CN108649059A - 一种阵列基板、显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，涉及显示技术领域，可改善现有技术中因补偿信号微弱使得侦测IC上接收到的信号不准确，导致补偿效果不理想的问题。阵列基板，包括多个亚像素，每一所述亚像素对应设置有光感检测组件，所述光感检测组件包括感光元件和信号读取元件；所述感光元件，连接第一电压端以及第二电压端，用于检测所述亚像素的发光亮度，并将与所述亚像素的发光亮度对应的电信号传输至所述感光元件的输出端；所述信号读取元件，还连所述输出端以及读取信号线，用于对所述输出端输出的电信号进行读取，并传输至所述读取信号线；其中，所述亚像素和与其对应设置的所述光感检测组件中的感光元件的至少部分对应。

Description

一种阵列基板、显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是目前研究领域的热点之一，与液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，OLED具有低能耗、自发光、宽视角及响应速度快等优点。
然而，OLED显示装置由于工艺、材料及设计等方面的原因，容易导致驱动薄膜晶体管的阈值电压产生漂移和mobility(电子迁移率)波动，导致驱动电流大小不一，造成显示画面亮度不均的现象。
基于此，现有技术中通常采用电学补偿方式来弥补阈值电压的漂移和mobility波动，以保证驱动电流的均一性。补偿电路如图1所示，将S点的信号通过Sense走线传递至侦测IC(Integrated Circuit，集成电路)，通过判断侦测IC接收到的信号的大小，得到补偿信号的大小，对像素电路进行补偿。然而，由于亚像素的驱动电流本身就比较小，而显示面板的尺寸较大，Sense走线会很长，Sense走线上采集到信号需要通过很长的走线才能被侦测IC最终采集，微弱的信号在过长的走线上传输容易被干扰，使得侦测IC上接收到的信号不准确，导致补偿效果不理想。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，可改善现有技术中因补偿信号微弱使得侦测IC上接收到的信号不准确，导致补偿效果不理想的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，包括多个亚像素，每一所述亚像素对应设置有光感检测组件，所述光感检测组件包括感光元件和信号读取元件；所述感光元件，连接第一电压端以及第二电压端，用于检测所述亚像素的发光亮度，并将与所述亚像素的发光亮度对应的电信号传输至所述感光元件的输出端；所述信号读取元件，还连所述输出端以及读取信号线，用于对所述输出端输出的电信号进行读取，并传输至所述读取信号线；其中，所述亚像素和与其对应设置的所述光感检测组件中的感光元件的至少部分对应。
可选的，所述信号读取元件还连接第一信号端、所述输出端以及读取信号线，用于在第一信号端的控制下，对所述输出端输出的电信号进行读取，并传输至所述读取信号线。
可选的，所述感光元件包括串联在所述第一电压端和所述第二电压端之间的第一晶体管和光敏二极管，所述第一晶体管的栅极连接第二信号端；所述输出端连接在所述第一晶体管和所述光敏二极管之间。
可选的，所述信号读取元件包括串联在第三电压端和第四电压端之间的第二晶体管和第三晶体管；所述第二晶体管的栅极连接所述输出端，所述第三晶体管的栅极连接所述第一信号端；所述读取信号线连接在所述第二晶体管和所述第三晶体管之间。
可选的，所述信号读取元件还包括电流源，所述电流源连接在所述第三晶体管与所述第四电压端之间。
可选的，与同一列所述亚像素对应设置的多个所述光感检测组件中的信号读取元件共用同一所述电流源。
可选的，与同一列所述亚像素对应设置的多个所述光感检测组件连接同一所述读取信号线。
可选的，每一所述亚像素包括第四晶体管、驱动晶体管、第五晶体管、自发光器件以及存储电容；所述第四晶体管的栅极连接扫描信号端，第一极连接数据电压端，第二极连接所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的一端；所述驱动晶体管的第一极连接第五电压端，第二极连接所述自发光器件的阳极；所述第五晶体管的栅极连接第三信号端，第一极连接所述驱动晶体管的第二极，第二极连接所述读取信号线；所述存储电容的一端还连接所述驱动晶体管的栅极，另一端连接所述驱动晶体管的第二极；所述发光器件的阴极连接第六电压端。
可选的，所述感光元件包括第一晶体管和光敏二极管的情况下，所述光敏二极管设置在所述第一晶体管与所述自发光器件之间。
可选的，所述自发光器件的靠近所述驱动晶体管的第一电极通过第一层间导电层与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述光敏二极管通过第二层间导电层与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第一晶体管的第二极通过第一信号线与所述第一电压端电连接，所述第一层间导电层、所述第二层间导电层、所述第一信号线同层设置。
可选的，所述光敏二极管靠近所述发光器件的一侧设置有透明导电图案，所述透明导电图案通过第二信号线与所述第二电压端电连接，所述自发光器件的靠近所述驱动晶体管的第一电极为反射电极，所述第一电极与所述第二信号线同层设置；其中，所述第一电极在衬底上的正投影不覆盖所述透明导电层在所述衬底上的正投影。
可选的，每一所述亚像素分别对应设置有一所述光感检测组件。
可选的，沿行方向上相邻的两个所述亚像素对应同一个所述光感检测组件。
可选的，沿列方向上相邻的两个所述亚像素对应同一个所述光感检测组件。
可选的，所述亚像素和与其对应设置的所述光感检测组件中的感光元件的至少部分正对。
第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的阵列基板，还包括与所述读取信号线连接的侦测集成电路；所述侦测集成电路包括多个用于接收检测信号的读取端，每一所述读取信号线电性连接一所述读取端。
可选的，所述显示装置还包括与所述侦测集成电路连接的控制单元；所述控制单元用于根据所述侦测集成电路的读取端读取的与亚像素的发光亮度对应的电信号得到所述亚像素的实际发光亮度，通过对比实际发光亮度和理论发光亮度，对数据电压信号进行补偿。
第三方面，提供一种显示装置的驱动方法，所述驱动方法包括：光学补偿阶段：感光元件检测亚像素的发光亮度，并将与所述亚像素的发光亮度对应的电信号传输至所述感光元件的输出端；信号读取元件对所述输出端输出的电信号进行读取，经所述读取信号线传输至侦测集成电路；其中，与同一所述读取信号线连接的所述亚像素分时驱动。
可选的，所述感光元件包括第一晶体管和光敏二极管，所述信号读取元件包括第二晶体管和第三晶体管；所述感光元件检测亚像素的发光亮度，并将与所述亚像素的发光亮度对应的电信号传输至所述感光元件的输出端，具体包括：所述第一晶体管在第二信号端的控制下将第一电压端的重置电压传输至所述光敏二极管的阴极，以使所述光敏二极管反偏；所述光敏二极管接收到所述亚像素的光照后产生光电流，使得所述光敏二极管的阴极的电位下降，将下降后的所述光敏二极管的阴极的电位传输至所述输出端。
可选的，所述感光元件包括第一晶体管和光敏二极管，所述信号读取元件包括第二晶体管和第三晶体管；所述信号读取元件对所述输出端输出的电信号进行读取，并传输至所述读取信号线，具体包括：所述第二晶体管在所述输出端输出的电信号控制下开启，所述第三晶体管在第一信号端的控制下开启，读取所述输出端输出的电信号后经所述读取信号线传输至所述侦测集成电路。
可选的，所述亚像素包括第四晶体管、驱动晶体管、第五晶体管、自发光器件以及存储电容；所述驱动方法还包括：电学补偿阶段：所述第一晶体管在所述第二信号端的控制下将第一电压端的截止电压输至所述输出端，控制所述第二晶体管截止；所述第三晶体管在所述第一信号端的控制下截止；所述亚像素正常显示，所述第五晶体管在第三信号端的控制下将所述驱动晶体管第二极的电信号传经所述读取信号线传输至所述侦测集成电路。
本发明的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，通过在阵列基板上集成与亚像素对应设置的光感检测组件，在需要对亚像素的亮度进行补偿时，光感检测组件中的感光元件检测与其对应设置的亚像素的发光亮度，生成与亚像素的发光亮度对应的电信号，将该电信号发送至信号读取元件。信号读取元件对该电信号进行读取，并将读取后的电压信号传输至读取信号线，由于第一电压端输入的电压信号较大，而光敏二极管释放掉的电流比较小，因此与现有技术相比，本发明中的光感检测组件将较小的电流信号转变为较大的电压信号来传输，在不改变信号读取线长度的基础上，使得信号抗干扰能力增强，提高补偿效果。
此外，亚像素的发光亮度不均的因素还有很多，例如发光层等结构的老化、电源线的电阻压降等等，这就导致即使驱动电流一致的情况下，亚像素的发光亮度仍不均一，本发明中的补偿信号的采集是通过检测亚像素的发光亮度得到的，因此，可以进一步提高补偿的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种电学补偿电路；
图2为本发明实施例提供的亚像素与光感检测组件的对应关系图一；
图3为本发明实施例提供的一种光感检测组件的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的亚像素与光感检测组件的对应关系图二；
图5为本发明实施例提供的亚像素与光感检测组件的对应关系图三；
图6为本发明实施例提供的亚像素与光感检测组件的对应关系图四；
图7为本发明实施例提供的另一种光感检测组件的结构示意图；
图8为图7中各模块的一种结构示意图；
图9为图7中各模块的另一种结构示意图；
图10为图2中各结构的一种具体结构示意图；
图11为图2中各结构的另一种具体结构示意图；
图12为图2中各结构的再一种具体结构示意图；
图13为图6中各结构的一种具体结构示意图；
图14为图6中沿OO方向上的一种剖视图；
图15为图6中沿OO方向上的另一种剖视图；
图16为本发明提供的显示装置的驱动方法的流程图。
附图标记
10-亚像素；20-光感检测组件；21-感光元件；22-信号读取元件；31-第一电极；32-第二信号线；41-第一层间导电层；42-第二层间导电层；43-第一信号线；50-透明导电图案；A-输出端；Sense-读取信号线；L-自发光器件。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括多个亚像素10，每一亚像素10对应设置有光感检测组件20，如图3所示，光感检测组件20包括感光元件21和信号读取元件22。
感光元件21，连接第一电压端V1以及第二电压端V2，用于检测亚像素10的发光亮度，并将与亚像素10的发光亮度对应的电信号传输至感光元件21的输出端A。
信号读取元件22，还连输出端A以及读取信号线Sense，用于对输出端A输出的电信号进行读取，并传输至读取信号线Sense。
其中，亚像素10和与其对应设置的光感检测组件20中的感光元件21的至少部分对应。
需要说明的是，第一，阵列基板上包括的多个亚像素10可以是用于显示的全部亚像素10，也可以用于显示的亚像素10中的部分，此处包括的多个亚像素10是指阵列基板上需要补偿的多个亚像素10。
第二，每一亚像素10对应设置有光感检测组件20，并不是限定为如图2所示的亚像素10与光感检测组件20为一对一的关系，可以是如图4和图5所示的两个亚像素10对应一个光感检测组件20，也可以是如图6所示的四个亚像素10对应一个光感检测组件20，当然也可以是其他对应方式。
第三，亚像素10和与其对应设置的光感检测组件20中的感光元件21的至少部分对应，是指无论亚像素10与光感检测组件20是一对一的关系还是多对一的关系，每一亚像素10发出的光均能够照到与其对应设置的光感检测组件20中的感光元件21上。
第四，信号读取元件22例如可以是电压跟随器或其他使输入电压与输出电压同相的结构。
本发明的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，通过在阵列基板上集成与亚像素10对应设置的光感检测组件20，在需要对亚像素10的亮度进行补偿时，光感检测组件20中的感光元件21检测与其对应设置的亚像素10的发光亮度，生成与亚像素10的发光亮度对应的电信号，将该电信号发送至信号读取元件22。信号读取元件22对该电信号进行读取，并将读取后的电压信号传输至读取信号线Sense，由于第一电压端V1输入的电压信号较大，因此输出端A输出的电压信号较大。这样一来，与现有技术相比，本发明中的光感检测组件20将较小的电流信号转变为较大的电压信号来传输，在不改变信号读取线Sense长度的基础上，使得信号抗干扰能力增强，提高补偿效果。
此外，亚像素10的发光亮度不均的因素还有很多，例如发光层等结构的老化、电源线的电阻压降等等，这就导致即使驱动电流一致的情况下，亚像素10的发光亮度仍不均一，本发明中的补偿信号的采集是通过检测亚像素10的发光亮度得到的，因此，可以进一步提高补偿的准确性。
可选的，如图2所示，每一亚像素10分别对应设置有一光感检测组件20，也即不同的亚像素10对应设置不同的光感检测组件20。
此处，亚像素10与光感检测组件20为一对一的设置方式，在补偿检测过程中，多个亚像素10可以全部点亮，多个光感检测组件20同时检测，可节省检测补偿的时间。
可选的，如图4所示，沿行方向上(栅线的延伸方向上)相邻的两个亚像素10对应同一个光感检测组件20，当然为了降低成本，节省空间，一个亚像素10仅需要对应一个光感检测组件20即可。
示例的，如图4所示，沿行方向上，如果第n个和第n+1个亚像素10共用一个光感检测组件20，则第n+2个和第n+3个亚像素10共用一个光感检测组件20，只要保证每个亚像素10对应设置有光感检测组件20即可，每个亚像素10也可以对应设置有多个光检测组件。
此处，亚像素10与光感检测组件20为二对一的设置方式，由于光感检测组件20会占据阵列基板较大的控制，因此，相比一对一的设置方式，可节省光感检测组件20的数量，提高阵列基板的开口率。
可选的，如图5所示，沿列方向上(数据线的延伸方向上)相邻的两个亚像素10对应同一个光感检测组件20。
参考图5的分布方式，沿列方向上，如果第n个和第n+1个亚像素10共用一个光感检测组件20，则第n+2个和第n+3个亚像素10共用一个光感检测组件20，只要保证每个亚像素10对应设置有光感检测组件20即可。
此处，亚像素10与光感检测组件20为二对一的设置方式，相比沿行方向上二对一的设置方式，在补偿检测过程中，可以一次检测一行的亚像素10，可节省检测补偿的时间。
可选的，如图6所示，沿行方向上(栅线的延伸方向上)相邻的两个亚像素10对应同一个光感检测组件20，且沿列方向上(数据线的延伸方向上)相邻的两个亚像素10对应同一个光感检测组件20。
此处，亚像素10与感光检测组件20为四对一的设置方式，相比二对一的设置方式，可以进一步减少光感检测组件20的数量，适用于高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)的显示面板。
此处应当理解到，本发明中，对于显示装置中构成像素单元的亚像素10类型不作限定，像素单元可以由红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的亚像素10构成，也可以由红(R)、绿(G)、蓝(B)、白(W)四种颜色的亚像素10构成，当然在该设置情况下，优选的设置红(R)、绿(G)、蓝(B)、白(W)四种颜色的亚像素10按“田”字结构排布，并设置该四种颜色的亚像素10共用一个感光检测组件(参考图6的设置方式)。
此外，还应当理解到，对于上述图4和图6中设置行方向上相邻的两个亚像素10(颜色必然不同，例如为红色和绿色)共用感光检测组件的情况下，在实际的感光检测中，需要分时段对亚像素10的实际亮度进行检测，例如可以在第一时刻仅对红色亚像素的实际亮度进行检测，在第二时刻仅对绿色亚像素的实际亮度进行检测，等等依次类推。
基于上述，为了确保亚像素10显示亮度检测结果的准确性，本发明实施例优选的，亚像素10和与其对应设置的光感检测组件20中的感光元件21的至少部分正对。
优选的，如图7所示，信号读取元件22还连接第一信号端S1、输出端A以及读取信号线Sense，用于在第一信号端S1的控制下，对输出端A输出的电信号进行读取，并传输至读取信号线Sense。
可选的，感光元件21包括串联在第一电压端V1和第二电压端V2之间的电阻和光敏二极管D，输出端A连接在电阻和光敏二极管D之间。
为了避免光敏二极管D在不需要补偿时开启，导致光敏二极管D的使用寿命降低，优选的，如图8所示，感光元件21包括串联在第一电压端V1和第二电压端V2之间的第一晶体管T1和光敏二极管D，第一晶体管T1的栅极连接第二信号端S2；输出端A连接在第一晶体管T1和光敏二极管D之间。
其中，可以是如图8所示的光敏二极管D靠近第二电压端V2设置，也可以是光敏二极管D靠近第一电压端V1设置。
信号读取元件22，包括串联在第三电压端V3和第四电压端V4之间的第二晶体管T2和第三晶体管T3；第二晶体管T2的栅极连接输出端A，第三晶体管T3的栅极连接第一信号端S1；读取信号线Sense连接在第二晶体管T2和第三晶体管T3之间。
为了提高信号读取元件22接收到感光元件21的输出端A输出的信号的准确度，如图9所示，信号读取元件22还包括电流源，电流源连接在第三晶体管T3与第四电压端V4之间。
其中，信号读取元件22中电流源和第二晶体管T2、第三晶体管T3组成一个完整的电压跟随电路，电流源将通过第二晶体管T2的电流固定在恒定值，使得栅极电压和源极电压差保持恒定，从而起到源极电压跟随栅极电压的作用。这样一来，通过读取信号线Sense读取的信号即可得知输出端A输出的信号，从而得知亚像素的发光亮度。
进一步的，为了减少阵列基板中电流源的数量，减少非显示区的占比，优选的，如图10和图12所示，与同一列亚像素10对应设置的多个光感检测组件20中的信号读取元件22共用同一电流源。
进一步的，为了减少走线的数量，简化阵列基板非显示区的排布，优选的，如图11和图12所示，与同一列亚像素10对应设置的多个光感检测组件20连接同一读取信号线Sense。
其中，是光感检测组件20中的信号读取元件22与读取信号线Sense电连接。
以上需要说明的是，无论是共用电流源还是共用读取信号线Sense，存在共用的情况下，只能采用分时检测的方式逐个采集每个亚像素10的亮度。
此处，同一列亚像素10是指连接同一根数据线的一列亚像素10。
当然，也可以整个阵列基板上的光感检测组件20中的信号读取元件22共用一个电流源，连接一根读取信号线Sense，或其他共用方式。
为了进一步提高补偿效果，本发明将现有技术中的电学补偿与本发明中的光学补偿相结合来对亚像素10的亮度进行补偿。具体的，如图13所示，每一亚像素10包括第四晶体管T4、驱动晶体管Td、第五晶体管T5、自发光器件L以及存储电容C。
第四晶体管T4的栅极连接扫描信号端Gate，第一极连接数据电压端Data，第二极连接驱动晶体管Td的栅极和存储电容C的一端。
驱动晶体管Td的第一极连接第五电压端V5，第二极连接自发光器件L的阳极。
第五晶体管T5的栅极连接第三信号端S3，第一极连接驱动晶体管Td的第二极，第二极连接读取信号线Sense。
存储电容C的一端还连接驱动晶体管Td的栅极，另一端连接驱动晶体管Td的第二极。
发光器件的阴极连接第六电压端V6。
提供一种具体的实施例，对于如图13所示的设计结构，每个亚像素10具体的补偿过程为：
对左上角的亚像素10进行TFT的阈值电压与mobility的波动补偿，在该阶段时，其他三个亚像素10均不点亮，仅左上角的亚像素10点亮。
电学补偿阶段：
第三晶体管T3在第一信号端S1的控制下截止，与第四电压端V4断开连接，第一晶体管T1在第二信号端S2的控制下开启，将第一电压端V1的低电平截止电压传输至第二晶体管T2的栅极，控制第二晶体管T2截止，同时光敏二极管D未反偏。第五晶体管T5在第三信号端S3的控制下开启，将S点的电流传输至读取信号线Sense。
光学补偿阶段：
电压重置阶段：第一晶体管T1在第二信号端S2的控制下将第一电压端V1的重置电压传输至光敏二极管D的阴极，重置电压大于第二电压端V2的电压，以使光敏二极管D反偏。
电荷积分阶段：光敏二极管D接收到亚像素10的光照后产生光电流，使得光敏二极管D的阴极(连接输出端A的电极)的电位下降，将下降后的光敏二极管D的阴极的电位传输至输出端A。
信号读取阶段：第一晶体管T1在第二信号端S2的控制下截止，第二晶体管T2在输出端A输出的电信号控制下开启，第三晶体管T3在第一信号端S1的控制下开启，将输出端A的信号传输至读取信号线Sense。
其中，本领域技术人员应该明白，光敏二极管D的阴极的电位下降后，仍是可以控制第二晶体管T2开启的，例如可以通过控制光照时长等方式来确保光敏二极管D的阴极的电位可以控制第二晶体管T2开启。
然后对右上角的亚像素10进行阈值电压与mobility的波动补偿，在该阶段时，其他三个亚像素10均不点亮，仅右上角的亚像素10点亮。
具体的补偿过程与上述相同，此处不在赘述，然后继续依次对左下角和右下角的亚像素10进行补偿。
当然，阵列基板上的亚像素10有多个，如图13中的结构，相当于将多个亚像素10分为多组，每组包括四个亚像素10，在补偿过程中，每组中的同一位置处(例如左上角)的亚像素10可以同时点亮检测补偿。
通过读取信号线Sense传出的信号，我们可以得出光敏二极管D的阴极下降后的电位，控制单元通过将下降后的电位和重置电压进行对比，我们即可反推出光强的大小，通过对比实际发光亮度和理论发光亮度，即可得出补偿量，通过对数据电压信号进行补偿来提高显示亮度的均一性。其中，控制单元例如可以是主控MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)，由MUC完成补偿。
需要说明的是，第一、本发明实施例对各个元件中的晶体管的类型不做限定，即上述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5以及驱动晶体管Td可以是为N型晶体管或者P型晶体管。本发明实施例以晶体管均为N型晶体管进行示意。
其中，上述晶体管的第一极可以是漏极、第二极可以是源极；或者，第一极可以是源极、第二极可以是漏极。本发明实施例对此不作限制。
此外，根据晶体管导电方式的不同，可以将上述像素电路中的晶体管分为增强型晶体管和耗尽型晶体管。本发明实施例对此不作限制。
第二、本发明实施例均是以第三电压端V3和第五电压端V5输入高电平VDD，第二电压端V2、第四电压端V4以及第六电压端V6输入低电平VSS为例进行的说明，第四电压端V4以及第六电压端V6也可以接地处理，这里的高、低仅表示输入的电压之间的相对大小关系。
关于光敏二极管D和自发光器件L的位置关系，本发明实施例可选的，如图14所示，光敏二极管D设置在第一晶体管T1与自发光器件L之间。
其中，图中可以看出第一晶体管T1与光敏二极管D相连，驱动晶体管Td与自发光器件L相连。第一晶体管T1用于向光敏二极管D的阳极传输重置电压或者低电平截止电压，其余薄膜晶体管并未在该图中示意出，但优选的本发明中阵列基板上的各薄膜晶管同步形成。
因此，图14中的阵列基板上各膜层的制作顺序是：制作完阵列基板上的薄膜晶体管后，则开始制作光敏二极管D，然后开始制作自发光器件L等后续步骤，该制作工艺只是在原有OLED工艺基础上增加光敏二极管D工艺即可。
进一步的，考虑到制备工艺等因素，本发明实施例优选的，如图15所示，自发光器件L的靠近驱动晶体管Td的第一电极31通过第一层间导电层41与驱动晶体管Td的第二极电连接，光敏二极管D通过第二层间导电层42与第一晶体管T1的第一极电连接，第一晶体管T1的第二极通过第一信号线43与第一电压端V1电连接，第一层间导电层41、第二层间导电层42、第一信号线43同层设置。
其中，阵列基板上的导电层之间相互电连接时，可以是直接电连接，也可以是通过层间绝缘层上的过孔实现电连接，层间绝缘层的设置位置以及厚度根据阵列基板上的具体结构合理设置即可。
第一层间导电层41、第二层间导电层42、第一信号线43同层设置，即通过同一次构图工艺制备得到，第一层间导电层41、第二层间导电层42、第一信号线43的是导电材料即可。
进一步的，为了使亮度检测准确，优选的，如图15所示，光敏二极管D靠近发光器件的一侧设置有透明导电图案50，透明导电图案50通过第二信号线32与第二电压端V2电连接，自发光器件L的靠近驱动晶体管Td的第一电极31为反射电极，第一电极31与第二信号线32同层设置；其中，第一电极31在衬底上的正投影不覆盖透明导电层32在衬底上的正投影。
其中，第一电极31在衬底上的正投影不覆盖透明导电层32在衬底上的正投影，是指第一电极31在衬底上的正投影可以和透明导电层32在衬底上的正投影有重叠，但不会完全覆盖，这是为了自发光器件L发出的光能够直接照射到光敏二极管D上。
图15中以驱动晶体管Td为双栅结构进行示意，但并不做任何限定。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述阵列基板，还包括与读取信号线Sense连接的侦测集成电路；侦测集成电路包括多个用于接收检测信号的读取端，每一读取信号线Sense电性连接一读取端。
在进行光学补偿时，每个亚像素10对应的光感检测组件20负责对该亚像素10的发光强度信号进行采集，通过读取信号线Sense传输至侦测集成电路，最终通过侦测集成电路接收到后，反馈给控制单元，由控制单元完成补偿。
在一些实施例中，显示装置还包括与侦测集成电路连接的控制单元；控制单元用于根据侦测集成电路的读取端读取的与亚像素的发光亮度对应的电信号得到亚像素的实际发光亮度，通过对比实际发光亮度和理论发光亮度，对数据电压信号进行补偿。
其中，控制单元例如可以是主控MCU，由MUC完成补偿。
本发明实施例提供的显示装置包括上述任一种阵列基板，其有益效果与阵列基板的有益效果相同，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示装置的驱动方法，如图16所示，驱动方法包括：
光学补偿阶段：
S10、感光元件21检测亚像素10的发光亮度，并将与亚像素10的发光亮度对应的电信号传输至感光元件21的输出端A。
具体的，第一晶体管T1在第二信号端S2的控制下将第一电压端V1的重置电压传输至光敏二极管D的阴极，以使光敏二极管D反偏；光敏二极管D接收到亚像素10的光照后产生光电流，使得光敏二极管D的阴极的电位下降，将下降后的光敏二极管D的阴极的电位传输至输出端A。
此时，第三信号端S3控制第五晶体管T5截止。
S20、信号读取元件22对输出端A输出的电信号进行读取，经读取信号线Sense传输至侦测集成电路。
具体的，第二晶体管T2在输出端A输出的电信号控制下开启，第三晶体管T3在第一信号端S1的控制下开启，将输出端A输出的电信号经读取信号线Sense传输至侦测集成电路。
其中，侦测集成电路将检测结果反馈给主控MCU，由MUC完成补偿。光学补偿可以是在现有技术中电学补偿的基础上进一步的补偿，也可以是仅由光学补偿，不进行现有技术中的电学补偿。
若进行电学补偿的话，所述驱动方法还包括：
电学补偿阶段：
第一晶体管T1在第二信号端S2的控制下将第一电压端V1的截止电压输至输出端A，控制第二晶体管T2截止；第三晶体管T3在第一信号端S1的控制下截止。
亚像素10正常显示，第五晶体管T5在第三信号端S3的控制下将驱动晶体管Td第二极的电信号传经读取信号线Sense传输至侦测集成电路。
其中，与同一读取信号线Sense连接的多个亚像素10分时驱动显示。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种阵列基板，包括多个亚像素，其特征在于，每一所述亚像素对应设置有光感检测组件，所述光感检测组件包括感光元件和信号读取元件；
所述感光元件，连接第一电压端以及第二电压端，用于检测所述亚像素的发光亮度，并将与所述亚像素的发光亮度对应的电信号传输至所述感光元件的输出端；
所述信号读取元件，还连接所述输出端以及读取信号线，用于对所述输出端输出的电信号进行读取，并传输至所述读取信号线；
其中，所述亚像素和与其对应设置的所述光感检测组件中的感光元件的至少部分对应。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号读取元件还连接第一信号端、所述输出端以及读取信号线，用于在第一信号端的控制下，对所述输出端输出的电信号进行读取，并传输至所述读取信号线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件包括串联在所述第一电压端和所述第二电压端之间的第一晶体管和光敏二极管，所述第一晶体管的栅极连接第二信号端；
所述输出端连接在所述第一晶体管和所述光敏二极管之间。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述信号读取元件包括串联在第三电压端和第四电压端之间的第二晶体管和第三晶体管；所述第二晶体管的栅极连接所述输出端，所述第三晶体管的栅极连接所述第一信号端；
所述读取信号线连接在所述第二晶体管和所述第三晶体管之间。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述信号读取元件还包括电流源，所述电流源连接在所述第三晶体管与所述第四电压端之间。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，与同一列所述亚像素对应设置的多个所述光感检测组件中的信号读取元件共用同一所述电流源；
和/或，
与同一列所述亚像素对应设置的多个所述光感检测组件连接同一所述读取信号线。
7.根据权利要求1或3所述的阵列基板，其特征在于，每一所述亚像素包括第四晶体管、驱动晶体管、第五晶体管、自发光器件以及存储电容；
所述第四晶体管的栅极连接扫描信号端，第一极连接数据电压端，第二极连接所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的一端；
所述驱动晶体管的第一极连接第五电压端，第二极连接所述自发光器件的阳极；
所述第五晶体管的栅极连接第三信号端，第一极连接所述驱动晶体管的第二极，第二极连接所述读取信号线；
所述存储电容的一端还连接所述驱动晶体管的栅极，另一端连接所述驱动晶体管的第二极；
所述发光器件的阴极连接第六电压端。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件包括第一晶体管和光敏二极管的情况下，所述光敏二极管设置在所述第一晶体管与所述自发光器件之间。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述自发光器件的靠近所述驱动晶体管的第一电极通过第一层间导电层与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述光敏二极管通过第二层间导电层与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第一晶体管的第二极通过第一信号线与所述第一电压端电连接，所述第一层间导电层、所述第二层间导电层、所述第一信号线同层设置；
和/或，
所述光敏二极管靠近所述发光器件的一侧设置有透明导电图案，所述透明导电图案通过第二信号线与所述第二电压端电连接，所述自发光器件的靠近所述驱动晶体管的第一电极为反射电极，所述第一电极与所述第二信号线同层设置；其中，所述第一电极在衬底上的正投影不覆盖所述透明导电层在所述衬底上的正投影。
10.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，每一所述亚像素分别对应设置有一所述光感检测组件；
或者，
沿行方向上相邻的两个所述亚像素对应同一个所述光感检测组件；和/或，沿列方向上相邻的两个所述亚像素对应同一个所述光感检测组件。
11.一种显示装置，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板，还包括与所述读取信号线连接的侦测集成电路；
所述侦测集成电路包括多个用于接收检测信号的读取端，每一所述读取信号线电性连接一所述读取端。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，还包括与所述侦测集成电路连接的控制单元；
所述控制单元用于根据所述侦测集成电路的读取端读取的与亚像素的发光亮度对应的电信号得到所述亚像素的实际发光亮度，通过对比实际发光亮度和理论发光亮度，对数据电压信号进行补偿。
13.一种显示装置的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法包括：
光学补偿阶段：
感光元件检测亚像素的发光亮度，并将与所述亚像素的发光亮度对应的电信号传输至所述感光元件的输出端；
信号读取元件对所述输出端输出的电信号进行读取，经所述读取信号线传输至侦测集成电路；
其中，与同一所述读取信号线连接的所述亚像素分时驱动。
14.根据权利要求13所述的驱动方法，其特征在于，所述感光元件包括第一晶体管和光敏二极管，所述信号读取元件包括第二晶体管和第三晶体管；
所述感光元件检测亚像素的发光亮度，并将与所述亚像素的发光亮度对应的电信号传输至所述感光元件的输出端，具体包括：
所述第一晶体管在第二信号端的控制下将第一电压端的重置电压传输至所述光敏二极管的阴极，以使所述光敏二极管反偏；所述光敏二极管接收到所述亚像素的光照后产生光电流，使得所述光敏二极管的阴极的电位下降，将下降后的所述光敏二极管的阴极的电位传输至所述输出端；
和/或，
所述信号读取元件对所述输出端输出的电信号进行读取，并传输至所述读取信号线，具体包括：
所述第二晶体管在所述输出端输出的电信号控制下开启，所述第三晶体管在第一信号端的控制下开启，读取所述输出端输出的电信号后经所述读取信号线传输至所述侦测集成电路。
15.根据权利要求14所述的驱动方法，其特征在于，所述亚像素包括第四晶体管、驱动晶体管、第五晶体管、自发光器件以及存储电容；所述驱动方法还包括：
电学补偿阶段：
所述第一晶体管在所述第二信号端的控制下将第一电压端的截止电压输至所述输出端，控制所述第二晶体管截止；所述第三晶体管在所述第一信号端的控制下截止；
所述亚像素正常显示，所述第五晶体管在第三信号端的控制下将所述驱动晶体管第二极的电信号传经所述读取信号线传输至所述侦测集成电路。
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