，这部分电荷是由整帧发光过程中积分所得的电荷。
对于驱动晶体管Td来讲，Vds-Vth<Vgs，Vds为驱动晶体管Td的源漏电压差，Vth为驱动晶体管Td的阈值电压，Vgs为驱动晶体管Td的栅源电压差，驱动晶体管Td可以看作电流源，作为读取单元21的电流源，与读取单元21构成一个电压跟随电路，电流源将通过第三晶体管T3的电流固定在恒定值，使得栅极电压和源极电压差保持恒定(栅极电压变化多少，源极电压也变化多少)，从而起到源极电压跟随栅极电压的作用，使得第三晶体管T3的栅极上的电压变化在读取信号端Readout读取的信号中得到体现。这样一来，通过读取信号端Readout读取的信号即可得知输出端A输出的信号，从而得知自发光器件10的发光亮度。
在下一帧显示时，第五晶体管T5和第六晶体管T6开启，G点和S点分别被重置，存储电容Cst存储显示的数据电压信号，此部分数据电压信号根据上一帧中反馈的光强比对信息进行调节。此时由于驱动晶体管Td的Vgs恒定，自发光器件10开始发光。第二晶体管T2导通，第三晶体管T3的栅极被重置，放掉上一帧的光电积分电荷。
需要说明的是，第一、本发明实施例对各个元件中的晶体管的类型不做限定，即除第三晶体管T3外，上述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及驱动晶体管Td可以是为N型晶体管或者P型晶体管。本发明实施例均是以N型晶体管进行示意。
其中，除第三晶体管T3外，上述晶体管的第一极可以是漏极、第二极可以是源极；或者，第一极可以是源极、第二极可以是漏极。本发明实施例对此不作限制。
此外，根据晶体管导电方式的不同，可以将上述像素电路中的晶体管分为增强型晶体管和耗尽型晶体管。本发明实施例对此不作限制。
第二电压端V2输入的信号要是光敏二极管D发生偏转，第二电压端V2输入的则为高电平信号，因此，第三晶体管T3为N型晶体管，第一极为漏极，第二极为源极。
第二、本发明实施例均是以第二电压端V2输入高电平VDD，第一电压端V1、第三电压端V3输入低电平VSS为例进行的说明，第一电压端V1、第三电压端V3也可以接地处理，这里的高、低仅表示输入的电压之间的相对大小关系。第一电压端V1和第三电压端V3可以为同一电压端。
本发明实施例提供的像素电路，在确保能够检测自发光器件10发光亮度的前提下，通过使光敏检测电路200和像素驱动电路100将部分器件和端口共用，很大程度上提高了像素电路的集成度，节省了制备成本。
在一些实施例中，如图7所示，读取单元21包括第三晶体管T3、第四晶体管T4、电流源，使得读取单元21独立完成栅源电压跟随效果。驱动晶体管Td的第一极直接连接输出端A。
当然，上述仅是本发明提供的像素电路的一种具体的结构示意图，本发明并不限于此种结构。
本发明实施例还提供一种补偿组件，如图8所示，包括至少一个上述像素电路，还包括源极驱动电路以及与像素电路和源极驱动电路均连接的控制单元。
控制单元用于根据像素电路输出的用于表征自发光器件10的发光亮度的电信号得到自发光器件10的实际发光亮度，通过对比实际发光亮度和理论发光亮度，对数据电压信号进行补偿。
若将实际发光亮度和理论发光的亮度对比后发现亮度正常，则无需进行补偿，若亮度异常，则需对下一帧的数据电压信号进行补偿。
源极驱动电路用于根据补偿后的数据电压信号向像素电路输出驱动信号。
实际发光亮度是指像素电路测得的自发光器件10的发光亮度，理论发光亮度是指向自发光器件10输入某一数据电压信号，在不考虑器件老化、IR Drop等问题时自发光器件10的发光亮度。
控制单元通过自发光器件10的实际发光亮度得到每一个像素电路下一帧显示时数据电压信号需要补偿的程度，然后对数据电压信号进行补偿，将每一个像素电路补偿后的数据电压信号发送至源极驱动电路，源极驱动电路向像素电路连接的数据电压端Data输入补偿后的数据电压信号。
控制单元例如可以是主控MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)，由MUC完成补偿。
图8中粗实线用于向读取信号端Readout传输信号，点画线用于向数据电压端Data传输信号，从俯视图上来看粗实线和点画线有交叠，但本领域技术人员应该明白，在立体结构中，两者不交叠。
本发明实施例提供的补偿组件，通过像素电路中的光敏检测电路200检测自发光器件10最终的发光亮度，从而生成补偿信号，此时的补偿信号是对多种引起发光亮度不均一的因素进行综合后得到的补偿，因此，可改善由于自发光器件10老化、IR Drop等原因引起的发光亮度不均一，提高补偿效果。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述补偿组件。
其中，显示装置可以是OLED显示器、数码相框、手机、平板电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。
显示装置包括显示区和位于显示区周边的非显示区，补偿组件中的控制元件和源极驱动电路例如可以设置在非显示区，而像素电路设置在显示区中的每个子像素区。像素电路中的自发光器件10设置在开口区，驱动单元11和读取单元21设置在子像素区中开口区以外的区域，感光单元20中的光敏二极管D尽量靠近开口区的边缘设置，设置在自发光器件10的出光方向上。
本发明实施例提供的显示装置的有益效果与上述补偿组件的相同，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种补偿方法，如图9所示，所述补偿方法包括：
S10、检测自发光器件10的实际发光亮度。
此过程是由补偿组件中的像素电路完成的，将用于表征自发光器件10发光亮度的电信号传输至控制元件。
S20、对比实际发光亮度和理论发光亮度，对数据电压信号进行补偿。
控制元件对用于表征自发光器件10发光亮度的电信号进行识别，得到自发光器件10的实际发光亮度，对比理论发光亮度和实际发光亮度，即可得到自发光器件10需要补偿的程度，从而对数据电压信号进行补偿。
S30、根据补偿后的数据电压信号输出驱动信号。
源极驱动电路根据补偿后的数据电压信号，对每一个像素驱动电路100输入驱动信号。
本发明实施例提供的补偿组件的驱动方法的有益效果与补偿组件相同，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示装置的驱动方法，如图10所示，所述方法包括：
在一帧的发光与检测阶段：
S100、自发光器件10逐行发光，同时检测自发光器件10的发光亮度。
示例性的，显示装置包括多个呈阵列排布的子像素，每个子像素包括上述像素电路，在驱动过程中，栅线逐行开启，子像素中的自发光器件10逐行发光。栅线从第一行扫描到最后一行，显示装置中的自发光器件10全部发光。每个自发光器件10在发光的同时，像素电路中的光敏检测电路200对自发光器件10的发光亮度进行检测。
在一帧的读取阶段：
S200、将用于表征自发光器件10的发光亮度的电信号传输至读取信号端Readout。
示例性的，显示装置中的多个读取单元21同时将与其对应的发光器件的亮度信息传输至读取信号端Readout，每个读取信号端Readout分别与控制元件相连。
需要说明的是，第一，整个画面显示过程中，可以是在显示每一帧画面时，都包括步骤S10和步骤S20，也可以是只有多帧中的几帧包括步骤S10和步骤S20，其他帧只包括步骤S10。
第二，在读取阶段，自发光器件10不发光，因此显示过程中，若是为了达到较好的显示效果，因尽量提高显示装置的刷新频率，使检测阶段无法被识别出来。
在一些实施例中，如图11所示，自发光器件10逐行发光，包括：
第五晶体管T5开启，将数据电压端Data的信号传输至驱动晶体管Td的栅极和存储电容Cst的第一端，驱动晶体管Td开启；第六晶体管T6开启，将读取信号端Readout的信号传输至驱动晶体管Td的第二极。
第二晶体管T2开启，将第二电压端V2的信号传输至输出端A，第三晶体管T3开启。
自发光器件10在驱动晶体管Td的第二极输出的驱动信号和第三电压端V3输出的电源电压的驱动下发光。
检测自发光器件10的发光亮度，包括：
第二晶体管T2开启的情况下，第一晶体管T1先开启，将第二电压端V2的信号传输至光敏二极管D的第二极，使光敏二极管D反偏，然后第一晶体管T1截止。
在光照条件下，光敏二极管D产生光电流，释放光敏二极管D的第二极的信号。
将用于表征自发光器件10的发光亮度的电信号传输至读取信号端Readout，包括：
第一晶体管T1开启，将光敏二极管D的第二极的电位传输至输出端A。
第三晶体管T3和第六晶体管T6开启，将输出端A输出的电信号传输至读取信号端Readout。
本发明实施例提供的显示装置的驱动方法的有益效果与显示装置的有益效果相同，此处不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种像素电路，包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：自发光器件、用于驱动所述自发光器件发光的驱动单元和光敏检测电路；
所述光敏检测电路用于检测所述自发光器件的发光亮度，并将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至读取信号端；
所述光敏检测电路与所述像素驱动电路连接，用于在发光与检测阶段向所述像素驱动电路输入电源电压，在读取阶段停止向所述像素驱动电路输入电源电压；
所述驱动单元包括第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和存储电容；
所述第五晶体管的栅极连接扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接数据电压端，所述第五晶体管的第二极连接所述驱动晶体管的栅极；
所述驱动晶体管的第一极连接所述光敏检测电路，所述驱动晶体管的第二极连接所述自发光器件的第一极；
所述第六晶体管的栅极连接所述扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第六晶体管的第二极连接所述读取信号端；
所述存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极和所述第五晶体管的第二极，所述存储电容的第二端连接所述驱动晶体管的第二极；
所述自发光器件的第二极连接第三电压端。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述光敏检测电路包括感光单元和读取单元；
所述感光单元用于检测所述自发光器件的发光亮度，并将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至输出端；
所述读取单元连接所述输出端和所述读取信号端，用于将所述输出端输出的用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至所述读取信号端。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述感光单元包括光敏二极管、第一晶体管和第二晶体管；
所述光敏二极管的第一极连接第一电压端，所述光敏二极管的第二极连接所述第一晶体管的第一极；
所述第一晶体管的栅极连接第一信号端，所述第一晶体管的第二极连接所述输出端；
所述第二晶体管的栅极连接第二信号端，所述第二晶体管的第一极连接第二电压端，所述第二晶体管的第二极连接所述输出端；
所述光敏二极管的感光区与所述自发光器件对应。
4.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述读取单元包括第三晶体管和第四晶体管；
所述第三晶体管的栅极连接所述输出端，所述第三晶体管的第一极连接第二电压端，所述第三晶体管的第二极连接所述第四晶体管的第一极和所述像素驱动电路；
所述第四晶体管的栅极连接第三信号端，所述第四晶体管的第二极连接所述读取信号端。
5.一种补偿组件，其特征在于，包括至少一个权利要求1-4任一项所述的像素电路、源极驱动电路以及与所述像素电路和所述源极驱动电路均连接的控制单元；
所述控制单元用于根据所述像素电路输出的用于表征自发光器件的发光亮度的电信号得到所述自发光器件的实际发光亮度，通过对比实际发光亮度和理论发光亮度对数据电压信号进行补偿；
所述源极驱动电路用于根据补偿后的数据电压信号向所述像素电路输出驱动信号。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的补偿组件。
7.一种如权利要求5所述的补偿组件的补偿方法，其特征在于，所述补偿方法包括：
检测自发光器件的实际发光亮度；
对比实际发光亮度和理论发光亮度，对数据电压信号进行补偿；
根据补偿后的数据电压信号输出驱动信号。
8.一种如权利要求6所述的显示装置的驱动方法，其特征在于，
所述驱动方法包括：
在一帧的发光与检测阶段：
所述自发光器件逐行发光，同时检测所述自发光器件的发光亮度；
在一帧的读取阶段：
将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至读取信号端。
9.根据权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，所述光敏检测电路包括光敏二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述驱动单元包括第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和存储电容；
所述光敏二极管的第一极连接第一电压端，所述光敏二极管的第二极连接所述第一晶体管的第一极；所述第一晶体管的栅极连接第一信号端，所述第一晶体管的第二极连接输出端；所述第二晶体管的栅极连接第二信号端，所述第二晶体管的第一极连接第二电压端，所述第二晶体管的第二极连接所述输出端；所述光敏二极管的感光区与所述自发光器件对应；所述第三晶体管的栅极连接所述输出端，所述第三晶体管的第一极连接所述第二电压端，所述第三晶体管的第二极连接所述第四晶体管的第一极和所述驱动晶体管的第一极；所述第四晶体管的栅极连接第三信号端，所述第四晶体管的第二极连接读取信号端；所述第五晶体管的栅极连接扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接数据电压端，所述第五晶体管的第二极连接所述驱动晶体管的栅极；所述驱动晶体管的第一极连接所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第一极，所述驱动晶体管的第二极连接所述自发光器件的第一极；所述第六晶体管的栅极连接所述扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第六晶体管的第二极连接所述读取信号端；所述存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极和所述第五晶体管的第二极，所述存储电容的第二端连接所述驱动晶体管的第二极；所述自发光器件的第二极连接第三电压端；
所述自发光器件逐行发光，包括：
所述第五晶体管开启，将数据电压端的信号传输至所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一端，所述驱动晶体管开启；所述第六晶体管开启，将读取信号端的信号传输至所述驱动晶体管的第二极；
所述第二晶体管开启，将第二电压端的信号传输至输出端，所述第三晶体管开启；
所述自发光器件在所述驱动晶体管的第二极输出的驱动信号和第三电压端输出的电源电压的驱动下发光；
和/或，
所述检测所述自发光器件的发光亮度，包括：
所述第二晶体管开启的情况下，所述第一晶体管先开启，将所述第二电压端的信号传输至所述光敏二极管的第二极，使所述光敏二极管反偏，然后所述第一晶体管截止；
在光照条件下，所述光敏二极管产生光电流，释放所述光敏二极管的第二极的信号。
10.根据权利要求9所述的驱动方法，其特征在于，所述将用于表征所述自发光器件的发光亮度的电信号传输至读取信号端，包括：
所述第一晶体管开启，将所述光敏二极管的第二极的电位传输至所述输出端；
所述第三晶体管和所述第四晶体管开启，将所述输出端输出的电信号传输至所述读取信号端。
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