JP2001335945A - Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 - Google Patents
Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置コストを低減すると共に容器の内側に成
膜された薄膜の膜厚バラツキを低減できるＣＶＤ成膜装
置及びＣＶＤ成膜方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、複数の
ペットボトル７ａ〜７ｄの内側にＤＬＣ膜を成膜する装
置である。この装置は、ペットボトルの外側を囲むよう
に配置された第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄと、ペ
ットボトルの内部に配置された第１乃至第４の内部電極
９ａ〜９ｄと、ペットボトルの内部に原料ガスを導入す
るガス導入手段と、第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄ
それぞれに接続された第１乃至第４の可変コンデンサー
２１ａ〜２１ｄと、第１乃至第４の可変コンデンサーに
接続されたマッチングボックス１４と、このマッチング
ボックスに接続された高周波電源１５と、を具備するも
のである。
膜された薄膜の膜厚バラツキを低減できるＣＶＤ成膜装
置及びＣＶＤ成膜方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、複数の
ペットボトル７ａ〜７ｄの内側にＤＬＣ膜を成膜する装
置である。この装置は、ペットボトルの外側を囲むよう
に配置された第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄと、ペ
ットボトルの内部に配置された第１乃至第４の内部電極
９ａ〜９ｄと、ペットボトルの内部に原料ガスを導入す
るガス導入手段と、第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄ
それぞれに接続された第１乃至第４の可変コンデンサー
２１ａ〜２１ｄと、第１乃至第４の可変コンデンサーに
接続されたマッチングボックス１４と、このマッチング
ボックスに接続された高周波電源１５と、を具備するも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ成膜装置及
びＣＶＤ成膜方法に係わり、特に、容器の内側に薄膜を
成膜するＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法に関する。
びＣＶＤ成膜方法に係わり、特に、容器の内側に薄膜を
成膜するＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion）成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等の
内側にＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜又はＳｉ含有Ｄ
ＬＣ膜等を成膜する装置である。ＤＬＣ膜は、炭素間の
ＳＰ3結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に
硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフ
ォロジを有する硬質炭素膜である。ＤＬＣ膜を成膜する
原料ガスとしては炭化水素系ガスを用い、Ｓｉ含有ＤＬ
Ｃ膜を成膜する原料ガスとしてはＳｉ含有炭化水素系ガ
スを用いる。
ion）成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等の
内側にＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜又はＳｉ含有Ｄ
ＬＣ膜等を成膜する装置である。ＤＬＣ膜は、炭素間の
ＳＰ3結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に
硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフ
ォロジを有する硬質炭素膜である。ＤＬＣ膜を成膜する
原料ガスとしては炭化水素系ガスを用い、Ｓｉ含有ＤＬ
Ｃ膜を成膜する原料ガスとしてはＳｉ含有炭化水素系ガ
スを用いる。
【０００３】図２は、従来のＣＶＤ成膜装置を模式的に
示す構成図である。このＣＶＤ成膜装置は真空チャンバ
ー１０６を有し、この真空チャンバー１０６は、導電性
の蓋部１０５、絶縁部材１０４及び外部電極１０３から
構成されている。蓋部１０５の下には絶縁部材１０４が
配置されており、この絶縁部材１０４の下には外部電極
１０３が配置されている。この外部電極１０３は、上部
電極１０２と下部電極１０１からなり、上部電極１０２
の下部に下部電極１０１の上部がＯリング１０８を介し
て着脱自在に取り付けられるよう構成されている。ま
た、外部電極１０３は絶縁部材１０４によって蓋部１０
５と絶縁されている。
示す構成図である。このＣＶＤ成膜装置は真空チャンバ
ー１０６を有し、この真空チャンバー１０６は、導電性
の蓋部１０５、絶縁部材１０４及び外部電極１０３から
構成されている。蓋部１０５の下には絶縁部材１０４が
配置されており、この絶縁部材１０４の下には外部電極
１０３が配置されている。この外部電極１０３は、上部
電極１０２と下部電極１０１からなり、上部電極１０２
の下部に下部電極１０１の上部がＯリング１０８を介し
て着脱自在に取り付けられるよう構成されている。ま
た、外部電極１０３は絶縁部材１０４によって蓋部１０
５と絶縁されている。
【０００４】外部電極１０３の内部には空間が形成され
ており、この空間はコーティング対象のプラスチック容
器であるペットボトル１０７を収容するためのものであ
る。外部電極内の空間は、そこに収容されるペットボト
ル１０７の外形よりも僅かに大きくなるように形成され
ている。絶縁部材１０４及び蓋部１０５には、外部電極
内の空間につながる開口部が設けられている。また、蓋
部１０５の内部には空間が設けられており、この空間は
上記開口部を介して外部電極内の空間につながってい
る。外部電極内の空間は、上部電極１０２と下部電極１
０１の間に配置されたＯリング１０８によって外部から
密閉されている。
ており、この空間はコーティング対象のプラスチック容
器であるペットボトル１０７を収容するためのものであ
る。外部電極内の空間は、そこに収容されるペットボト
ル１０７の外形よりも僅かに大きくなるように形成され
ている。絶縁部材１０４及び蓋部１０５には、外部電極
内の空間につながる開口部が設けられている。また、蓋
部１０５の内部には空間が設けられており、この空間は
上記開口部を介して外部電極内の空間につながってい
る。外部電極内の空間は、上部電極１０２と下部電極１
０１の間に配置されたＯリング１０８によって外部から
密閉されている。
【０００５】外部電極の下部電極１０１はインピーダン
ス整合器（マッチングボックス）１１４に接続されてお
り、マッチングボックス１１４は同軸ケーブルを介して
高周波電源（ＲＦ電源）１１５に接続されている。
ス整合器（マッチングボックス）１１４に接続されてお
り、マッチングボックス１１４は同軸ケーブルを介して
高周波電源（ＲＦ電源）１１５に接続されている。
【０００６】蓋部１０５の上部から蓋部内の空間、蓋部
と絶縁部材の開口部を通して、外部電極内の空間に内部
電極１０９が差し込まれている。即ち、内部電極１０９
の基端は蓋部１０５の上部に配置され、内部電極１０９
の先端は外部電極内の空間であって外部電極内に収容さ
れたペットボトル１０７の内部に配置される。
と絶縁部材の開口部を通して、外部電極内の空間に内部
電極１０９が差し込まれている。即ち、内部電極１０９
の基端は蓋部１０５の上部に配置され、内部電極１０９
の先端は外部電極内の空間であって外部電極内に収容さ
れたペットボトル１０７の内部に配置される。
【０００７】内部電極１０９は、その内部が中空からな
る管形状を有している。内部電極１０９の先端にはガス
吹き出し口１０９ａが設けられている。内部電極１０９
の基端には配管１１０の一方側が接続されており、この
配管１１０の他方側は真空バルブ１１６を介してマスフ
ローコントローラー１１９の一方側に接続されている。
マスフローコントローラー１１９の他方側は配管１１１
を介して原料ガス発生源１２０に接続されている。この
原料ガス発生源１２０は炭化水素ガス等を発生させるも
のである。
る管形状を有している。内部電極１０９の先端にはガス
吹き出し口１０９ａが設けられている。内部電極１０９
の基端には配管１１０の一方側が接続されており、この
配管１１０の他方側は真空バルブ１１６を介してマスフ
ローコントローラー１１９の一方側に接続されている。
マスフローコントローラー１１９の他方側は配管１１１
を介して原料ガス発生源１２０に接続されている。この
原料ガス発生源１２０は炭化水素ガス等を発生させるも
のである。
【０００８】内部電極１０９は蓋部１０５を介して接地
されている。蓋部内の空間は配管１１２の一方側に接続
されており、配管１１２の他方側は真空バルブ１１７を
介して大気開放状態とされている。また、蓋部内の空間
は配管１１３の一方側に接続されており、配管１１３の
他方側は真空バルブ１１８を介して真空ポンプ１２１に
接続されている。
されている。蓋部内の空間は配管１１２の一方側に接続
されており、配管１１２の他方側は真空バルブ１１７を
介して大気開放状態とされている。また、蓋部内の空間
は配管１１３の一方側に接続されており、配管１１３の
他方側は真空バルブ１１８を介して真空ポンプ１２１に
接続されている。
【０００９】次に、図２に示すＣＶＤ成膜装置を用いて
容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明す
る。
容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明す
る。
【００１０】まず、真空バルブ１１７を開いて真空チャ
ンバー１０６内を大気開放する。これにより、配管１１
２を通して空気が蓋部内の空間、外部電極内の空間に入
り、真空チャンバー１０６内が大気圧にされる。次に、
外部電極の下部電極１０１を上部電極１０２から取り外
し、上部電極１０２の下側から上部電極内の空間にペッ
トボトル１０７を差し込み、設置する。この際、内部電
極１０９はペットボトル１０７内に挿入された状態にな
る。次に、下部電極１０１を上部電極１０２の下部に装
着し、外部電極１０３はＯリング１０８によって密閉さ
れる。
ンバー１０６内を大気開放する。これにより、配管１１
２を通して空気が蓋部内の空間、外部電極内の空間に入
り、真空チャンバー１０６内が大気圧にされる。次に、
外部電極の下部電極１０１を上部電極１０２から取り外
し、上部電極１０２の下側から上部電極内の空間にペッ
トボトル１０７を差し込み、設置する。この際、内部電
極１０９はペットボトル１０７内に挿入された状態にな
る。次に、下部電極１０１を上部電極１０２の下部に装
着し、外部電極１０３はＯリング１０８によって密閉さ
れる。
【００１１】この後、真空バルブ１１７を閉じた後、真
空バルブ１１８を開き、真空ポンプ１２１を作動させ
る。これにより、ペットボトル１０７内を含む真空チャ
ンバー内（外部電極内の空間及び蓋部内の空間）が配管
１１３を通して排気され、外部電極内が真空となる。
空バルブ１１８を開き、真空ポンプ１２１を作動させ
る。これにより、ペットボトル１０７内を含む真空チャ
ンバー内（外部電極内の空間及び蓋部内の空間）が配管
１１３を通して排気され、外部電極内が真空となる。
【００１２】次に、真空バルブ１１６を開いた後、原料
ガス発生源１２０において炭化水素ガスを発生させ、こ
の炭化水素ガスを配管１１１内に導入し、マスフローコ
ントローラー１１９によって流量制御された炭化水素ガ
スを配管１１０及びアース電位の内部電極１０９を通し
てガス吹き出し口１０９ａから吹き出す。これにより、
炭化水素ガスがペットボトル１０７内に導入される。そ
して、真空チャンバー内とペットボトル内は、制御され
たガス流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜
に適した圧力（例えば０．０５〜０．５Torr程度）に保
たれる。
ガス発生源１２０において炭化水素ガスを発生させ、こ
の炭化水素ガスを配管１１１内に導入し、マスフローコ
ントローラー１１９によって流量制御された炭化水素ガ
スを配管１１０及びアース電位の内部電極１０９を通し
てガス吹き出し口１０９ａから吹き出す。これにより、
炭化水素ガスがペットボトル１０７内に導入される。そ
して、真空チャンバー内とペットボトル内は、制御され
たガス流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜
に適した圧力（例えば０．０５〜０．５Torr程度）に保
たれる。
【００１３】この後、外部電極１０３にマッチングボッ
クス１１４を介して高周波電源（ＲＦ電源）１１５から
ＲＦ出力（例えば１３．５６ＭＨｚ）を供給する。これ
により、外部電極１０３と内部電極１０９間にプラズマ
を着火する。このとき、マッチングボックス１１４は、
外部電極と内部電極のインピーダンスに、インダクタン
スＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これに
よって、ペットボトル内に炭化水素系プラズマが発生
し、ＤＬＣ膜がペットボトルの内側に成膜される。この
ときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。
クス１１４を介して高周波電源（ＲＦ電源）１１５から
ＲＦ出力（例えば１３．５６ＭＨｚ）を供給する。これ
により、外部電極１０３と内部電極１０９間にプラズマ
を着火する。このとき、マッチングボックス１１４は、
外部電極と内部電極のインピーダンスに、インダクタン
スＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。これに
よって、ペットボトル内に炭化水素系プラズマが発生
し、ＤＬＣ膜がペットボトルの内側に成膜される。この
ときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。
【００１４】次に、ＲＦ電源１１５からのＲＦ出力を停
止し、真空バルブ１１６を閉じて原料ガスの供給を停止
する。この後、真空バルブ１１８を開き、真空チャンバ
ー１０６及びペットボトル１０７内の炭化水素ガスを真
空ポンプ１２１によって排気する。その後、真空バルブ
１１８を閉じ、真空ポンプ１２１を停止する。このとき
の真空チャンバー内の真空度は５×１０-3Torr〜５×１
０-2Torrである。この後、真空バルブ１１７を開いて真
空チャンバー１０６内を大気開放し、前述した成膜方法
を繰り返すことにより、複数のペットボトル内にＤＬＣ
膜が成膜される。
止し、真空バルブ１１６を閉じて原料ガスの供給を停止
する。この後、真空バルブ１１８を開き、真空チャンバ
ー１０６及びペットボトル１０７内の炭化水素ガスを真
空ポンプ１２１によって排気する。その後、真空バルブ
１１８を閉じ、真空ポンプ１２１を停止する。このとき
の真空チャンバー内の真空度は５×１０-3Torr〜５×１
０-2Torrである。この後、真空バルブ１１７を開いて真
空チャンバー１０６内を大気開放し、前述した成膜方法
を繰り返すことにより、複数のペットボトル内にＤＬＣ
膜が成膜される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、内側にＤＬ
Ｃ膜を成膜した容器（ペットボトル）を量産するには、
複数のペットボトルを同時に成膜できるようにするため
に、上記従来のＣＶＤ成膜装置を複数用意することにな
る。具体的には、１本のペットボトルに対して１個のマ
ッチングボックスを配置するため、複数のマッチングボ
ックスが必要になる。また、ＲＦ電源は複数のマッチン
グボックスに対して１個である。
Ｃ膜を成膜した容器（ペットボトル）を量産するには、
複数のペットボトルを同時に成膜できるようにするため
に、上記従来のＣＶＤ成膜装置を複数用意することにな
る。具体的には、１本のペットボトルに対して１個のマ
ッチングボックスを配置するため、複数のマッチングボ
ックスが必要になる。また、ＲＦ電源は複数のマッチン
グボックスに対して１個である。
【００１６】このようにマッチングボックスを複数配置
すると、マッチングボックスは小型のものでも３００ｍ
ｍ×３００ｍｍ×４００ｍｍ程度の大きさがあるのでプ
ラズマ源が大変大きなものになり、装置のコンパクト化
の障害になる。従って、量産用のＣＶＤ成膜装置を設置
するには広い場所を必要としスペース効率が悪くなる。
これと共に、マッチングボックスは大変高価なものであ
るので、装置コストが増大する。
すると、マッチングボックスは小型のものでも３００ｍ
ｍ×３００ｍｍ×４００ｍｍ程度の大きさがあるのでプ
ラズマ源が大変大きなものになり、装置のコンパクト化
の障害になる。従って、量産用のＣＶＤ成膜装置を設置
するには広い場所を必要としスペース効率が悪くなる。
これと共に、マッチングボックスは大変高価なものであ
るので、装置コストが増大する。
【００１７】また、ペットボトルを収容する各々の外部
電極に対してマッチングボックスを設置すると、マッチ
ングボックスによるマッチング時間が互いに微妙に異な
るため、マッチング時間を互いに正確に一致させること
ができない。具体的には、各々のマッチングボックスに
おいてインピーダンスマッチングさせるのに互いに０．
１〜１秒程度のずれが生じることがある。そして、ペッ
トボトルの内側に成膜するＤＬＣ膜の膜厚は３０ｎｍ程
度と薄いので、成膜時間は３秒程度で良く、更に比較的
精度良く膜厚を制御する必要がある。このため、０．１
〜１秒程度のマッチング時間のずれがＤＬＣ膜の膜厚の
バラツキ（特にペットボトル間の膜厚バラツキ）に大き
く影響することになる。従って、ＤＬＣ膜の品質にバラ
ツキが生じることになる。
電極に対してマッチングボックスを設置すると、マッチ
ングボックスによるマッチング時間が互いに微妙に異な
るため、マッチング時間を互いに正確に一致させること
ができない。具体的には、各々のマッチングボックスに
おいてインピーダンスマッチングさせるのに互いに０．
１〜１秒程度のずれが生じることがある。そして、ペッ
トボトルの内側に成膜するＤＬＣ膜の膜厚は３０ｎｍ程
度と薄いので、成膜時間は３秒程度で良く、更に比較的
精度良く膜厚を制御する必要がある。このため、０．１
〜１秒程度のマッチング時間のずれがＤＬＣ膜の膜厚の
バラツキ（特にペットボトル間の膜厚バラツキ）に大き
く影響することになる。従って、ＤＬＣ膜の品質にバラ
ツキが生じることになる。
【００１８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、装置コストを低減すると
共に容器の内側に成膜された薄膜の膜厚バラツキを低減
できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供するこ
とにある。
れたものであり、その目的は、装置コストを低減すると
共に容器の内側に成膜された薄膜の膜厚バラツキを低減
できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供するこ
とにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、第１及び第２の容
器それぞれの内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であ
って、第１の容器の外側を囲むように配置された第１の
外部電極と、第２の容器の外側を囲むように配置された
第２の外部電極と、第１の外部電極の内部に配置され、
第１の容器の内部に配置される第１の内部電極と、第２
の外部電極の内部に配置され、第２の容器の内部に配置
される第２の内部電極と、第１及び第２の容器それぞれ
の内部に原料ガスを導入するガス導入手段と、第１の外
部電極に接続された第１の可変コンデンサーと、第２の
外部電極に接続された第２の可変コンデンサーと、第１
の可変コンデンサーに接続され且つ第２の可変コンデン
サーに接続されたマッチングボックスと、このマッチン
グボックスに接続された高周波電源と、を具備すること
を特徴とする。
め、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、第１及び第２の容
器それぞれの内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であ
って、第１の容器の外側を囲むように配置された第１の
外部電極と、第２の容器の外側を囲むように配置された
第２の外部電極と、第１の外部電極の内部に配置され、
第１の容器の内部に配置される第１の内部電極と、第２
の外部電極の内部に配置され、第２の容器の内部に配置
される第２の内部電極と、第１及び第２の容器それぞれ
の内部に原料ガスを導入するガス導入手段と、第１の外
部電極に接続された第１の可変コンデンサーと、第２の
外部電極に接続された第２の可変コンデンサーと、第１
の可変コンデンサーに接続され且つ第２の可変コンデン
サーに接続されたマッチングボックスと、このマッチン
グボックスに接続された高周波電源と、を具備すること
を特徴とする。
【００２０】また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置におい
て、上記マッチングボックスは、第１及び第２の外部電
極全体のインピーダンスマッチングを行い、第１及び第
２の可変コンデンサーは、高周波電源によって第１及び
第２の外部電極に供給される高周波出力の分散を行うも
のであることが好ましい。
て、上記マッチングボックスは、第１及び第２の外部電
極全体のインピーダンスマッチングを行い、第１及び第
２の可変コンデンサーは、高周波電源によって第１及び
第２の外部電極に供給される高周波出力の分散を行うも
のであることが好ましい。
【００２１】本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、複数の容
器の内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、各
々の容器の外側を囲むように配置された複数の外部電極
と、各々の外部電極の内部に配置され、各々の容器の内
部に配置される複数の内部電極と、各々の容器の内部に
原料ガスを導入するガス導入手段と、各々の外部電極に
並列に接続された複数の可変コンデンサーと、複数の可
変コンデンサに接続された１個のマッチングボックス
と、このマッチングボックスに接続された高周波電源
と、を具備し、上記マッチングボックスは、複数の外部
電極全体のインピーダンスマッチングを行い、上記複数
の可変コンデンサーは、高周波電源によって各々の外部
電極に供給される高周波出力の分散を行うものであるこ
とを特徴とする。
器の内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、各
々の容器の外側を囲むように配置された複数の外部電極
と、各々の外部電極の内部に配置され、各々の容器の内
部に配置される複数の内部電極と、各々の容器の内部に
原料ガスを導入するガス導入手段と、各々の外部電極に
並列に接続された複数の可変コンデンサーと、複数の可
変コンデンサに接続された１個のマッチングボックス
と、このマッチングボックスに接続された高周波電源
と、を具備し、上記マッチングボックスは、複数の外部
電極全体のインピーダンスマッチングを行い、上記複数
の可変コンデンサーは、高周波電源によって各々の外部
電極に供給される高周波出力の分散を行うものであるこ
とを特徴とする。
【００２２】上記ＣＶＤ成膜装置によれば、マッチング
ボックスを１個とすることにより、プラズマ源を含む成
膜部を小さくでき、量産用のＣＶＤ成膜装置のコストを
低減できる。また、複数の外部電極全体のインピーダン
スマッチングを行うマッチングボックスを有し、各々の
外部電極に供給される高周波出力の分散を行う複数の可
変コンデンサーを有している。このため、マッチング時
間のずれを防止してマッチング時間を正確に一致させる
ことができる。これにより、容器内に成膜した薄膜の膜
厚の容器間バラツキを低減することができる。
ボックスを１個とすることにより、プラズマ源を含む成
膜部を小さくでき、量産用のＣＶＤ成膜装置のコストを
低減できる。また、複数の外部電極全体のインピーダン
スマッチングを行うマッチングボックスを有し、各々の
外部電極に供給される高周波出力の分散を行う複数の可
変コンデンサーを有している。このため、マッチング時
間のずれを防止してマッチング時間を正確に一致させる
ことができる。これにより、容器内に成膜した薄膜の膜
厚の容器間バラツキを低減することができる。
【００２３】本発明に係るＣＶＤ成膜方法は、第１及び
第２の容器それぞれの内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜
方法であって、第１の容器の外側を囲むように第１の外
部電極を配置し、第２の容器の外側を囲むように第２の
外部電極を配置し、第１の容器の内部に第１の内部電極
を配置し、第２の容器の内部に第２の内部電極を配置
し、第１の外部電極に第１の可変コンデンサーを接続
し、第２の外部電極に第２の可変コンデンサーを接続
し、第１の可変コンデンサーと第２の可変コンデンサー
の両者にマッチングボックスを接続し、このマッチング
ボックスに高周波電源を接続する工程と、第１及び第２
の容器それぞれの内部に原料ガスを導入する工程と、上
記高周波電源を用いて第１及び第２の外部電極それぞれ
にマッチングボックス及び第１、第２の可変コンデンサ
ーを介して高周波出力を供給する工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
第２の容器それぞれの内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜
方法であって、第１の容器の外側を囲むように第１の外
部電極を配置し、第２の容器の外側を囲むように第２の
外部電極を配置し、第１の容器の内部に第１の内部電極
を配置し、第２の容器の内部に第２の内部電極を配置
し、第１の外部電極に第１の可変コンデンサーを接続
し、第２の外部電極に第２の可変コンデンサーを接続
し、第１の可変コンデンサーと第２の可変コンデンサー
の両者にマッチングボックスを接続し、このマッチング
ボックスに高周波電源を接続する工程と、第１及び第２
の容器それぞれの内部に原料ガスを導入する工程と、上
記高周波電源を用いて第１及び第２の外部電極それぞれ
にマッチングボックス及び第１、第２の可変コンデンサ
ーを介して高周波出力を供給する工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
【００２４】また、本発明に係るＣＶＤ成膜方法におい
て、上記高周波出力を供給する工程では、上記マッチン
グボックスが第１及び第２の外部電極全体のインピーダ
ンスマッチングを行い、第１及び第２の可変コンデンサ
ーが、高周波電源によって第１及び第２の外部電極に供
給される高周波出力の分散を行うことが好ましい。
て、上記高周波出力を供給する工程では、上記マッチン
グボックスが第１及び第２の外部電極全体のインピーダ
ンスマッチングを行い、第１及び第２の可変コンデンサ
ーが、高周波電源によって第１及び第２の外部電極に供
給される高周波出力の分散を行うことが好ましい。
【００２５】本発明に係るＣＶＤ成膜方法は、複数の容
器の内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜方法であって、各
々の容器の外側を囲むように複数の外部電極を配置し、
各々の容器の内部に複数の内部電極を配置し、各々の外
部電極に複数の可変コンデンサーを並列に接続し、複数
の可変コンデンサを１個のマッチングボックスに接続
し、このマッチングボックスに高周波電源を接続する工
程と、各々の容器の内部に原料ガスを導入する工程と、
上記高周波電源を用いて複数の外部電極それぞれにマッ
チングボックス及び複数の可変コンデンサーを介して高
周波出力を供給する工程と、を具備し、上記高周波出力
を供給する工程において、上記マッチングボックスが複
数の外部電極全体のインピーダンスマッチングを行い、
上記複数の可変コンデンサーが、高周波電源によって各
々の外部電極に供給される高周波出力の分散を行うこと
を特徴とする。
器の内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜方法であって、各
々の容器の外側を囲むように複数の外部電極を配置し、
各々の容器の内部に複数の内部電極を配置し、各々の外
部電極に複数の可変コンデンサーを並列に接続し、複数
の可変コンデンサを１個のマッチングボックスに接続
し、このマッチングボックスに高周波電源を接続する工
程と、各々の容器の内部に原料ガスを導入する工程と、
上記高周波電源を用いて複数の外部電極それぞれにマッ
チングボックス及び複数の可変コンデンサーを介して高
周波出力を供給する工程と、を具備し、上記高周波出力
を供給する工程において、上記マッチングボックスが複
数の外部電極全体のインピーダンスマッチングを行い、
上記複数の可変コンデンサーが、高周波電源によって各
々の外部電極に供給される高周波出力の分散を行うこと
を特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。本発明の実施の形態によ
るＣＶＤ成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等
の内側にＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜等を成膜する装
置である。
実施の形態について説明する。本発明の実施の形態によ
るＣＶＤ成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等
の内側にＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜等を成膜する装
置である。
【００２７】図１は、本発明の実施の形態によるＣＶＤ
成膜装置を模式的に示す構成図である。このＣＶＤ成膜
装置は真空チャンバー６を有し、この真空チャンバー６
は、導電性の蓋部５、絶縁部材４及び第１乃至第４の外
部電極３ａ〜３ｄから構成されている。蓋部５の下には
絶縁部材４が配置されており、この絶縁部材４の下には
第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄが並列に配置されて
いる。
成膜装置を模式的に示す構成図である。このＣＶＤ成膜
装置は真空チャンバー６を有し、この真空チャンバー６
は、導電性の蓋部５、絶縁部材４及び第１乃至第４の外
部電極３ａ〜３ｄから構成されている。蓋部５の下には
絶縁部材４が配置されており、この絶縁部材４の下には
第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄが並列に配置されて
いる。
【００２８】第１の外部電極３ａは、第１の上部電極２
ａと第１の下部電極１ａからなり、第１の上部電極２ａ
の下部に第１の下部電極１ａの上部がＯリング（図示せ
ず）を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されて
いる。同様に、第２の外部電極３ｂは、第２の上部電極
２ｂと第２の下部電極１ｂからなり、第２の上部電極２
ｂの下部に第２の下部電極１ｂの上部がＯリング（図示
せず）を介して着脱自在に取り付けられるよう構成され
ている。第３の外部電極３ｃは、第３の上部電極２ｃと
第３の下部電極１ｃからなり、第３の上部電極２ｃの下
部に第３の下部電極１ｃの上部がＯリング（図示せず）
を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されてい
る。第４の外部電極３ｄは、第４の上部電極２ｄと第４
の下部電極１ｄからなり、第４の上部電極２ｄの下部に
第４の下部電極１ｄの上部がＯリング（図示せず）を介
して着脱自在に取り付けられるよう構成されている。ま
た、第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄは絶縁部材４に
よって蓋部５と絶縁されている。
ａと第１の下部電極１ａからなり、第１の上部電極２ａ
の下部に第１の下部電極１ａの上部がＯリング（図示せ
ず）を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されて
いる。同様に、第２の外部電極３ｂは、第２の上部電極
２ｂと第２の下部電極１ｂからなり、第２の上部電極２
ｂの下部に第２の下部電極１ｂの上部がＯリング（図示
せず）を介して着脱自在に取り付けられるよう構成され
ている。第３の外部電極３ｃは、第３の上部電極２ｃと
第３の下部電極１ｃからなり、第３の上部電極２ｃの下
部に第３の下部電極１ｃの上部がＯリング（図示せず）
を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されてい
る。第４の外部電極３ｄは、第４の上部電極２ｄと第４
の下部電極１ｄからなり、第４の上部電極２ｄの下部に
第４の下部電極１ｄの上部がＯリング（図示せず）を介
して着脱自在に取り付けられるよう構成されている。ま
た、第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄは絶縁部材４に
よって蓋部５と絶縁されている。
【００２９】第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄそれぞ
れの内部には空間が形成されており、これらの空間はコ
ーティング対象のプラスチック容器であるペットボトル
７ａ〜７ｄを収容するためのものである。外部電極内の
空間は、そこに収容されるペットボトル７ａ〜７ｄの外
形よりも僅かに大きくなるように形成されている。絶縁
部材４及び蓋部５には、第１乃至第４の外部電極それぞ
れの内部の空間につながる４つの開口部が設けられてい
る。また、蓋部５の内部には空間が設けられており、こ
の空間は上記開口部を介して第１乃至第４の外部電極内
の空間につながっている。第１乃至第４の外部電極内の
空間は、第１乃至第４の上部電極２ａ〜２ｄと第１乃至
第４の下部電極１ａ〜１ｄの間に配置されたＯリングに
よって外部から密閉されている。
れの内部には空間が形成されており、これらの空間はコ
ーティング対象のプラスチック容器であるペットボトル
７ａ〜７ｄを収容するためのものである。外部電極内の
空間は、そこに収容されるペットボトル７ａ〜７ｄの外
形よりも僅かに大きくなるように形成されている。絶縁
部材４及び蓋部５には、第１乃至第４の外部電極それぞ
れの内部の空間につながる４つの開口部が設けられてい
る。また、蓋部５の内部には空間が設けられており、こ
の空間は上記開口部を介して第１乃至第４の外部電極内
の空間につながっている。第１乃至第４の外部電極内の
空間は、第１乃至第４の上部電極２ａ〜２ｄと第１乃至
第４の下部電極１ａ〜１ｄの間に配置されたＯリングに
よって外部から密閉されている。
【００３０】第１乃至第４の外部電極３ａ〜３ｄそれぞ
れには第１乃至第４の可変コンデンサー２１ａ〜２１ｄ
が接続されている。即ち、第１の外部電極における第１
の下部電極１ａには第１の可変コンデンサー２１ａが接
続されており、第２の外部電極３ｂにおける第２の下部
電極１ｂには第２の可変コンデンサー２１ｂが接続され
ており、第３の外部電極３ｃにおける第３の下部電極１
ｃには第３の可変コンデンサー２１ｃが接続されてお
り、第４の外部電極３ｄにおける第４の下部電極１ｄに
は第４の可変コンデンサー２１ｄが接続されている。
れには第１乃至第４の可変コンデンサー２１ａ〜２１ｄ
が接続されている。即ち、第１の外部電極における第１
の下部電極１ａには第１の可変コンデンサー２１ａが接
続されており、第２の外部電極３ｂにおける第２の下部
電極１ｂには第２の可変コンデンサー２１ｂが接続され
ており、第３の外部電極３ｃにおける第３の下部電極１
ｃには第３の可変コンデンサー２１ｃが接続されてお
り、第４の外部電極３ｄにおける第４の下部電極１ｄに
は第４の可変コンデンサー２１ｄが接続されている。
【００３１】第１乃至第４の可変コンデンサー２１ａ〜
２１ｄは１個のインピーダンス整合器（マッチングボッ
クス）１４に接続されており、マッチングボックス１４
は同軸ケーブルを介して高周波電源（ＲＦ電源）１５に
接続されている。
２１ｄは１個のインピーダンス整合器（マッチングボッ
クス）１４に接続されており、マッチングボックス１４
は同軸ケーブルを介して高周波電源（ＲＦ電源）１５に
接続されている。
【００３２】マッチングボックス１４は、第１乃至第４
の外部電極全体のインピーダンスマッチングを行うもの
である。第１乃至第４の可変コンデンサー２１ａ〜２１
ｄそれぞれは、ＲＦ電源１５によって第１乃至第４の外
部電極３ａ〜３ｄに供給されるＲＦ出力の分散を行い、
ＲＦ出力をコントロールしてマッチング時間のずれを防
止するためのものである。なお、可変コンデンサー２１
ａ〜２１ｄは手動で設定することが好ましい。
の外部電極全体のインピーダンスマッチングを行うもの
である。第１乃至第４の可変コンデンサー２１ａ〜２１
ｄそれぞれは、ＲＦ電源１５によって第１乃至第４の外
部電極３ａ〜３ｄに供給されるＲＦ出力の分散を行い、
ＲＦ出力をコントロールしてマッチング時間のずれを防
止するためのものである。なお、可変コンデンサー２１
ａ〜２１ｄは手動で設定することが好ましい。
【００３３】蓋部５の上部から蓋部内の空間、蓋部と絶
縁部材４の開口部を通して、第１乃至第４の外部電極内
の空間に第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄが差し込ま
れている。即ち、第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄそ
れぞれの基端は蓋部５の上部に配置され、第１乃至第４
の内部電極それぞれの先端は第１乃至第４の外部電極３
ａ〜３ｄそれぞれの内部空間であってその外部電極内に
収容されたペットボトル７ａ〜７ｄの内部に配置され
る。
縁部材４の開口部を通して、第１乃至第４の外部電極内
の空間に第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄが差し込ま
れている。即ち、第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄそ
れぞれの基端は蓋部５の上部に配置され、第１乃至第４
の内部電極それぞれの先端は第１乃至第４の外部電極３
ａ〜３ｄそれぞれの内部空間であってその外部電極内に
収容されたペットボトル７ａ〜７ｄの内部に配置され
る。
【００３４】第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄそれぞ
れは、その内部が中空からなる管形状を有している。第
１乃至第４の内部電極それぞれの先端にはガス吹き出し
口１９ａ〜１９ｄが設けられている。第１乃至第４の内
部電極それぞれの基端には配管（図示せず）の一方側が
接続されており、この配管の他方側は真空バルブ（図示
せず）を介してマスフローコントローラー（図示せず）
の一方側に接続されている。マスフローコントローラー
の他方側は配管（図示せず）を介して原料ガス発生源
（図示せず）に接続されている。この原料ガス発生源は
炭化水素ガス等を発生させるものである。なお、配管、
真空バルブ、マスフローコントローラー及び原料ガス発
生源それぞれの配置は、従来のＣＶＤ成膜装置とほぼ同
様である。
れは、その内部が中空からなる管形状を有している。第
１乃至第４の内部電極それぞれの先端にはガス吹き出し
口１９ａ〜１９ｄが設けられている。第１乃至第４の内
部電極それぞれの基端には配管（図示せず）の一方側が
接続されており、この配管の他方側は真空バルブ（図示
せず）を介してマスフローコントローラー（図示せず）
の一方側に接続されている。マスフローコントローラー
の他方側は配管（図示せず）を介して原料ガス発生源
（図示せず）に接続されている。この原料ガス発生源は
炭化水素ガス等を発生させるものである。なお、配管、
真空バルブ、マスフローコントローラー及び原料ガス発
生源それぞれの配置は、従来のＣＶＤ成膜装置とほぼ同
様である。
【００３５】第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄは蓋部
５を介して接地されている。また、蓋部内の空間は配管
（図示せず）の一方側に接続されており、配管の他方側
は真空バルブ（図示せず）を介して大気開放状態とされ
ている。また、蓋部内の空間は配管（図示せず）の一方
側に接続されており、配管の他方側は真空バルブ（図示
せず）を介して真空ポンプ（図示せず）に接続されてい
る。なお、配管、真空バルブ及び真空ポンプそれぞれの
配置は、従来のＣＶＤ成膜装置とほぼ同様である。
５を介して接地されている。また、蓋部内の空間は配管
（図示せず）の一方側に接続されており、配管の他方側
は真空バルブ（図示せず）を介して大気開放状態とされ
ている。また、蓋部内の空間は配管（図示せず）の一方
側に接続されており、配管の他方側は真空バルブ（図示
せず）を介して真空ポンプ（図示せず）に接続されてい
る。なお、配管、真空バルブ及び真空ポンプそれぞれの
配置は、従来のＣＶＤ成膜装置とほぼ同様である。
【００３６】次に、図１に示すＣＶＤ成膜装置を用いて
容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明す
る。
容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明す
る。
【００３７】まず、真空バルブを開いて真空チャンバー
６内を大気開放する。これにより、配管を通して空気が
蓋部内の空間、外部電極内の空間に入り、真空チャンバ
ー６内が大気圧にされる。次に、第１乃至第４の外部電
極における第１乃至第４の下部電極１ａ〜１ｄを第１乃
至第４の上部電極２ａ〜２ｄから取り外し、それらの上
部電極２ａ〜２ｄの下側から上部電極内の空間にペット
ボトル７ａ〜７ｄを差し込み、設置する。この際、第１
乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄそれぞれは各々のペット
ボトル７ａ〜７ｄ内に挿入された状態になる。次に、第
１乃至第４の下部電極１ａ〜１ｄそれぞれを第１乃至第
４の上部電極２それぞれの下部に装着し、第１乃至第４
の外部電極３ａ〜３ｄそれぞれの内部空間はＯリングに
よって密閉される。
６内を大気開放する。これにより、配管を通して空気が
蓋部内の空間、外部電極内の空間に入り、真空チャンバ
ー６内が大気圧にされる。次に、第１乃至第４の外部電
極における第１乃至第４の下部電極１ａ〜１ｄを第１乃
至第４の上部電極２ａ〜２ｄから取り外し、それらの上
部電極２ａ〜２ｄの下側から上部電極内の空間にペット
ボトル７ａ〜７ｄを差し込み、設置する。この際、第１
乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄそれぞれは各々のペット
ボトル７ａ〜７ｄ内に挿入された状態になる。次に、第
１乃至第４の下部電極１ａ〜１ｄそれぞれを第１乃至第
４の上部電極２それぞれの下部に装着し、第１乃至第４
の外部電極３ａ〜３ｄそれぞれの内部空間はＯリングに
よって密閉される。
【００３８】この後、真空バルブを閉じた後、他の真空
バルブを開き、真空ポンプを作動させる。これにより、
ペットボトル７ａ〜７ｄの内部を含む真空チャンバー６
内（第１乃至第４の外部電極それぞれの内部空間及び蓋
部内の空間）が配管を通して排気され、第１乃至第４の
外部電極それぞれの内部空間が真空となる。
バルブを開き、真空ポンプを作動させる。これにより、
ペットボトル７ａ〜７ｄの内部を含む真空チャンバー６
内（第１乃至第４の外部電極それぞれの内部空間及び蓋
部内の空間）が配管を通して排気され、第１乃至第４の
外部電極それぞれの内部空間が真空となる。
【００３９】次に、真空バルブを開いた後、原料ガス発
生源において炭化水素ガスを発生させ、この炭化水素ガ
スを配管内に導入し、マスフローコントローラーによっ
て流量制御された炭化水素ガスを配管及びアース電位の
第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄを通してガス吹き出
し口１９ａ〜１９ｄから吹き出す。これにより、炭化水
素ガスが各々のペットボトル内に導入される。そして、
真空チャンバー内とペットボトル内は、制御されたガス
流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜に適し
た圧力（例えば０．０５〜０．５Torr程度）に保たれ
る。
生源において炭化水素ガスを発生させ、この炭化水素ガ
スを配管内に導入し、マスフローコントローラーによっ
て流量制御された炭化水素ガスを配管及びアース電位の
第１乃至第４の内部電極９ａ〜９ｄを通してガス吹き出
し口１９ａ〜１９ｄから吹き出す。これにより、炭化水
素ガスが各々のペットボトル内に導入される。そして、
真空チャンバー内とペットボトル内は、制御されたガス
流量と排気能力のバランスによって、ＤＬＣ成膜に適し
た圧力（例えば０．０５〜０．５Torr程度）に保たれ
る。
【００４０】この後、第１乃至第４の外部電極３ａ〜３
ｄに１個のマッチングボックス１４及び第１乃至第４の
可変コンデンサー２１ａ〜２１ｄを介して高周波電源
（ＲＦ電源）１５からＲＦ出力（例えば１３．５６ＭＨ
ｚ）を供給する。この際、マッチングボックス１４によ
って第１乃至第４の外部電極全体のインピーダンスマッ
チングを行い、第１乃至第４の可変コンデンサーによっ
て第１乃至第４の外部電極に供給されるＲＦ出力の分散
を行い、ＲＦ出力をコントロールする。
ｄに１個のマッチングボックス１４及び第１乃至第４の
可変コンデンサー２１ａ〜２１ｄを介して高周波電源
（ＲＦ電源）１５からＲＦ出力（例えば１３．５６ＭＨ
ｚ）を供給する。この際、マッチングボックス１４によ
って第１乃至第４の外部電極全体のインピーダンスマッ
チングを行い、第１乃至第４の可変コンデンサーによっ
て第１乃至第４の外部電極に供給されるＲＦ出力の分散
を行い、ＲＦ出力をコントロールする。
【００４１】このように第１乃至第４の外部電極にＲＦ
出力を供給することによって、第１乃至第４の外部電極
それぞれと第１乃至第４の内部電極それぞれとの間にプ
ラズマを着火する。このとき、マッチングボックス１４
は、外部電極と内部電極のインピーダンスに、インダク
タンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。こ
れによって、ペットボトル内に炭化水素系プラズマが発
生し、ＤＬＣ膜がペットボトルの内側に成膜される。こ
のときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。
出力を供給することによって、第１乃至第４の外部電極
それぞれと第１乃至第４の内部電極それぞれとの間にプ
ラズマを着火する。このとき、マッチングボックス１４
は、外部電極と内部電極のインピーダンスに、インダク
タンスＬ、キャパシタンスＣによって合わせている。こ
れによって、ペットボトル内に炭化水素系プラズマが発
生し、ＤＬＣ膜がペットボトルの内側に成膜される。こ
のときの成膜時間は数秒程度と短いものとなる。
【００４２】次に、ＲＦ電源１５からのＲＦ出力を停止
し、真空バルブを閉じて原料ガスの供給を停止する。こ
の後、他の真空バルブを開き、真空チャンバー６及びペ
ットボトル７ａ〜７ｄの内部の炭化水素ガスを真空ポン
プによって排気する。その後、真空バルブを閉じ、真空
ポンプを停止する。このときの真空チャンバー内の真空
度は例えば５×１０-3Torr〜５×１０-2Torrである。こ
の後、真空バルブを開いて真空チャンバー６内を大気開
放し、前述した成膜方法を繰り返すことにより、内部に
ＤＬＣ膜が成膜されたペットボトルを量産できる。
し、真空バルブを閉じて原料ガスの供給を停止する。こ
の後、他の真空バルブを開き、真空チャンバー６及びペ
ットボトル７ａ〜７ｄの内部の炭化水素ガスを真空ポン
プによって排気する。その後、真空バルブを閉じ、真空
ポンプを停止する。このときの真空チャンバー内の真空
度は例えば５×１０-3Torr〜５×１０-2Torrである。こ
の後、真空バルブを開いて真空チャンバー６内を大気開
放し、前述した成膜方法を繰り返すことにより、内部に
ＤＬＣ膜が成膜されたペットボトルを量産できる。
【００４３】上記実施の形態によれば、第１乃至第４の
外部電極全体のインピーダンスマッチングを行うマッチ
ングボックス１４を配置し、各々の外部電極に供給され
るＲＦ出力の分散及びコントロールを行う第１乃至第４
の可変コンデンサー２１ａ〜２１ｄを配置している。こ
のため、マッチング時間のずれを防止してマッチング時
間を正確に一致させることができる。これによって、ペ
ットボトル内にＤＬＣ膜を成膜する処理時間を短縮で
き、言い換えると成膜処理の速度を向上できる。従っ
て、内部にＤＬＣ膜を成膜したペットボトルを量産する
ことが容易となり、量産時のコストを低減できる。
外部電極全体のインピーダンスマッチングを行うマッチ
ングボックス１４を配置し、各々の外部電極に供給され
るＲＦ出力の分散及びコントロールを行う第１乃至第４
の可変コンデンサー２１ａ〜２１ｄを配置している。こ
のため、マッチング時間のずれを防止してマッチング時
間を正確に一致させることができる。これによって、ペ
ットボトル内にＤＬＣ膜を成膜する処理時間を短縮で
き、言い換えると成膜処理の速度を向上できる。従っ
て、内部にＤＬＣ膜を成膜したペットボトルを量産する
ことが容易となり、量産時のコストを低減できる。
【００４４】また、マッチング時間のずれを防止するこ
とにより、ペットボトル内に成膜したＤＬＣ膜の膜厚の
ペットボトル間バラツキを低減することができる。従っ
て、ペットボトル間のＤＬＣ膜の膜厚を精度良く制御す
ることができ、ＤＬＣ膜の品質バラツキを抑制すること
ができる。
とにより、ペットボトル内に成膜したＤＬＣ膜の膜厚の
ペットボトル間バラツキを低減することができる。従っ
て、ペットボトル間のＤＬＣ膜の膜厚を精度良く制御す
ることができ、ＤＬＣ膜の品質バラツキを抑制すること
ができる。
【００４５】また、従来のＣＶＤ成膜装置を用いると外
部電極と同じ数のマッチングボックスを配置する必要が
あるのに対し、本実施の形態では、マッチングボックス
１４を１個としている。このため、数本立のプラズマ源
を小さくでき、装置のコンパクト化を図ることができ
る。従って、量産用のＣＶＤ成膜装置の省スペース化を
図ることができる。これと共に、マッチングボックスを
１個とすることにより、従来の装置に比べて装置コスト
を低減できる。マッチングボックスの数においてはコス
トを１／４にすることができる。
部電極と同じ数のマッチングボックスを配置する必要が
あるのに対し、本実施の形態では、マッチングボックス
１４を１個としている。このため、数本立のプラズマ源
を小さくでき、装置のコンパクト化を図ることができ
る。従って、量産用のＣＶＤ成膜装置の省スペース化を
図ることができる。これと共に、マッチングボックスを
１個とすることにより、従来の装置に比べて装置コスト
を低減できる。マッチングボックスの数においてはコス
トを１／４にすることができる。
【００４６】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
原料ガス発生源としては、炭化水素ガスの発生源に限ら
れず、種々の発生源を用いることも可能であり、例えば
Ｓｉ含有炭化水素系ガスなどを用いることも可能であ
る。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
原料ガス発生源としては、炭化水素ガスの発生源に限ら
れず、種々の発生源を用いることも可能であり、例えば
Ｓｉ含有炭化水素系ガスなどを用いることも可能であ
る。
【００４７】また、本実施の形態では、内部に薄膜を成
膜する容器として飲料用のペットボトルを用いている
が、他の用途に使用される容器を用いることも可能であ
る。
膜する容器として飲料用のペットボトルを用いている
が、他の用途に使用される容器を用いることも可能であ
る。
【００４８】また、本実施の形態では、ＣＶＤ成膜装置
で成膜する薄膜としてＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜を
挙げているが、容器内に他の薄膜を成膜する際に上記Ｃ
ＶＤ成膜装置を用いることも可能である。
で成膜する薄膜としてＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜を
挙げているが、容器内に他の薄膜を成膜する際に上記Ｃ
ＶＤ成膜装置を用いることも可能である。
【００４９】また、本実施の形態では、４個の外部電極
を有するＣＶＤ成膜装置に本発明を適用しているが、１
個の外部電極毎に可変コンデンサーを配置するものであ
れば、２個、３個又は５個以上の外部電極を有するＣＶ
Ｄ成膜装置に本発明を適用することも可能である。
を有するＣＶＤ成膜装置に本発明を適用しているが、１
個の外部電極毎に可変コンデンサーを配置するものであ
れば、２個、３個又は５個以上の外部電極を有するＣＶ
Ｄ成膜装置に本発明を適用することも可能である。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、装
置コストを低減すると共に容器の内側に成膜された薄膜
の膜厚バラツキを低減できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ
成膜方法を提供することができる。
置コストを低減すると共に容器の内側に成膜された薄膜
の膜厚バラツキを低減できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ
成膜方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態によるＣＶＤ成膜装置を模
式的に示す構成図である。
式的に示す構成図である。
【図２】従来のＣＶＤ成膜装置を模式的に示す構成図で
ある。
ある。
１ａ〜１ｄ…第１〜第４の下部電極 ２ａ〜２ｄ…第１〜第４の上部電極 ３ａ〜３ｄ…第１〜第４の外部電極 ４，１０４…絶縁部材 ５，１０５…蓋部 ６，１０６…真空チャンバー ７ａ〜７ｄ，１０７…ペットボトル ９ａ〜９ｄ…第１〜第４の内部電極 １４，１１４…マッチングボックス（インピーダンス整
合器） １５，１１５…高周波電源（ＲＦ電源） １９ａ〜１９ｄ，１０９ａ…ガス吹き出し口 ２１ａ〜２１ｄ…第１〜第４の可変コンデンサー １０１…下部電極 １０２…上部電極 １０３…外部電極 １０８…Ｏリング １０９…内部電極 １１０，１１１，１１２，１１３…配管 １１６，１１７，１１８…真空バルブ １１９…マスフローコントローラー １２０…原料ガス発生源 １２１…真空ポンプ
合器） １５，１１５…高周波電源（ＲＦ電源） １９ａ〜１９ｄ，１０９ａ…ガス吹き出し口 ２１ａ〜２１ｄ…第１〜第４の可変コンデンサー １０１…下部電極 １０２…上部電極 １０３…外部電極 １０８…Ｏリング １０９…内部電極 １１０，１１１，１１２，１１３…配管 １１６，１１７，１１８…真空バルブ １１９…マスフローコントローラー １２０…原料ガス発生源 １２１…真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鹿毛 剛 東京都品川区西五反田１−27−２五反田富 士ビル三菱商事プラスチック株式会社内 (72)発明者 荒木 智幸 千葉県流山市大字西平井956番地の１株式 会社ユーテック内 (72)発明者 小林 巧 千葉県流山市大字西平井956番地の１株式 会社ユーテック内 Ｆターム(参考） 3E062 AA09 AC02 JA01 JA07 JB24 4K030 AA09 BA28 CA07 CA15 EA06 FA03
Claims (6)
- 【請求項１】 第１及び第２の容器それぞれの内側に薄
膜を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、 第１の容器の外側を囲むように配置された第１の外部電
極と、 第２の容器の外側を囲むように配置された第２の外部電
極と、 第１の外部電極の内部に配置され、第１の容器の内部に
配置される第１の内部電極と、 第２の外部電極の内部に配置され、第２の容器の内部に
配置される第２の内部電極と、 第１及び第２の容器それぞれの内部に原料ガスを導入す
るガス導入手段と、 第１の外部電極に接続された第１の可変コンデンサー
と、 第２の外部電極に接続された第２の可変コンデンサー
と、 第１の可変コンデンサーに接続され且つ第２の可変コン
デンサーに接続されたマッチングボックスと、 このマッチングボックスに接続された高周波電源と、 を具備することを特徴とするＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項２】 上記マッチングボックスは、第１及び第
２の外部電極全体のインピーダンスマッチングを行い、
第１及び第２の可変コンデンサーは、高周波電源によっ
て第１及び第２の外部電極に供給される高周波出力の分
散を行うものであることを特徴とする請求項１記載のＣ
ＶＤ成膜装置。 - 【請求項３】 複数の容器の内側に薄膜を成膜するＣＶ
Ｄ成膜装置であって、 各々の容器の外側を囲むように配置された複数の外部電
極と、 各々の外部電極の内部に配置され、各々の容器の内部に
配置される複数の内部電極と、 各々の容器の内部に原料ガスを導入するガス導入手段
と、 各々の外部電極に並列に接続された複数の可変コンデン
サーと、 複数の可変コンデンサに接続された１個のマッチングボ
ックスと、 このマッチングボックスに接続された高周波電源と、 を具備し、 上記マッチングボックスは、複数の外部電極全体のイン
ピーダンスマッチングを行い、上記複数の可変コンデン
サーは、高周波電源によって各々の外部電極に供給され
る高周波出力の分散を行うものであることを特徴とする
ＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項４】 第１及び第２の容器それぞれの内側に薄
膜を成膜するＣＶＤ成膜方法であって、 第１の容器の外側を囲むように第１の外部電極を配置
し、第２の容器の外側を囲むように第２の外部電極を配
置し、第１の容器の内部に第１の内部電極を配置し、第
２の容器の内部に第２の内部電極を配置し、第１の外部
電極に第１の可変コンデンサーを接続し、第２の外部電
極に第２の可変コンデンサーを接続し、第１の可変コン
デンサーと第２の可変コンデンサーの両者にマッチング
ボックスを接続し、このマッチングボックスに高周波電
源を接続する工程と、 第１及び第２の容器それぞれの内部に原料ガスを導入す
る工程と、 上記高周波電源を用いて第１及び第２の外部電極それぞ
れにマッチングボックス及び第１、第２の可変コンデン
サーを介して高周波出力を供給する工程と、 を具備することを特徴とするＣＶＤ成膜方法。 - 【請求項５】 上記高周波出力を供給する工程におい
て、上記マッチングボックスが第１及び第２の外部電極
全体のインピーダンスマッチングを行い、第１及び第２
の可変コンデンサーが、高周波電源によって第１及び第
２の外部電極に供給される高周波出力の分散を行うこと
を特徴とする請求項４記載のＣＶＤ成膜方法。 - 【請求項６】 複数の容器の内側に薄膜を成膜するＣＶ
Ｄ成膜方法であって、 各々の容器の外側を囲むように複数の外部電極を配置
し、各々の容器の内部に複数の内部電極を配置し、各々
の外部電極に複数の可変コンデンサーを並列に接続し、
複数の可変コンデンサを１個のマッチングボックスに接
続し、このマッチングボックスに高周波電源を接続する
工程と、 各々の容器の内部に原料ガスを導入する工程と、 上記高周波電源を用いて複数の外部電極それぞれにマッ
チングボックス及び複数の可変コンデンサーを介して高
周波出力を供給する工程と、 を具備し、 上記高周波出力を供給する工程において、上記マッチン
グボックスが複数の外部電極全体のインピーダンスマッ
チングを行い、上記複数の可変コンデンサーが、高周波
電源によって各々の外部電極に供給される高周波出力の
分散を行うことを特徴とするＣＶＤ成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152870A JP2001335945A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152870A JP2001335945A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001335945A true JP2001335945A (ja) | 2001-12-07 |
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ID=18658231
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000152870A Withdrawn JP2001335945A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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-
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- 2000-05-24 JP JP2000152870A patent/JP2001335945A/ja not_active Withdrawn
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