CN1670920A - 真空处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。

Description

真空处理装置
技术领域
本发明涉及一种真空处理装置，在真空处理装置的真空容器内生成等离子体，并产生电中性的激发活性种(在本发明中以“游离基”表示)，对配置在该真空容器内的基板进行处理，例如，进行在基板上形成薄膜的处理、或对形成于基板上的薄膜进行表面处理等。
背景技术
真空处理装置具有各种各样的用途，所述的真空处理装置，通过在真空处理装置的真空容器内形成等离子体而产生游离基，对配置在该真空容器内的基板进行处理，例如，进行在基板上形成薄膜的处理，或者用于改善形成于基板上的薄膜的膜质的表面处理。
例如，在于低温下利用多晶硅型TFT的液晶显示器的制作中，作为在低温下形成适当的硅氧化膜作为栅绝缘膜(gate绝缘膜)的真空处理装置，目前采用等离子体CVD。
例如，在作为现有技术专利文献的特开2000-345349号中，提出了在真空处理装置的真空容器内生成等离子体并产生游离基、对配置在该真空容器内的基板进行处理的CVD装置(在本说明书中，为了将根据该现有技术专利文献的CVD装置与通常的等离子体CVD装置相区别，将游离基簇射CVD装置称为“RS-CVD装置”)。
在特开2000-345349号中，提出了这样的方案，该RS-CVD装置在真空容器内生成等离子体并产生游离基，利用该游离基和成膜气体在基板上进行成膜处理。
即，在特开2000-345349号中提出的RS-CVD装置的使用方法如下。
首先，利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板，将真空反应室内分离成等离子体生成空间和成膜处理空间(该成膜处理空间相当于基板处理空间)，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生游离基，该游离基通过位于前述隔壁板上的多个贯通孔导入到成膜处理空间中。然后，在成膜处理空间中，使直接导入其中的成膜气体和如前面所述、经由隔壁板的多个贯通孔导入的游离基反应，在配置于成膜处理空间中的基板上(例如，370mm×470mm的玻璃基板上)进行成膜处理。
另外，在本说明书中，所谓向基板处理空间、例如成膜处理空间中“直接导入的成膜气体”，是指不与等离子体及游离基接触、从真空反应室外部直接导入到基板处理空间、例如成膜处理空间的成膜气体。
图1表示如特开2000-345349号中提出的那样，在RS-CVD装置作为向基板上进行薄膜形成的装置使用的情况下、过去采用的隔壁板的通常结构。
隔壁板14在内部配有多个用于扩散成膜气体的成膜气体扩散空间24。相互连通的各个成膜气体扩散空间24，在图1中，与位于上侧的等离子体生成空间15隔离开，并且，在图1中，经由成膜气体扩散空26与位于下侧的成膜处理空间16连通。经由与成膜气体导入管相连的成膜气体导入口28b导入到多个成膜气体扩散空间24内的成膜气体在其中扩散，经由成膜气体扩散孔26均匀地供给到成膜处理空间16的整个区域中。
进而，隔壁板14配有多个贯通孔25，所述贯通孔25在没有配备成膜气体扩散空间24的部位从一个侧面侧向另一侧面侧贯通(在图1中沿上下方向贯通)。如图2放大表示的那样，该贯通孔25由游离基通过孔25a和游离基逃逸孔25b构成。图3是表示从图1的X-X方向观察时看到的隔壁板14的内部的局部平面图。
根据这种结构的隔壁板14，通过将真空反应室内分离成等离子体生成空间15和成膜处理空间16，在等离子体生成空间15中产生的游离基仅经由贯通孔25被导入到成膜处理空间16中，另一方面，从真空反应室的外部导入到成膜气体扩散空间24内的成膜气体不与等离子体及游离基接触，经由成膜气体扩散孔26直接导入到成膜处理空间16中。
【专利文献1】特开2000-345349号公报
发明的内容
如特开2000-345349号对于向基板上进行薄膜形成的情况所提出的RS-CVD装置那样，利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板，将真空反应室内分离成等离子体生成空间和基板处理空间，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生游离基，将该游离基通过位于前述隔壁板上的多个贯通孔导入到基板处理空间中，对配置在该基板处理空间中的基板进行处理，对于这样的真空处理装置，仍然存在如下所述的进行改进的余地。
在这种真空处理装置中所采用的图1至图3所示的现有的隔壁板中，隔壁板14的等离子体生成空间侧表面由于等离子体放电而受到轰击，因而，不可避免地发生表面恶化。而且，在表面发生恶化的情况下，有必要将内部配有多个成膜气体扩散空间24的隔壁板14整体更换掉。
并且，当与配置在基板处理空间中的基板的处理条件相一致地改变等离子体生成空间内的放电条件等时，若通过改变游离基通过孔25a的尺寸来进行该放电条件等的变更，则同样必须更换整个隔壁板14。
如前面所述，由于等离子体生成空间侧表面的恶化而更换整个隔壁板，不得不提高真空处理装置的运转成本。
进而，在前述RS-CVD装置中，为了从真空反应室将成膜气体直接导入成膜处理空间16中，如图1至图3所示，在采用与等离子体生成空间15隔离开、配有多个经由成膜气体扩散孔26与成膜处理空间16连通的成膜气体扩散空间24的形式的隔壁板14的情况下，由于将多块板体叠层形成隔壁板14，所以存在这样的担心：游离基从各层叠板之间的间隙进入成膜气体扩散空间24，在隔壁板14内部与成膜气体接触并产生反应。
本发明的目的是解决存在于真空处理装置中的前述问题，所述真空处理装置，利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板，将真空反应室内分离成等离子体生成空间和基板处理空间，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生游离基，使该游离基通过位于前述隔壁板的多个贯通孔导入基板处理空间，对配置于该基板处理空间中的基板进行处理。
为了解决上述课题，本发明提出的真空处理装置，利用具有游离基可通过的贯通孔的隔壁板，将真空反应室内分离成等离子体生成空间和基板处理空间，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生游离基，该游离基通过位于前述隔壁板上的多个贯通孔并导入至基板处理空间，对配置在该基板处理空间中的基板进行处理，其特征在于，前述隔壁板按下述方式形成。
即：由隔壁本体和控制板形成前述隔壁板，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配备在该隔壁本体上的前述贯通孔相对应的位置上具有游离基通过孔。
在前述本发明的真空处理装置中，作为对配置在基板处理空间中的基板进行的处理，例如包括在基板上形成薄膜的处理、或用于改善形成于基板上的薄膜的膜质的表面处理等。
在进行在基板上形成薄膜的处理的情况下，例如，与前述RS-CVD装置的情况一样，使通过位于隔壁板上的多个贯通孔导入到基板处理空间(在RS-CVD装置的情况下，成为成膜处理空间)的游离基、和直接导入该基板处理空间的成膜气体反应，在配置于基板处理空间中的基板上进行成膜处理。
在前述本发明的真空处理装置中，与隔壁本体一起形成隔壁板的控制板可以配置在与贯通孔对应的位置上，所述贯通孔在前述隔壁本体上配有具有游离基通过孔的凸部。
在前述任何一种形式的隔壁板中，由于隔壁板是由配有多个贯通孔的隔壁本体和配置在其等离子体生成空间侧的控制板形成的，所以，即使在配置在等离子体生成空间中的控制板的等离子体生成空间侧表面由于等离子体放电而受到轰击、表面发生恶化的情况下，也不必更换整个隔壁板，只更换控制板即可。
因此，在将本发明的真空处理装置作为前述RS-CVD装置构成的情况下，可以使RS-CVD装置的运转成本下降，另外，即使在通过改变游离基通过孔的尺寸来改变放电条件等的情况下，同样不必更换整个隔壁板而只需更换控制板。
因此，在RS-CVD装置中，由于不必更换与从外部供给的成膜气体导入管连接的隔壁本体，所以可以与基板的处理内容和处理条件相一致地、容易地进行通过贯通孔的游离基的量的调整以及导入等离子生成空间的氧气的流量的改变等。因而，可以扩大加工余量和使加工条件最佳化。
并且，若采用前面所述的后一种形式的隔壁板(即，控制板在对应于隔壁本体的贯通孔的位置上配有具有游离基通过孔的凸部的形式的隔壁板)，则隔壁本体在内部具有多个成膜气体扩散空间，即使在该隔壁本体的等离子体生成空间侧配置控制板并形成隔壁板，由于控制板的配有游离基通过孔的凸部从等离子体生成空间侧插入到配置在隔壁本体中的贯通孔内，所以可以预防游离基从控制板和隔壁板之间的间隙进入成膜气体扩散空间、在隔壁板内部引起反应。
另外，为了更有效地发挥这种作用和效果，配置于控制板上的凸部优选为紧密插入到配置于隔壁本体上的贯通孔中的形式，例如，在配置在隔壁本体上的贯通孔为圆柱状的形式的情况下，配置于控制板上的凸部优选形成具有与该圆柱状贯通孔的内径对应的外径的圆柱体。
在上面说明的本发明的基板处理装置中，隔壁本体和配置在隔壁本体的等离子体生成空间侧的控制板，例如，在隔壁本体、控制板的边缘通过用螺栓等固定机构将两者结合而固定。
采用本发明的真空处理装置，将真空反应室内一分为二成为等离子体生成空间和基板处理空间的隔壁板，由配有多个贯通孔的隔壁本体和配置在其等离子体生成空间侧的控制板形成，因而，即使在配置于等离子体生成空间侧的控制板的等离子体生成空间侧表面由于等离子体放电而受到轰击并产生表面恶化的情况下，也不必更换整个隔壁板而只需更换控制板。另外，在通过改变游离基通过孔的尺寸来改变放电条件等的情况下，同样，不必进行与从外部供给的成膜气体导入管连接的隔壁本体的更换，只需进行控制板的更换。
结果，可以改善真空处理装置的运行成本，所述真空处理装置，利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板，将真空反应室内分离成等离子生成空间和基板处理空间，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生游离基，使该游离基通过位于前述隔壁板的多个贯通孔导入基板处理空间，对配置在该基板处理空间中的基板进行处理。并且，在该基板处理装置中，由于不必进行与从外部供给的成膜气体导入管连接的隔壁本体的更换，所以可以与基板的处理内容及处理条件相一致地、容易地进行通过贯通孔的游离基的量的调整、以及导入等离子体生成空间的氧气的流量的变更等。因此，可以扩大加工余量及使加工条件最佳化。
并且，控制板的配有游离基通过孔的凸部，在采用插入配置在隔壁本体上的等离子体生成空间的贯通孔的形式的隔壁板的情况下，隔壁本体为在内部配有多个成膜气体扩散空间的形式，即使在该等离子体生成空间侧配置控制板以形成隔壁板时，也可以预防游离基从两者之间的间隙进入成膜气体扩散空间、在隔壁板内部引起反应。
附图说明
图1是表示将本发明形式的真空处理装置的真空反应室内一分为二成为等离子体生成空间和基板处理空间的隔壁板的过去所采用的形式的一个实施例的剖视图。
图2是将表示图1中的贯通孔部分放大表示的剖视图。
图3是说明图1所示的隔壁板的内部结构、从图1中的X-X线方向观察的局部平面图。
图4是表示本发明的将真空处理装置的真空反应室内一分为二成为等离子体生成空间和成膜处理空间的隔壁板的一个实施例的局部剖视图。
图5是放大表示图4中贯通孔的部分的剖视图。
图6(a)是放大表示本发明的将真空处理装置的真空反应室内一分为二成等离子体生成空间和基板处理空间的隔壁板的另一个实施例的贯通孔部分的局部剖视图，(b)是放大表示图6(a)所示的形式的隔壁板的贯通孔部分的另一个实施形式的局部剖视图，(c)是放大表示图6(a)所示的形式的隔壁板的贯通孔部分的又一个实施形式的局部剖视图。
图7是表示将本发明的真空处理装置作为RS-CVD装置实施的情况下的一个例子的剖视图。
图8是表示将本发明的真空处理装置作为RS-CVD装置实施的情况下的另一个例子剖视图。
具体实施方式
下面，根据附图说明本发明的真空处理装置的优选实施形式，该真空处理装置是以RS-CVD装置的形式实施的，而且，该RS-CVD装置，作为对配置在基板处理空间内的基板进行的处理，是在该基板上形成薄膜。
参照图7说明作为本发明的真空处理装置的RS-CVD装置的优选
实施形式。
在该真空处理装置中，优选地使用硅烷作为成膜气体，将硅氧化膜作为栅绝缘膜在通常的TFT用玻璃基板11上成膜。
真空处理装置的真空反应室12为真空容器，在进行成膜处理时，利用排气机构13将其内部保持在所需的真空状态。排气机构13连接到形成于真空反应室12中的排气孔12b-1上。
在真空反应室12内部，以水平状态设置由导电性构件制成的隔壁板14，平面形状例如为圆形的隔壁板14配置成其周缘部压靠在环状的导电材料固定构件22的下面的密闭状态。
真空反应室12的内部被隔壁板14隔离成上下两个室，上侧的室形成等离子体生成空间15，下侧的室形成相当于基板处理空间的成膜处理空间16。
隔壁板14具有所需的规定厚度，并且整体上呈平板状的形式，进而，具有与真空反应室12的水平截面形状类似的平面形状。在隔壁板14的内部形成成膜气体扩散空间24。
玻璃基板11配置在设置于成膜处理空间16中的基板保持机构17上。玻璃基板11实质上平行于隔壁板14，其成膜面(上面)与隔壁板14的下面对向地配置。
基板保持机构17的电位保持在接地电位41，该接地电位41是与真空反应室12相同的电位。进而，在基板保持机构17的内部设置加热器18。利用该加热器18将玻璃基板11的温度保持在规定的温度。
下面说明真空反应室12的构造。从为了使组装性能良好的观点出发，真空反应室12由形成等离子体生成空间15的上容器12a和形成成膜处理空间16的下容器12b构成。当将上容器12a和下容器12b组合起来制成真空反应室12时，将隔壁板14设置在两者之间的位置上。
隔壁板14按下述方式安装，即，以下面推压其周缘部的导电材料固定构件22的周缘部的上面，在设置如后面所述的电极20时，与夹设在其与上容器12a之间的环状绝缘构件21a、21b之中的下侧的环状绝缘构件21b接触。借此，在隔壁板14的上侧和下侧，形成隔离开的等离子体生成空间15和成膜处理空间16。
图7表示将本发明的真空处理装置作为RS-CVD装置来实施时的第一实施形式。在该真空处理装置(RS-CVD装置)中，于等离子体生成空间15中生成等离子体19的区域由隔壁板15和上容器12a以及配置在它们的大致中央位置上的板状的电极(高频电极)20形成。电极20上形成多个孔20a。电极20由两个环状绝缘构件21a、21b支撑、固定，所述两个环状绝缘构件沿着上容器12a的侧部内面设置。
在环状绝缘部件21a上，设置从外部向等离子体生成空间15导入氧气的氧气导入管23a。并且，如图所示，还可以设置导入氟化气体等清洁气体的清洁气体导入管23b。在这些导入管上，经由进行流量控制的质量流量控制器(图中未示出)，分别连接氧气供应源(图中未示出)、清洁气体供应源(图中未示出)。
在上容器12a的顶板部设有连接电极20的电力导入棒29。利用电力导入棒29向电极20供应放电用高频电力。电极20具有作为高频电极的功能。电力导入棒29由绝缘物31覆盖，以便与其它的金属部分绝缘。
隔壁板14经由导电材料固定构件22而形成接地电位41。
真空反应室12的内部被隔壁板14隔离成等离子体生成空间15和成膜处理空间16，但是，隔壁板14上形成多个贯通孔25，所述贯通孔25以贯通不存在成膜气体扩散空间24的位置处的隔壁板14的状态分布，仅经由这些贯通孔25将等离子体生成空间15和成膜处理空间16连通。
形成于隔壁板14内的成膜气体扩散空间24，是用于使从外部导入的成膜气体分散到隔壁板14并均匀地供应给成膜处理空间16的空间。该成膜气体扩散空间24经由多个成膜气体扩散孔26连通到成膜处理空间16。
用于从外部导入成膜气体的成膜气体导入管28a经由成膜气体导入口28b连接到成膜气体扩散空间24。成膜气体导入管28a以从侧方连接到膜气体导入口28b上的方式配置。
从成膜气体导入管28a、成膜气体导入口28b导入到隔壁板14的成膜气体扩散空间24中的成膜气体，在成膜气体扩散空间24内扩散，进而，通过成膜气体扩散孔26直接、即不接触游离基和等离子体地供应给成膜处理空间16。
根据上述结构，可以遍布整个成膜处理空间16、均匀地供给成膜气体，可以改善膜的分布和膜质。
另外，如前面所述，适用于贯通孔25、成膜气体扩散空26的尺寸、结构，满足在前述现有专利申请2000-345349号中提出的uL/D＞1的条件。当采用该条件时，例如，在贯通孔25的情况下，可以防止导入成膜处理空间16的成膜气体向等离子体生成空间15侧逆扩散。
在此，u表示贯通孔25内、成膜气体扩散空26内的气体流速，即，导入等离子体生成空间15、生成游离基并有助于成膜的气体、例如氧气在贯通孔25内的流速，或者表示导入成膜气体扩散空间24并扩散、且供应给成膜处理空间16的成膜气体在成膜气体扩散空26内的流速。另外，L表示贯通孔25、成膜气体扩散孔26的实质上的长度，例如在图2所示的贯通孔25的情况下，表示游离基通过孔25a的长度。进而，D表示两种气体的气体相互扩散系数。例如，表示硅烷气等成膜气体和导入等离子体生成空间15且生成等离子体并有助于成膜的主要气体、例如氧气的气体相互扩散系数。
图8表示将本发明的真空处理装置作为RS-CVD装置来实施的情况的第2实施形式。图8所示的实施形式的特征结构在于：在上容器12a的顶板部的内侧设置绝缘构件21a，并且在其下侧配置电极20。在电极20上不形成如图7所示的实施形式的情况那样的孔20a，而具有一块板状的形状。利用电极20和隔壁板14形成由平行平板型电极构造构成的等离子生成空间15。其它结构实质上与图7所示的实施形式的结构一样。在此，在图8中，与图7中说明的要素实质上相同的各要素采用相同的符号，并省略重复的说明。
图4为局部省略的剖视图，用将上面所说明的本发明的真空处理装置作为RS-CVD装置加以实施，且该RS-CVD装置用在对配置在基板处理空间中的基板进行处理并在该基板上形成薄膜的场合下的、将真空反应室12内一分为二成为等离子体生成空间15和成膜处理空间16的隔壁板14。图5是放大表示贯通孔25的部分的剖视图。对于与用图7说明的本发明的真空处理装置中的结构部分、以及在用图1至图3说明的RS-CVD装置中过去采用的隔壁板中的结构部分相同的结构部分，在图4、图5中也采用相同的符号并省略说明。
在隔壁本体1的等离子体生成空间侧(图4中为上侧)配置控制板2，形成隔壁板14。作为在隔壁本体1的上侧配置控制板2以形成隔壁板14的形式，例如，虽然在图中没有示出，但是可以采用将隔壁本体1和控制板2在各自的周缘部螺栓固定并将两者密接配置的形式。
隔壁本体1在内部配有成膜气体扩散空间24，所述成膜气体扩散空间24经由成膜气体扩散孔26与成膜处理空间16(图4中为下侧)连通。另外，在隔壁本体1的没有配置成膜气体扩散空间24的部位，形成多个贯通孔，所述贯通孔从一侧面侧向另一侧面侧(在图4的实施形式中为上下)贯通，具有作为游离基的逃逸孔25的功能。
控制板2在与具有作为配置在隔壁本体1上的游离基逃逸孔25b的功能的贯通孔相对应的位置上配置游离基通过孔25a。
因此，如图4所示，当将隔壁本体1和控制板2密接并层叠、形成将真空反应室12内一分为二成为等离子体生成空间15和成膜处理空间16的隔壁板14时，将游离基通过孔25a和游离基的逃逸孔25b连通，因此，在过去采用的图1所示的隔壁板14上，形成连通等离子体生成空间15和成膜处理空间16贯通孔25。
即，将本发明的真空处理装置作为RS-CVD装置来实施，在该RS-CVD装置中，采用图4所示形式的隔壁板作为将真空反应室12内一分为二成为等离子体生成空间15和成膜处理空间16的隔壁板14的情况下，由等离子体生成空间15生成的游离基，经由控制板2的游离基通过孔25a和隔壁本体1的游离基的逃逸孔25b被导入到成膜处理空间16内。
图6(a)至(c)是省略了一部分的剖视图，用于说明由图7、图8说明的RS-CVD装置中所采用的、将真空反应室内一分为二成为等离子体生成空间15和成膜处理空间16的另一种隔壁板14。
隔壁板14，就其将控制板3配置并形成在隔壁本体1的等离子体生成空间侧(图6(a)中为上侧)的形式而言，与前述图4、图5所示的隔壁板14的情况一样。
另外，隔壁本体1在内部配置成膜气体扩散空间24，所述成膜气体扩散空间24经由成膜气体扩散孔26与成膜处理空间16(图4中为下侧)连通；在隔壁本体1的没有配置成膜气体扩散空间24的部位，形成多个从一侧面侧向另一面侧(在图6(a)至(c)的实施形式中为上下)贯通的贯通孔5，在这些方面，与前面所述的图4、图5所示的隔壁板14的情况一样。
在图6(a)所示的隔壁板14中，控制板3，在与配备于隔壁本体1上的贯通孔5对应的位置上，配置有插入该贯通孔5的凸部4。该凸部4配有游离基通过孔25a和游离基的逃逸孔25b两者。
尽管图中未示出，但是对隔壁本体1和控制板3在各自的周缘部通过螺栓固定将两者密接配置，将控制板3的凸部4插入隔壁本体1的贯通孔5，形成图6(a)所示的隔壁板14。
设置在控制板3上的凸部4的高度(长度)，如图6(a)所示，可以形成对应于隔壁本体1的贯通孔5的高度(深度)的大小，也可以如图6(b)所示，形成比隔壁本体1的贯通孔5的高度(深度)小(短)的大小。
图6(c)所示的形式为，在设置于控制板3上的凸部4中仅设置游离基贯通孔25a，隔壁本体1的贯通孔5具有作为游离基的逃逸孔的功能。
控制板3可以和隔壁本体1一样、由SUS或铝形成。当该等离子体生成空间侧的表面由于等离子体放电而受到轰击且表面发生恶化时，或者当由于放电条件等而改变游离基通过孔25a的尺寸时，将控制板2、3更换为另外的控制板。
下面，说明采用按照上述构成的本发明的真空处理装置(RS-CVD装置)的薄膜形成方法(硅氧化膜的形成)的一个例子。
利用图中未示出的输送机器人，将玻璃基板11输送到真空反应室12内部，配置于基板保持机构17之上。真空反应室12的内部借助排气机构13进行排气、减压，以保持规定的真空状态。
接着，通过氧气导入管23a将氧气导入真空反应室12的等离子体生成空间15。
另一方面，将作为成膜气体的例如硅烷通过成膜气体导入管28a、成膜气体导入口28b，导入到隔壁板14的成膜气体扩散空间24中。硅烷在成膜气体扩散空间24内扩散，通过成膜气体扩散孔26直接地、即不与游离基及等离子体接触地被导入到成膜处理空间16。
设置在成膜处理空间16中的基板保持机构17，由于对加热器18进行通电，保持在预定的温度。
在上述状态下，对于电极20经由电力导入棒29提供高频电力。借助该高频电力产生放电，在等离子体生成空间15内，于电极20的周围生成氧等离子体19。通过生成氧等离子体19，生成作为中性激发种的游离基(激发活性种)。生成的游离基，在采用图4、图6(a)所示的形式的隔壁板的情况下，通过游离基通过孔25a、游离基的逃逸孔25b；在采用图6(b)所示的形式的隔壁板的情况下，通过游离基通过孔25a、游离基的逃逸孔25b、贯通孔5；在采用图6(c)所示的形式的隔壁板的情况下，通过游离基通过孔25a、贯通孔5；被导入到成膜处理空间16。另一方面，作为成膜气体的硅烷通过隔壁板14内部的成膜气体扩散空间24、成膜气体扩散孔26，被导入到成膜处理空间16内。结果，在成膜处理空间16内，该游离基和硅烷首先接触，引起化学反应，在玻璃基板11的表面上堆积硅氧化膜，形成薄膜。
以上，参照附图说明了本发明的优选实施形式，但是本发明不限于这种实施形式，可以根据权利要求书所记载的技术范围改变成各种形式。
例如，在前述中，对于将本发明的真空处理装置作为RS-CVD来实施，作为对配置在基板处理空间中的基板进行的处理，该RS-CVD装置在基板上形成薄膜的情况下的优选实施形式进行了说明，但是本发明的真空处理装置也能够以此外的形式来实施。例如，可以采用下述实施形式等：在等离子体生成空间15中生成的氧游离基，借助于通过游离基通过孔25a、游离基的逃逸孔25b等的形式导入到相当于基板处理空间的成膜处理空间16中，对配置在成膜处理空间16中的基板上的薄膜进行氧化处理。

Claims (2)

1.一种真空处理装置，利用具有游离基可通过的贯通孔的隔壁板，将真空反应室内分离成等离子体生成空间和基板处理空间，将气体导入等离子体生成空间并利用等离子体产生游离基，该游离基通过位于前述隔壁板上的多个贯通孔并导入至基板处理空间，对配置在该基板处理空间中的基板进行处理，其特征在于，由隔壁本体和控制板形成前述隔壁板，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配备在该隔壁本体上的前述贯通孔相对应的位置上具有游离基通过孔。
2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，控制板配置在对应于贯通孔的位置处，所述贯通孔在前述隔壁本体上配有具有游离基通过孔的凸部。
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