CN1716578A - 半导体装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供在确保与使用含铅的场合有同等的对热循环的耐久性的同时，实现抑制热电阻及耐热性，抑制制造成本上升的半导体装置及其制造方法。铜材构成散热器1的主面与绝缘基板2连接。绝缘基板2的背面图案5通过基板下焊锡层7与散热器1的主面连接，由此，绝缘基板2固定在散热器1。在构成绝缘基板2的陶瓷基体材料3的边缘部外部的散热器1的主面内，在陶瓷基体材料3的四方形的角部外部设置内壁向内侧倾斜的倾斜槽15。

Description

半导体装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法，具体地说，涉及在绝缘基板上搭载半导体元件，通过焊接将该绝缘基板连接到树脂盒底面的散热器上的半导体装置及其制造方法。

背景技术

在绝缘基板上搭载半导体元件，通过焊接将该绝缘基板连接到树脂盒底面的散热器上的半导体装置中，散热器使用铜(Cu)材时，再加上热循环，则会由绝缘基板和Cu之间的热膨胀系数的差而造成连接散热器和绝缘基板的焊锡层(称为基板下焊锡层)中产生裂纹。

这里特别成为问题的是，当今，使用从环境保护的观点来促进利用的不含铅的无铅焊锡。

例如，Sn-Ag-cu系，Sn-Zn系，或者，在这些里添加Bi、Ni、Co、Sb等的无铅焊锡，基板下焊锡层的挠曲若相同，则与含铅焊锡相比，对热循环的耐久性性能低下，这点发明者已经通过试验明确。

即，在无铅焊锡构成的基板下焊锡层及含铅焊锡构成的基板下焊锡层中裂纹发生时，若焊锡层的挠曲为相同时，则对于与产品寿命相关的热循环的反复次数，由无铅焊锡构成的基板下焊锡层是由含铅焊锡构成的基板下焊锡层的约5分之1。

因而，在基板下焊锡层中使用上述组成的无铅焊锡时，为了确保与使用含铅焊锡时同等的热循环的耐久性，维持可靠性，可考虑降低焊锡层的挠曲。

从上述试验结果，已确认在基板下焊锡层使用无铅焊锡时，必须降低到使用含铅焊锡时的挠曲的约45％。

为了降低基板下焊锡层的挠曲，考虑加厚基板下焊锡层的厚度，减薄散热器的厚度，减薄绝缘基板的厚度等，分别进行试验时，会产生热电阻的增大、散热器变形的增大，构成绝绿基板的陶瓷基体材料的裂纹出现等新问题，结果，使用无铅焊锡时的挠曲不能降低到使用含铅焊锡时挠曲的约45％。

另外，散热器使用热膨胀系数小的材料时，可达到上述数值目标，但该材料的成本比Cu高大约10倍，得到的不是实用的解决方法。

这里，专利文献1中，虽然未言及针对无铅焊锡的利用，但为防止基板下焊锡层中生成裂纹，公开了在绝缘基板的周围形成流入基板下焊锡层的凹部的结构。

[专利文献1]特开2002-57280号公报(图11～图13)

发明内容

如以上说明，即使基板下焊锡层使用无铅焊锡时，为确保与使用含铅焊锡时同等的热循环的耐久性的传统的试验，有会产生使热电阻的增大，散热器的变形的增大，构成绝缘基板的陶瓷基体材料中裂纹发生等新问题，和制造成本上并不实用的问题。

本发明是针对消除上述的问题点所提出，目的是提供：在确保与使用含铅焊锡时有同等的热循环的耐久性，实现抑制热电阻及确保耐热性，抑制制造成本的上升的半导体装置及其制造方法。

本发明的半导体装置，具备：

搭载半导体元件的矩形状的绝缘基板；

在主面上与上述绝缘基板连接的散热器；

将上述散热器作为底面的树脂盒；

填充到上述树脂盒内的硬化性树脂，

上述散热器的上述主面与上述绝缘基板的连接是由，

构成上述绝缘基板的陶瓷基体材料和上述散热器的上述主面之间形成的无铅焊锡层实现的，

上述散热器，

具有至少设置在与上述陶瓷基体材料的四方形的角部外部对应的上述主面内的，沿上述角部扩展且其内壁向内侧倾斜的倾斜槽。

本发明的半导体装置的制造方法，

上述独立倾斜槽，通过

相对于具有与上述独立倾斜槽相同的槽底面宽度、槽深及平面视图形状的内壁垂直的槽，用具有比该槽的槽宽更宽的宽度且具有与上述独立倾斜槽相同平面视图形状的突出部的冲压模具来对上述槽的上部进行冲压，使上述槽的内壁上部向上述槽的内侧体积移动而形成。

根据本发明的半导体装置，由于具有倾斜槽，其至少设置在陶瓷基体材料的四方形角部外部对应的散热器的主面内，沿着角部扩展且内壁向内侧倾斜，因而，进入倾斜槽的硬化性树脂可防止无铅焊锡层的边缘部和散热器之间裂开，从而，当使用无铅焊锡固定绝缘基板时，即使施加热循环，也可防止无铅焊锡层产生裂纹及裂纹扩散。

根据本发明的半导体装置制造方法，由于可冲压加工而形成独立倾斜槽，因而，如果陶瓷基体材料的角部曲率相同，对各种大小和形状(正方形及长方形)的陶瓷基体材料，可通用冲压模具，抑制模具制作的费用，就可抑制半导体装置整体的制造成本的增加。另外，由于冲压区域限定在较窄范围内，冲压压力只需要较小即可，不需要使用大型的冲压装置，可抑制制造成本的增加。

附图说明

图1是说明本发明实施例的半导体装置的构成截面图。

图2是说明基板下焊锡层发生裂纹的发生状况的图。

图3是说明基板下焊锡层发生的裂纹的发生状况的图。

图4是说明本发明实施例的半导休装置的构成的平面图。

图5是说明倾斜槽的构成截面图。

图6是表示确定倾斜槽的构成各因子的实测结果的图。

图7是表示确定倾斜槽的构成各因子的实测结果的图。

图8是说明本发明实施例的半导体装置的变形例1的构成平面图。

图9是说明本发明实施例的半导体装置的变形例2的构成平面图。

图10是说明本发明实施例的半导体装置的变形例3的构成平面图。

图11是说明冲压加工的倾斜槽的制造方法的截面图。

图12是说明冲压加工的倾斜槽的制造方法的截面图。

图13是说明冲压加工的倾斜槽的制造方法的截面图。

符号说明

1 散热器，2 绝绿基板，3 陶瓷基板，4 电路图案，5 背面图案，6半导体元件，7 基板下焊锡层，10 封装盒，15 倾斜槽，16 第1层模制树脂，17 第2层模制树脂 20 树脂盒 30 阻焊剂

具体实施方式

实施例

对本发明的半导体装置的实施例，使用图1～图13进行说明。

<A-1.装置构成>

<A-1-1.整体构成>

首先，使用图1对实施例的半导体装置100的构成进行说明。

图1是，表示半导体装置100的部分截面图，只表示了与发明相关的部分。

图1中，由铜(Cu)材构成的散热器1的主面上，与绝绿基板2连接。

绝缘基板2，使用氮化铝(AlN)作为陶瓷基体材料3，陶瓷基体材料3的下主面，即与散热器1面对的主面全面中，设置了由Cu或Al构成的厚为0.25mm～0.5mm的背面图案5。另外，作为陶瓷基体材料3，也可使用氧化铝(Al₂O₃)或氮化硅(Si₃N₄)。

另外，陶瓷基体材料3的上主面，即下主面相反侧的主面中，设置了由Cu或Al构成的厚为0.25mm～0.5mm的电路图案4。

另外，电路图案4及背面图案5，通过激活金属法的连接或直接连接与陶瓷基体材料3连接。

电路图案4，与半导体元件6经由半导体元件下焊锡层8进行连接。

另外，背面图案5，经由基板下焊锡层7(无铅焊锡层)与散热器1的主面连接，由此将绝缘基板2固定在散热器1上。

另外，基板下焊锡层7及半导体元件下焊锡层8由无铅焊锡构成，其组成是，例如，Sn-Ag-Cu系，Sn-Zn系，或在这些里面添加Bi、Ni、Co、Sb等。

而且，在构成绝缘基板2的陶瓷基体材料3的边缘部外部的散热器1的主面内设置有倾斜槽15(独立倾斜槽)，其设置在陶瓷基体材料3的四方形的角部外部，内壁向内侧倾斜。另外，对倾斜槽15将在下面进行详细说明。

散热器1的周围被树脂型的封装盒10所包围，构成以散热器1为底面、该底面为相反侧为开口部的树脂盒20。另外，封装盒10和树脂盒20通过粘接剂12粘接。

封装盒10的内部埋入了电极端子11，其中一个端部在封装盒10的内壁面中露出，将该端部和半导体元件6的电极电气连接的铝线9通过丝焊连接。另外，电极端子11的另一端部从封装盒10的上端面向外部突出。

而且，在树脂盒20内，从底面开始填充第1层模制树脂16(硬化性树脂)直至覆盖铝线9的水平，在第1层模制树脂16的上部，填充第2层模制树脂17(硬化性树脂)直至封装盒10的上端面，成为2层树脂构造。

第1层模制树脂16，由于也与半导体元件6的表面直接接触，线性膨胀系数和弯曲弹性率低，通过使用杂质少的模制树脂，可不损失极力、元件特性。

例如，使用线性膨胀系数为16～22(ppm/K)，弯曲弹性率为7.8～8.8GPa(GigaPascal)的树脂。另外，杂质的含量，钠(Na)离子及卤素(Cl)离子大概为40ppm以下。

另一方面，第2层模制树脂17，不需要有第1层模制树脂16那样严密规定的物性值，例如使用线性膨胀系数为25～27(ppm/K)，弯曲弹性率为11～13Gpa的树脂，但是也不一定要在该范围内。另外，杂质的含量没有特别的规定。

另外，树脂盒20内使用2种树脂是因为，第1模制树脂16价格高，另外，填充第1层模制树脂直至覆盖铝线9，如果进行假硬化，以后使用怎样的树脂也不会影响半导体元件6。另外，填充第2层模制树脂17后，通过重新进行硬化使第1层模制树脂16及第2层模制树脂17硬化。

当然，如果不考虑成本，树脂盒20内由第1层模制树脂16充满而构成也不是不可以。

<A-1-2.倾斜槽的构成>

倾斜槽15的说明之前，对基板下焊锡层发生的裂纹的发生状况，使用图2及图3进行说明。

图2是为了与本发明比较所准备的没有倾斜槽15的构成中的部分截面图，与图1所示的半导体装置100相同的构成使用相同的符号，省略重复说明。

如图2所示，绝缘基板2，在陶瓷基体材料3的下主面及上主面，分别具有背面图案5及电路图案4，连接背面图案5和散热器1的基板下焊锡层7的边缘部发生裂纹18。

这里，图3表示裂纹的发生区域的平面视图。图3是，从上方看绝缘基板2时的裂纹的发生区域180的模式图，在散热器1上，对发生裂纹的绝缘基板2进行超声波图象诊断及截面解析，指定裂纹发生区域180。另外，图3中只通过陶瓷基体材料3的轮郭形状表示了绝缘基板2，电路图案4等省略。

如图3所示，裂纹集中在平面视图形状为矩形的陶瓷基体材料3的四方形的角部下部对应的区域，其他区域中，裂纹基本上没有发生。

发明者，根据裂纹集中发生在陶瓷基体材料3的四方形的角部下部的事实，推测裂纹的发生及扩展的原因。

即，对于绝缘基板2的热膨胀系数为7～8ppm/K，散热器1的热膨胀系数为16～17ppm/K。在这样热膨胀系数有差别的材料的状态下，若反复施加热循环，则由于热应力而对强度较弱部分施加了压力。该场合，基板下焊锡层7是强度最弱的，受到压力后，该压力在构造上集中在角部，以角部为起点发生裂纹并扩展。

发明者根据该推论近一步进行验证，找到由于绝缘基板和散热器的热膨胀系数的差，两者的连接部，实际上是基板下焊锡层的边缘部，特别是角部的边缘部和散热器之间裂开，在基板下焊锡层产生大的挠曲是裂纹的发生原因。

根据该结果获得以下的技术思想，即通过防止基板下焊锡层7的角部的边缘部和散热器1之间裂开，可防止裂纹的发生。然后，实现该技术思想最佳的具体的构成是倾斜槽15。

这里，图4是表示从绝缘基板2的上方看到的图1所示的半导体装置100的平面构成。另外，图4中为了简化，图1所示的电路图案4上的半导体元件6和封装盒10等省略。

如图4所示，陶瓷基体材料3的四方形的角部3c外部对应的散热器1的表面内，分别独立设置倾斜槽15。对倾斜槽15的设置长度，令倾斜槽15的一个端部到弯曲部的长度为(称为角长)L时，陶瓷基体材料3的平面形状为一边的长度为S的正方形时，长度L设定为长度S的3分之1到6分之1。通过设定到该范围，能可靠抑制裂纹的发生。

另外，陶瓷基体材料3的四方形的角部3c，分别构成具有曲率，该弯曲部形成与角部3c具有同样的曲率的L字状，使得各倾斜槽15沿角部3c的轮廓扩展。

接着，用图5表示倾斜槽15的宽度方向的截面构成。

图5中，倾斜角θ表示对槽内壁的水平面的倾斜角度，倾斜槽深度h表示散热器1的主面到底面的深度，倾斜槽宽度1表示槽底面的宽度。

另外，图5中分别对倾斜角θ，倾斜槽深度h及倾斜槽1，表示了最合适范围值。具体说，倾斜角θ为90°～110°(希望超过90°)，倾斜槽深度h为0.15mm～2.1mm，倾斜槽宽度1为1.0mm～3.0mm。

倾斜槽15也称为蚁槽，使用蚁槽铣刀(倾斜铣刀)的倾斜铣削加工形成。

图5中，针对基板下焊锡层7和倾斜槽15的位置关系一起表示，倾斜槽15的开口部的槽宽方向的一个边缘设置成与基板下焊锡层7的斜坡的顶端基本一致的位置。

即，与绝缘基板2的散热器1连接时，溶融的焊锡扩展开，也接近倾斜槽15的边缘部，而计算该焊锡的扩展，通过确定倾斜槽15的设置以使倾斜槽15的边缘部位于焊锡扩展停止的位置，该焊锡凝固成为基板下焊锡层7时，形成如图5所示的构成。

采用这样的构成，可提高第1层模制树脂16和散热器1的粘合性，可抑制绝缘基板2的角部发生的焊锡裂纹。

即，树脂盒20内中若填充第1层模制树脂16，则向倾斜槽15内的内侧倾斜的内壁和底面所规定的倾斜角区域也有第1层模制树脂16进入。

这里，由于热循环引起的热应力，在基板下焊锡层7的边缘部，特别是角部的边缘部和散热器1之间裂开的方向发生挠曲时，图5的上方向(相对与散热器的主面的垂直上方向)及下方向(相对与散热器的主面的垂直下方向)虽然有力在作用，但是进入上述倾斜角区域的第1层模制树脂16与向倾斜槽15内的内侧倾斜的内壁粘合，不容易剥离。这里，与基板下焊锡层7的斜坡粘合的第1层模制树脂16也相同。

另外，与向倾斜槽15内的内侧倾斜的内壁粘合的第1层模制树脂16，相对于图5的上方向中作用的力，有更强的粘合性，与基板下焊锡层7斜坡粘合的第1层模制树脂16，相对于图5的下方向中作用的力，有更强的粘合性，结果，可防止基板下焊锡层7的边缘部和散热器1之间裂开。

另外，倾斜槽15也可有效防止溶融的焊锡流入槽内部。即，倾斜槽15的开口部的槽宽方向的边缘的截面形状，具有边缘状的形状。这样，形状急剧变化部分中，由焊锡的表面张力抑制扩展，可防止焊锡流入倾斜槽15的内部。换句话说，倾斜槽15还意味着可防止流出超过需要量的焊锡并扩散。

<A-1-3.倾斜槽的构成各因子的最佳值的确定>

接着，对倾斜槽15的构成各因子(倾斜角θ、倾斜槽深度h及倾斜槽宽度1)的最佳值的根据，用图6及图7进行说明。

图6是表示，变化倾斜角θ(°)时基板下焊锡层7的裂纹的进展程度及角部的模制树脂中的裂纹的发生程度实测的结果图。

如图6所示的基板下焊锡层7的裂纹的进展程度，数值(任意单位)越大表示裂纹进展更容易，数值越小表示裂纹进展越难。

然后，如图6所示，倾斜角在0°～90°的范围内，裂纹的进展程度随着倾斜角的增加急剧变小，倾斜角为90°以上，裂纹的进展程度并不那样变化，基本上保持为最低值。

另外，如图6所示，表示角部的模制树脂中的裂纹的发生程度，数值(任意单位)越大裂纹越容易产生，数值越小裂纹越难产生。

然后，如图6所示，倾斜角在0°～110°范围内，裂纹发生程度随着倾斜角的增加缓慢增加，若倾斜角超过110°，裂纹的发生程度急剧增加。从以上的实测结果，倾斜角θ的最佳值的范围为90°～110°。

另外，如图6所示特性，看不到对倾斜槽的长宽比(h/1)的变化有依赖性。

图7是变化倾斜槽15的倾斜槽深度h和倾斜槽宽度1的长宽比(h/1)时，基板下焊锡层7的裂纹的进展程度在倾斜角为90°时和110°时实测结果的图。

如图7所示，倾斜槽的长宽比若超过0.1，则无论是什么倾斜角，裂纹的进展程度的变化变缓，长宽比若超过0.5，则裂纹的进展程度维持最低值。从该实测结果可知，长宽比的最佳值的范围是0.15～0.7。

<A-2.效果>

如以上说明，本实施例的半导体装置100中，在构成绝缘基板2的陶瓷基体材料3的边缘部外部的散热器1的主面内，基本上沿陶瓷基体材料3的外周，设置内壁向内侧倾斜的倾斜槽15，通过第1层模制树脂16覆盖丝焊以下部分，从而，通过进入倾斜槽的第1层模制树脂16，可防止基板下焊锡层7的边缘部和散热器1之间裂开，防止基板下焊锡层7中裂纹产生及裂纹扩散。

结果，受到热循环而在基板下焊锡层7产生的挠曲减低到使用含铅焊锡时的挠曲的约40％，可确保对与基板下焊锡层7使用含铅时同等的热循环的耐久性，并维持可靠性。

另外，本实施例的半导体装置100中，不进行加厚基板下焊锡层7的厚度，和减薄散热器1的厚度，散热器1也不特别地使用热膨胀系数低的材料，因而可实现抑制热电阻及确保耐热性，并抑制制造成本的上升。

另外，如图4所示，倾斜槽15在陶瓷基体材料3的四方形的角部3c外部对应的散热器1的表面内分别独立设置，只需要必要最小限度的倾斜槽加工即可，可抑制伴随倾斜槽加工的成本的增加。

<A-3.变形例1>

以上说明的实施例中，倾斜槽15在陶瓷基体材料3的四方形的角部3c外部分别独立设置构成，也可以在陶瓷基体材料3的周围设置成连续的环状的倾斜槽。

图8表示在陶瓷器材3的边缘部外部连续设置的倾斜槽15A(连续倾斜槽)。

通过设置倾斜槽15A，在陶瓷基体材料3的周围，基板下焊锡层7为溶融状态时，可防止流出超过需要量的焊锡并扩散。倾斜槽15A的构成各因子除角长度L外，与倾斜槽15相同。

<A-4.变形例2>

以上说明的实施例中，陶瓷基体材料3的四方形的角部3c外部分别一个个设置而构成，也可以是同心状的多列设置。

图9是表示在陶瓷基体材料3的3个四方形的角部3c外部同心状设置的倾斜槽15及15B。

这样，通过同心状多列设置，更可提高第1层模制树脂16和散热器1的粘合性。

<A-5.变形例3>

如图4所示，陶瓷基体材料3的四方形的角部3c外部，分别独立设置倾斜槽15时，如先前说明那样，设置了倾斜槽15的部分，当基板下焊锡层7为溶融状态时，可防止流出超过必要量的焊锡并扩散，但不能有效防止倾斜槽15间焊锡的流出。

因而，如图10所示，在倾斜槽15间对应的散热器1主面上覆盖阻焊剂30而构成，可有效防止焊锡的流出。

计算基板下焊锡层7为溶融状态时的焊锡扩散，确定阻焊剂30的设置，使阻焊剂30的边缘位于焊锡扩散停止位置。基本上，可将倾斜槽15的槽宽方向的边缘和阻焊剂30宽度方向的边缘呈直线并列设置。

另外，作为阻焊剂30的材质，举例为环氧树脂和环氧丙烯酸脂等，可选择阻焊剂30的材质，使阻焊剂30的表面和第1层模制树脂16的粘接性为良好值。

<A-6.冲压加工的倾斜槽的制造方法>

以上说明的实施例中，倾斜槽使用倾斜铣刀进行切削加工而形成，具有加工时间短的特征，也可通过冲压加工形成。

以下，使用图11及图12，说明通过冲压加工形成倾斜槽的方法。

首先，如图11所示，将具有与倾斜槽宽1相等的宽度及与倾斜槽深度h相同的高度、具备与应形成倾斜槽具有相同平面视图形状的突出部D1的冲压模具P1，冲压到应形成散热器1的倾斜槽的规定位置，形成内壁垂直的槽151。图11是表示举起冲压模具P1的状态。

接着，如图12所示，将具备比倾斜槽宽1仅宽α且高为β、与应形成的倾斜槽有相同平面视图形状的突出部D2的冲压模具P2，对槽151的上部进行冲压。此时，突出部D2均匀覆盖槽151的开口部。图12表示举起冲压模具P2的状态。

其结果，被比倾斜槽宽1仅宽α的突出部D2冲压的槽151的内壁的上部向槽的内侧进行体积移动，获得内壁向内侧倾斜的倾斜槽15。

另外，上述的宽度α，设定为大约倾斜槽宽的3分之1的长度，具体地说，设定在0.4mm～1.0mm的范围。

另外，高度β设定为大约倾斜槽深度h的3分之1的长度，具体地说，设定在0.05mm～0.7mm的范围。

另外，倾斜槽的各因子(倾斜角θ、倾斜槽宽1、倾斜槽深度h及角长L)在切削加工形成时也相同。

冲压加工形成倾斜槽，特别有利于将倾斜槽分别独立设置在陶瓷基体材料的四方形的角部外部。

即，如陶瓷基体材料的角部的曲率相同，则对于各种大小和形状(正方形及长方形)的陶瓷基体材料，可以共同使用上述冲压模具P1及P2，可抑制模具制作费用，抑制半导体装置整体的制造成本的增加。另外，由于冲压区域限定在狭小的范围内，冲压压力很小就可以，不使用大型的冲压装置就可完成，可抑制制造成本的增加。

例如，图13中表示以面积不同的相似形的2种陶瓷基体材料31及32为例，可共同使用一套模具。

图13中表示，在面积小的陶瓷基体材料31的四方形的角部外部，分别配置冲压模具P11、P12、P13进行冲压的状态，和在面积大的陶瓷基体材料32的四方形的角部外部，分别配置冲压模具P11、P12、P13及P14进行冲压的状态。

例如，使用面积小的陶瓷基体材料31的半导体装置中通过冲压加工形成倾斜槽后，使用面积大的陶瓷基体材料32的半导体装置中进行冲压加工时，使冲压模具P11、P12、P13及P14在X方向及Y方向滑动，设置到陶瓷基体材料32的四方形的角部外部，可进行陶瓷基体材料32所对应的冲压加工。

另外，冲压模具P11、P12、P13及P14，是与图11所示的冲压模具P1所对应的模具，图13表示图11所示的冲压工序，图12所示的冲压工序中也相同，若准备图11所示的冲压工序中使用的冲压模具一套和图12所示的冲压工序中使用的冲压模具一套，可对应于各种大小及形状(正方形及长方形)的陶瓷基体材料。

Claims (9)

1.一种半导体装置，具备：

搭载半导体元件的矩形状的绝缘基板；

其主面与上述绝缘基板连接的散热器；

将上述散热器作为底面的树脂盒；

填充到上述树脂盒内的硬化性树脂，

上述散热器的上述主面与上述绝缘基板的连接是由，

构成上述绝缘基板的陶瓷基体材料和上述散热器的上述主面之间形成的无铅焊锡层实现的，

上述散热器，

具有至少设置在与上述陶瓷基体材料的四方形的角部外部对应的上述主面内的，沿上述角部扩展且其内壁向内侧倾斜的倾斜槽。

2.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述倾斜槽，配置成其开口部的槽宽方向的其中一个边缘，与上述无铅焊锡层的斜坡的顶端位置基本一致。

3.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述倾斜槽中，

相对于上述内壁的水平面的倾斜角度为90°以上到110°的范围，

槽深相对于槽底面的宽度的长宽比为0.15到0.7的范围。

4.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述倾斜槽分别沿上述四方形的角部设置，包含多个平面形状呈L字形的独立倾斜槽。

5.权利要求4所述的半导体装置，其特征在于还具备：

为覆盖相邻的上述独立倾斜槽间的上述散热器的上述主面而设置的阻焊剂。

6.权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

上述独立倾斜槽的平面形状，其弯曲部为具有曲率的L字形，两个槽端部到上述弯曲部的长度分别是上述陶瓷基体材料的一边长度的3分之1到6分之1。

7.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述倾斜槽，

为包围上述陶瓷基体材料而连续设置成为环状。

8.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述硬化性树脂包含2层树脂构造：从上述树脂盒内的上述底面到规定的高度填充的第1层树脂；在上述第1层树脂上填充的第2层树脂，

上述第1层树脂与上述第2层树脂相比，线性膨胀系数及弯曲弹性率低，且含有的钠离子及卤素离子的浓度也低。

9.一种权利要求4所述的半导体装置的制造方法，

上述独立倾斜槽，通过

相对于具有与上述独立倾斜槽相同的槽底面宽度、槽深及平面视图形状的内壁垂直的槽，用具有比该槽的槽宽更宽的宽度且具有与上述独立倾斜槽相同平面视图形状的突出部的冲压模具来对上述槽的上部进行冲压，使上述槽的内壁上部向上述槽的内侧体积移动而形成。

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