CN1324407C - 衬底处理装置和衬底处理方法 - Google Patents

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Abstract

从共用的溶剂蒸汽(水蒸汽)供应源(41)和处理气体(臭氧气体)供应源(42)中向多个处理容器(30A、30B)供应臭氧气体和水蒸汽。为此，本发明提供一种衬底处理装置，它包括：在各自内部进行衬底处理的多个处理容器；从处理气体供应源向所述的多个处理容器分别提供处理气体的多个处理气体供给管路；从溶剂蒸汽供应源向所述的多个处理容器分别提供溶剂蒸汽的多个溶剂蒸汽供给管路；从所述的多个处理容器中分别排出所述处理气体和所述溶剂蒸汽的多个排出管路；在每个所述溶剂蒸汽供给管路中，设置至少一个机构，用于调整对应于各自的溶剂蒸汽管路的所述处理容器的内压，或者，在每个排出管路中设置至少一个机构，用于调整对应于该溶剂蒸汽管路的所述处理容器的内压。

Description

衬底处理装置和衬底处理方法
技术领域
本发明涉及采用处理气体如臭氧和溶剂蒸汽如水蒸汽等处理流体并在密封的处理容器内处理半导体晶片和LCD用玻璃衬底等衬底的衬底处理装置和衬底处理方法。
背景技术
一般，在半导体器件的制造过程中，进行以下一系列处理，即在半导体晶片和LCD衬底等(以下称为衬底)上涂敷光刻胶，采用光刻技术把电路图形转印到光刻胶上，对其进行显影处理，之后从衬底上去除光刻胶。
近年来，从环境保护的观点出发，希望光刻胶的去除不采用存在废液处理问题的药液。对此，最近提出一种新方法，即采用处理气体如臭氧(O3)气体和溶剂蒸汽(指能够溶入处理气体的溶剂的蒸汽，以下相同)如水蒸汽从衬底上去除光刻胶。根据这种方法，在将衬底容纳于处理容器内后，在使处理容器内升温并加压的状态下，向处理容器内提供由臭氧气体和水蒸汽组成的混合处理流体。
在实施上述方法时，从提高生产率的观点来看，使处理容器内的温度和压力快速达到预定值是重要的。但是，如果处理容器的内容积大，则必须使用较多的处理气体和溶剂蒸汽并且必须提高加热器的功率。
为了提高生产率，考虑设置多个处理容器。但在这种情况下，如果与处理容器数量对应地设置多个处理气体供应源和溶剂蒸汽供应源，则存在导致装置整体大型化和高成本的问题。作为解决该问题的措施，考虑由多个处理容器共用处理流体供应源。但是，当共用供应源同时或先后地向多个处理容器提供处理流体时，在处理容器内产生压力变化，恐怕会出现处理不当。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供衬底处理装置和衬底处理方法，即使由共用的处理流体供应源同时向多个处理容器提供处理流体，也能轻易并可靠地控制各个处理容器内的压力。
本发明的第二个目的在于能够容易并可靠地控制处理容器的压力并且实现处理容器的小型化。
为实现上述目的，本发明提供一种衬底处理装置，其特征在于，它包括：在各自内部进行衬底处理的多个处理容器；从处理气体供应源向所述的多个处理容器分别提供处理气体的多个处理气体供给管路；从溶剂蒸汽供应源向所述多个处理容器分别提供溶剂蒸汽的多个溶剂蒸汽供给管路；从所述多个处理容器中分别排出处理气体和溶剂蒸汽的多个排出管路；在每个溶剂蒸汽供给管路中设置至少一个用于调整对应于各自的所述溶剂蒸汽管路的所述处理容器的内压的机构。
当在每个所述溶剂蒸汽供给管路中设置所述至少一个机构时，在所述各溶剂蒸汽供给管路中设置的所述至少一个机构中可以包括可调节流阀。在这种情形下，该衬底处理装置的构成进一步包括控制器和多个开关阀和控制器，在每个所述溶剂蒸汽供给管路中分别设有一个所述开关阀，所述开关阀对向所述各处理容器供应溶剂蒸汽和停止供应进行切换，所述溶剂蒸汽的供应借助设有该开关阀的所述溶剂蒸汽供给管路来进行，并且所述控制器与所述多个开关阀的状态有关地调整所述各可调节流阀的开启度。
此外，所述各处理气体供给管路在设置于所述各溶剂蒸汽供给管路中的所述至少一个机构的下游侧与所述各溶剂蒸汽供给管路连接，由此通过所述各溶剂蒸汽供给管路向所述各处理容器提供所述处理气体。
本发明还提供一种衬底处理装置，它包括：在各自内部进行衬底处理的多个处理容器；从处理气体供应源向所述的多个处理容器分别提供处理气体的多个处理气体供给管路；从溶剂蒸汽供应源向所述的多个处理容器分别提供溶剂蒸汽的多个溶剂蒸汽供给管路；从所述的多个处理容器中分别排出所述处理气体和所述溶剂蒸汽的多个排出管路；在每个所述排出管路中，设置至少一个用于调整对应于各自的所述溶剂蒸汽管路的所述处理容器的内压的机构。
当在每个所述排出管路中设置所述至少一个机构时，设置在每个所述排出管路中的所述至少一个机构可以包含可调节流阀。在这种情形下，设置在所述各排出管路中的所述至少一个机构还可包括与所述可调节流阀并联设置的减压阀。或者，设置在所述各排出管路中的所述至少一个机构还可包括与所述可调节流阀串联设置的开关阀。
在所述各排出管路中设置可调节流阀的情形下，该衬底处理装置被构造成可包括多个压力传感器和控制器，每个压力传感器检测所述各处理容器内的压力或与所述各处理容器内的压力对应地变化的压力，控制器根据所述压力传感器的检测结果来调节所述各可调节流阀的开启度，以使各处理容器内维持一定压力。
在所述各排出管路中串联设有可调节流阀和开关阀的情形下，该衬底处理装置被构造成可包括多个压力传感器和控制器，每个传感器检测所述各处理容器内的压力或与所述各处理容器内压力对应地变化的压力，控制器根据所述压力传感器的检测结果来控制所述开关阀的开关，以使所述各处理容器内维持一定压力。
在所述各排出管路中串联设有可调节流阀和开关阀的情形下，该衬底处理装置被构造成可包括控制器和多个开关阀，在每个所述溶剂蒸汽供给管路中分别设有一个所述开关阀，所述开关阀对向所述各处理容器供应溶剂蒸汽和停止供应进行切换，所述溶剂蒸汽的供应借助设有该开关阀的所述溶剂蒸汽供给管路来进行，并且所述控制器与所述溶剂蒸汽供给管路的开关阀状态有关地控制所述排出管路的各开关阀的开关。
在各排出管路中设有可调节流阀的情形下，衬底处理装置被构造成可包括控制器和多个开关阀，在每个溶剂蒸汽供给管路中分别设有一个所述开关阀并且所述开关阀对向所述各处理容器供应溶剂蒸汽和停止供应进行切换，所述溶剂蒸汽的供应借助设有该开关阀的所述溶剂蒸汽供给管路来进行，并且所述控制器与所述多个开关阀的状态相关地调整所述各可调节流阀的开启度。在排出管路中设有所述至少一个机构的情形下，最好在各溶剂蒸汽供给管路设置固定节流阀。
在本发明的优选实施例中，所述各处理容器包括容器体和盖体，所述容器体具有衬底支承部件，所述盖体具有衬底支承部件，该衬底支承部件能够在与所述容器体密封接合地在所述处理容器内划分出处理空间的同时支承所述衬底，盖体被设计成这样的构造，即在所述盖体与所述容器体接合的场合下，在所述衬底装载在所述衬底支承部件上的同时，所述盖体的衬底支承部件与所述衬底分开。
本发明还提供一种衬底处理装置，它包括：在内部进行第一衬底处理的第一处理容器；在内部进行第二衬底处理的第二处理容器；从处理气体供应源向第一处理容器提供处理气体的第一处理气体供给管路；从处理气体供应源向第二处理容器提供处理气体的第二处理气体供给管路；从溶剂蒸汽供应源向第一处理容器提供溶剂蒸汽的第一溶剂蒸汽供给管路；从溶剂蒸汽供应源向第二处理容器提供溶剂蒸汽的第二溶剂蒸汽供给管路；从第一处理容器排出处理气体和溶剂蒸汽的第一排出管路；从第二处理容器排出处理气体和溶剂蒸汽的第二排出管路；在第一溶剂蒸汽供给管路中设置的第一供给侧开关阀；在第二溶剂蒸汽供给管路中设置的第二供给侧开关阀；在第一排出管路中设置的第一可调节流阀；在第二排出管路中设置的第二可调节流阀；如此调节第一可调节流阀的开启度的控制器，对在第一和第二供给侧开关阀都打开的场合和在第一供给侧开关阀打开且第二供给侧开关阀关闭的场合来说，使第一可调节流阀的开启度不一样。
在优选实施例中，该衬底处理装置还包括：与所述第一可调节流阀串联设置在所述第一排出管路中的第一排出侧开关阀，与所述第二可调节流阀串联设置在所述第二排出管路中的第二排出侧开关阀；所述控制器被构造成控制所述第一排出侧开关阀的开关以使所述第一处理容器内维持一定压力并且控制所述第二排出侧开关阀的开关以使所述第二处理容器内维持一定的压力。
在优选实施例中，在第一排气管路中，与第一可调节流阀并联地设置第一减压阀，而且在第一排气管路中，与第二可调节流阀并联地设置第二减压阀。
本发明还提供一种衬底处理装置，它包括：在内部进行衬底处理的处理容器；与所述处理容器连接的、向所述处理容器供应包含处理气体和溶剂蒸汽的混合处理流体的供给管路；与所述处理容器连接的、从所述处理容器中排出所述混合处理流体的排出管路；在所述排出管路中串联设置的开关阀和可调节流阀；
使所述处理容器内的压力成为预定值地进行所述可调节流阀的开启度控制和所述开关阀的开关控制的控制器。
根据本发明的第二方面，提供一种衬底处理方法。它包括在第一期间里向容纳第一衬底的第一处理容器供应处理气体和溶剂蒸汽的工序、在第二期间里向容纳第二衬底的第二处理容器供应处理气体和溶剂蒸汽的工序，其中被供给第一处理容器的溶剂蒸汽和被供给第二处理容器的溶剂蒸汽是由共用的溶剂蒸汽供应源提供的，其特征在于，该方法还包括在第一期间里调整第一处理容器内的压力的工序、在第二期间里调整第二处理容器内的压力的工序，调整第一处理容器内的压力的工序是通过调节第一可调节流阀的开启度进行的，第一可调节流阀被设置在向第一处理容器提供溶剂蒸汽的第一溶剂蒸汽供给管路中或从第一处理容器中排出溶剂蒸汽和处理气体的第一排出管路中；调整第二处理容器内的压力的工序通过调节第二可调节流阀的开启度进行，第二可调节流阀被设置在向第二处理容器提供溶剂蒸汽的第二溶剂蒸汽供给管路中或从第二处理容器中排出溶剂蒸汽和处理气体的第二排出管路中；只有第一期间的一部分与第二期间重复；在向第一和第二处理容器都供应溶剂蒸汽时的第一可调节流阀的开启度与在向第一处理容器供应溶剂蒸汽并同时不向第二处理容器供应溶剂蒸汽时的第一可调节流阀的开启度是不一样的。
在优选实施例中，所述第一可调节流阀设置在所述第一排出管路中，所述第二可调节流阀设置在所述第二排出管路中。
而且，可以在第一排出管路中与第一可调节流阀并联地设置第一减压阀，在第二排出管路中与第二可调节流阀并联地设置第二减压阀。此时，该衬底处理方法可以进一步包括以下工序：在第一期间之前向第一处理容器不提供溶剂蒸汽而提供处理气体；在第二期间之前向第二处理容器不提供溶剂蒸汽而提供处理气体；当在第一期间之前向第一处理容器提供处理气体时，用第一减压阀调整第一处理容器内的压力；当在第二期间之前向第二处理容器提供处理气体时，采用第二减压阀调整第二处理容器内的压力。
在第一可调节流阀设置在第一排出管路中且第二可调节流阀设置在第二排出管路中的情形下，可以在第一排出管路中与第一可调节流阀串联地设置第一开关阀并在第二排出管路中与第二可调节流阀串联地设置第二开关阀。此时，在第一期间里调整第一处理容器内压力的工序包括反复开关第一开关阀的工序，并且在第二期间调整第二处理容器内压力的工序包括反复开关第二开关阀的工序。
本发明还提供一种衬底处理方法，它包括向容纳衬底的处理容器提供处理气体和溶剂蒸汽的工序、调整所述处理容器内的压力的工序。调整所述处理容器内的压力的工序包括调整可调节流阀开启度的工序和重复开关阀的开关的工序，其中所述可调节流阀和所述开关阀串联设置在与所述处理容器连接的排出管路中。
本发明还提供一种衬底处理方法，它包括以下工序：在第一期间里向容纳衬底的处理容器内提供处理气体；在第一期间后的第二期间里向所述处理容器内提供所述处理气体和溶剂蒸汽；在所述第一期间里用减压阀调整所述处理容器内的压力；在所述第二期间里通过调整可调节流阀的开启度来调整所述处理容器内的压力，其中所述减压阀和所述可调节流阀并联设置在与所述处理容器连接的排出管路中。
在第二期间里调整处理容器内的压力的工序可以通过除调整可调节流阀的开启度外还反复开关开关阀来进行。在这里，开关阀与可调节流阀串联设置在排出管路中。
附图说明
图1是包含根据本发明的衬底处理装置的衬底处理系统的示意平面图。
图2是图1所示衬底处理系统的示意侧视图。
图3是图1所示的衬底处理装置的配管系统图。
图4是图3所示可调节流阀结构的剖面图。
图5是图3所示臭氧气体发生装置结构的示意图。
图6是图3所示处理容器结构剖面图，是容器的开放状态的剖面图。
图7(a)是图6的区域VIIa的放大图，图7(b)是沿图7(a)的线VIIb-VIIb的剖面图。
图8是图6所示处理容器的密闭状态的剖面图。
图9是图8的区域IX的放大图。
图10是沿图8的线X-X的处理容器剖面图。
图11是沿图10的线XI-XI的放大剖面图。
图12是沿图10的线XII-XII的放大剖面图。
图13(a)是在处理容器设置的锁定机构的平面图，13(b)是从箭头XIIIb方向看的放大图。
图14是根据本发明的衬底处理装置的另一实施例的配管系统图。
图15是根据本发明的衬底处理装置的另一实施例的配管系统图。
图16是根据本发明的衬底处理装置的另一实施例的配管系统图。
具体实施方式
以下，对本发明的优选实施例进行说明。图1是包含根据本发明的衬底处理装置的衬底处理系统的示意平面图，图2是示意侧视图。
衬底处理系统1主要由对被处理体如半导体晶片W(以下称为晶片W)进行预定处理的处理部2和将晶片W送入·送出处理部2的送入送出部3构成。
送入送出部3由出入口4和晶片输送部5构成，出入口4设有装载晶片托架C的装载台6，晶片输送部5具有晶片输送装置7，在装载台6所装载的托架C与处理部2之间进行晶片W的交接。在晶片托架C上容纳处理前和处理后的多张例如25张晶片。
晶片托架C的侧面设有开口，在该开口设有盖体。如果开启盖体，则可以接近晶片托架C上的晶片W。在晶片托架C的内壁，设置使晶片W保持预定间隔的搁板，利用该搁板形成容纳晶片W的25个槽。晶片W在形成半导体器件的面向上的状态下一一对应地容纳在各槽中。
在出入口4的装载台6上，可以在水平方向(Y方向)并排装载多个如3个晶片托架。隔壁8在设置盖体的侧面将出入口4与晶片输送部5间隔开，晶片托架C以朝向隔壁8侧的状态装载在装载台6上。在与晶片托架C的装载位置对应的位置上，在隔壁8中形成窗9。在窗9的晶片输送部5侧设置可启闭的闸板10。
配置在晶片输送部5上的晶片输送装置7的本体部可在水平方向(Y方向)和垂直方向(Z方向)上自由移动并可在水平面(X-Y平面)内自由旋转(θ方向)。晶片输送装置7具有把持晶片W的取出收纳臂11，取出收纳臂11可在水平方向(在图1状态下是X方向)上自由移动。因此，晶片输送装置7可以接近装在装载台6上的全部晶片托架C的在任意高度上的槽并且可以接近设置在处理部2处的上下两个晶片交接单元16、17并能在出入口4与处理部2之间输送晶片W。
处理部2包括主晶片输送装置18、晶片交接单元16、17、衬底清洗单元12、13、14、15以及构成本发明衬底处理装置的主要部分的衬底处理单元23a～23h。当在晶片输送部5的晶片输送装置7和主晶片输送装置18之间交接晶片W时，晶片W暂时装载在晶片交接单元16、17上。
在处理部2中，设有臭氧发生装置24和药液存储装置25，臭氧发生装置24产生作为被供给衬底处理单元23a～23h的处理气体的臭氧气体，药液存储装置25储存供给衬底清洗单元12～15的处理液。在处理部2的顶棚部，设有用于使清新空气向下流向各单元和主晶片输送装置18的风扇过滤单元(FFU)26。
从风扇过滤单元(FFU)26向下流动的部分气流经过晶片交接单元16、17内及其上部空间并向晶片输送部5流出。这样，可以防止微粒等污染物质从晶片输送部5向处理部2侵入，由此保证处理部2内的清洁。
晶片交接单元16、17上下重叠设置。下晶片交接单元17用于暂时装载从出入口4侧向处理部2侧输送的晶片W，上晶片交接单元16用于暂时装载从处理部2侧向出入口4侧输送的晶片W。
主晶片输送装置18的本体部分可以在水平方向(X方向)和垂直方向(Z方向)上移动并且可以借助未示出的电机在水平面(X-Y平面)内旋转(θ方向)。而且，主晶片输送装置18具有保持晶片W的输送臂18a，输送臂18a可沿水平方向(在图1的状态是Y方向)自由移动。因此，主晶片输送装置18可以接近晶片交接单元16、17、衬底清洗单元12～15和衬底处理单元23a～23h。
在衬底处理单元23a～23h中接受了光刻胶水溶化处理的晶片在各衬底清洗处理单元12、13、14、15中进行清洗处理和干燥处理。根据需要，可以在衬底清洗处理单元12、13、14、15中再进行药液清洗处理和干燥处理。
衬底清洗处理单元12、13和衬底清洗处理单元14、15与隔壁27相关地成对称结构，此外，各衬底清洗处理单元12、13、14、15为大致相同的结构。
衬底处理单元23a～23h对晶片W表面涂敷的光刻胶进行水溶化处理。水溶化处理是使具有疏水性的不溶于水的光刻胶膜变质为水溶性膜的处理。衬底处理单元23a～23h夹持隔壁28并按左右各四个的方式上下叠置。在壁28的左侧，从上开始设有衬底处理单元23a、23b、23c、23d，在壁28的右侧，从上开始设有衬底处理单元23e、23f、23g、23h。左侧的单元23a、23b、23c、23d和右侧的单元23e、23f、23g、23h相对隔壁28是对称的，此外，左侧的单元和右侧的单元为大致相同的结构。
以下，以单元23a、23b为例详细说明衬底处理单元。图3是与衬底处理单元23a、23b有关的配管系统图，是根据本发明的衬底处理装置的系统图。在衬底处理单元23a、23b上分别设置处理容器30A、30B。处理容器30A、30B通过各自的溶剂蒸汽供给管路40(40A、40B)(以下称为“主供给管路”)与作为两个处理容器30A、30B所共用的单个溶剂蒸汽供应源的蒸汽发生装置41连接。在主供给管路40(40A、40B)上接入调整处理容器30A、30B内的压力的机构，如可调节流阀50(50A，50B)。
如图4所示，可调节流阀50具有阀体50a，该阀体具有与蒸汽发生装置41侧管路连接的供给口51、与设置在下端上的处理容器30A、30B的侧管路连接的排出口52、连通供给口51和排出口52的通道53、在通道53上方开口的孔54。阀体57可上下自由移动地插在孔54内。阀体57底面55可压在设置于通道53内的阀座56上。利用膜片58连结阀体57的外周面和阀体50a的内周面。借助伺服电机59，可正反旋转的阳螺纹轴59a与设置在阀体57中的阴螺纹孔57a啮合。
通过驱动伺服电机59来调整可调节流阀50的阀开启度，由此调整通过主供给管路40供给处理容器30A、30B水蒸汽的供应量。由于处理容器30A、30B内的压力随着供给处理容器的臭氧气体和水蒸汽的流量而变化，所以通过调整可调节流阀50的阀开启度，可以调整处理容器内的压力。
而且，作为处理气体供应源的臭氧气体发生装置42和空气供应源43通过供给切换装置60(60A、60B)被接在主供给管路40的可调节流阀50的下游侧(二次侧)。供给切换装置60包括分别连通和切断各主供给管路40的第一切换阀(开关阀)61、连通和切断臭氧供给管路44的第二切换阀(开关阀)62、连通和切断空气供给管路45的第三切换阀(开关阀)63。在空气供给管路45中接入可以切换到大流量部46a和小流量部46b的流量切换阀46以及开关阀V1。
如图5所示，臭氧发生装置42在施加来自高频电源42a的高频电压的放电电极42b、42c之间通过原料气体氧(O2)生成臭氧(O3)。在与高频电源42a和放电电极42b、42c连接的电路42d中接入开关42e。根据来自控制衬底处理系统的全部工作的系统控制器(未图示)的控制信号来控制开关42e。
再次参见图3，在主供给管路40的可调节流阀50与供给切换装置60之间设置压力计47。而且，纯水供应源49通过设有开关阀V2的纯水供给管路48与蒸汽发生装置41连接。空气供应源43通过支管70被接到纯水供给管路48的开关阀V2的下游侧(二次侧)。在支管70中接入开关阀V3。两个开关阀V2、V3可以处于开和关的状态。而且，接入与开关阀V3联动的排泄阀DV的排泄管路71与蒸汽发生装置41底部连接，通过排泄管路71，可以排出残留在蒸汽发生装置41内的纯水。与排泄管路71连接的纯水排出管路72被接到蒸汽发生装置41的上部。在纯水排出管路72中接入开关阀V4，同时，支管73被接到开关阀V4的上游侧(一次侧)和下游侧(二次侧)，在支管73中接入减压阀RV1。
在与处理容器30A、30B的主供给管路40的连接部位的相对侧上，接有排出管路80(80A、80B)。排出管路80通过减压阀RV2与设置在衬底处理单元23a、23b中的排出口81(EXHAUST)连接。分支排出管路82连接到排出管路80的减压阀RV2的上游侧(一次侧)，在该分支排出管路82中接入排气切换装置90(90A、90B)。排气切换装置90包括：第一排气切换阀(开关阀)91，它维持常闭状态并在紧急时打开；第二排气切换阀(小口径的节流开关阀)92，它在打开时可以小流量排气；第三排气切换阀(大口径的节流开关阀)93，它在开放时可以大流量排气。排气切换装置90的第一排气切换阀91的下游侧(二次侧)被接到与紧急排出口83(EMERGENCY EXHAUST)连接的非常排出管路84。而且，第二、第三排气切换装置92、93被接到与排出口81(EXHAUST)相连的排出管路80a上。在排出口81和紧急排出口83上连接着将排出的处理流体分离成含臭氧气体的气体和液体的冷却装置以及集雾器(均未图示)、将分离出的臭氧气体热分解成氧的臭氧消除器(未图示)。
以下，说明处理容器30A、30B。如图6和图8所示，处理容器30A具有容器体32和盖体34。在容器体32上设置装载晶片W的支承隆起31。在盖体34上设置支承部件33，该支承部件接收可由主晶片输送装置18输送的晶片W。可以通过驱动气缸35使盖体34上下移动。当在主晶片输送装置18与支承部件33之间进行晶片W的交接时，容器体32离开盖体34，在处理中，盖体34与容器体32密封接合。而且，处理容器30A具有分别埋设在容器体32和盖体34内的加热器36a、36b，利用这些加热器36a、36b使处理容器30A内维持预定温度。如果想实现期望的温度控制，也可以仅在容器体32设置加热器36a。而且，利用锁定机构121维持容器体32和盖体34的密封状态。在处理容器30A中安装泄漏传感器39a，它可以监视处理容器30A内的处理流体的泄漏。
如图9和图10所示，盖体34在与埋设加热器36b的圆盘状基体34a底面对置的两处上具有下垂的一对支承部件33。如图7所示，支承部件33成具有垂直部分33a和从垂直部分33a下端起向内延伸的水平部分33b的L形剖面状。水平部分33b的前端33c沿下述支承隆起31弯曲。在水平部分33b的前端顶面上形成装载晶片W的棱部的台阶部33d。
如图6、图8和图10所示，容器体32具有埋设加热器36a的圆盘状的基底32a。比晶片W直径稍小的圆形支承隆起31在基底32a上面突出。圆周壁32b从基底32a的周边部竖起，圆周壁32b顶面的高度比支承隆起31顶面的高度高。在圆周壁32b与支承隆起31之间形成圆周槽32c。在与圆周槽32c对置的两处上，形成容纳支承部件33的凹处32d。在圆周壁32b的上面形成在同心圆上设置的两重圆周槽32e，O形环32f容纳在这些圆周槽32e内。
而且，在圆周壁32b上，在从设有两个凹处32d的位置起分别移动90度的位置上分别设置与主供给管路40连接的供给口37和与排出管路80连接的排出口38(参见图10)。如图11所示，供给口37设置在沟32c的上部。如图12所示，排出口38设置在沟32c的底部。这样，通过把供给口37设置在沟32c的上部并把排出口38设置在沟32c的底部，可以使从供给口37提供的处理流体即臭氧气体和水蒸汽的混合流体无停滞地顺利供应给处理容器30A，即容器体32与盖体34之间的空间39。而且，当在处理后排出处理容器30A内的处理流体时，可使处理容器30A内的处理流体无残存地排出。在图中仅设有一个供给口37，但是也可以设置多个供给口37。
如图6、图8和图13所示，气缸35具有缸体35a和活塞杆35b，活塞杆35b从缸体35a向下延伸并固定在盖体34顶面上。在四个立设在矩形固定盘100(参见图13)上的支柱101的上端上，架设着顶板103，利用螺栓102把顶板103固定在支柱101上。缸体35a垂直固定在顶板103的下面上。如果活塞杆35b收缩，则盖体34上升并离开容器体32。而且，如果活塞杆35b伸出，则盖体34下降并接触容器体32圆周壁32b的顶面并与O形环32f密封接合。
以下，参照图8和图13来说明锁定机构120。在从容器体32的基底32a的下面中心向下突出的支持轴104，通过轴承105可自由旋转地安装旋转筒106。借助旋转致动器107，旋转筒106可以正反旋转。圆板108从旋转筒106的外周起水平延伸，在圆板108的周边部上立设有12个托架109。从各托架109的下部起在半径方向上朝内地突设有下部水平轴110，下部接合辊112可自由旋转地安装在下部水平轴110上。下部接合辊112可以与突设在基底32a外周面上的下部接合片111的底面接合。上部水平轴113从各托架109上部起在半径方向上向内突出地设置着，上部接合辊115可自由旋转地安装在上部水平轴113。上部接合辊115可以与突设在盖体34外周面上的上部接合片114的顶面接合。下部接合片111是沿基底32a的外周连续形成的环状部件。而且，上部接合片114沿盖体34的外周断续地形成，在相邻的上部接合片114之间，设置尺寸比上部接合辊115的直径稍大的缺口116。而且，在上部接合片114顶面上，形成从缺口116的一端(图13(b)的左侧)起上倾的倾斜面117和与倾斜面117的上端连接的平面118(参见图13(b))。
根据如上所述地构成的锁定机构120，在盖体34与容器体32对接的状态下，如果旋转筒106和臂108借助旋转致动器107旋转，则下部接合辊112在下部接合片111的底面上转动，上部接合辊115在上部接合片114的倾斜面117上转动并到达平面118。即，成对的12组下部接合辊112和上部接合辊115夹持突出设置在容器体32基底32a上的下部接合片111和突出设置在盖体34上的上部接合片114，由此固定容器体32和盖体34。此时，O形环32f受压并且盖体34被密封在容器体32上。
当解除锁定时，旋转致动器107反向旋转，各组下部接合辊112和上部接合辊115位于待机位置，即上部接合辊115位于缺口116内。在此状态下，通过气缸35活塞杆35b的回撤，使盖体34与容器体32分开。
以下，说明按上述构成的处理系统1的晶片W的处理工序。首先，利用取出收纳臂11从装载在出入口4的装载台6的托架C上取出每张晶片W。取出收纳臂11把取出晶片W送往晶片交接单元17。然后，主晶片输送装置18从晶片交接单元17处接收晶片W。主晶片输送装置18将所接受的晶片W送入预定的衬底处理单元23a～23h。而且，在各衬底处理单元23a～23h中，使涂在晶片W表面上的光刻胶水溶化。利用输送臂18a将已结束光刻胶水溶化处理的晶片W送出各衬底处理单元23a～23h。之后，利用输送臂18a将晶片W适当地送入衬底清洗单元12、13、14、15的任意一个中，用纯水等清洗液进行除去附着在晶片W上的水溶化光刻胶的清洗处理。由此一来，剥离涂在晶片W上的光刻胶。当在各衬底清洗单元12、13、14、15处对晶片W进行完清洗处理后，根据需要，用药液进行去除微粒和金属污染物质的处理，再进行干燥处理。之后，利用输送臂18a再将晶片W送到交接单元17。利用取出收纳臂11将晶片W从交接单元17中取出并利用取出收纳臂11收纳在托架C内。
以下，以采用衬底处理单元23a即处理容器30A的情形为例，说明衬底处理单元23a～23h的工作情况。首先，在盖体34离开容器体32的状态下，使保持晶片W的主晶片输送装置18的输送臂18a移到盖体34的下方，把晶片W转送到盖体34的支承部件33上。然后，驱动气缸35使盖体34降低并使盖体34向容器体32移动。在此过程中，支承部件33进入容器体32的凹处32d，同时支承部件33所支承的晶片W装载在容器体32的支承隆起31上并且与支承部件33分离。在把晶片W装载在支承隆起31上后，如果盖体34再次下降，则盖体34与容器体32的圆周壁32b的顶面接触，同时O形环32f受压并由此使处理容器30A密封。
在处理容器30A密闭的状态下，加热器36a、36b工作，使处理容器30A内的气氛温度和晶片W的温度上升。然后，开启供给切换装置60(60A)的第二切换阀62，臭氧气体发生装置42通过臭氧气体供给管路44向处理容器30A内输送预定浓度的臭氧气体。此外，在处理容器30A内变为臭氧气体气氛的同时，使处理容器30A内的压力维持在比大气压高的压力下，例如表压为0.2MPa左右。利用加热器36a、36b，使处理容器30A内的气氛温度和晶片W的温度维持在预定温度。由此，可以促进晶片W的光刻胶水溶化处理。通过排出管路80(80A)从处理容器30A内排出的流体被导入捕雾器(未图示)。
之后，在供给切换装置60(60A)的第一和第二切换阀61、62开启的状态下，向处理容器30A同时供应臭氧气体和水蒸汽，进行晶片W的水溶化处理。此时，通过调整可调节流阀50(50A)的开启度来调整水蒸汽供给量，同时使处理容器30A内的压力调整到预定压力。接在排出管路80(80A)中的排气切换装置90(90A)的第三排气切换阀93处于开启状态，一边使处理容器30A排气，一边同时提供臭氧气体和水蒸汽。利用未示出的温度调节器将蒸汽发生装置41所产生的水蒸汽的温度调到预定温度如115℃左右，同时，水蒸汽通过主供给管路40(40A)并在供给切换装置60(60A)内与臭氧气体混合并被送入处理容器30A。在这种情形下，处理容器30A内的压力维持在比大气压高的压力下，例如表压为0.2MPa左右。而且，利用加热器36a、36b使处理容器30A内的气氛温度和晶片W温度维持预定温度。这样，利用充满处理容器30A的臭氧气体和水蒸汽的混合流体，使涂在晶片W表面上的光刻胶氧化成水溶性。由于支承部件33容纳在设置于容器体32内的凹处32d中，所以，处理容器30A内的处理空间即形成于容器体32与盖体34之间的空间39的容积可以非常小。因此，可以快速进行处理容器30A内的压力控制(特别是升压)和温度控制(特别是升温)。而且，能够降低处理流体(臭氧气体和水蒸汽)的消耗量。此外，能够实现处理容器30A进而衬底处理单元的小型化。
在光刻胶水溶化处理中，一边从主供给管路40(40A)连续供应混合处理流体，一边从排出管路80(80A)排出混合处理流体。此时，与主供给管路40A连接的供给口37在晶片W顶面侧吐出混合处理流体，与排出管路80A连接的排出口38从与供给口37相反的位置上即晶片W下方排出混合处理流体(参见图11和图12)。因此，位于晶片W上方的混合处理流体从在晶片W上面与盖体34之间形成的处理空间39流向排出口38。而且，在晶片W周围的混合处理流体沿晶片W的周边流向排出口38。
这样的做法也是可行的，即在停止主供给管路40A供应混合处理流体的同时，一边停止从排出管路80A中排出并使处理容器30A内的压力保持一定，一边利用充满处理容器30A的混合处理流体进行晶片W的光刻胶水溶化处理。关闭供给切换装置60A的各切换阀和排气切换装置90A的各切换阀。
光刻胶水溶化结束后，从处理容器30A中排出臭氧气体和水蒸汽组成的混合处理流体。此时，与供给切换装置60对应的流量切换阀46切换到大流量部46a侧，从空气供应源43向处理容器30A提供大量清洁的干燥空气，同时，排出管路80A的排气切换装置90A的第三排气切换阀93为开启状态。此外，一边从处理容器30A内排气，一边由空气供应源43输入干燥空气。这样，可以利用清洁干燥空气对主供给管路40A、处理容器30A、排出管路80A中进行清理。排出的混合处理流体通过排出管路80A排出到未示出的集雾器中。
随后，气缸35动作，盖体34向上移动并与容器体32分离。在此过程中，容纳在凹处32d的支承部件33拿起装在支承隆起31上的晶片W并从那里取走。在这种状态下，主晶片输送装置18的输送臂18a移到盖体34的下方，输送臂18a取走支承部件33所支承的晶片W并从那里运走。
以下，说明在向上述处理容器30A提供水蒸汽(和臭氧)期间(水溶化处理时)内开始向处理容器30B提供水蒸汽(和臭氧)时的两个处理容器30A、30B的压力调整。在向处理容器30B供应水蒸汽的开始前和供应结束后的处理容器30B的流体(臭氧，净化空气等)的提供顺序，与在处理容器30A进行的顺序相同。
在与处理容器30A连接的主供给管路40A的可调节流阀50A被调整到预定开启度的状态下，向处理容器30A提供水蒸汽，此时也向处理容器30B提供水蒸汽，按以下方式操作。
在处理容器30B升温且处理容器30B已经充满臭氧后，将与处理容器30B连接的主供给管路40B的可调节流阀50B调整到预定开启度，在此状态下开启供给切换装置60B的第二切换阀62，开始向处理容器30B提供水蒸汽。
在与处理容器30B连接的主供给管路40B中接入的切换阀61开启的状态下，开始向处理容器30B提供水蒸汽，调小在已供应了水蒸汽的主供给管路40A中接入的可调节流阀50A的开启度。由此，可以防止处理容器30A内的急剧压力变化。尽管水蒸汽供应量减少了，但由于臭氧和水蒸汽的供应比例在某一预定的许可范围，所以只要水蒸汽供应量的减少满足所述许可范围，则不会对处理结果产生不利影响。
处理容器30B内的压力如果稳定，则可调节流阀50A、50B的开启度调节量基本相同。由此向两个处理容器30A、30B提供流量一样的水蒸汽，而且两个处理容器30A、30B内的压力维持彼此相同。
利用未示出的系统控制器来调整可调节流阀50A、50B的开启度。可调节流阀50A、50B的开启度的控制数据存储在系统控制器中。该控制数据例如是在处理容器30A进行处理的中途、处理容器30B开始处理时通过将两个处理容器30A、30B的压力变化抑制到最小限度来控制两个可调节流阀50A、50B的开启度的历时数据。通过预先用该衬底处理系统进行实验来求出该控制数据。
在处理中，也可以选择在排出管路80(80A、80B)中接入的排气切换装置90(90A、90B)的第二和第三排液切换阀92、93处于开启状态。由于通过这种切换，可以调整处理容器30A、30B内的压力，所以能够更正确地并且容易地进行处理容器30A、30B内的压力调整。
尽管在上述实施例中说明了一个蒸汽发生装置41与两个处理容器30A、30B连接的情形，但一个蒸汽发生装置41也可以与三台以上的多个处理容器连接。在这种情形下，可以根据同时处理中使用的处理容器的数量来调整可调节流阀50的开启度的节流量。例如，在同时使用三个处理容器的情况下，可调节流阀50的开启度节流为1/3，在同时使用四个处理容器的情况下，可调节流阀50的开启度节流为1/4。
而且，在上述实施例中，尽管作为调整处理容器内压力的装置地采用了使用伺服电机59的电动式可调节流阀50，但并不限于此。作为压力调整装置，可以使用流体控制技术领域公知的任何装置。本说明书中的“可调节流阀”并不限于单个的可调节流阀，也包括内置于质量流量控制器中的流量控制阀。
在上述实施例中，根据在系统控制器中存储的预定开启度控制数据，进行可调节流阀50的开启度调整，但本发明并不限于此。也可以通过检测处理容器30A、30B内的实际压力，根据所测压力值的反馈控制来进行可调节流阀50的开启度调整。即，如图14所示，在处理容器30A、30B内配设作为压力检测装置的压力传感器200，在处理中，可以将压力传感器200所检测的检测信号送到控制器例如中央处理器300(CPU)，来自CPU300的控制信号送到可调节流阀50的伺服电机59，进行可调节流阀50的开启度调整。图14中，其他部分与上述实施例相同，所以对同样的部分付与同一标号，省略其说明。
以下，参照图15说明本发明的其它实施例。图15所示的实施例与图3所示的实施例的不同点如下。
(1)从由蒸汽发生装置41向处理容器30A、30B提供水蒸汽的主蒸汽供给管路40(40A、40B)中去除了可调节流阀50(50A、50B)，取而代之的是，在第三排气切换阀93的紧接的下游侧配置可调节流阀50(50A、50B)。
(2)从由蒸汽发生装置41向处理容器30A、30B提供水蒸汽的主蒸汽供给管路40(40A、40B)中去除了压力计47，取而代之的是，在排气管路80的处理容器30A、30B的紧接的下游侧(减压阀RV2和排气切换装置90的上游侧)配置压力计47。
(3)排气切换装置90的第三切换阀93不是有节流功能的开关阀，而是普通的开关阀。
(4)在主蒸汽供给管路40(40A、40B)设置固定喷孔120。通过设置固定喷孔120，可使蒸汽发生装置41内的压力经常维持在高压下，由此稳定地进行蒸汽的发生。
图15所示的其它部分的结构与图3所示结构相同，所以省略重复的说明。
以下，说明作用。如果晶片W容纳在处理容器30A内，利用加热器36a、36b使处理容器30A内的气氛温度和晶片W温度上升。然后，开启供给切换装置60(60A)的第二切换阀62，通过臭氧气体供给管路44，臭氧气体发生装置42向处理容器30A内提供预定浓度的臭氧气体。此时，排气切换装置90(90A)的第一、第二和第三切换阀91、92、93处于关闭状态，利用减压阀RV2使处理容器30A内维持在比大气压高的压力下，例如表压为0.2MPa左右。在处理容器30A内的臭氧气氛确定之后，利用加热器36a、36b使处理容器30A内的气氛温度和晶片W的温度维持预定温度。
之后，在供给切换装置60A的第一和第二切换阀61、62开启的状态下，向处理容器30A内同时供应臭氧气体和水蒸汽，进行晶片W的水溶化处理。此时，排气切换装置90A的第一和第二切换阀91、92继续处于关闭状态，第三切换阀93为开启状态。而且，调整在切换阀93的下游侧设置的可调节流阀50A的开启度，使处理容器30A内的压力调整到预定值，例如比大气压高的压力，例如表压为0.2Mpa左右。
在多个处理容器30A、30B同时进行晶片W的水溶化处理的情形下，可以根据采用的处理容器的数量，调整可调节流阀50A、50B的开启度。根据图15的实施例，由于在处理容器30A、30B的下游侧设置可调节流阀50，所以在处理容器的内压上升时，应关小可调节流阀50。由此可更容易地调整处理容器内的压力。而且，与上述实施例同样，在由处理容器30A进行水溶化处理的中途，由处理容器30B开始水溶化处理的情形下，最好在开始向处理容器30B提供水蒸汽时，暂时关小排出管路80A的可调节流阀50A，然后，将两个可调节流阀50A、50B的开启度调整为彼此相同。由此可使开始向处理容器30B提供水蒸汽后处理容器30A内压力的立即急剧降低得以抑制。此时，两个可调节流阀50A、50B的开启度历时调整，既可以与上述实施例一样地根据先前实验所求得的控制数据进行，也可以通过反馈控制进行。在使用反馈控制的情形下，如图16所示，在处理中，将压力计47检测的检测信号送到CPU300(控制器)，来自CPU300的控制信号送到可调节流阀50的伺服电机59，对可调节流阀50的开启度进行调整。
除了以上说明的工序之外，其余与图3的实施例说明的一样。
也可以组合使用排气切换装置90A的第三切换阀93(开关阀)来进行水溶化处理时的处理容器30A的压力调整。亦即，在可调节流阀50A调整到适当的开启度的状态，通过反复进行排气切换装置90A的切换阀93的开关，来调整处理容器30A的压力。而且，同样也可以组合使用排气切换装置90B的第三切换阀93(开关阀)来进行水溶化处理时的处理容器30B的压力调整。即，在可调节流阀50B被调到适当开启度的状态下，通过反复进行排气切换装置90B的切换阀93的开关来调整处理容器30B的压力。由于阀开关能够比阀开启度调整更高速地进行，所以压力调整精度能够较高。在图16所示结构中，切换阀93的开关控制可以根据压力计47的检测值通过反馈控制来进行，以便通过CPU300来控制切换阀93。但是，反馈控制并非是必须的，如果蒸汽发生装置72内的压力稳定，也可以根据由预先实验确定的程序并通过排气切换装置90A(90B)的切换阀93的开关来调节处理容器30A(30B)内的压力。也可以通过同时进行可调节流阀50A(50B)的开启度调整和排气切换装置90A(90B)的切换阀93的开关来调整压力。
此外，在上述实施例中，尽管说明了本发明应用于去除半导体晶片中所形成光刻胶膜的衬底处理单元的情形，但衬底处理单元既也可以是进行腐蚀处理，又可以是处理半导体晶片之外的衬底例如LCD衬底的单元。而且，处理气体和溶剂蒸汽并不限于臭氧和水蒸汽的组合。

Claims (25)

1.一种衬底处理装置，其特征在于，它包括：
在各自内部进行衬底处理的多个处理容器；
从处理气体供应源向所述的多个处理容器分别提供处理气体的多个处理气体供给管路；
从溶剂蒸汽供应源向所述的多个处理容器分别提供溶剂蒸汽的多个溶剂蒸汽供给管路；
从所述的多个处理容器中分别排出所述处理气体和所述溶剂蒸汽的多个排出管路；
在每个所述溶剂蒸汽供给管路中，设置至少一个用于调整对应于各自的所述溶剂蒸汽管路的所述处理容器的内压的机构。
2.根据权利要求1的衬底处理装置，其特征在于，在所述各溶剂蒸汽供给管路中设置的所述至少一个机构包括可调节流阀。
3.根据权利要求2的衬底处理装置，其特征在于，它还包括控制器和多个开关阀，在每个所述溶剂蒸汽供给管路中各自设有一个所述开关阀并且所述多个开关阀进行对所述各处理容器供给溶剂蒸汽和停止供应溶剂蒸汽的切换，所述溶剂蒸汽的供给借助设有该开关阀的所述溶剂蒸汽供给管路，并且所述控制器与所述的多个开关阀的状态有关地调整所述各可调节流阀的开启度。
4.根据权利要求1的衬底处理装置，其特征在于，所述各处理气体供给管路，在所述各溶剂蒸汽供给管路中设置的所述至少一个机构的下游侧，与所述各溶剂蒸汽供给管路连接，所述处理气体通过所述各溶剂蒸汽供给管路被供给所述各处理容器。
5.一种衬底处理装置，其特征在于，它包括：
在各自内部进行衬底处理的多个处理容器；
从处理气体供应源向所述的多个处理容器分别提供处理气体的多个处理气体供给管路；
从溶剂蒸汽供应源向所述的多个处理容器分别提供溶剂蒸汽的多个溶剂蒸汽供给管路；
从所述的多个处理容器中分别排出所述处理气体和所述溶剂蒸汽的多个排出管路；
在每个所述排出管路中，设置至少一个用于调整对应于各自的所述溶剂蒸汽管路的所述处理容器的内压的机构。
6.根据权利要求5的衬底处理装置，其特征在于，在所述各排出管路设置的所述至少一个机构包含可调节流阀。
7.根据权利要求6的衬底处理装置，其特征在于，设置在所述各排出管路中的所述至少一个机构包括与所述可调节流阀并联设置的减压阀。
8.根据权利要求6的衬底处理装置，其特征在于，设置在所述各排出管路中的所述至少一个机构还包含与所述可调节流阀串联设置的开关阀。
9.根据权利要求6的衬底处理装置，其特征在于，它进一步包括多个压力传感器和控制器，每个所述压力传感器检测所述各处理容器内的压力或者与所述各处理容器内的压力对应地变化的压力，所述控制器根据所述压力传感器的检测结果并使所述各处理容器内维持一定压力地调节所述各可调节流阀的开启度。
10.根据权利要求8的衬底处理装置，其特征在于，它进一步包括多个传感器和控制器，每个所述传感器检测所述各处理容器内的压力或者与所述各处理容器内的压力对应地变化的压力，该控制器根据所述压力传感器的检测结果并使所述各处理容器内维持一定压力地控制所述开关阀的开关。
11.根据权利要求8的衬底处理装置，其特征在于，它进一步包括控制器和多个开关阀，在每个所述溶剂蒸汽供给管路中分别设有一个所述开关阀并且所述开关阀对向所述各处理容器供应溶剂蒸汽和停止供应进行切换，所述溶剂蒸汽供应借助设有该开关阀的所述溶剂蒸汽供给管路来进行，并且所述控制器与所述溶剂蒸汽供给管路的多个开关阀状态有关地控制所述排出管路的各开关阀的开关。
12.根据权利要求6的衬底处理装置，其特征在于，它进一步包括控制器和多个开关阀，在每个所述溶剂蒸汽供给管路中分别设有一个所述开关阀并且所述开关阀对向所述各处理容器供应溶剂蒸汽和停止供应进行切换，所述溶剂蒸汽供应借助设有该开关阀的所述溶剂蒸汽供给管路来进行，并且所述控制器与所述多个开关阀的状态有关地调整所述各可调节流阀的开启度。
13.根据权利要求5的衬底处理装置，其特征在于，在所述各溶剂蒸汽供给管路中设置固定节流阀。
14.根据权利要求1的衬底处理装置，其特征在于，所述各处理容器包括容器体和盖体，所述容器体具有衬底支承部件，所述盖体具有衬底支承部件，该衬底支承部件能够在与所述容器体密封接合地在所述处理容器内划分出处理空间的同时支承所述衬底，
所述盖体被设计成这样的构造，即在所述盖体与所述容器体接合的场合下，在所述衬底装载在所述衬底支承部件上的同时，所述盖体的衬底支承部件与所述衬底分开。
15.一种衬底处理装置，其特征在于，它包括：
在内部进行第一衬底处理的第一处理容器；
在内部进行第二衬底处理的第二处理容器；
从处理气体供应源向所述第一处理容器提供处理气体的第一处理气体供给管路；
从所述处理气体供应源向所述第二处理容器提供处理气体的第二处理气体供给管路；
从溶剂蒸汽供应源向所述第一处理容器提供溶剂蒸汽的第一溶剂蒸汽供给管路；
从所述溶剂蒸汽供应源向所述第二处理容器提供溶剂蒸汽的第二溶剂蒸汽供给管路；
从所述第一处理容器排出所述的处理气体和溶剂蒸汽的第一排出管路；
从所述第二处理容器排出所述的处理气体和溶剂蒸汽的第二排出管路；
在所述第一溶剂蒸汽供给管路中设置的第一供给侧开关阀；
在所述第二溶剂蒸汽供给管路中设置的第二供给侧开关阀；
在所述第一排出管路中设置的第一可调节流阀；
在所述第二排出管路中设置的第二可调节流阀；
如此调节所述第一可调节流阀的开启度的控制器，即，对在所述第一和第二供给侧开关阀都打开的场合以及在所述第一供给侧开关阀打开且所述第二供给侧开关阀关闭的场合来说，使所述第一可调节流阀的开启度不一样。
16.根据权利要求15的衬底处理装置，其特征在于，它还包括：与所述第一可调节流阀串联地设置在所述第一排出管路中的第一排出侧开关阀；
与所述第二可调节流阀串联地设置在所述第二排出管路中的第二排出侧开关阀；
所述控制器是这样设计的，即控制所述第一排出侧开关阀的开关以使所述第一处理容器内的压力保持一定并且控制所述第二排出侧开关阀的开关以使所述第二处理容器内的压力保持一定。
17.根据权利要求15的衬底处理装置，其特征在于，在所述第一排气管路中，与所述第一可调节流阀并联地设有第一减压阀，在所述第一排气管路中，与所述第二可调节流阀并联地设有第二减压阀。
18.一种衬底处理装置，它包括：
在内部进行衬底处理的处理容器；
与所述处理容器连接的、向所述处理容器供应包含处理气体和溶剂蒸汽的混合处理流体的供给管路；
与所述处理容器连接的、从所述处理容器中排出所述混合处理流体的排出管路；
在所述排出管路中串联设置的开关阀和可调节流阀；
使所述处理容器内的压力成为预定值地进行所述可调节流阀的开启度控制和所述开关阀的开关控制的控制器。
19.一种衬底处理方法，它包括在第一期间里向容纳第一衬底的第一处理容器供应处理气体和溶剂蒸汽的工序、在第二期间里向容纳第二衬底的第二处理容器供应处理气体和溶剂蒸汽的工序，其中被供给所述第一处理容器的溶剂蒸汽和被供给所述第二处理容器的溶剂蒸汽是由共用的溶剂蒸汽供应源提供的，其特征在于，该方法还包括在第一期间里调整所述第一处理容器内的压力的工序、在第二期间里调整所述第二处理容器内的压力的工序，
所述的调整所述第一处理容器内的压力的工序是通过调节第一可调节流阀的开启度进行的，所述第一可调节流阀被设置在向所述第一处理容器提供所述溶剂蒸汽的第一溶剂蒸汽供给管路中或从所述第一处理容器中排出所述溶剂蒸汽和所述处理气体的第一排出管路中；
所述的调整所述第二处理容器内的压力的工序是通过调节第二可调节流阀的开启度进行的，所述第二可调节流阀被设置在向所述第二处理容器提供所述溶剂蒸汽的第二溶剂蒸汽供给管路中或从所述第二处理容器中排出所述溶剂蒸汽和所述处理气体的第二排出管路中；
只有所述第一期间的一部分与所述第二期间重复；
在向所述第一和第二处理容器都供应所述溶剂蒸汽时的第一可调节流阀的开启度与在向所述第一处理容器供应所述溶剂蒸汽并同时不向所述第二处理容器供应所述溶剂蒸汽时的第一可调节流阀的开启度是不一样的。
20.根据权利要求19的衬底处理方法，其特征在于，所述第一可调节流阀设置在所述第一排出管路中，所述第二可调节流阀设置在所述第二排出管路中。
21.根据权利要求20的衬底处理方法，其特征在于，在所述第一排出管路中，与所述第一可调节流阀并联地设置第一减压阀，在所述第二排出管路中，与所述第二可调节流阀并联地设置第二减压阀，
所述衬底处理方法进一步包括以下工序：
在所述第一期间之前，给所述第一处理容器不供应溶剂蒸汽而供应处理气体；
在所述第二期间之前，给所述第二处理容器不供应溶剂蒸汽而供应处理气体；
当在所述第一期间之前向所述第一处理容器供应所述处理气体时，用所述第一减压阀调整所述第一处理容器内的压力；
当在所述第二期间之前向所述第二处理容器供应所述处理气体时，用所述第二减压阀调整所述第二处理容器内的压力。
22.根据权利要求20的衬底处理方法，其特征在于，
在所述第一排出管路中，与所述第一可调节流阀串联地设置第一开关阀，在所述第二排出管路中，与所述第二可调节流阀串联地设置第二开关阀，
在所述第一期间里调整所述第一处理容器内的压力的工序包括反复开关所述第一开关阀的工序，
在所述第二期间里调整所述第二处理容器内压力的工序包括反复开关所述第二开关阀的工序。
23.一种衬底处理方法，它包括向容纳衬底的处理容器供应处理气体和溶剂蒸汽的工序、调整所述处理容器内的压力的工序，
所述调整所述处理容器内的压力的工序包括调整可调节流阀开启度的工序和反复开关开关阀的工序，其中所述可调节流阀和所述开关阀串联设置在与所述处理容器连接的排出管路中。
24.一种衬底处理方法，它包括以下工序：在第一期间里向容纳衬底的处理容器供应处理气体；在第一期间后的第二期间里向所述处理容器供应所述处理气体和溶剂蒸汽；在所述第一期间里用减压阀调整所述处理容器内的压力；在所述第二期间里通过调整可调节流阀的开启度来调整所述处理容器内的压力；其中所述减压阀和所述可调节流阀并联设置在与所述处理容器连接的排出管路中。
25.根据权利要求24的衬底处理方法，其特征在于，所述的在所述第二期间里调整所述处理容器内的压力的工序是通过除了调整所述可调节流阀的开启度外还反复进行开关阀的开关来进行的，所述开关阀与所述可调节流阀串联设置在所述排出管路中。
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