CN1662675A - 旋转型的批量生产用cvd成膜装置和在塑料容器的内表面形成cvd膜的成膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的是提供一种旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其中高频电源和匹配箱的数量比成膜室的数量少。该装置设有多个柱状体形状的成膜室，该成膜室的每一个中均收容着1个塑料容器；将该成膜室以圆周状、按均等的间隔配置在旋转支承体上；设有通过兼作内部电极的原料气体供给管对收容于各成膜室中的容器的内部导入等离子体的原料气体的原料气体导入装置；设有对兼作各成膜室的一部分的外部电极供给高频能量的高频能量供给装置。

Description

旋转型的批量生产用CVD成膜装置和 在塑料容器的内表面形成CVD膜的成膜方法

技术领域

本发明涉及一种在用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法对塑料容器的内表面涂敷CVD膜的CVD成膜装置中，使用旋转方式的连续制造成膜装置，特别是涉及一种批量生产用CVD成膜装置，以及其成膜方法。

背景技术

例如，在日本特开平8-53117号公报中，公开了一种使用CVD法、特别是使用等离子体CVD法的蒸镀装置；由该蒸镀装置，对作为碳酸饮料和高浓度果汁饮料容器等的容器，为提高气体屏蔽性等，在塑料容器的内表面蒸镀DLC(类似金刚石的碳)膜。另外，在日本特开平10-258825号公报中，公开了一种用于批量生产涂敷有DLC膜的塑料容器的批量生产用制造装置及其制造方法。

在日本特开平10-258825号公报中，公开了一种下述的装置：将多个成膜室在同一圆周上以相同间隔进行配置，并将相邻的成膜室的外部电极用导线连接，再由从圆周中心延伸出的直线状的导线将各外部电极与高频电源相连接。由该装置，可以对多个容器同时进行成膜作业。但是，虽然上述装置是作为用于批量生产涂敷有DLC膜的塑料容器的批量生产用制造装置的一个例子而被提出的，但在下述几个方面还存在问题。即，为了对多个容器同时进行成膜作业，(1)需要高输出的高频电源，(2)需要很快的排气速度，(3)由于需要同时进行容器的安装和取出作业，时间损失很大，所以在1个循环的时间中可以用于成膜的时间很短，(4)在要反复进行制造循环、以进行批量生产时，并没有提出如何进行容器的安装和取出作业。假使在进行容器的安装和取出作业时使圆周旋转、而在成膜时使圆周停止旋转的情况下，由于需要抵抗惯性而对圆周进行控制，所以动力的负荷很大。另一方面，在使圆周静止时，由于需要进行容器的供给和将完成涂敷的容器取出的输送装置等，所以会使装置大型化。

发明内容

在研究开发对容器的内表面形成CVD膜的批量生产用制造装置时，本发明者们得出下述结论：为了使装置小型化、并且提高批量生产的效率，不是在全部的成膜室中同时进行成膜作业，而是最好将多个成膜室以圆周状配置在旋转支承体上，使该旋转支承体以一定的速度旋转，并在旋转支承体(旋转台)进行1次旋转期间，对各自的成膜室的制造循环进行控制。

所谓的制造循环，是包括下述各工序的循环：(1)塑料容器的容器安装工序，(2)容器内部的成膜前的气体调整工序，(3)由原料气体的等离子体化而进行的CVD膜的成膜工序，(4)容器内部的成膜后的气体调整工序，以及，(5)完成涂敷的容器的取出工序。

在本发明中，将在旋转支承体进行1次旋转期间、配置在圆周上的成膜室进行1个制造循环的CVD成膜装置分类为旋转型的装置，以便与单独的装置和特开平10-258825号公报中的分批式的装置相区别。

在采用上述旋转型的批量生产用CVD成膜装置时，虽然曾考虑在各成膜室设置各自的匹配箱和高频电源，但由于所用的部件数量很多，所以不能实现足够的小型化。例如，作为匹配箱，即使是最小型的，由于也有200mm×200mm×150mm左右的大小，所以成膜单元变得很大，从而成为使装置小型化的障碍。与此同时，由于匹配箱的价格昂贵，所以会增加装置的成本。对高频电源来说，也存在与匹配箱相同的问题。

作为旋转型的批量生产用CVD成膜装置，由于考虑到还要将其设置在塑料容器的制造工厂中，所以对新增加的该装置来说，就必须是充分小型化的、并具有很好的性能价格比的装置。

由于需要使装置小型化而且使其价格低廉，所以，为了解决这个问题，就考虑使所配置的高频电源和匹配箱的数量比成膜室的数量要少。

为了使所配置的高频电源和匹配箱的数量比成膜室的数量要少，曾考虑使用在特开平10-258825号公报中所公开的技术。但是，如在上述公报中所述的那样，如果只用导线对以均等的间隔配置着的外部电极进行连接，则由于导线的松弛和导线的连接位置，会产生微小的高频能量分布的错动。特别是，由高频能量传递到导体的表面，所以，由用导线所连接着的外部电极之间所形成的复杂的表面形状，会使高频能量分布的错动变得显著。因此，在以一定的速度使旋转支承体旋转、并相应于旋转角度而顺次地进行成膜作业类型的旋转型的装置上，不能使用以同时成膜为其原则的上述公报中的技术，而且，很难在多个塑料容器的全部都形成均一的DLC膜。

另外，当只为了减少高频电源的数量，而对收容着塑料容器的各个外部电极设置匹配箱时，由于匹配箱的匹配时间之间存在微小的不同，所以不能使匹配时间正确地相互一致。具体来说，对于各个匹配箱上，阻抗匹配相互间会产生0.1～1秒左右的错开。而且，由于在塑料容器的内面上所形成的DLC膜的膜厚为很薄的30nm，而成膜时间只要3秒左右即很充足，所以，就有必要相对来说精度良好地对膜厚进行控制。因此，由于0.1～1秒左右的匹配时间的错开，就会对DLC膜的膜厚的分布不均、特别是塑料容器之间的膜厚的分布不均带来很大的影响。这样，在DLC膜的质量方面，就会存在分布不均的问题。当相对于每1个高频电源连接上1个匹配箱，并相对于每1个匹配箱连接上多个外部电极时，则分布不均的问题会比上述的形态中的更为显著。

因此，对于旋转型的批量生产用CVD成膜装置，是很难使所配置的高频电源和塑料容器的数量比成膜室的数量要少的。

本发明的就是鉴于上述这样的问题而进行的，其目的是：提供一种将规定数量的塑料容器收容在1个外部电极上，在供给高频能量时，可以在这些塑料容器的壁面上产生均一的自偏置电压的新的外部电极构造；并提供一种使高频电源和匹配箱的数量比成膜室的数量要少的、可以实现小型化的旋转型的批量生产用CVD成膜装置。本发明者们将新的外部电极构造称作“多个集成式外部电极”。由多个集成式外部电极，可以减轻膜厚的分布不均，并由构成部件的数量的减少和简单的构造而实现小型化，进一步，容易进行维护作业和降低装置的成本。

进一步，通过将装置形成为旋转型，以实现以下的目的：(1)可以小型化，(2)不需要将所有的成膜室都同时抽成为真空那样的很大的排气速度，(3)不需要进行反抗旋转支承体的旋转惯性的控制，即不需要施加多余的动力，(4)相对于1个制造循环时间，可以具有长时间的CVD成膜时间，(5)可以缩短成膜工序以外的时间，提高批量生产的效率，(6)与在全部的成膜室中同时进行成膜的成膜装置相比，可以减少高频电源的必要的输出。

这时，本发明的目的是：通过将塑料容器以均等的间隔并列设置在以外部电极的中心轴为中心点的同一圆周上，在对收容在多个集成式外部电极上的多个塑料容器同时进行成膜时，在任何一个容器中，都可以产生更加均匀的等离子体。

进一步，本发明的目的是，作为多个集成式外部电极的具体实施形态，提出几个与旋转型的CVD膜的成膜装置具有特别好的适合性的形态。对于旋转型的CVD膜的成膜装置，是将多个成膜室配置在用于形成为旋转型的旋转支承体上的，但不一定需要例如如饮料充填机那样，将容器以1列配置在以旋转支承体的旋转轴为中心的同一圆周方向上。对于多个集成式外部电极，由于可以对外部电极的收容空间的配置在一定限制的情况下进行适当的变更，所以，除了减少高频电源的数量和匹配箱的数量的目的之外，还可以增加收容空间的、在上述圆周方向上的列数。例如，如果从1列变为2列，则其目的是通过使装置稍微增大一些，以便可以确保相应于旋转支承体的旋转而完全同步地进行成膜的2个成膜室，使单位时间的生产率提高到2倍。进一步，如果变为3列，则同样地，其目的是使单位时间的生产率提高到3倍。但是，虽然增加列数是与提高生产效率直接相关的，但在配置在旋转支承体上的成膜室内，对塑料容器进行安装的机构会变得很复杂，而且将完成涂敷的塑料容器取出的机构也同样地会变得很复杂。在本发明中，提出了一种在旋转型的装置上，可以同时实现生产率的提高、以及防止容器安装机构和容器取出机构的复杂化的，特别理想的容器收容空间的配置方法。

在本发明中，其目的是，特别对以下情况提出具体的收容空间的配置形态：相对于每1个外部电极，设置有2个收容空间的情况；相对于每1个外部电极，设置有3个收容空间的情况；以及，相对于每1个外部电极，设置有4个收容空间的情况。

进一步，本发明的目的是，在本发明的旋转型的装置上，通过在使旋转支承体产生1次旋转期间完成全部的成膜工序，而可以顺利地进行容器供给路线、本装置、和完成涂敷的容器的容器取出路线之间的协调动作。又，其目的是，使旋转支承体的旋转速度为固定，以节省动力。

又，本发明的目的是：通过使用碳氢化合物系气体或含Si的碳氢化合物系气体作为原料气体，而提供一种形成CVD膜的、特别是DLC膜的旋转型的批量生产用CVD成膜装置和CVD膜的成膜方法。

为了解决上述问题，在由本发明者们所发明的一种旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是：在兼作外部电极的1个柱状体上，设置有多个分别收容着1个塑料容器的收容空间，并且上述各收容空间的中心轴和上述外部电极的中心轴相互平行；在以上述外部电极的中心轴为中心点的同一圆周上，并列设置着上述收容空间；在被安装在上述各收容空间中的塑料容器的内部，设置有以可以从口部进行自由插脱的方式进行配置的内部电极；设置有在将该内部电极插入到上述塑料容器内时，使内部电极和外部电极之间成为绝缘状态的绝缘部件；进一步，设置有为了对上述收容空间进行减压而具有封闭盖体的成膜室；将多个该成膜室以均等的间隔、并以圆周状配置在旋转支承体上；设置有对被收容在上述各成膜室中的塑料容器的内部导入用于等离子体化的原料气体的原料气体导入装置；设置有对上述各成膜室的外部电极供给高频能量的高频能量供给装置；由此，对上述塑料容器的内表面进行CVD(化学气相沉积)膜的成膜。

在技术方案1所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，最好是：在以上述外部电极的中心轴为中心点的同一圆周上，以均等的间隔并列设置着上述收容空间。

在技术方案1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，最好是：相对于每1个外部电极，设置2个收容空间；并且，以将该收容空间配置在以上述外部电极的中心轴为中心点的同一圆周上的方式，将上述成膜室以均等的间隔配设在上述旋转支承体上。

在技术方案1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，最好是：相对于每1个外部电极，设置2个收容空间；并且，在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，以下述方式将上述外部电极的收容空间在上述圆周的圆周方向上排列在2列，即，将一个的收容空间配置在由成膜室所形成的圆周的外侧，而将另一个的收容空间配置在上述圆周的内侧。

在技术方案1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，最好是：相对于每1个外部电极，设置3个收容空间；并且，在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，以下述的配置关系将上述外部电极的收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，即，将2个收容空间配置在由成膜室所形成的圆周的外侧，而将余下的1个收容空间配置在上述圆周的内侧，而且，将与该成膜室相邻配设着的成膜室的2个收容空间配置在上述圆周的内侧，而将余下的1个收容空间配置在上述圆周的外侧。

在技术方案1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，最好是：相对于每1个外部电极，设置4个收容空间；并且，在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，以下述方式将上述外部电极的收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，即，将2个收容空间配置在由成膜室所形成的圆周的外侧，而将余下的2个收容空间配置在上述圆周的内侧。

在技术方案4或6所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，最好是：在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，将上述收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，并且以夹持着上述圆周的相邻方式进行排列；或者，将上述收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，并且以夹持着上述圆周的相互错开的方式进行排列。

又，在本发明的在塑料容器的内表面形成CVD膜的成膜方法中，其特征是，在使技术方案1至7中任一项所述的旋转支承体以一定的速度进行1次旋转期间，进行下述的各工序：将塑料容器收容在上述收容空间中，并安装在上述成膜室内的容器安装工序；将上述塑料容器的内部置换成原料气体，并调整成规定的成膜压力的成膜前的气体调整工序；使上述原料气体等离子体化，并对上述塑料容器的内表面形成CVD膜的CVD膜的成膜工序；将完成涂敷的塑料容器内向大气开放的成膜后的气体调整工序；以及，将上述完成涂敷的容器从上述成膜室中取出的容器取出工序。

在技术方案1至7所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上、和在权利要求8所述的对塑料容器的内表面涂敷CVD膜的成膜方法上，最好是：作为上述原料气体，使用碳氢化合物系气体、或含Si的碳氢化合物系气体；并且，作为上述CVD膜，进行DLC膜的成膜。

依据本发明，可以提供一种，在旋转支承体进行1次旋转期间，可以由成膜室进行1个制造循环类型的装置，并且是一种小型、低价、和批量生产效率高的CVD成膜装置；特别是，可以提供一种在容器的内表面形成CVD膜的旋转型的批量生产用CVD成膜装置。在本发明中，在旋转型的装置上，可以同时实现生产率的提高、以及防止容器安装机构和容器取出机构的复杂化。在该装置上，还可以同时实现：不需要设置将所有的成膜室都同时抽成为真空的很大的排气速度；由于不需要进行反抗旋转支承体的旋转惯性的控制，所以不需要施加多余的动力；相对于1个制造循环的时间，可以具有长时间的CVD成膜时间；可以缩短成膜工序以外的时间，提高批量生产的效率；可以相对于成膜室的数量而减少高频电源和匹配箱的数量；与在全部的成膜室中都同时进行成膜的成膜装置相比，可以减少高频电源的必要的输出。

进一步，在本发明中，在本发明的旋转型的装置上，通过在使旋转支承体产生1次旋转期间完成全部的成膜工序，而可以顺利地进行容器供给路线、本装置、和完成涂敷的容器的容器取出路线之间的协调动作。

又，在本发明中，通过使用碳氢化合物系气体或含Si的碳氢化合物系气体作为原料气体，而可以提供一种形成CVD膜的、特别是DLC膜的旋转型的批量生产用CVD成膜装置和CVD膜的成膜方法。

附图说明

图1为显示了本发明的旋转型的批量生产用CVD成膜装置的一形态的示意图。

图2为在本发明的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，显示了成膜室的基本构造的一形态的示意图。

图3为在本发明中，显示了由1个柱状体所构成的多个集成式外部电极的一形态的示意图，该柱状体可以同时对4个塑料容器涂敷DLC膜；其中，(a)显示了下部电极和上部电极为密封的状态，(b)显示了下部电极和上部电极为开放的状态。

图4为多个集成式外部电极的B-B′横断面图。

图5显示了柱状体形态的具体例。

图6为显示了在每1个外部电极上，设置有2个收容空间的情况时的收容空间的配置的概念图；其中，(a)为在圆周上配置收容空间的情况，(b)为以夹持着圆周、并且相邻的方式配置收容空间的情况，(c)、(d)为以夹持着圆周、并且相互错开的方式配置收容空间的情况。

图7为显示了在每1个外部电极上设置有3个收容空间的情况时的收容空间的配置的概念图。

图8为显示了在每1个外部电极上，设置有4个收容空间的情况时的收容空间的配置的概念图；其中，(a)为以下述方式将外部电极3的收容空间40沿圆周s的圆周方向排列成2列的情况，即，将2个收容空间40x、40y配置在由成膜室所形成的圆周s的外侧，而将余下的2个收容空间40a、40b配置在圆周s的内侧，(b)为沿圆周方向排列成2列，并且以夹持着圆周、相互错开的方式配置收容空间的情况，(c)为显示了比(b)进一步错开的情况。

图9为在本发明的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，显示了包括高频能量供给装置的基本构成的一形态的概念图。

图10为显示了配电线路图的一形态的图，并且是显示了并联型和级联型的配电线路图。

图11为显示了制造循环的进展方式的一形态的图。

图12为显示了制造循环的进展方式的第2形态的图。

图13为显示了制造循环的进展方式的第3形态的图。

图14为显示了制造循环的进展方式的第4形态的图。

各符号的意义如下所述：1为下部外部电极，2为上部外部电极，3为外部电极，4a为绝缘部件，4b为盖体，6为成膜室，7、7a、7b、7c、7d为塑料容器，8为O型圈，9、9a、9b、9c、9d为内部电极，10、11、12为配管，14为自动匹配器，15为高频电源(RF电源)，16、17、18为真空阀，19为质量流量控制器，20为原料气体发生源，21为真空泵，27为漏损气体(空气)供给源，28为真空计，29为排气导管，30为高频能量输出供给杆，32为高频能量输出供给杆的连接接头，40为收容空间，41为原料气体导入装置，49、49a、49b为气体吹出口，χ1为多个集成式外部电极的中心，χ2为高频能量输出供给点，X为多个集成式外部电极的中心轴，7ax、7bx、7cx、7dx为塑料容器7a～7d的收容空间的中心点。

具体实施方式

以下，以多个实施形态为例，对本发明进行详细的说明，但对本发明的解释并不受这些实施形态的限制。又，在各个图面中，对共同的部件使用相同的符号。

根据图1～14，对本发明的实施形态进行说明。图1为显示了本发明的旋转型的批量生产用CVD成膜装置的基本构成的关系的概念图。在本发明的旋转型的批量生产用CVD成膜装置上，具有：成膜室；将多个成膜室以均等的间隔圆周状地进行配设的旋转支承体；用于导入原料气体的原料气体导入装置，该原料气体用于在被收容在成膜室中的各塑料容器的内部产生等离子体；以及，对各成膜室的外部电极提供高频能量的高频能量供给装置。由本发明的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，对塑料容器的内表面涂敷CVD膜。

图2为对图1的成膜室中的1个进行观察，并显示了其构成的概念图。图2的成膜室6的部分为沿容器的轴方向进行剖切时的断面概念图。成膜室6的构成为：外部电极3，该外部电极3形成为设置有多个收容空间40a、40c的1个柱状体的形状，而在每个收容空间40a、40c中收容着1个塑料容器7a、7c；内部电极9a、9c，该内部电极9a、9c可以从口部自由插脱地被配置在塑料容器7a、7c的内部，而这些塑料容器7a、7c被安装在各收容空间40a、40c中；绝缘部件4a，由该绝缘部件4a，在将内部电极9a、9c插入到塑料容器7a、7c内时，使内部电极9a、9c与外部电极3之间处于绝缘状态；以及，用于封闭的盖体4b，该盖体4b对收容空间40a、40c进行减压。

盖体4b由导电部件形成，并支承着内部电极9a、9c。在盖体4b内，设置有与收容空间40a、40c相连通的空间，并与收容空间40a、40c一起形成减压空间。在图2的装置上，由真空泵21等所构成的排气装置与盖体4b相连接，从而形成通过对盖体4b的空间进行减压，而可以使收容空间40a、40c也减压的构造。

在图2中，在盖体4b的下方，配置有绝缘部件4a；进一步，外部电极3被配置在绝缘部件4a的下方。通过具有这样的位置关系，就可以由绝缘部件4a而使与盖体4b为电连接着的内部电极9a、9c与外部电极3之间成为绝缘状态。

外部电极3由上部外部电极2和下部外部电极1构成，并构成为在上部外部电极2的下部经O型圈8而可以自由装卸地安装着下部外部电极1的上部。通过对上部外部电极2和下部外部电极1进行装卸，可以对塑料容器7a、7c进行安装。

在图2的实施形态中，将外部电极3分割成下部外部电极1和上部外部电极2的2个部分，但为了实现CVD膜的膜厚等的均一化，也可以将外部电极分割成如底部电极、主体部电极、和肩部电极那样的3个部分，或者更多的部分，并通过以夹持着例如O型圈等的方式而确保各电极的密封性，同时，用氟化树脂薄板、聚酰亚胺薄膜、或聚醚酮醚(PEEK)薄膜而进行电绝缘。

在外部电极3的内部，形成有空间40a、40c，该空间40a、40c为对作为涂敷对象的塑料容器7a、7c进行收容用的收容空间，例如为对作为由聚乙烯对苯二酸酯树脂所制成的容器的PET瓶进行收容用的收容空间。作为外部电极3的收容空间40a、40c，以可以对被收容着的塑料容器7进行收容的方式而形成。这里，最好是以比塑料容器的外形要稍微大一些的方式而形成。即，最好是，容器的收容空间40a、40c的内壁面为包围着塑料容器7a、7c的外侧附近的形状(相似形状)。这是为了在塑料容器的壁面上产生均一的自偏置电压。但是，当在塑料容器的内表面上施加均一的偏置电压时，就没必要将外部电极的收容空间的内壁面形成为相似形状。在盖体4b上，设置有与外部电极3的收容空间40a、40c相连通的开口部。又，在盖体4b的内部设置有空间，并且该空间经上述开口部而与外部电极3内的收容空间40a、40c相连通。由配置在上部外部电极2和下部外部电极1之间的O型圈8，而使收容空间40a、40c相对于外部为密闭的状态，从而可以实现减压。

内部电极9a、9c被可以自由插脱地配置在外部电极3内，并且被配置在塑料容器7a、7c的内部。即，从盖体4b的上部，并经盖体4b内的空间、以及盖体4b和绝缘部件4a的开口部，将内部电极9a、9c插入到外部电极3内的收容空间40a、40c中。内部电极9a、9c的基端被配置在盖体4b的上部。另一方面，将内部电极9a、9c的前端配置在外部电极3的收容空间40a、40c中的、被收容在外部电极3内的塑料容器7a、7c的内部。内部电极9a、9c形成为其内部为中空的管形状。在内部电极9a、9c的前端，设置有气体吹出口49a、49c。进一步，最好是，内部电极9a、9c是接地的。

在上述中，对在成膜室中的外部电极、内部电极、绝缘部件、和盖体之间的关系进行了说明。下面，参照图3和图4，以在每1个外部电极上设置有4个收容空间的情况为例，对设置在外部电极上的收容空间的位置关系进行详细的说明。

如图3所示，外部电极3形成为1个柱状体的形状。图3(a)所示的多个集成式外部电极为1个圆柱状的柱状外部电极，但也可以是方柱或椭圆柱等的任何一种柱状体。又，如图5所示，也可以形成为这样一种柱状构造：该柱状构造由1个柱体所构成，而该1个柱体是通过将以近似均一的厚度包围着各容器的收容空间的形状进行复合而形成的。但是，由于高频能量有向着外部电极的表面进行传递的倾向，所以，为了尽量使高频能量的传递距离相等，最好是使外部电极3为圆柱体或横断面为正方形的方柱体。在兼具有外部电极3的作用的1个柱状体上，设置有多个(在图3中，为4个)收容空间40a、40b、40c、40d，而在这些收容空间40a、40b、40c、40d中各自收容着1个塑料容器7a、7b、7c、7d。在图3的情况下，通过将各塑料容器收容在各收容空间中，在每个外部电极上收容着4个塑料容器。而且，如图3和图4所示，各收容空间40a、40b、40c、40d的中心轴和外部电极3的中心轴X为相互平行。又，在以外部电极的中心轴X为中心点的同一圆周S上，并列设置着收容空间40a、40b、40c、40d。作为外部电极3内的收容空间的形状，是以下述方式配置着收容空间的：如作为图2的B-B’横断面图的图4所示，在相对于外部电极的中心χ1的半径为a的圆周S上，配置着作为塑料容器7a～7d的收容空间的中心的7ax～7dx(分别用×表示的点)。这时，对收容空间40a、40b、40c、40d，最好是如图4所示，将它们以均等的间隔配置在同一圆周S上。

这样，将下述的外部电极称作多个集成式外部电极：在兼具有外部电极的作用的1个柱状体上，设置有各自收容着1个塑料容器的多个收容空间；并且，各收容空间的中心轴与外部电极的中心轴之间相互平行；进一步，在以外部电极的中心轴为中心点的同一圆周上，并列设置着收容空间。

作为本发明的多个集成式外部电极，具有与下述的多个型外部电极同等的功能：在该多个型外部电极上，设置有多个将只收容1个塑料容器的类型的外部电极和匹配箱进行组合了的部分。而且，由于是以在1个外部电极内可以收容多个塑料容器的方式而形成的集成式外部电极，并且是一种相对于1个该集成式的外部电极使用1个匹配箱的外部电极，所以可以减少高频电源和匹配箱的数量。又，通过使外部电极为1个柱状体，可以使从高频能量的供给起点到收容空间的内壁之间的距离为最短；而且，由于在与各收容空间之间不存在距离的偏差，所以就可以在塑料容器的壁面上施加均一的自偏置电压。

在图3和图4中，在1个柱状体的外部电极3上，设置有分别与收容空间40a、40b、40c、40d相对应的内部电极9a～9d。内部电极被分别接地，而且还被作为可以将原料气体供给到各容器中的配管。在本图中，内部电极兼具有原料供给管的作用。

又，如图2所示，高频能量输出被导入到高频能量输出供给杆30上。在外部电极3的容器的下部外部电极1上，将图2所示的外部电极3的容器的下部外部电极1的底面和中心轴X的交点χ2作为高频能量输出供给点。高频能量输出供给杆30使用导电电缆或导电性金属棒。又，作为高频能量输出供给杆的连接接头32，其作用是：在放进和取出容器时，在将容器的下部外部电极和容器的上部外部电极进行组合时，作为导通接点。又，在这里，是将高频能量输出供给点χ2设置在容器的下部外部电极上的，但也可以在容器的下部外部电极1上，在各塑料容器的底面附近的4个部位上分散设置连接点，或者，在外部电极的内部，在中心轴X上进行连接等。但在任何一种情况下，连接点的变更都应在这样的一种范围内进行：即，在各塑料容器内，都可以产生均匀的等离子体。又，在本实施形态中，是对在1个外部电极的内部收容有4个塑料容器的情况进行了说明的，但也可以采用这样一种形态：即在该形态中所使用的外部电极可以收容除了4个以外的、多个塑料容器。在本发明中，可以实现下述两者中的任何一项或同时两项：即，由于通过使用多个集成式外部电极的构造而减少了高频电源和匹配箱的数量，所以可以使装置小型化；和通过设置2列或2列以上的旋转支承体的列数，而可以成倍地增加生产率。

下面，对在成膜室的旋转支承体上的配置进行说明。在本发明中，设置在成膜室的外部电极上的收容空间的配置是非常重要的，最好是如图6～8所示的配置。图6～8为显示了旋转支承体、配置在旋转支承体上的外部电极、和设置在外部电极上的收容空间之间的配置关系的概念图，是从正面对旋转支承体进行观察时的图。在图中，显示了将成膜室的外部电极形成为方柱形状的情况，但即使在形成为圆柱状或椭圆柱状时，只要收容空间的配置相对于旋转支承体来说是不变的，则也可以具有同样的配置关系。

在图6(a)中所显示的情况是：在每1个外部电极3上，设置有2个收容空间40，而且，以将收容空间配置在以旋转支承体41的旋转轴为中心点z的同一圆周上的方式，在旋转支承体上以均等的间隔配设着成膜室。这时，从容器供给路线、到旋转型装置、再到成膜结束后的容器取出路线，容器被整齐地排列成1列。

在图6(b)中所显示的情况是：在每1个外部电极3上，设置有2个收容空间，而且，在将成膜室配设在旋转支承体41上时，将一侧的收容空间40x配置在由各成膜室所形成的圆周s的外侧，而将另一侧的收容空间40y配置在圆周s的内侧，即将外部电极3的收容空间在圆周s的圆周方向上排列成2列。这里，所谓的2列，如图6(b)所示，是指在圆周方向上的列数。这时，在容器供给路线上，可以是1列，但在旋转型装置之前，有必要将该路线分裂成2列，并使之进入到收容空间中。对于以成2列的方式而被安装在旋转型装置上的容器，最好在装置内按原样维持为2列；而对于从旋转型装置中取出的成膜结束后的容器，则最好使其从2列合并成1列。

在图6(b)中，在将成膜室配设在旋转支承体41上时，是将收容空间40在圆周s的圆周方向上以2列、并以夹持着圆周s的相邻的方式进行配置的，但如图6(c)所示，也可以将收容空间40在圆周方向上以2列、并以夹持着圆周s的相互错开的方式进行配置。

如图6(d)所示，与图6(c)相比，也可以使收容空间40的错开方向为相反。

如图7所示，当在每1个外部电极3上设置有3个收容空间，并将成膜室配设在旋转支承体41上时，也可以以下述的配置关系将外部电极3的收容空间在圆周s的圆周方向上排列成2列：即，将2个收容空间40x、40y配置在由成膜室所形成的圆周s的外侧，而将余下的1个收容空间40z配置在圆周s的内侧，并且，在与该成膜室为相邻配设着的成膜室中，将2个收容空间40a、40b配置在圆周s的内侧，而将余下的1个收容空间40c配置在圆周s的外侧。

接着，如图8(a)所示，当在每1个外部电极3上设置有4个收容空间，并将成膜室配设在旋转支承体41上时，也可以以下述的配置关系将外部电极3的收容空间40在圆周s的圆周方向上排列成2列：即，将2个收容空间40x、40y配置在由成膜室所形成的圆周s的外侧，而将余下的2个收容空间40a、40b配置在圆周s的内侧。

在图8(a)中所显示的情况是：在将成膜室配设在旋转支承体41上时，将收容空间在圆周s的圆周方向上排列成2列，并且是以夹持着圆周s的相邻方式进行排列。但也可以如图8(c)所示地对收容空间进行排列。又，如图8(b)所示，也可以将收容空间在圆周s的圆周方向上排列成2列，并且是以夹持着圆周s的相互错开的方式进行排列。

在图6(c)、(d)、图7、以及图8(a)、(b)、(c)的装置上，与图6(b)所示的装置同样地，在容器供给路线上，可以是1列，但在旋转型装置之前，有必要将该路线分裂成2列，并将容器安装在收容空间中。对于以成2列的方式而被安装在旋转型装置上的容器，最好在装置内按原样维持为2列；而对于从旋转型装置中取出的成膜结束后的容器，则最好使其从2列合并成1列。

通过形成为图6(a)所示的装置，由于可以由1个高频电源而同时对2个塑料容器进行成膜作业，所以可以减少电源数量和匹配箱的数量。又，通过形成为图6(b)、(c)、(d)、图7、或图8(a)、(b)、(c)所示的装置，可以确保2个或2个以上的、可以相应于旋转型装置的旋转而完全同时地进行成膜作业的成膜室，并且可以减少电源数量和匹配箱的数量，除此之外，还可以使单位时间的生产率增加到2倍。由于形成为2列的设置也不会使容器安装机构和容器取出机构不必要地过于复杂化，所以这是一种可以同时实现生产率的提高、并防止容器安装机构和容器取出机构的复杂化的列数设置。

在本发明中所述的容器包括：设置了盖体、或塞体、或密封结构的容器，或者，不采用这些结构，而在开口状态下所使用的容器。对开口部的大小，由内装物的大小而定。塑料容器包括：具有适当的刚性的、并具有规定的厚度的塑料容器，和由不具有刚性的薄板材所形成的塑料容器。进一步，也包括容器的盖体。作为在本发明中的塑料容器的填充物，可以列举出：碳酸饮料、果汁饮料、或清凉饮料等饮料，以及医药品、农药品、或要避免吸潮的干燥食品等。另外，还包括一次性容器和可多次使用的容器。

作为在对本发明的塑料容器进行成形时所使用的树脂，可以举例示出下列树脂：聚乙烯对苯二酸酯树脂(PET)、聚乙烯对苯二酸酯系共聚多酯树脂(将在共聚多酯的乙醇成分中，取代乙二醇而使用环己烷二甲醇的共聚物称作PETG树脂，由Eastman所生产)、聚丁烯对苯二酸酯树脂、聚萘甲酸乙酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂(PP)、环烯烃共聚物树脂(COC，环状烯烃共聚物)、离子交联聚合物树脂、聚-4-甲基戊烯-1树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙烯-乙烯醇共聚物树脂、丙烯腈树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙烯叉二氯树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺亚胺树脂、聚缩醛树脂、聚碳酸酯树脂、聚砜树脂、或者，四氟乙烯树脂、丙烯腈-苯乙烯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂。在这些树脂中，最理想的是使用PET。

在图2中，由原料气体导入装置41，将从原料气体发生源20中提供的原料气体导入到塑料容器7的内部。即，在内部电极9的基端，连接着配管10、11的一侧，而配管11的另一侧经真空阀16后与质量流量控制器19的一侧相连接。质量流量控制器19的另一侧经配管后与原料气体发生源20相连接。该原料气体发生源20用于产生乙炔等的碳氢化合物气体等。

如图1所示，原料气体导入装置对各成膜室供给原料气体。既可以对每1个成膜室都分别设置各自的原料气体导入装置，也可以由1个原料气体发生源对全部的成膜室导入原料气体。这时，在原料气体发生源和质量流量控制器之间，可以设置与成膜室的数量相应的分岐配管。这里，将质量流量控制器的数量设置成与成膜室的数量相同。但在任何一种情况下，只要可以对各成膜室供给规定量的原料气体，都是一种允许的设置。

作为原料气体，例如，在进行DLC膜的成膜时，使用在常温下为气体或液体的脂肪族碳氢化合物类、芳香族碳氢化合物类、含氧碳氢化合物类、含氮碳氢化合物类等。特别是最好使用碳数在6或6以上的苯、甲苯、o-二甲苯、m-二甲苯、p-二甲苯、环己烷等。在用于食品等容器上时，从卫生的观点来看，最好使用脂肪族碳氢化合物，特别是使用乙烯、丙烯、或丁烯等乙烯系碳氢化合物，或者是使用乙炔、丙炔、或1-丁炔等乙炔系碳氢化合物。对这些原料，既可以单独使用，也可以作为2种或2种以上的混合气而使用。进一步，也可以将这些气体用氩或氦之类的稀有气体进行稀释后再使用。又，在进行含硅的DLC膜的成膜时，使用含Si的碳氢化合物气体。

作为在本发明中所说的DLC膜，是指被称作i-碳膜或氢化非晶形碳膜(a-C:H)的膜，其中包括硬质碳膜。又，DLC膜是指非晶形的碳膜，具有SP3结合键。作为进行该DLC膜的成膜的原料气体，使用碳氢化合物气体，例如乙炔气体；而作为进行含Si的DLC膜的成膜的原料气体，使用含Si的碳氢化合物气体。通过在塑料容器的内表面形成这样的DLC膜，就可以得到作为碳酸饮料和发泡饮料等容器的、一次性或可多次使用的容器。

导电部件4b内的空间与配管13的一侧相连接，配管13的另一侧经真空阀18后与真空泵21相连接。该真空泵21与排气导管29相连接。由于具有多个成膜室，所以，既可以将排气系统集中在1个真空泵上进行排气，也可以由多个真空泵分担进行排气。

塑料容器的容器安装装置(未图示)的作用是：例如，为了对容器进行收容，使下部外部电极1相对于上部外部电极2下降、并开口，同时，将塑料容器装载在下部外部电极1上，进一步，通过使下部外部电极1上升，而使下部外部电极1和上部外部电极2之间由夹持在其间的O型圈而处于密闭状态。如图1所示，对未涂敷的塑料容器，由容器安装操作装置(未图示)以下述方式进行供给：即，例如，将容器从输送装置上分个地取出，然后装载在下部外部电极1上。

成膜前的气体调整装置的作用是：将塑料容器的内部置换成原料气体，并调整成规定的成膜压力，而且，使原料气体导入装置和真空泵的排气协同动作。

CVD成膜装置是对塑料容器的内表面进行CVD膜的成膜的装置，是在成膜室中使高频能量供给装置、以及原料气体导入装置和排气装置协同动作的装置。这里，所谓的排气装置，是由真空阀18、真空泵21、和排气导管29所构成的。

成膜后的气体调整装置的作用是：将成膜室和塑料容器内的残余的原料气体除去，并在成膜后使塑料容器内向大气开放，而且，使排气装置和大气开放阀17协同动作。

容器取出装置是用于将容器从成膜室内的收容空间中取出的装置，例如，为了将容器取出，相对于上部外部电极2，使下部外部电极1下降、并开口，同时，将装载在下部外部电极1上的、完成涂敷的塑料容器移动到输送装置上。如图1所示，对完成涂敷的塑料容器，例如，由从成膜室内的收容空间中将容器取出的容器取出操作装置(未图示)，而将其装载在输送装置上，然后输出。

如图2所示，高频能量供给装置的构成为：随外部电极而设置的固定匹配器(在图中，将其标记为‘前端M.B’)；1个或1个以上的高频电源15；以及，随高频电源15而设置的自动匹配器(自动匹配箱)14。这时，相对于1个成膜室，既可以设置1个高频电源，也可以通过设置高频能量分配装置，将从高频电源中所供给的高频能量在固定匹配器之前分配成多支，从而可以从1个高频电源向多个外部电极供给高频能量。或者，也可以由高频能量中继装置进行切换，以便顺次对旋转到与旋转型的旋转支承体(旋转台)的旋转位置相对应的规定位置上的成膜室供给高频能量。不管怎样，只要是可以对各成膜室的外部电极供给高频能量即可。又，在相应于1个成膜室而设置1个高频电源时，图1的旋转型装置的各成膜室分别采用图2所示的构成。

固定匹配器被设置在每1个外部电极上，而且用同轴电缆对所供给的高频能量和在外部电极内所产生的等离子体之间进行阻抗匹配。将固定匹配器由铜板配线而与外部电极相连接。由于相对于成膜室来说，自动匹配器是大尺寸，所以对每1个外部电极是另外分开设置固定匹配器，从而就没有必要要求自动匹配器的小型化、或将自动匹配器设置在成膜室的其它位置上。又，在将自动匹配器相对于成膜室为另外分开设置时，也可以使用同轴管而对成膜室供给电力。这时，可以不使用固定匹配器。

高频电源的作用是产生高频能量，以用作为了在塑料容器内使原料气体等离子体化所需的能量。为了快速进行匹配作业和缩短产生等离子体所需的时间，最好使用晶体管型高频电源，而且最好是使用由频率可动式或电子式系统进行匹配作业的高频电源。高频电源的频率为100kHz～1000kHz，并使用例如作为工业用频率的13.56MHz。

从自动匹配器到固定匹配器之间的配线是用同轴电缆进行连接的。作为同轴电缆，是使用其特征阻抗为50Ω的同轴电缆。这里，自动匹配器的作用是，对同轴电缆上的阻抗的变动进行调整。

如图9所示，在下述情况时设置高频能量分配装置：将从高频电源所供给的高频能量在固定匹配器前分成多支，从而可以从1个高频电源对多个外部电极提供高频能量。作为高频能量分配装置的1个形态，例如是由可以对高频能量进行同时和均匀的分配的分配回路、和对各分配回路的分配输出的“开/关”进行切换操作的切换开关所构成。例如如图10所示，分配回路为并联型，即是由线圈、电阻、和电容器所形成的回路，是可以将1个输入分配成多个输出的回路。或者，也可以使用级联型的回路。所谓的切换开关，是一种例如用于对分配回路的输出进行“开/关”作业的高频能量中继装置。或者，在下述情况时设置高频能量分配装置：由高频能量中继装置进行切换，以便顺次地对旋转到与旋转型的旋转支承体(旋转台)的旋转位置相对应的规定位置上的成膜室供给高频能量。在该形态时，不使用分配回路，而由高频能量中继装置进行顺次的切换作业。也可以将分配作业和切换作业组合在一起。

当采用本实施形态的高频能量分配装置时，可以分别独立地对外部电极进行高频能量供给的“开/关”作业。

下面，对使用本发明的旋转型的CVD膜的连续成膜装置在容器内部进行DLC膜的成膜方法进行说明。首先，对制造循环进行说明，并且对DLC膜的成膜方法进行描述。

首先，使用图2，对将塑料容器安置在成膜室内的容器安装工序进行说明。通过打开真空阀17，而使成膜室内向大气开放，并成为将外部电极3的下部外部电极1从上部外部电极2上脱离的状态。由容器安装操作装置(未图示)，将位于输送装置(未图示)上的未涂敷的塑料容器(图1中的未成膜容器)从输送装置上取出，并装载在下部外部电极1上，然后通过向着上部外部电极2上升，而将塑料容器7插入到收容空间40中，并得到安置。这时，内部电极9处于被插入到塑料容器7内的状态，而外部电极3由O型圈8密闭着。

又，图2的成膜室6是图3(a)的A-A’纵断面的概念图，它具有4个收容空间40a、40b、40c、40d、4个塑料容器7a、7b、7c、7d、和4个内部电极9a、9b、9c、9d；但为了方便起见，将这些标记分别记为收容空间40、塑料容器7、和内部电极9(以下同)。

下面，对将塑料容器7的内部置换成原料气体、并调整成规定的成膜压力的成膜前的气体调整工序进行说明。参照图2，在关闭真空阀17后，打开真空阀18，使真空泵21工作。由此，通过配管13，对包括塑料容器7内部的、成膜室6内部进行排气作业，使成膜室6内的减压室成为真空。这时，减压室内的压力为2.6～66Pa(2×10^-2～5×10^-1Torr)。

接着，打开真空阀16，使在原料气体发生源20中产生碳氢化合物气体，并将该碳氢化合物气体导入到配管22内，然后，经配管10、11、和为接地电位的内部电极9，将由质量流量控制器19而受到流量控制的碳氢化合物气体从气体吹出口49中吹出。由此，将碳氢化合物气体导入到塑料容器7内。然后，通过平衡受到控制的气体流量和排气能力之间的关系，就可以将成膜室6的真空室和塑料容器7内保持并稳定在适于进行DLC成膜的压力(例如，6.6～665Pa，0.05～5.00Torr的程度)。

下面，对下述的CVD成膜工序进行说明：即，对外部电极3供给例如50～2000W的高频能量输出，在塑料容器7内使原料气体等离子化，对塑料容器7的内表面进行DLC膜的成膜。对处于CVD成膜工序的状态的成膜室6，由高频能量供给装置提供RF输出(例如，13.56MHz)。由此，在外部电极3和内部电极9之间产生电压。这时，以使从提供输出的电极全体上的反射波为最小的方式，由自动匹配器，通过电感L、电容C而进行阻抗匹配。由固定匹配器，将同轴电缆的阻抗变换成等离子体的阻抗。由此，在塑料容器7内产生碳氢化合物系的等离子体，从而在塑料容器7内表面形成DLC膜。这时，由于通过使外部电极形成为1个柱状体，使从高频能量的供给起点到收容空间的内壁之间的距离为最短，并且与各收容空间之间不存在距离上的偏差，所以可以在塑料容器的壁面上施加上均一的自偏置电压。而且，成膜时间为很短的数秒钟的时间。接着，停止从高频能量供给装置输出RF，使等离子体熄灭，从而结束DLC膜的成膜。同时，关闭真空阀16，停止原料气体的供给。于是，对在同一个成膜室内的多个塑料容器的内表面上就同时形成了DLC膜。

接着，对使完成涂敷的容器的内部压力回复到大气压的成膜后的气体调整工序进行说明。为了除去残存在成膜室6的减压室和塑料容器7内的碳氢化合物气体，打开真空阀18，由真空泵21对成膜室6的真空室和塑料容器7内的碳氢化合物气体进行排气作业。之后，关闭真空阀18，结束排气作业。这时的成膜室6内的压力为6.6～665Pa(0.05～5.00Torr)。然后，打开真空阀17。由此，空气进入到盖体4b内的空间和外部电极3内的空间中，使成膜室6内向大气开放。

下面，对将完成涂敷的容器取出的容器取出工序进行说明。使外部电极3的下部外部电极1处于从上部外部电极2上脱离的状态。由容器取出操作装置(未图示)，将收容在上部外部电极2内的收容空间中的塑料容器7从上部外部电极2的下侧取出。接着，将完成涂敷的容器(图1中的已成膜的容器)装载在输送装置(未图示)上，然后输出。

下面，对在使用旋转型装置时的成膜的时间顺序的控制方法进行说明。在由高频能量分配装置，对旋转支承体的全部成膜室中的一部分成膜室进行CVD成膜工序时，最好是采用能以一定的时间间隔多次重复地进行各成膜室的各自的制造循环的方式。例如，以图11和图12所示的时间顺序而进行制造循环的方式。在图11中，成膜室的数量为32个，并显示了由2个高频电源(A和B)对其供给高频能量的情况。又，在图12中，成膜室的数量为32个，并显示了由4个高频电源(A、B、C、和D)对其供给高频能量的情况。进一步，如图13或图14所示，也可以将若干个成膜室集中而形成单元，并以一定的时间间隔而进行制造循环的方式。在图13中，成膜室的数量为32个，并显示了由2个高频电源(A和B)对其供给高频能量的情况。又，在图14中，成膜室的数量为32个，并显示了由4个高频电源(A、B、C、和D)对其供给高频能量的情况。图中的1～32的数字是对旋转支承体上的成膜室按顺序编号时的顺序号。在图11～14中，将旋转支承体的规定位置设定为0°，并且将以该0°为基准时的旋转角度作为图的横轴。而且，在同时供给高频能量时，最好能对各收容空间和各成膜室供给均匀的高频能量。通过进行这样的控制，如图1所示，在旋转支承体以一定的速度进行1次旋转的期间，被配置在旋转支承体上的多个成膜室就相应于旋转支承体的旋转角度按顺序地、并重复地进行制造循环；由此，就可以批量生产出涂敷有DLC膜的塑料容器。

在本发明中，还可以根据所需要的装置的能力，对成膜室的数量、高频电源的数量等构成部件的数量进行适当的变更。

在本实施形态中，作为在内部形成薄膜的容器，使用饮料用的PET瓶，但也可以使用其它用途的容器。

又，在本实施形态中，作为用CVD成膜装置进行成膜的薄膜，是例举出DLC膜或含Si的DLC膜的，但在对容器内进行其它薄膜的成膜时，也可以使用上述的成膜装置。

DLC膜的膜厚形成为0.003～5μm。

Claims (10)

1.一种旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是：在兼作外部电极的1个柱状体上，设置有多个分别收容着1个塑料容器的收容空间，并且上述各收容空间的中心轴和上述外部电极的中心轴相互平行；在以上述外部电极的中心轴为中心点的同一圆周上，并列设置着上述收容空间；在被安装在上述各收容空间中的塑料容器的内部，设置有以可以从口部进行自由插脱的方式进行配置的内部电极；设置有在将该内部电极插入到上述塑料容器内时，使内部电极和外部电极之间成为绝缘状态的绝缘部件；进一步，设置有为了对上述收容空间进行减压而具有封闭盖体的成膜室；将多个该成膜室以均等的间隔、并以圆周状配置在旋转支承体上；设置有对被收容在上述各成膜室中的塑料容器的内部导入用于等离子体化的原料气体的原料气体导入装置；设置有对上述各成膜室的外部电极供给高频能量的高频能量供给装置；由此，对上述塑料容器的内表面进行CVD(化学气相沉积)膜的成膜。

2.如权利要求1所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是，在以上述外部电极的中心轴为中心点的同一圆周上，以均等的间隔并列设置上述收容空间。

3.如权利要求1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是：相对于每1个外部电极，设置2个收容空间；并且，以将该收容空间配置在以上述旋转支承体的旋转轴为中心点的同一圆周上的方式，将上述成膜室以均等的间隔配设在上述旋转支承体上。

4.如权利要求1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是：相对于每1个外部电极，设置2个收容空间；并且，在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，以下述方式将上述外部电极的收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，即，将一个的收容空间配置在由成膜室所形成的圆周的外侧，而将另一个的收容空间配置在上述圆周的内侧。

5.如权利要求1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是：相对于每1个外部电极，设置3个收容空间；并且，在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，以下述的配置关系将上述外部电极的收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，即，将2个收容空间配置在由成膜室所形成的圆周的外侧，而将余下的1个收容空间配置在上述圆周的内侧，而且，将与该成膜室相邻配设着的成膜室的2个收容空间配置在上述圆周的内侧，而将余下的1个收容空间配置在上述圆周的外侧。

6.如权利要求1或2所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是：相对于每1个外部电极，设置4个收容空间；并且，在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，以下述方式将上述外部电极的收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，即，将2个收容空间配置在由成膜室所形成的圆周的外侧，而将余下的2个收容空间配置在上述圆周的内侧。

7.如权利要求4或6所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是：在将上述成膜室配设在上述旋转支承体上时，将上述收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，并且以夹持着上述圆周的相邻方式进行排列；或者，将上述收容空间在上述圆周的圆周方向上排列成2列，并且以夹持着上述圆周的相互错开的方式进行排列。

8.一种在塑料容器的内表面形成CVD膜的成膜方法，其特征是，在使权利要求1至7中任一项所述的旋转支承体以一定的速度进行1次旋转期间，进行下述的各工序：将塑料容器收容在上述收容空间中，并安装在上述成膜室内的容器安装工序；将上述塑料容器的内部置换成原料气体，并调整成规定的成膜压力的成膜前的气体调整工序；使上述原料气体等离子体化，并对上述塑料容器的内表面形成CVD膜的CVD膜的成膜工序；将完成涂敷的塑料容器内向大气开放的成膜后的气体调整工序；以及，将上述完成涂敷的容器从上述成膜室中取出的容器取出工序。

9.如权利要求8所述的在塑料容器的内表面形成CVD膜的成膜方法，其特征是，作为上述原料气体，使用碳氢化合物系气体、或含Si的碳氢化合物系气体；并且，作为上述CVD膜，进行DLC膜的成膜。

10.如权利要求1至7所述的旋转型的批量生产用CVD成膜装置，其特征是，作为上述原料气体，使用碳氢化合物系气体、或含Si的碳氢化合物系气体；并且，作为上述CVD膜，进行DLC膜的成膜。

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