TW200535962A - Vacuum processing apparatus - Google Patents

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200535962 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於在真空處理裝置的真空容器內生成電漿 而發生電性地中性的勵磁活性種（在本案專利說明書中表 示爲「游離基」，進行對於配置於該真空容器內的基板的 處理，例如進行在基板上形成薄膜的處理，或形成於基板 上的薄膜的表面處理等的真空處理裝置。 【先前技術】 藉由在真空處理裝置的真空容器內形成電漿來生成游 離基，進行對於配置於該真空容器內的基板的處理，例如 進行在基板上形成薄膜的處理，或改善形成於基板上的薄 膜的膜質所用的表面處理等的真空處理裝置是被使用在各 種用途。 例如在低溫製作利用聚矽型T F T的液晶顯示器，作 爲在低溫作爲閘極絕緣膜成膜適當矽氧化膜的真空處理裝 置，現在都使用電漿CVD。 例如，在先前的專利申請的日本特開2000-345349號 中，提案一種在真空處理裝置的真空容器內生成電漿並發 生游離基’在配置於該真空容器內的基板進行處理的 CVD裝置（在本案專利說明書中，爲了區別先前的專利申 請的CVD裝置與通常的電漿CVD裝置，作爲游離基蓮蓬 CVD裝置稱爲「rS_cVD裝置」）。 在日本特開2 000- 3 4 5 3 49號中，該RS-CVD裝置是提 200535962 (2) 案在真空容器內生成電漿而發生游離基，以該游離基與成 膜氣體進行成膜處理。 亦即，在特開2000-345349號所提案的RS-CVD裝置 的使用方法是如以下者。 首先’使用具有游離基通過真空反應室內的複數貫通 孔的間壁板分離成電漿生成空間與成膜處理空間（該成膜 處理空間相當於基板處理空間），在電漿生成空間導入氣 體而藉由電漿發生游離基，將該游離基通過位於上述間壁 板的複數貫通孔而導入至成膜處理空間。之後，在成膜處 理空間中，反應直接導入在該空間的成膜氣體，及如上述 地經由間壁板的複數貫通孔所導入的游離基，而在配設於 成膜處理空間的基板上（例如3 70mmx4 70mm的玻璃基板上 )進行成膜處理者。 又’在本案專利說明書中，在基板處理空間，例如在 成膜處理空間「直接導入的成膜氣體」，是指不接觸於電 漿或游離基，而從真空反應室外部，直接導入至基板處理 空間，例如成膜處理空間的成膜氣體的情形。 在第1圖表示RS-CVD裝置，如特開2000-345349號所 提案地，作爲進行對於基板上的薄膜形成者所使用的情形 在習知所採用的間壁板的一般性構造。 間壁板1 4是將用以擴散成膜氣體的成膜氣體擴散空間 24具備複數個於內部。互相被連通的各成膜氣體擴散空間 24是第1圖中從存在於上側的電漿生成空間1 5被隔離，且 經由第1圖中存在於下側的成膜處理空間1 6與成膜氣體擴 -6- 200535962 (3) 散孔2 6相連通。經由相連結於成膜氣體導入管的 導入口 28b被導入至複數成膜氣體擴散空間24內 體，是在其中被擴散，經由成膜氣體擴散孔26均 至成膜處理空間1 6的全域。 間壁板1 4是將從一側面側朝另一側面貫通未 膜氣體擴散空間24的部位（在第1圖爲朝上下方[ΐ 貫通孔25再具備複數個。如第2圖擴大所示地， 25是由游離基通過孔25a，及游離基避難孔25b 第3圖是表不從第1圖的X-X線方向觀看間壁板 一部分的俯視圖者。 藉由此種構造的間壁板1 4，而利用真空反應 離成電漿生成空間15與成膜處理空間16，在電漿 1 5所發的游離基是僅經由貫通孔1 6被導入至成膜 16，一方面，從真空反應室外部將導入至成膜處 ，一方面，從真空反應室外部方法導入至成膜氣 間24內的成膜氣體，是不會接觸於電漿或游離基 成膜氣體擴散孔26而直接導入至成膜處理空間1 6 專利文獻1:日本特開2000-3 45 3 49號公報 【發明內容】 如在日本特開2000-345349號對於進行對於 薄膜形成時進行提案的RS-CVD裝置，使用具有 應室內通過游離基的複數貫通孔的間壁板來分離 空間與基板處理空間，在電漿生成空間導入氣體 漿發生游離基，將該游離基通過位於上述間壁板 成膜氣體 的成膜氣 勻地供給 配備有成 3貫通）的 該貫通孔 所構成。 1 4的內部 室內被分 生成空間 處理空間 理空間1 6 體擴散空 ，而經由 基板上的 將真空反 電漿生成 而藉由電 的複數貫 200535962 (4) 通孔導入基板處理空間，在配置於該基板處理空間的基板 進行處理的真空處理裝置，還有以下所述的改善餘地。 在採用此種真空處理裝置的第1圖至第3圖示的習知間 壁板1 4的電漿生成空間側表面施以電漿放電，因此無法避 免表面劣化的情形。如此，在表面劣化時，必須交換在內 部具有複數成膜氣體擴散空間24的間壁板14整體。 又，配合配置於基板處理空間的基板的處理條件而欲 變形電漿生成空間內的放電條件等時，藉由變更游離基通 孔25a的大小來進行該放電條件等的變更，則同樣地，必 須更換間壁板14整體。 如上述地，僅藉由電漿生成空間側表面劣化的理由須 更換間壁板整體，會導致真空處理裝置的運轉費用變高。 又，在上述RS-CVD裝置中，如第1圖至第3圖所示地 ，採用爲了將成膜氣體從真空反應室的外部直接導入至成 膜處理空間1 6，從電漿生成空間1 5被隔離，而經過成膜處 理空間16與成膜氣體擴散孔26通過的成膜氣體擴散空間24 具備複數於內部的形態的間壁板1 4時，層積複數板的板體 而形成有間壁板1 4 ’因此游離基由各層積板間的間隙進入 成膜氣體擴散空間24 ’而在間壁板1 4內部與成膜氣體接觸 會產生反應之虞。 本發明的目的是在於解決存在於使用具有游離基通過 真空反應室內的複數貫通孔的間壁板分離成電漿生成空間 與基板處理室間’在電漿生成空間導入氣體而藉由電漿生 成游離基，將該游離基通過位於上述間壁板的複數貫通孔 -8- 200535962 (5) 而導入至基板處理空間，在配置於該基板處理空間的基板 進行處理的裝置的上述問題點。 爲了解決上述課題，本發明所提案的真空處理裝置， 屬於使用具有游離基通過真空反應室內的複數貫通孔的間 壁板分離成電漿生成空間與基板處理室間，在電漿生成空 間導入氣體而藉由電漿生成游離基，將該游離基通過位於 上述間壁板的複數貫通孔而導入至基板處理空間，在配置 於該基板處理空間的基板進行處理的裝置，上述間壁板如 下所形成作爲特徴者。 亦即’由具備複數貫通孔的間壁本體，及配置於該間 壁本體的電漿生成空間側，在對應於具備於該間壁本體的 上述貫通孔的位置，具有游離基通過孔的控制板形成有上 述間壁板，爲其特徵者。 在上述本發明的真空處理裝置中，作爲進行配置於基 板處理空間的基板的處理，有如在基板上形成薄膜的處理 ，或是改善形成於基板上的薄膜的膜質所用的表面處理等 〇 進行在基板上形成薄膜的處理時，如與上述的R S -CVD裝置的情形相同地成爲反應經位於間壁板的複數貫 通孔而被入至基板處理空間（RS-CVD裝置時成爲成膜處理 空間）的游離基，及直接導入至該基板處理空間的成膜氣 體而在配置在基板處理空間的基板上進行成膜處理。 在上述本發明的真空處理裝置中與間壁本體一起形成 間壁板的控制板，是也可作成具備將具有游離基通過孔的 200535962 (6) 凸部對應於具備於上述間壁本體的貫通孔的位置者。 在上述任一形態的間壁板中，間壁板是藉由具備 個貫通孔的間壁本體，及配設於其電漿生成空間側的 板所形成，因此電漿放電施加於配設在電漿生成空間 制板的電漿生成空間側表面，即使表面劣化時，也不 換間壁整體，而僅更換控制板就可以。 因此，若將本發明的真空處理裝置構成作爲上 RS-CVD裝置所構成的情形，成爲可謀求降低的RS· 裝置的運轉成本，又，藉由變更游離基通過孔的大小 變更放電條件等時，同樣地，並不是更換間壁板整體 僅更換控制板就可以。 結果，在RS-CVD裝置中，並不必進行更換與從 所供給的成膜氣體導入管連接的間壁本體，因此配合 的處理內容或處理條件，就可容易地進行調整通過貫 的游離基量或變更被導入至電漿生成空間的氧氣流量 此，成爲可擴展處理邊緣或最適當化處理條件。 又，若採用上述的後者形態的間壁板（亦即，將 板具有游離基通過孔的凸部，具備於對應於隔壁本體 通孔的位置的間壁板），間壁本體在內部具備複數成 體擴散空間者，即使在該間壁本體的電漿生成空間側 於控制板而形成間壁板時，具備控制板的游離基通過 凸部，從電漿生成空間側，插入在具備於間壁本體的 孔，因此從控制板與間壁板之間的間隙使得游離基進 膜氣體擴散空間，可將在間壁板內部產生反應之虞防 複數 控制 的控 是更 述的 •CVD ，來 ，而 外部 基板 通孔 。藉 控制 的貫 膜氣 配置 孔的 貫通 入成 範於 -10- 200535962 (7) 未然。 又，爲了更有效地發揮該作用，效果，供作控制板的 凸部是緊密地插入具備於間壁本體的貫通孔的形態’例如 具備於間壁本體的貫通孔爲圓柱狀形態時，將具備於控制 板的凸部形成作爲具有對應於該圓柱狀貫通孔的內徑的外 徑的圓柱體較理想。 在以上所說明的本發明的真空處理裝置中，間壁本體 ，及配置於間壁本體的電漿生成空間側的控制板是在如隔 壁本體，控制板的周緣中，使用螺絲等的固定手段藉由結 合兩者進行固定。 依照本發明的真空處理裝置，將真空反應室分成兩半 成電漿生成空間與基板處理空間的間壁板藉由具備複數個 貫通孔的間壁本體，及配置在該電漿生成空間側的控制板 所形成，因此即使配置於電漿生成空間側的控制板的電漿 生成空間側表面施以電漿放電使得表面成爲劣化時，不是 更換間壁板整體而僅更換控制板。又，即使藉由變更游離 基通過孔的大小來變更放電條件等時，同樣地，也不必進 行與從外部所供給的成膜氣體導入管相連接的間壁本體的 更換，僅更換控制板就可以。 該結果，可謀求使用具有游離基通過真空反應室內的 複數貫通孔的間壁板分離成電漿生成空間與基板處理室間 ，在電漿生成空間導入氣體而藉由電漿生成游離基，將該 游離基通過位於上述間壁板的複數貫通孔而導入至基板處 理空間，在配置於該基板處理空間的基板進行處理的裝置 -11 - 200535962 (8) 的運轉費用改善。又，在該真空處理裝置中，不必進行與 從外部所供給的成膜氣體導入管相連接的間壁本體的更換 ，因此，配合基板的處理內容或處理條件，可容易地進行 調整通過貫通孔的游離基量或變更被導入至電漿生成空間 的氧氣流量。藉此，成爲可擴展處理邊緣，或最適當化處 理條件。 又，具備控制板的游離基通過孔的凸部，採用插入在 g 具備於間壁本體的電漿生成空間側的貫通孔的形態的間壁 板時’在間壁本體在內部具備複數成膜氣體擴散空間的形 態，即使在該電漿生成空間側配置控制板以形成間壁板， 從兩者之間的間隙使得游離基進入成膜氣體擴散空間，可 將在間壁板內部產生反應之虞防範於未然。 【實施方式】 以下，本發明的真空處理裝置以R S - C V D裝置的形態 被實施，而且該RS-CVD裝置，作爲進行於配置於基板處 理空間的基板的處理，依據所附圖式來說明在該基板上形 成薄膜的情形的較適當實施形態。 參照第7圖說明本發明的真空處理裝置的RS-CVD裝 置的較佳實施形態。 在該真空處理裝置中，較理想是將矽烷使用作爲成膜 氣體，將矽氧化膜作爲閘極絕緣膜成膜於通常的TFT用玻 璃基板1 1上面。 真空處理裝置的真空反應室1 2是進行成膜處理之際， -12- 200535962 (9) 藉由排氣機構1 3使得其內部被保持在所期望的真空狀態的 真空容器。排氣機構1 3是被連接於形成在真空反應室1 2的 排氣通路12b-l。 在真空反應室1 2的內部，以水平狀態設有以導電性構 件所製作的間壁板1 4，平面形狀例如圓形的間壁板1 4，是 配置成形成其周緣部推壓於環狀導電材固定構件22的下面 的密閉狀態。 _ 如此，真空反應室12的內部是藉由間壁板14被隔離成 上下兩個室，上方的室是形成電漿生成空間15，而下方的 室是形成相當於基板處理空間的成膜處理空間1 6。 間壁板14是具有所期望的特定厚度，且整體上具有平 板狀形態，又具有類似於真空反應室12的水平斷面的形狀 的平面形狀。在間壁板1 4內部形成有成膜氣體擴散空間24 〇 玻璃基板Π是配設於設在成膜處理空間1 6的基板保持 φ 機構1 7上。玻璃基板1 1是實質上平行於間壁板1 4，其成膜 面（上面）配置成相對向於間壁板14下面的狀態。 基板保持機構1 7的電位是被保持在與真空反應室1 2相 同電位的接地電位4 1。又，在基板保持機構1 7的內部設有 加熱器1 8。藉由該加熱器1 8，玻璃基板1 1的溫度是被保持 在所定溫度。 說明真空反應室1 2的構造，由將其裝配性作成良好的 觀點上，真空反應室12是由形成電漿生成空間的上容器 12a，及形成成膜處理空間16的下容器12b所構成。組合上 -13 - 200535962 (10) 容器12a與下容器12b來製作真空反應室12時，於兩者之 間的位置設有間壁板1 4。 間壁板1 4是安裝成將其周緣部以下面推壓於導電材固 定構件22的周緣部上面，如下述地接觸於設置電極20時介 設於與上容器12a之間的環狀絕緣構件21a、21b中的下側 環狀絕緣構件2 1 b。藉此在間壁板1 4的上方與下方，形成 有經隔離的電漿生成空間1 5與成膜處理空間1 6。 第7圖是表示本發明的真空處理裝置實施作爲 RS-CVD裝置的情形的第一實施形態者。在該真空處理裝置 (RS-CVD裝置）中，在電漿生成空間15中生成有電漿19的 領域，是由間壁板14與上容器12a及配置於此些的大約中 央位置的板狀電極（音頻電極）20所形成。在電極20形成有 複數孔20a。電極20是形成有複數孔20a。電極20是藉由沿 著上容器12a的側部內面的兩件環狀絕緣構件21a，21b所 支持並被固定。 φ 環狀絕緣構件2 1 a，設有將氧氣從外部導入至電漿生 成空間1 5的氧氣導入管2 3 a。又，如圖示地，也可構成設 置導入氟化氣體等的潔淨氣體的潔淨氣體導入管23b。在 此些導入管，經由進行流量控制的流量控制器（未圖示）， 分別連接有氧氣供給源（未圖示）及潔淨氣體供給源（未圖示 )° 在上容器12a的頂面部，設有連接於電極20的電力導 入棒29。藉由電力導入棒29將放電用高頻電力給電至電極 20 °電極20是功能作爲高頻電極。電力導入棒29是以絕緣 -14- 200535962 (11) 物3 1所覆蓋，可謀求與其他金屬部分的絕緣。 間壁板14是經由導電材固定構件22成爲接地電位41。 真空反應室12的內部是藉由間壁板14被隔離成電漿生 成空間1 5與成膜處理空間1 6 ’惟在間壁板丨4有複數貫通孔 2 5以貫通未存在有成膜氣體擴散空間的位置的間壁板丨4的 狀態下分布所形成。僅經由此些的貫通孔2 5連接著電漿生 成空間15與成膜處理空間16。 形成於間壁板1 4內的成膜氣體擴散空間24，是將導入 的成膜氣體分散均勻地供給於成膜處理空間】6從外部導入 至間壁板1 4所用的空間。該成膜氣體擴散空間2 4是經由複 數成膜氣體擴散孔2 6連通於成膜處理空間1 6。 在成膜氣體擴散空間24，經由成膜氣體導入口 28b， 連接有從外部導入成膜氣體所用的成膜氣體導入管28a。 成膜氣體導入管28a是配設成從側方連接於成膜氣體導入 口 38b。 從成膜氣體導入管28a，成膜氣體導入口 2 8b導入至間 壁板14的成膜氣體擴散空間24的成膜氣體，是在成膜氣體 擴散空間24內，又經成膜氣體擴散孔26直接亦即未接觸於 游離基或電漿的狀態供給於成膜處理空間1 6。 依照以上構造，可將成膜氣體均勻地供給遍及成膜處 理空間1 6整體，可改善膜分布及膜質。 又，在上述中，適用於貫通孔25，成膜氣體擴散孔26 的大小，構造，是滿足在上述先前的專利申請的日本特開 2 0 00- 3 4 5 3 4 9號所提案的nL/DM的條件。適用該條件，則 -15- 200535962 (12) 例如在貫通孔25的情形，可防止導入至成膜處理空間1 6的 成膜氣體相反擴散至電漿生成空間1 5側。 在此，11是表示在貫通孔25內，成膜氣體擴散孔26內 的氣體流連，亦即，被導入至電漿生成空間1 5，生成游離 基而有助於成膜的氣體，例如氧氣的貫通孔25內的流速， 或是被導入至成膜氣體擴散空間24而被擴散，從供給於成 膜處理空間1 6的成膜氣體擴散孔26內的流速者。又，L是 表示貫通孔25，成膜氣體擴散孔26的實質上長度者，例如 在表示於第2圖的貫通孔2 5時表示游離基通過孔2 5 a的長 度者。又，D是表示兩種氣體的互相氣體擴散常數者。例 如表示矽烷氣體等的成膜氣體，及被導入至電漿生成空間 15，生成游離基而有助於成膜的主要氣體，例如氧氣的互 相氣體擴散常數者。 第8圖是表示本發明的真空處理裝置實施作爲RS-CVD裝置時的第二實施形態者。第8圖圖示的實施形態的 特徵性構成，是在上容器1 2a的頂面部內側設置絕緣構件 21a且在其下側配置電極20之處。在電極20未形成如第7 圖所示的實施形態時的孔20a，具有一枚的板狀形態。藉 由電極20與間壁板形成平行平板型電極構造的電漿生成空 間1 5。其他構成是與第7圖所示的實施形態的構成實質上 相同。如此，在第8圖中，在與第7圖所說明的要素實質上 相同的各要素附於相同符號，在此省略反復詳細說明。 第4圖是表示以上所說明的本發明的真空處理裝置實 施作爲RS-CVD裝置，該RS-CVD裝置作爲進行配置於基 -16- 200535962 \1/ 3 情間 的空 膜成 薄生 成漿 形電 上成 板半 基兩 該成 在分 用內 採12 ， 室 理應 處反 的空 板真 基將 的明 間說 空略 理省 處， 板形 5 第 ο 圖 面 斷 的 分 β. 咅 1 的 4 11 板 壁 間 的 6 11 間 空 3二 理 處 膜 成 與 圖是擴大表示貫通孔2 5的部分的斷面圖，針對於與使用第 7圖所說明的本發明的真空處理裝置的構造部分，及習知 被採在使用第1圖至第3圖加以說明的RS-CVD裝置的間壁 板的構造部分相同的構造部分，在第4圖及第5圖中也賦予 相同符號而省略其說明。 間壁板1 4是在間壁本體1的電漿生成空間例（第4圖中 ，上方）配設控制板2所形成。作爲在間壁本體1上側配置 控制板2而形成間壁板1 4的形態，採用例如將間壁本體1與 控制板2，在各該周緣中，雖未圖示，惟施以螺定等，而 密接配置兩者的形態。 間壁本體1，是將經由成膜處理空間1 6 (第4圖中，下 方）與成膜氣體擴散孔所通過的成膜氣體擴散空間24具備 於內部。又，在未配備有間壁本體1的成膜氣體擴散空間 24的部位，形成有從一側面側朝另一側面側（在第4圖的實 施形態中爲上下地）貫通，而發揮作爲游離基的避難孔25b 的功能的複數貫通孔。 控制板2是在對應於發揮作爲具備於間壁本體1的游離 基的避難孔2 5 b的功能的貫通孔的位置具備游離基通過孔 25a ° 如此，如第4圖所示地，密接間壁本體1與控制板2並 加以層積，當形成將真空反應室12內分成兩半成電漿生成 -17- 200535962 (14) 空間與成膜處理空間1 6的間壁板1 4，則連通游離基通過孔 2 5 a與游離基避難孔2 5 b，如此，在習知被採用的第1圖圖 示的間壁板1 4中形成有連接電漿生成空間1 5與成膜處理空 間16的貫通孔25。 亦即，本發明的真空處理裝置實啤作爲RS-CVD裝置 ’在該RS-CVD裝置中，作成將真空反應室12內分成兩半 成電漿生成空間15與成膜處理空間16的間壁板14而採用第 4圖所示的形態者時，在電漿生成空間1 5所生成的游離基 ，是經由控制板2的游離基通過孔25a，及間壁本體1的游 灕基避難孔25b被導入至成膜處理空間16內。 第6 (a)圖至第6(c)圖是採用於使用第7圖及第8圖的所 說明的RS-CVD裝置，說明將真空反應室12內分成兩半的 電漿生成空間1 5與成膜處理空間1 5的其他間壁板1 4的一部 分加以省略的斷面圖。 間壁板1 4有關於在間壁本體1的電漿生成空間側（第 6(a)圖中，上方）配置控制板3所形成的形態，與上述的第4 圖，第5圖所圖示的間壁板1 4的情形同樣。 又，間壁本體1是將經由成膜處理空間16(第4圖中， 下方）與成膜氣體擴散孔2 6的成膜氣體擴散空間2 4具備於 內部之處，在未配備有間壁本體1的成膜氣體擴散空間24 的部位，從一側面側朝另一側[在第6(a)圖至第6(c)圖的實 施形態爲上下地]形成有貫通的複數貫通孔5之處，也與上 述的第4圖，第5圖所示的間壁板1 4時同樣。 在第6 (a)圖所示的間壁板1 4中，控制板3是在對應於 -18- 200535962 (15) 具備於間壁本體1的貫通孔5的位置上，具備插入於貫通孔 5的凸部4。該凸部4是具備游離貫通孔25a與游離基避難 孔2 5 b的雙方。 第6 (a)圖所示的間壁板1 4，是將間壁本體1與控制板3 ，在各該周緣部，雖未圖示，惟施以螺定而密接配置兩者 ，並將控制板3的凸部4插入在間壁本體1的貫通孔5所形成 〇 設於控制板3的凸部4的高度（長度），是如第6(a)圖所 示地，也可作成對應於間壁本體1的貫通孔5的高度（深度） 的大小，或是如第6 (b)圖所示地，也可作成比間壁本體1 的貫通孔5的高度（深度）還小（短）者。 第6 ( c )圖的形態，是在設於控制板3的凸部4僅設置游 離基通過孔2 5 a，而間壁本體1的貫通孔5發揮作爲游離基 避難孔的功能者。 控制板3是與間壁本體1同樣地，以SUS或鋁可形成 。該電漿生成空間側的表面施以電漿放電，而在表面劣化 時，或是在放電條件等欲變更游離基通過孔25 Sa大小時 ，則將控制板3更換成其他控制板。 以下說明使用如上述所構成的本發明的真空處理裝置 (RS-CVD裝置）的薄膜形成方法（形成砂氧化膜）的一例。 藉由未圖示的搬運機器人使得玻璃基板n被搬入至真 空反應室1 2的內部，而配設在基板保持機構〗7上面。真空 反應室1 2的內部是藉由排氣機構I 3被排氣，經減壓而被保 持在所定真空狀態。 -19- 200535962 (16) 之後，氧氣經氧氣導入管23a被導入至真空反應室12 的電漿生成空間1 5。 一方面，成膜氣體的如矽烷經成膜氣體導入管28a ’ 成膜氣體導入口 28b被導入至間壁板14的成膜氣體擴散空 間24。矽烷是在成膜氣體擴散空間24內被擴散，經成膜氣 體擴散孔26直接地，亦即不會接觸於游離基或電漿地被導 入至成膜處理空間1 6。 設於成膜處理空間1 6的基板保持機構1 7是進行著通電 於加熱器1 8，因此事先被保持在所定溫度。 在上述狀態下，對於電極20經由電力導入棒29供給有 高頻電力。藉由該高頻電力產生放電，而在電漿生成空間 15內於電極20的周圍生成氧電漿19。生成氧電漿19，則可 生成中性的勵磁種的游離基（勵磁活性種）。所生成的游離 基是在第4圖，第6(a)圖所示的形態的間壁板被採用時， 則經過游離基通過孔25a，游離基避難孔25b ;在第6(b)圖 所示的形態的間壁板被採用時，則通過游離基通過孔2 5 a ，游離基避難孔25b，貫通孔5 ;在第6(c)圖所示的形態的 間壁板被採用時，則通過游離基通過孔2 5 a貫通孔5，而 被導入至成膜處理空間1 6。一方面，成膜氣體的矽烷經間 壁板14內部的成膜氣體擴散空間24，成膜氣體擴散孔26而 被導入至成膜處理空間1 6。結果，在成膜處理空間1 6內該 游離基與矽烷首先接觸，產生化學反應，而在玻璃基板1 1 的表面上堆積矽氧化膜，形成有薄膜。 以上參照所附圖式來說明本發明的較理想實施形態， -20- 200535962 (17) 惟本發明是並不被限定於此些實施形態者，而在從申請專 利範圍的記載所把握的技術上範圍可變更成各種形態。 例如在上述中，本發明的真空處理裝置實施作爲RS-CVD裝置，該RS-CVD裝置，作爲進行在配置於基板處理 空間的基板的處理，說明了在該基板上形成薄膜時的較理 想實施形態，惟本發明的真空處理裝置是在此以外的形態 也可實施。例如，在真空處理裝置15所生成的氧氣游離基 藉由通過游離基通過孔2 5 a，游離基避難孔2 5 b等形態被 導入至相當於基板處理空間的成膜處理空間1 6，而可作成 進行對於配置於成膜處理空間1 6的基板上的薄膜的氧化處 理等的實施形態。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示將本發明形態的真空處理裝置的真空反 應室內分成兩半成電漿生成空間與基板處理空間的間壁板 的習知所採用的形態的一實施例的斷面圖。 第2圖是擴大表示第1圖中貫通孔部分的斷面圖。 第3圖是表示說明第1圖的間壁板的內部構造的第！圖 中從X - X線方向所觀看的局部前視圖。 第4圖是表示將本發明的真空處理裝置的真空反應室 內分成兩半成真空反應室與成膜處理空間的間壁板的一實 施例的局部斷面圖。 第5圖是擴大表示第4圖中的貫通孔部分的斷面圖。 第6(a)圖是擴大表示將本發明的真空處理裝置的真空 -21 - 200535962 (18) 反應室內分成兩半成電漿生成空間與基板處理空間的間壁 板的其他實施例的貫通孔部分的局部斷面圖。 第6(b)圖是擴大表示第6(a)圖的形態的間壁板的貫通 孔部分的其他實施形態的局部斷面圖。 第6(c)圖是擴大表示第6(a)圖的形態的間壁板的貫通 孔部分的另一實施形態的局部斷面圖。 第7圖是表示本發明的真空處理裝置實施作爲RS-C V D裝置時的一例的斷面圖。 第8圖是表示本發明的真空處理裝置實施作爲RS-CVD裝置時的其他例的斷面圖。 【主要元件符號說明】 1 間壁本體 2，3 控制板 4 凸部 5 貫通孔 11 基板 12 真空反應室 12a 上容器 12b 下容器 12b-l 排氣通道 13 排氣機構 14 間壁板 15 電漿生成空間 -22- 200535962 (19)

16 17 18 19 20 21a， 21b 22 23a 成膜處理空間 基板保持機構 加熱器 電漿 電極 絕緣構件 23b 24 25 25a 25b 28a 28b 導電材固定部 氧氣導入管 潔淨氣體導入管 成膜氣體擴散空間 貫通孔

游離基通過孔 游離基避難孔 成膜氣體導入管 成膜氣體導入口 電力導入棒 3 1 絕緣物 4 1 接地電位 -23

Claims (1)

1. 200535962 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種真空處理裝置，屬於使用具有游離基通過真空 反應室內的複數貫通孔的間壁板分離成電漿生成空間與基 板處理室間’在電漿生成空間導入氣體而藉由電漿生成游 離基，將該游離基通過位於上述間壁板的複數貫通孔而導 入至基板處理空間，在配置於該基板處理空間的基板進行 處理的裝置，其特徵爲： g 由具備複數貫通孔的間壁本體，及 配置於該間壁本體的電漿生成空間側，在對應於具備 於該間壁本體的上述貫通孔的位置，具有游離基通過孔的 控制板形成有上述間壁板。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的真空處理裝置，其中 控制板是具備將具有游離基通過孔的凸部對應於具備於上 述間壁本體的貫通孔的位置。 -24-