CN101283392A - 发射显示装置 - Google Patents

Abstract

一种有源矩阵显示装置包括显示像素阵列，其中每个像素包括电流驱动的发光显示元件、用于驱动电流通过该显示元件的驱动晶体管、与该驱动晶体管串联的开关晶体管，以及控制该开关晶体管栅极电压的光反馈装置，由此能够控制关断该开关晶体管的定时，以便能够根据该显示元件的光输出将该显示元件与驱动晶体管隔离开来。该装置利用光反馈装置来控制额外的开关晶体管，而不是控制驱动晶体管。因此该驱动晶体管的控制得以简化，且所述的额外的光敏控制用于与该驱动晶体管串联的额外的开关晶体管。

Description

发射显示装置

本发明涉及一种发射显示装置，尤其涉及一种具有像素阵列的有源矩阵显示装置，该像素阵列包括发光显示元件和薄膜晶体管。更特别地，不具有排他性，本发明涉及一种有源矩阵电致发光显示装置，其像素包括光敏元件，该光敏元件对显示元件发出的光作出响应并用于控制该显示元件的增能。

采用发光显示元件的矩阵显示装置是众所周知的。该显示元件通常包括有机薄膜电致发光元件(OLED)，其中包括聚合材料(PLED)，要不然就包括发光二极管(LED)。这些材料通常包括夹在一对电极之间的一层或多层半导体共轭聚合物，其中一个电极是透明的，另一个电极采用适合将空穴或电子注入到聚合物层中的材料。

这种显示装置中的显示元件是电流驱动的，且常规的模拟驱动方案涉及提供可控的电流给该显示元件。通常，提供一个电流源晶体管作为该像素结构的一部分，且将栅极电压提供给电流源晶体管来确定通过电致(EL)显示元件的电流。在寻址阶段之后，存储电容保持该栅极电压。

因此，每个像素包括EL显示元件以及相关的驱动器电路。该驱动器电路具有由行导线上的行寻址脉冲接通的寻址晶体管。当该寻址晶体管接通时，列导线上的数据电压传递到其余的像素。尤其是，寻址晶体管将列导线电压提供给电流源电路，该电流源电路包括所述驱动晶体管以及包括与该驱动晶体管的栅极相连的存储电容。将列、数据、电压提供给驱动晶体管的栅极，且即使在行寻址脉冲结束之后，该存储电容仍将栅极保持在该电压。该存储电容将固定保持该栅—源电压。这样导致了通过晶体管的固定源—漏电流，进而这给像素提供了预期的电流源操作。该EL显示元件的亮度大致与通过它的电流成正比。

在上述基本像素电路中，LED材料的差分老化或退化导致了给定驱动电流像素的亮度级降低，这样可能造成显示器上图像质量的差别。长期使用的显示元件将比不常使用的显示元件更黯淡。此外，由于驱动晶体管特性的差异，尤其是阈值电压的电平变化能带来显示不一致的问题。

已经提出了改进的电压寻址的像素电路，其能补偿LED材料的老化以及晶体管特性之间的差异。这些电路包括一光敏单元，其用来响应该显示元件的光输出并根据所述的光输出而泄漏存储电容上存储的电荷，从而在像素初始寻址之后的驱动周期内控制该显示元件的全部光输出。这种像素结构类型的示例详细描述在WO 01/20591和EP 1 096 466中。

在示例性的实施例中，像素中的光电二极管释放存储电容上存储的栅极电压，当驱动晶体管上的栅极电压达到阈值电压时，存储电容停止放电，该EL显示元件停止发光。电荷从光电二极管中泄漏的速度是该显示元件输出的函数，因此光电二极管用作光敏反馈装置。

由于具有这种设置，从该显示元件输出的光不依赖于EL显示元件的效率，因此提供了老化补偿。已经显示，这种技术在获得高质量的显示方面是有效的，这种显示在一段时间产生较少的不一致现象。然而，该方法需要高的瞬时峰值亮度等级以便在一帧时间中从像素获取足够的平均亮度，这样并不有利于显示器的操作，因此可能导致LED材料老化得更快。

在申请人开发的另一方法中，光反馈系统用于改变占空比，根据该占空比操作该显示元件。驱动该显示元件到固定亮度，而且使用光反馈触发快速断开驱动晶体管的晶体管开关。这样避免了需要高的瞬时亮度等级，但是又给像素带来了额外的复杂度。

根据本发明，提供一种有源矩阵显示装置，其包括一显示像素阵列，每个像素包括：

电流驱动的发光显示元件；

用于驱动电流通过显示元件的驱动晶体管；

与该驱动晶体管串联的开关晶体管；以及

光反馈装置，其用于控制开关晶体管的栅极电压，由此能够控制该开关晶体管的关断定时，以使其能够根据显示元件的光输出将该显示元件与驱动晶体管隔离开来。

这种设置利用光反馈装置来控制额外的开关晶体管，而不是控制驱动晶体管。因此该驱动晶体管的控制得以简化，且额外的光敏控制是针对于与该驱动晶体管串联的额外的开关晶体管。这样以简单的方式实现了占空比类型的控制。

每个像素还包括第一存储电容，其存储像素驱动电压以用于寻址该驱动晶体管，该第一存储电容连接在驱动晶体管的栅极和源极之间。所述的驱动晶体管、开关晶体管和显示元件优选地串联在电源线之间。

可提供第二存储电容能够存储栅极电压，该栅压对开关晶体管进行控制。所述的光反馈装置则包括一光敏装置，其用于检测显示元件的亮度，并改变存储在第二存储电容上的电压。

为了使两种不同的寻址电压存储在像素中，在驱动晶体管的数据线和栅极之间，提供第一寻址晶体管，在数据线和第二存储电容的一端之间，提供第二寻址晶体管。可以使用单独的数据线顺序操作，也可使用两条数据线顺序操作。

反馈晶体管连接在开关晶体管的栅极和电源线之间，用于增加开关晶体管的开关速度。

在另一设置中，增加了开关晶体管的开关速度，第二存储电容的一端以及光敏装置的一端通过一电路的节点连接在一起，并且一个反相器连接在该电路节点和开关晶体管的栅极之间。该反相器可通过其自身的电源线进行控制，以进一步增加开关速度。

本发明还提供一种驱动有源矩阵显示装置的方法，该有源矩阵显示装置包括一显示像素的阵列，每个像素包括一驱动晶体管、一电流驱动的发光显示元件，对于每个像素，该方法包括：

存储第一像素驱动电压，其用于控制加在驱动晶体管的栅极电压；

存储第二像素控制电压，其用于控制加在开关晶体管的电压，该第二像素控制电压足够接通开关晶体管；

用从第一像素驱动电压得到的电流驱动该像素的显示元件；以及

检测显示元件的光输出，且根据光输出改变开关晶体管的控制直到开关晶体管断开。

本发明对于电致发光显示装置具有特别的优势。

根据本发明，通过示例、参考附图，现在特别说明本发明在不同方面的实施例中描述的优点，其中：

图1是有源矩阵EL显示装置的一个实施例的简单的示意图；

图2说明一种已知的像素电路形式；

图3示出本发明的第一像素电路；

图4示出图3的像素电路的光输出；

图5示出本发明的第二像素电路；

图6示出本发明的第三像素电路；

图7示出本发明的第四像素电路；

图8是操作该像素电路的第一方法的时序图；

图9是操作该像素电路的第二方法的时序图；

图10是操作该像素电路的第三方法的时序图；

图11是操作该像素电路的第四方法的时序图；

图12是操作该像素电路的第五方法的时序图。

所有附图中使用相同的附图标记表示相同或类似的部件。

参考图1，所述的有源矩阵EL显示装置包括一面板，该面板具有块10表示的按规则排列的行列矩阵的像素，每个像素包括EL显示元件20以及一种相关驱动电路，其用于控制通过该显示元件的电流。该像素位于行(选择)和列(数据)寻址导线，或线12和14的交叉集合之间的交点处。为了简单，这里只示出了几个像素。像素10通过外围驱动电路的寻址导线集合来进行寻址，该外围驱动电路包括连接于各个导线集合的端部的行、扫描、驱动电路16以及列、数据、驱动电路18。

在一帧周期中，每行像素借助电路16施加的选择脉冲信号依次寻址到相关的行导线12，使得对具有相应的数据信号的行像素编程，该数据信号在寻址周期之后的一帧周期内确定它们各自的显示输出，该数据信号由电路18并行提供给列导线14。由于每行都寻址，因此该数据信号由电路18适当同步地提供。

每个像素的EL显示元件20包括有机发光二极管，这里表示为二极管元件(LED)，且还包括一对电极，在该对电极之间夹有有机电致发光材料的一个或多个有源层。尽管可以采用其它的有机电致材料，例如低分子量材料，但是在该特定的实施例中该材料包括聚合物LED材料。该阵列的显示元件与它们相关的有源矩阵电路一起安装在绝缘基板的表面上。该基板采用例如玻璃等透明材料，且显示元件20的阴极或者阳极由例如ITO等透明的导电材料形成，因此电致发光层产生的光通过这些电极进行传输。

每个像素10的驱动电路包括驱动晶体管，该驱动晶体管包括低温多晶硅TFT(薄膜晶体管)，基于通过列导线14施加在该像素上数据信号电压，该多晶硅TFT负责控制通过显示元件20的电流，列导线14由各个列像素共享。在像素驱动电路中，列导线14通过寻址TFT耦合到电流控制驱动TFT的栅极，且用于行像素的TFTs寻址的栅极都连接到各自的、公共的、行寻址导线12上。

尽管在图1中未示出，在常规的情况下，每行的像素10也共享相应的电源线和参考电位线，该电源线保持在预定电压，参考电位线通常作为所有像素共用的连续电极。显示元件20和驱动TFT串联在电源线和公共参考电位线之间。例如该参考电位线可以是地电位，电源线相对于地电位为正电位，例如为12V。

至此描述的所述显示装置的特征大致与那些已知装置的特征类似。

图2示出了像素电路的一种已知的形式，例如WO 01/20591中所述。这里都包含p沟道装置的驱动TFT和寻址TFT的附图标记分别为22和26，电源线和参考电位线的附图标记分别为32和30。当寻址TFT 26在各行寻址周期中由施加到行导线12上的选择脉冲信号接通时，列导线14上的电压(数据信号)能传给其余的像素。尤其是，TFT 26将列导线电压提供给电流源电路25，该电流源电路包括驱动TFT22和存储电容24，该存储电容连接在TFT22的栅极和电源线32之间。因此，即使在行寻址周期的后期寻址TFT 26断开之后，提供给TFT 22栅极的列电压，仍然由存储电容24保持在构成存储控制值的电压。这里将驱动TFT 22实现为P沟道TFT，且电容24保持该栅—源电压。这样导致通过TFT 22的固定源—漏电流，由此其给所述的像素提供预期的电流源操作。通过显示元件20的电流由驱动TFT 22进行调节，并且该电流是TFT 22的栅极电压的函数，该栅极电压取决于列电压、数据、信号确定的存储控制值。在下一帧周期中像素再次寻址之前，在行寻址周期的后期，存储电容24保持的电压在的下一驱动周期期间维持该显示元件的操作。由此TFT22的栅极和电源线32之间的电压确定通过显示元件20的电流，且依次控制像素的瞬时光输出等级。

图2中已知的像素电路还包括放电光电二极管34，该光电二极管是反向偏置，且响应显示元件20发出的光，并根据元件20发出的光通过光电二极管中产生的光电流来衰减存储电容24上存储的电荷。该光电二极管释放电容24上存储的栅极电压，且当TFT 22上的栅极电压达到TFT的阈值电压时，显示元件20将不再发光且存储电容停止放电。光电二极管34上泄漏电荷的速度是该显示元件的光输出等级的函数，因此该光电二极管34还用作光敏反馈装置。

该光电反馈装置用于补偿显示元件老化的衰减效应，由此根据关于对于给定的驱动电流产生的光输出等级的其操作的效率减小了。通过这种衰减，较长时间且较难驱动的显示元件将显示表现为出降低的亮度，导致显示不一致。该光电二极管装置通过在对应于最大的帧周期的驱动周期中适当地控制显示元件的整体、总的光输出来抵制这些效应。根据所述显示元件现有的驱动电流发光等级特性，在寻址周期之后的驱动周期期间内，用于赋能该显示元件以产生光的时间长度，以及所施加的数据信号的等级得以调整，因此衰减的效率得以减小。衰减的、黯淡的显示元件将导致该像素驱动电路赋能给显示元件比未衰减的、更亮的显示元件需要更长的周期，因此平均亮度能在装置操作的时间持续期上保持相同。

图2的电路的缺点在于驱动显示元件的电流在反馈系统的控制下逐渐减小到零，从而降低了像素的最大光输出。已经提出了改进措施是提供一种占空比类型控制，该类型控制保持恒定光输出密度，然后根据光反馈系统在某一时间快速断开显示元件，且本发明涉及这种类型的控制方法。

本发明提供一种光反馈方案，其中，取代利用光反馈装置断开驱动晶体管，该显示元件的电流借助驱动晶体管和显示元件之间的光控开关得以中断。光反馈动作施加于该开关的栅极。

图3示出了根据本发明的显示装置中像素电路10的第一实施例。

像素电路包括电流驱动的发光显示元件20(LED)和驱动晶体管22(T_D)，驱动晶体管22(T_D)用于驱动通过该显示元件和开关晶体管T_S的电流，利用该驱动晶体管，开关晶体管和显示元件串联在电源线之间。

光反馈装置控制开关晶体管T_S的栅极电压，从而能够控制该开关晶体管的关断时间，以使其能够根据显示元件的光输出将显示元件20和驱动晶体管22隔离开。

第一存储电容24(C₁)，其用于存储提供给像素的像素驱动电压，且用于寻址驱动晶体管。第一存储电容在驱动晶体管的源极和栅极之间。在所示的示例中，驱动晶体管是p型的，且源极连接于高电力线。

第二存储电容C₂用于存储控制开关晶体管T_S的栅极电压。该第二存储电容在高电力线32和开关晶体管T_S的栅极之间，尽管其可能在任何固定的电压和开关晶体管T_S的栅极之间。

该光反馈装置包括PIN光电二极管40形式的光敏装置，其用于检测显示元件的亮度。光电二极管40的阳极连接于公共线42，阴极连接于开关晶体管T_S的栅极。由此节点44规定在开关晶体管的栅极，其连接于第二电容C₂的一端、光电二极管40的一端以及开关晶体管的栅极。

由于开关晶体管的低栅极电流，光电二极管的电流用来对第二存储电容进行充电或放电，因此栅极电压取决于该显示元件的输出。

将两个数据电压写入像素。一个写在驱动晶体管T_D的栅极上，另一个写在开关晶体管T_S的栅极上。这一点能利用如图3所示的共享的数据线14或借助两个数据列线(未示出)依次获得。

出于该目的，第一寻址晶体管A₁在数据线14和驱动晶体管T_D的栅极之间，第二寻址晶体管A₂在数据线14和第二存储电容C₂的一端之间，在图3的示例中第二存储电容直接连接于开关晶体管的栅极。

第一数据电压设置电流输出以驱动该显示元件。驱动晶体管T_D工作在饱和状态，因此该电流由栅极电压V₁的平方函数来给定。

第一数据电压可以是独立于像素数据的恒定电压，其用来设置该显示元件的输出为恒定的光输出。

第二数据电压将开关晶体管T_S设置为导通。出于该目的，第二数据电压可以高于电源线电压V_P，但是其是依赖像素数据，因此光电二极管电流放电第二电容C₂(到开关晶体管断开的电压)的时间取决于预定的像素输出。

存储在第二电容C₂上的电荷变化等于流过该光电传感器的光感应电流的积分。电容C₂上的原始电荷通过光电二极管的作用而被移除，由此使得节点电压V2下降到线42上的公共电压，从而断开了开关晶体管T_S。

电荷的电量可由下式计算(等式1)：

Q₂＝∫I_PINdt＝∫γLdt

＝∫γεI_LEDdt＝γεβ(V₁-V_P-V_TD)²dt

＝γεβ(V₁-V_P-V_TD)²t_ON

该等式能算出电荷的变化是光电电流的积分。L是输入到光电二极管的光，γ是光电二极管的效率，ε是该显示装置的效率，I_LED是通过该显示元件的驱动电流，β是晶体管的β因子，V_TD是驱动晶体管的阈值电压，t_ON是该显示元件接通的时间。

假定将一个恒定的光L输入到光电二极管，随后零光输出，因此发生锐截止。这样实现了占空比类型控制，且平均光输出可由下式计算(等式2)：

$L_{\mathrm{\α\υ}}=\frac{t_{\mathrm{ON}}}{T}{L}_{\mathrm{peak}}=\frac{t_{\mathrm{ON}}}{T}\mathrm{\ϵ\β}{(V_1-V_P-V_{\mathrm{TD}})}^2$

$=\frac{(Q_2/\mathrm{\γ\ϵ\β}{(V_1-V_P-V_{\mathrm{TD}})}^2)}{\mathrm{T\ϵ\β}{(V_1-V_P-V_{\mathrm{TD}})}^2}$

$=Q_2\frac{1}{\mathrm{\γ}}\frac{1}{T}$

假定跟随其余的帧周期T的输出亮度L_peak的周期t_ON关闭时，该等式能计算出平均的光输出。C₂和V₂分别是电容C2两端的电容和初始的电压。将t_ON以及由等式1得出的电荷Q₂的变化之间的比例代入该等式。

该等式表示在开关晶体管断开之前，平均光输出取决于电容的电荷量以及帧周期T和光电二极管的效率。这里不依赖于该显示元件的效率。

当栅极电压等于阈值电压时，开关晶体管将断开。由此电荷的变化将包括电容乘以栅极达到阈值电压所需的电压变换。该电压变换将取决于初始电压V₂以及开关晶体管的阈值电压，但是不依赖于LED特性。

例如，假定公共线42和阴极线30为0V，大致当节点44的电压V₂从V₂变化到0V时开关晶体管将断开(因为阈值电压相对于电压从V₂到0V这一较大的改变可以被忽略，恢复V₂大于电源线电压V_P)。

因此，等式2可大致为(等式3)：

$L=\frac{V_2}{C_2}\frac{1}{\mathrm{\γ}}\frac{1}{T}$

光输出特性示出在图4中。

上述等式表示平均光不依赖于该显示元件的效率，由此该像素电路补偿了该显示元件的衰减。

在图3的电路中，开关晶体管T_S必须非常快速地从接通变换到断开，否则该补偿是不正确的。

对该像素的各种变型可能改进开关时间。

图5示出了图3的像素电路的第一种变型。该电路除了下面描述的修改之外与图3的相同。取代将第二电容直接提供到开关晶体管的栅极，而采用通过连接在节点44和开关晶体管T_S的栅极之间的反相器来提供。

反相器包括串联在电源线之间的第一和第二对向型晶体管50和52。在图5的示例中，这些电源线是高电源线32和光电二极管的阳极的公共线42。该栅极由电路节点44的电压控制。由于这里提供了反向，因此图5的电路中开关晶体管T_S是p型的，此外其余的电路元件与图3中的相同。

在该电路中，光电二极管控制反相器的输入。在光输出开始时，反相器的输出，即开关晶体管T_S的栅极是低电压，这对应于前面所述的高电平V₂。P型开关晶体管由此接通。反相器的输入降低到光电二极管的公共电压，然后反相器的输出变高并关断开关晶体管T_S。反相器的关断特性改进了开关晶体管的开关性能。

如上面解释的，用于解释像素电路状态的近似值忽略了开关晶体管的阈值电压。实际上，光输出将依赖于该阈值电压，由此对开关晶体管阈值电压的变化敏感。该效应在某些情况下是可忽略的。然而，图5中所用的反相器显著地减小了光输出对开关晶体管的阈值电压的依赖。

在图6中，专用的高电源线60用于该反相器，这样改进了反相器的操作。除此之外该电路与图5相同。

图7示出了另一种改进开关速度的方式，其中通过连接在开关晶体管T_S的栅极和公共电压之间的反馈晶体管70，在像素电路中实现正反馈。驱动晶体管T_D的漏极连接到反馈晶体管70的栅极。当开关晶体管开始断开时，其阻抗增加，电压V_D开始上升，这具有加速反馈晶体管断开的效果。

本发明可以利用具有多晶硅或无定型硅TFT或微晶硅TFT的电路得以实现。光反馈装置通常是以芯片管脚形式存在的二极管。

本发明可应用在任何有源矩阵基板(无定形的、多晶以及晶体硅、有机TFT基板)上的多种不同的发射显示技术上(例如有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管(iLED)、场致发射显示器(FED)、电致发光显示器(EL))，其中该发光元件在光输出中受到衰减。本发明的使用及时阻止了老化并且使得颜色点保持稳定。

由于增加了晶体管、电容和线的数目，这些像素电路更适合在具有全部像素区域的顶部发光的AMOLED显示器中使用。

在上述的示例中，阴极线30可以是恒定的电压，例如0V。一旦像素被寻址，该像素将开始发光，且开关晶体管一接通这就发生，这时电压V₂被存入第二电容C₂上。作为可替换地，阴极线30可以被开关，使得显示器被驱动为两个阶段—驱动阶段和之后的寻址阶段。

因此存在多种不同的寻址方法，其中的一些将参考图8至12以及基于图3中最基本的电路在下面得以解释。

(i)可以依次被寻址，每行顺序地由开关寻址线A1和A2寻址。该阴极恒定为0V。在该方法中，在寻址阶段期间或之后该显示元件发光，直到开关晶体管断开。如果所需的时间(t_ON)超过了帧时间，反馈系统失效，此外光输出仅取决于施加于该像素的第二电压V2。该方法在图8中示出，其显示了第一行(图示80)和最后一行(图示82)的寻址线A1和A2的寻址脉冲。

(ii)在寻址阶段该阴极切换到关断该显示元件(状态)。寻址阶段对于各行的寻址线A1和A2顺序地施加连续的脉冲。这是图9中所示的阶段90，其示出为黑色输出。此外，第一行和最后一行的图示为92和94。在阶段96期间所述的光输出。该光再次输出仅由V2控制。

(iii)修改(ii)中的方法使得在对寻址线A2施加寻址脉冲之前对寻址线A1施加所有的寻址脉冲。这一点显示在图10中，另外的对应于图9。该光输出仅由V2控制。

(iv)所述的阴极可驱动为恒定电压，且每帧可施加两个数据电压。这一点示出在图11中。再次顺序地寻址所述的行，且该图再次显示第一行和最后一行。起初，对于线A1和A2，对第一亮度子场110提供寻址脉冲，然后对寻址线A2，对第二子场112提供第二寻址脉冲。因此存在两个数据电压V2a和V2b，其用于通过第二寻址晶体管从数据线装载到该像素。在该方法中，电压V1和V2都影响所述的光输出。

在第一阶段期间，选择电压V2a使得开关晶体管保持接通，所述的光输出取决于电压V1。在第二阶段期间，选择电压V2b使得开关晶体管断开。

该方法保证所述的显示元件在第一阶段总是接通的，这样对于低亮度等级避免了短的光脉冲。两电压V1和V2b是数据相关的。

(v)如图12所示，也可以修改(iv)的方案以便包括阴极开关。现在两个阶段110和112包括由阴极线电压控制的暗寻址部分和亮输出部分。

因此，在某些示例中，驱动该驱动晶体管以提供固定的输出(对应于L_peak)，并且利用基于电压V2的反馈系统获得所有的亮度控制。在其它的示例中，取决于所述像素数据的电压可加在驱动晶体管上(电压V1)。在这种方式中，该开关晶体管仅通过接通时间的微调就得以实现，并且这一步可处于第二阶段中。这样就需要更精确的确定V1和V2，但是这就具有能提供低亮度等级不需要短闪烁的优点。控制方法的这种组合使得占空比总是处于较高的范围(例如总是大于50％)，但是该驱动方案仍然不限制最大亮度，因为对于整个帧时间仍然将该显示元件驱动为满亮度。

因此，该反馈方案可实现模拟驱动和占空比控制的组合，否则其只可实现具有固定亮度的占空比控制。因此，图4中的等级L_peak可以是恒定的，或者是依赖于像素数据的。

其它的各种修改对于本领域技术人员是显而易见的。

Claims (19)

1、一种有源矩阵显示装置，其包括显示像素阵列，其中每个像素包括：

电流驱动的发光显示元件(LED)；

驱动电流通过该显示元件的驱动晶体管(22)；

与该驱动晶体管串联的开关晶体管(20)；以及

光反馈装置(40)，其用于控制该开关晶体管的栅极电压，由此能够控制该开关晶体管的关断定时，以使其能够根据该显示元件的光输出将该显示元件与驱动晶体管隔离开来。

2、如权利要求1所述的装置，其中每个像素还包括：

第一存储电容(24)，其用于存储像素驱动电压，该像素驱动电压用于寻址所述驱动晶体管。

3、如权利要求2所述的装置，其中第一存储电容(24)连接驱动晶体管(22)的栅极和源极。

4、如前任一权利要求所述的装置，其中驱动晶体管(22)、开关晶体管(20)和所述的显示元件串联在电源线(32、30)之间。

5、如前任一权利要求所述的装置，其中电流驱动发光显示元件(LED)包括电致发光显示元件。

6、如前任一权利要求所述的装置，其中每个像素还包括：

第二存储电容(C₂)，其用于存储栅极电压，栅极电压用于控制开关晶体管(20)。

7、如权利要求6所述的装置，其中光反馈装置包括：

光敏装置(40)，其用于检测所述显示元件的亮度，并改变存储在第二存储电容(C₂)上的电压。

8、如权利要求6或7所述的装置，其中所述的第二存储电容连接在光敏装置(40)的一端和电源线(42)之间。

9、如权利要求6至8中任一权利要求所述的的装置，其中在数据线(14)和驱动晶体管(22)的栅极之间提供了第一寻址晶体管(A1)，并且在数据线(14)和第二存储电容(C₂)的一端之间提供了第二寻址晶体管(A2)。

10、如权利要求6至9中任一权利要求所述的装置，其中第二存储电容(C₂)的一端、光敏装置(40)的一端和开关晶体管(20)的栅极连接在一起(44)。

11、如权利要求10所述的装置，还包括连接在开关晶体管(20)的栅极和电源线之间用于增加开关晶体管的开关速度的反馈晶体管(70)。

12、如权利要求6至9中任一权利要求所述的装置，其中第二存储电容(C₂)的一端和光敏装置(40)的一端在电路节点(44)处连接在一起，并且在该节点(44)和开关晶体管(20)的栅极之间提供了一反相器。

13、如权利要求12所述的装置，其中该反相器包括串联在电源线之间的第一和第二对向型晶体管(50、52)，它们的栅极由电路节点(44)的电压控制。

14、如权利要求13所述的装置，其中驱动晶体管(22)、开关晶体管(20)和所述的显示元件(LED)串联在第一和第二电源线(32、30)之间，第一和第二对向型晶体管串联在第一电源线(32)和连接有光反馈装置(40)的第三电源线(42)之间。

15、如权利要求13所述的装置，其中驱动晶体管(22)、开关晶体管(20)和所述的显示元件(LED)串联在第一和第二电源线(32、30)之间，第一和第二对向型晶体管(50，52)串联在不同的第三和第四电源线(60、42)之间。

16、一种驱动有源矩阵显示装置的方法，该有源矩阵显示装置包括显示像素的阵列，其中每个像素包括驱动晶体管(22)、电流驱动发光显示元件(LED)，对于每个像素，该方法包括：

存储第一像素驱动电压(V1)，该第一像素驱动电压控制加在驱动晶体管(22)上的栅极电压；

存储第二像素控制电压(V2)，该第二像素控制电压控制加在开关晶体管的电压，该第二像素控制电压足够接通开关晶体管(20)；

用从第一像素驱动电压(V1)得到的电流驱动该像素的显示元件；

检测显示元件的光输出，且根据光输出改变开关晶体管(20)的控制，直到开关晶体管断开。

17、如权利要求16所述的方法，其中驱动晶体管(22)、开关晶体管(20)和显示元件(LED)串联在电源线(32、30)之间。

18、如权利要求16或17所述的方法，其中检测该显示元件的光输出和改变开关晶体管的控制包括利用光输出改变存储在电容(C₂)上的电荷，该电容控制开关晶体管(20)的栅极电压。

19、如权利要求16至18的任一权利要求所述的方法，其中存储第一像素驱动电压(V1)包括给存储电容(24)充电，该存储电容控制驱动晶体管(22)的栅极电压。

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