CN1758022A - 缺陷检查方法 - Google Patents

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深泽和彦
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Abstract

本发明提供一种可以以高S/N比进行最上层的图形，特别是孔图形的检查的缺陷检查装置。从由照明光(L1)照明的晶片(2)产生衍射光(L2)，将其导入受光光学系统(4)而聚光，将衍射光(L2)产生的晶片(2)的像成像在作为本发明的摄像装置的摄像元件(5)上。图像处理装置(6)进行由摄像元件(5)取入的图像的图像处理，检测缺陷。调整偏振片(7)，以便照明光(L1)以S偏振光对晶片(2)进行照明，并且其振动面和晶片(2)的交线与在晶片(2)上形成的布线图形平行或者垂直，调整偏振片(8)，以便从来自晶片(2)的衍射光中取出P偏振光的线偏振光。由此，可以将孔图形的检查与存在于它下面的布线图形相区别来进行检查，可以以S/N比良好的状态来检查表层的缺陷。

Description

缺陷检查方法
技术领域
本发明涉及例如在半导体元件等的制造过程中，检测基板表面的不均、伤等缺陷的检查方法。
背景技术
在半导体器件和液晶基板的制造中，重复进行形成各种不同的电路图形，将其重叠多层的作业。形成各电路图形的工艺的概要为：在基板表面涂布保护膜，通过曝光装置将网线(reticule)或掩膜(mask)上的电路图形烧结在保护膜上，通过显影形成保护膜随构成的电路图形后，检查在图形中是否存在异常。
图7是表示为了这样的目的而使用的以往的检查装置的概要的图。对载置于台3上的晶片2照射照明光L1，将从形成在晶片2上的重复图形(未图示)产生的衍射(回折)光L2所产生的基板的图像取入摄像元件5。然后，通过图像处理装置6进行图像处理，与正常的基板的图像进行比较等，从而检测基板表面的缺陷。衍射光从晶片2出射的方向随重复图形的间距而不同，所以与此匹配，适当地倾斜台3。在作为这样的装置的例子而公开的技术中，有日本专利特开平11-51874号公报。
〔专利文献1〕特开平11-51874号公报
这里，要检查的对象是形成于晶片2的最上层(最表层)的保护膜图形，但是照射基板的光的一部分通过最上层的保护膜层而照射形成于衬底(下地)上的图形。因此，从基板整体产生的衍射光不仅受到最上层的保护膜图形的影响，还受到衬底的图形的影响。因此，存在在衬底的图形的影响大的情况下，该影响成为噪声，原来要检查的最上层的图形信息相对地变少，S/N比变差的问题。特别是结合不同的层的电路图形的接触孔等的孔图形，由于细微，图形密度小，所以由于其信号强度微弱而容易受到衬底的影响，以前不能充分地检测缺陷。
还有，在最上层的图形和其下的图形之间，设有在检查中使用的吸收光的反射防止膜的情况下，虽然没有这样的问题，但是存在难以取得在最上层上形成的图形的立体信息的问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的，课题是提供一种能以高S/N比进行最上层的图形的检查的缺陷检查方法以及孔图形的检查方法。
用于解决上述课题的本发明的第一方式是一种缺陷检查方法，检查作为被检查体的基板的缺陷，其特征在于，用P偏振光的线偏振光对所述基板进行照明，对来自所述基板的衍射光所产生的所述基板的像进行摄像，处理拍摄到的图像而检测所述基板的缺陷。
在本第一方式中，由于以P偏振光的线偏振光的照明光对基板进行照明，所以在基板表面的图形的表面不被反射而进入基板图形的内部，于是在基板层间的界面被反射的光变多。因此，可以捕捉基板表面的图形的三维的整体结构的变化，进行高效的检查。
用于解决上述课题的本发明的第二方式是一种缺陷检查方法，对作为被检查体的基板的表面缺陷进行检查，其特征在于，用照明光对所述基板进行照明，对来自所述基板的衍射光中包含的P偏振光的线偏振光所产生的所述基板的像进行摄像，处理拍摄的图像，检测所述基板的缺陷。
在本第二方式中，由于对来自基板的衍射光中包含的P偏振光的线偏振光所产生的基板的像进行摄像，所以与前述第一方式相同，可以捕捉基板表面的图形的三维的整体结构的变化，进行高效的检查。
用于解决前述课题的本发明的第三方式是一种孔图形检查方法，其特征在于：使用前述第一方式或者第二方式中的任意一种来检测在基板的表面形成的孔图形的缺陷。
一般而言，连接孔等孔图形尺寸细微，用以往的检查方法不能进行确实的检查。按照第三方式，可以使背景噪声降低，所以可以以优良的S/N比进行孔图形的检查。
用于解决前述课题的本发明的第四方式是一种对作为被检查体的基板的表面上形成的图形的缺陷进行检查的方法，其特征在于，用S偏振光的线偏振光对所述基板进行照明，所述S偏振光的线偏振光的振动面与所述基板的交线平行或者垂直于在与所述孔图形不同的层上形成的布线图形，利用除去来自所述基板的衍射光中包含的S偏振光的线偏振光后剩余的光对所述基板的像进行摄像，处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
在本说明书和权利要求中，所谓线偏振光的振动面指包含线偏振光的电场向量和光的前进方向向量的平面。
在本第四方式中，以S偏振光的线偏振光的照明光对基板进行照明，而且其振动面和基板的交线与在基板上形成的布线图形平行或者垂直。然后利用除去来自基板的衍射光中包含的S偏振光的线偏振光后剩余的光来拍摄基板的像。
这样，对于布线图形，入射到边缘部分的偏振光的振动方向垂直或者平行，振动成分只在与图形垂直的方向或者平行的方向，所以不会由于来自图形的影响而在振动方向上产生变化，偏振光的朝向本身也不变化。
因此，在被检测的光中，来自布线图形的正常部的反射光变少，来自异常部的反射光变多，可以使缺陷检测的S/N比提高。
作为从衍射光除去S偏振光的线偏振光的方法，有配置偏振片，使得在照明光和衍射光之间交叉尼科耳(クロスニコル)的条件成立的方法。
用于解决前述课题的本发明的第五方式是一种缺陷检查方法，对作为被检查体的基板的表面上形成的图形的缺陷进行检查，其特征在于，用P偏振光的线偏振光对所述基板进行照明，所述P偏振光的线偏振光的振动面与所述基板的交线平行或者垂直于在与所述孔图形不同的层上形成的布线图形，利用除去来自所述基板的衍射光中包含的P偏振光的线偏振光后剩余的光对所述基板的像进行摄像，处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
在本第五方式中，用P偏振光的线偏振光的照明光对基板进行照明，仅这一点与第四方式不同，其原理与前述第四方式相同。因此，与前述第四方式相同，可以在被检测的光中抑制来自布线图形的形状的影响，仅提取与孔图形的形状有关的信号，使缺陷检测的S/N比提高。
如上所述，按照本发明，能提供一种能以高S/N比进行最上层的图形的检查的缺陷检查装置、缺陷检查方法以及孔图形的检查方法。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的缺陷检查装置的概要的图。
图2是表示来自基板表面和衬底的P偏振光和S偏振光的反射的状态的图。
图3是表示作为本发明的第二实施方式的缺陷检查装置的概要的图。
图4是表示孔图形的例子的图。
图5是示意地表示分别通过本发明的缺陷检查装置和以往的缺陷检查装置拍摄了孔图形的例子。
图6是表示作为本发明的第三实施方式的缺陷检查装置的概要的图。
图7是表示以往的检查装置的概要的图。
具体实施方式
以下利用附图说明本发明的实施方式的例子。图1是表示作为本发明的第一实施方式的缺陷检查装置的概要的图。从灯室LS发射的照明光L1由构成照明光学系统1的透镜11变换为基本平行的光，对载置于台3上的晶片2进行照明。在灯室LS内部内置了未图示的卤素灯或者金属卤化物灯等光源和波长选择滤光器，仅利用一部分波长的光作为照明光L1。
在灯室LS的射出部附近配置了偏振片7，将从灯室LS射出的照明光L1变为线偏振光。偏振片7可以以照明光学系统1的光轴为旋转中心进行旋转，所以可以任意地改变照明晶片2的线偏振光的偏振光方向。偏振片7可以通过未图示的机构进行拆装。在台3上设置了未图示的倾斜移动机构，以和纸面垂直的轴AX为中心，倾斜移动台3。
从通过照明光L1照明的作为基板的晶片2产生衍射光L2。由于重复图形的间距和照明光L1的波长，衍射光L2的衍射角变化。根据衍射角适当倾斜移动台3，生成的衍射光L2被导入由透镜41、透镜42构成的受光光学系统4而被聚光，将衍射光L2所给出的晶片2的像成像在摄像元件5上。摄像元件5是本发明的摄像装置。也可以使从灯室LS至照明光学系统1的整体，或者从受光光学系统4至摄像元件5的整体以AX轴为中心旋转，替代使台3倾斜移动，也可以将它们组合而分别使其适当地倾斜移动。
图像处理装置6进行摄像元件5取入的图像的图像处理。如果存在曝光装置的散焦或者形成的图形的膜厚不均等异常，则正常部分和缺陷部分的衍射效率不同，所以在得到的图像中产生亮度的差。在图像处理中将其作为缺陷来检测。还有，也可以将正常的图形的像预先存储于图像处理装置6中，通过取得该图像与被测试的图形的差的量来检测异常。
衍射光L2是由晶片2表面的保护膜图形(上层图形)衍射的衍射光和通过表面的保护膜图形到达衬底的图形(下层图形)并在此处衍射的衍射光的合成。
这里，偏振片7被围绕光轴进行旋转调整，使得照明光L1以S偏振光照明晶片2，并且S偏振光的振动面和晶片2面的交线与在晶片2上形成的布线图形平行或者垂直。这里的所谓S偏振面是振动面与纸面垂直的线偏振光。另外，P偏振光面是振动面与纸面平行的线偏振光。一般来说，光从空气到达薄膜时的在薄膜表面的光的反射率依赖于薄膜的折射率和入射角，P偏振光和S偏振光有所不同。在0°＜入射角＜90°的范围内，S偏振光的表面反射率高。
在考虑了存在多个图形层的情况下，S偏振光由于表面反射率高，因而到达衬底的光量变少。因此，衍射光的光量也受其影响，对上层的保护膜图形上衍射的光量和衬底的图形上衍射的光量进行了比较，S偏振光在上层的保护膜图形上衍射的光量多。
利用图2说明该情况。图2表示非偏振光、S偏振光、P偏振光分别入射到表层和衬底所构成的面而反射的样子。将非偏振光的情况下表层反射的光量设为a，将表层和衬底的界面反射的光量设为b，将S偏振光的情况下表层反射的光量设为as，将表层和衬底的界面反射的光量设为bs，将P偏振光的情况下表层反射的光量设为ap，将表层和衬底的界面反射的光量设为bp，则：
ap＜a＜as
bp＞b＞bs
因此，通过使用S偏振光，可以相对增大在表层表面反射的光量，可以不受衬底的影响地进行表面的检查。
另外，即使偏振片7不插入照明光学系统而插入受光光学系统，从接收的衍射光中提取S偏振的成分，也可以得到与将偏振片插入照明光学系统时相同的效果。
另一方面，在表层之下存在防止反射膜，来自衬底的反射光(衍射光)几乎不存在的情况下，以及以非整面图形的金属膜覆盖表层之下等情况下，与S偏振光相比，希望入射P偏振光，围绕光轴旋转调整偏振片7，使得照明光L1以P偏振光照明晶片2。这里的P偏振光是振动面与纸面平行的线偏振光。虽然P偏振光与S偏振光相比在表面的反射率低，但是由于几乎不受衬底的图形的影响，所以即使入射P偏振光也没有问题。P偏振光入射到表层的内部的光量比S偏振光多，所以具有容易捕捉表层的图形的三维的整体结构的变化的优点。
特别是孔图形的截面形状的检查，在过去，将基板割断，通过扫描型的电子显微镜观察截面的形状的破坏检查法是唯一的方法。孔图形由于与线和空间图形不同，图形的密度小，所以仅根据多个孔图形中与基板的剖切面一致的很少的孔图形的截面来进行检查。还有，有时由于晶片(Wafer)的晶轴与孔图形的形成方向，多个孔图形的截面的任何一个都不与剖切面一致。这样，孔图形的截面形状的观察在基板的切断中需要检查者的技术，是困难的作业。按照本发明，以P偏振光进行孔图形的检查，捕捉孔图形的三维的整体结构的变化，所以能非破坏地并且容易地进行孔图形的三维的检查。
另外，即使偏振片7插入受光光学系统而不插入照明光学系统，从接收的衍射光提取P偏振光的成分，也可以取得与将偏振片插入照明光学系统时相同的效果。
图3是表示本发明的第二实施方式的缺陷检查装置的概要的图。在以下的图中，对与前面的图中表示的结构要素相同的结构要素赋予相同的标号并省略其说明。第二实施方式在图1所示第一实施方式的受光光学系统4中，追加了偏振片8。偏振片8可以受光光学系统4的光轴为旋转中心而旋转，从而可以取出来自晶片衍射光L2中的任意的偏振光方向的线偏振光。还有，可以通过未图示的机构进行拆装。
根据发明人等确认的事实，在作为该第二实施方式的缺陷检查装置中，将照明光L1设为线偏振光(最好如前述那样，成为在基板表面的反射率高的偏振光状态)来照明晶片2，以调整了各个偏振片7、8，使得从来自晶片2的衍射光L2中提取在与照明光L1正交方向振动的线偏振光的状态，即所谓交叉尼科耳的状态来进行检查，在孔图形的检查中特别有效。即，最好在照明光L1对于晶片2为P偏振光的情况下，在来自晶片2的衍射光L2中检测S偏振光，照明光L1对于晶片2为S偏振光的情况下，在来自晶片2的衍射光L2中检测P偏振光。
通常，在交叉尼科耳的状态下，图像成为暗视野，可以将形成孔图形的区域作为图像进行摄像。这可以说明如下。如果入射线偏振光，则在试料表面反射衍射时偏振光状态变化而成为椭圆偏振光(出现在与入射线偏振光的振动方向垂直的方向上振动的成分)。因此，通过设为交叉尼科耳的状态，就可以仅取出偏振光状态在入射试料前后变化了的成分。
如果详细叙述的话，通常，对于入射到布线图形上的偏振光，考虑到分解为与布线图形的直线方向(边缘(edge)部分)平行的方向，以及与布线图形的直线方向垂直的方向(重复方向)的两个成分的话，平行的成分和垂直的成分对间距和占空比等布线图形的形状所引起的反射率和相位的偏差量的影响分别不同，所以反射了布线图形的偏振光，即将反射后的与布线图形平行的成分和垂直的成分合成的偏振光相对于入射的偏振光，形状就会变化。因此，如果调整基板和照明光学系统的相对位置，使得对于与孔图形不同层的布线图形，入射到边缘部分的偏振光的振动面和晶片面的交线垂直或者平行，则图形衍射的光的偏振光的振动方向几乎不变化。这时，对于布线图形，入射到边缘部分的偏振光的振动方向垂直或者平行，所以振动成分只在与布线图形的直线方向垂直的方向或者平行的方向，在振动方向上不随来自图形的影响而产生变化，所以偏振光的朝向本身不变化。与此相对，由于孔图形是圆形的图形，所以入射的线偏振光的振动方向和边缘部分的方向的关系由于孔图形的边缘位置而有各种各样(相对于边缘的方向，振动面以既不是垂直也不是平行的角度倾斜入射)。因此，可以从孔图形衍射的光中，以不降低的状态取出来自孔图形的部分的信号成分，可以将其与孔图形下存在的布线图形进行分离。
作为交叉尼科耳的组合，有入射S偏振光作为照明光，从来自晶片的衍射光中取出P偏振光成分的情况，以及入射P偏振光作为照明光，从来自晶片的衍射光中取出S偏振光成分的情况。在希望尽可能减少来自衬底的影响的情况下适用前者，在希望高效地捕捉孔图形的三维整体结构的变化的情况下适用后者，根据各种情况适当地调整偏振片7、8。
在这种情况下，由于可以减小衬底的影响，所以通过以P偏振光进行孔图形的检查，从而捕捉孔图形的三维的整体结构的变化，可以非破坏地并且容易地进行孔图形的三维的检查。
图4表示孔图形的例子。图4(a)是表示将布线图形21作为下层而在其上形成的连接孔22的样子的图，图4(b)是表示将绝缘层25作为下层而在其上形成的连接孔22的样子的图。两者都是上侧为平面图，下侧为A-A截面图。此处，为了容易理解，在图4(a)的平面图中，将保护膜23作为透明部分来显示。
在图4(a)中，在基板24上形成布线图形21，在其上以规定的孔图形形成连接孔22。没有形成布线图形21的部分用保护膜23覆盖，在布线图形上没有形成连接孔22的部分也用保护膜23覆盖。
在图4(b)中，在基板24上形成布线图形21，在没有形成布线图形21的部分以及布线图形21的上部用绝缘层25覆盖。然后，贯通绝缘层25，以规定的图形形成连接孔22。
在图4(a)的构成中，在连接孔22的正下方形成布线图形21。布线图形21的图形的密度比连接孔22的图形的密度大。还有，与布线图形21一般由光反射率高的铜、铝等金属形成相反，保护膜23由透过光的聚羟基苯乙烯(polyhydroxy styrene)等有机化合物等形成。因此，来自形成于保护膜23上的连接孔22的衍射光的强度比透过保护膜23被布线图形21衍射的衍射光的强度小，由连接孔22衍射的衍射光的信号被由布线图形21衍射的衍射光覆盖。
基于这样的理由，不能检测来自连接孔22的衍射光的信号。
还有，在图4(b)中，在基板24上形成布线图形21，在其上形成绝缘层25。在绝缘层25上形成保护膜23，在保护膜23上以规定的图形配置而形成连接孔22。绝缘层25一般使用透明的SiO2，所以透过保护膜23的光不被绝缘层25吸收地到达在其下面形成的布线图形。因此，透过保护膜23和绝缘层25的光到达布线图形21，从而产生来自布线图形21的衍射光。
在这种情况下，也和图4(a)相同，由在保护膜23上形成的连接孔22衍射的衍射光的强度，比透过保护膜23而由布线图形21衍射的衍射光的强度小，由连接孔22衍射的衍射光的信号被由布线图形21衍射的衍射光的信号覆盖。因此即使在夹持绝缘层25而形成布线图形21的情况下，也不可能检测来自连接孔22的衍射光的信号。
发明者准备具有图4(a)那样的结构的基板，即在具有由铝(Al)构成的没有缺陷的重复图形的布线图形上成膜了保护膜层的晶片，以最佳聚焦、最佳曝光量的曝光条件为中心，使聚焦量、曝光量变化而进行孔图形的曝光。
显影后的保护膜图形，以最佳聚焦、最佳曝光量的曝光条件曝光的图形以按照设计值的直径形成截面为矩形的孔图形，但是，随着远离该聚焦以及曝光条件，孔图形的直径与设计值产生偏差，同时图形截面的矩形性也降低。
用图7所示的以往的检查装置拍摄了这样制作的晶片上的各种孔图形。
在图5(b)中表示拍摄的图像的示意图。这里，表示在一张晶片上形成曝光条件不同的9个孔图形，它们各个拍摄的亮度。在图中，中心的孔图形表示以最佳聚焦、最佳曝光量曝光的图形，右侧的图形表示焦点向光轴方向正向偏离的图形，左侧的图形表示焦点向光轴方向负向偏离的图形。还有，下侧的图形表示曝光量向正侧偏离的图形，上侧的图形表示曝光量向负侧偏离的图形。
如图所示，在该状态下，由于来自衬底的重复图形的衍射光的影响，孔图形的变化不能作为每个拍照(shot)区域的亮度的不同而被捕捉。因此，哪个孔图形的亮度都相同地被拍摄。
用图3所示的检查装置拍摄相同的晶片，以交叉尼科耳条件成立的状态对来自孔图形的衬底的衍射光进行测试。图5(a)是拍摄的图像的示意图。来自衬底的重复图形的衍射光被除去，曝光装置的聚焦量和曝光量的变化如图所示那样作为每个孔图形区域的亮度的差别而被捕捉。
孔直径根据聚焦量和曝光量的变化而变化，这导致衍射效率的不同，成为图像的亮度的差。亮度的不同在图像处理中可以被充分识别，可以判断曝光装置的散焦、曝光量不合适导致的孔图形的不良。
图6是表示本发明的实施方式三的缺陷检查装置的概要的图。本实施方式仅在第二实施方式的受光光学系统4中的偏振片8和晶片2之间配置了1/4波片9方面与第二实施方式不同。1/4波片9可以以受光光学系统4的光轴为旋转中心而旋转。而且可以通过未图示的结构进行拆装。1/4波片如公知那样，具有根据旋转方向，将入射的光的偏振光状态变换为线偏振光和椭圆偏振光、圆偏振光的功能。
如前所述，衍射光L2是由上层的图形衍射的衍射光和由衬底的图形衍射的衍射光的合成，偏振光状态各自不同。因此，旋转调整1/4波片9，使得来自衬底的衍射光成为线偏振光，进而旋转调整偏振片8，使得取出与被变换的线偏振光的振动方向垂直的方向振动的光，即成为交叉尼科耳状态。由此，去除来自衬底的衍射光。这里，虽然来自上层的衍射光通过1/4波片9以后偏振光状态会变化，但由于不是线偏振光，所以可以通过偏振片8。这样，衍射光L2在通过偏振片8以后，除去来自衬底的衍射光，成为仅来自上层的衍射光，所以可以不受衬底影响地以S/N比良好的状态进行检查。
另外，不把1/4波片插入受光光学系统4，而插入照明光学系统1的偏振片7和晶片2之间并适当旋转，也可以将由晶片2衍射的衍射光中来自衬底的衍射光变为线偏振光。因此，可以得到与将1/4板插入受光光学系统时相同的效果。

Claims (10)

1.一种缺陷检查装置，检查作为被检查体的基板的缺陷，其特征在于，包括：
照明光学系统，用P偏振光的线偏振光对所述基板进行照明；
摄像装置，对来自所述基板的衍射光产生的所述基板的像进行摄像；以及
处理装置，处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
2.一种缺陷检查装置，检查作为被检查体的基板的缺陷，其特征在于，包括：
照明光学系统，用照明光对所述基板进行照明；
受光光学系统，接收来自所述基板的P偏振光的衍射光；
摄像装置，对来自所述基板的衍射光产生的所述基板的像进行摄像；以及
处理装置，处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
3.一种缺陷检查装置，检查作为被检查体的基板的缺陷，其特征在于，包括：
照明光学系统，用P偏振光的线偏振光对所述基板进行照明；
受光光学系统，接收来自所述基板的S偏振光的衍射光；
摄像装置，对来自所述基板的衍射光产生的所述基板的像进行摄像；以及
处理装置，处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
4.如权利要求1所述的缺陷检查装置，其特征在于，检测在所述基板的表面形成的孔图形的缺陷。
5.如权利要求3所述的缺陷检查装置，其特征在于，检测在所述基板的表面形成的孔图形的缺陷。
6.一种缺陷检查方法，对作为被检查体的基板的表面缺陷进行检查，其特征在于，
用P偏振光的线偏振光对所述基板进行照明；
对来自所述基板的衍射光产生的所述基板的像进行摄像；以及
处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
7.一种缺陷检查方法，对作为被检查体的基板的表面缺陷进行检查，其特征在于，
用照明光对所述基板进行照明；
对来自所述基板的衍射光中包含的P偏振光的线偏振光产生的所述基板的像进行摄像；以及
处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
8.一种孔图形的检查方法，其特征在于，使用权利要求6或7所述的缺陷检查方法，检测在基板的表面形成的孔图形的缺陷。
9.一种缺陷检查方法，对作为被检查体的基板的表面上形成的图形的缺陷进行检查，其特征在于，
用S偏振光的线偏振光对所述基板进行照明，所述S偏振光的线偏振光的振动面与所述基板的交线平行或者垂直于在与所述孔图形不同的层上形成的布线图形；
利用除去来自所述基板的衍射光中包含的S偏振光的线偏振光后剩余的光对所述基板的像进行摄像；以及
处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
10.一种缺陷检查方法，对作为被检查体的基板的表面上形成的图形的缺陷进行检查，其特征在于，
用P偏振光的线偏振光对所述基板进行照明，所述P偏振光的线偏振光的振动面与所述基板的交线平行或者垂直于在与所述孔图形不同的层上形成的布线图形；
利用除去来自所述基板的衍射光中包含的P偏振光的线偏振光后剩余的光对所述基板的像进行摄像；以及
处理拍摄的图像而检测所述基板的缺陷。
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