JP3123979U - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】排気手段、原料ガス供給手段、グロー放電を生起する手段等を備えたプラスチック容器へのDLCコーティング成膜装置において、閉塞蓋を対向電極(アース電極1)として機能させ、かつ前記閉塞蓋に設けた排気口1aより真空排気し、前記閉塞蓋内に原料ガス導入孔1bを設け、該原料ガス導入孔1bを用いて流量が制御された原料ガスを真空チャンバ7に導入する構成とする。
【選択図】 図1
Description
排気装置10を停止させ、原料ガスの流量が0の状態で、真空チャンバ7内を大気圧とし、上RF電極3から下RF電極4を取り外し、PETボトル6を挿入後、下RF電極4を上RF電極3に装着し排気装置10を作動させ真空チャンバ7内の気体を排気する。
不純物を除去するために到達真空度、例えば10-3〜10-4Pa程度まで排気後、排気装置10を継続作動させつつ原料ガスの流量を流量制御装置12で調整し、DLC膜の成膜に適した圧力、例えば、1〜100Paにする。次に、RF電源8を作動させ、高周波電力をアース電極1とRF電極5の間に供給し、グロー放電を生起させると、原料ガスがプラズマ化され、PETボトル6の内側にDLC膜がコーティングされる。この際、RF電極5は−200〜−500Vのバイアス電圧が印加されるようにRFパワーを調整する。
図示例ではRF電極5を上下2つに分離してPETボトル6を格納する構造になっているが、RF電極5を一体構造とし上部を広口として絶縁部2から分離し、RF電極5の上部からPETボトル6を格納する構造とすることができる。また、図示例では、原料ガスがアース電極1内に設けられた原料ガス導入孔1bを通して真空チャンバ7内に導入されるが、アース電極1の上下方向に、アース電極1の厚さ程度の長さのパイプを貫通させ、該パイプを通して原料ガスを真空チャンバ7内に導入する構造とすることができる。本考案はこれら変形例を包含する。
1a 排気口
1b 原料ガス導入孔
2 絶縁部
3 上RF電極
4 下RF電極
5 RF電極
6 PETボトル
7 真空チャンバ
8 RF電源
9 マッチングBOX
10 排気装置
11 原料ガス源
12 流量制御装置
21 蓋部
22 内部電極
22a ガス吹き出し口
Claims (3)
- 成膜のためのRF電極を有し、内面を成膜するための容器を包囲する包囲体と、この包囲体を絶縁板を介して閉塞する閉塞蓋と、この閉塞蓋に穿設された排気口を介して包囲体内を真空排気する排気手段と、前記閉塞蓋に形成された流入路を介して成膜用の原料ガスを供給するガス供給手段とを備え、前記RF電極に対してアース電極を対置させて容器内面を成膜する装置において、前記閉塞蓋をアース電極として構成したことを特徴とする成膜装置。
- 容器がPETボトルであることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 原料ガスがダイヤモンドライクカーボン成膜用のガスであることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。
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JP2006003836U JP3123979U (ja) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | 成膜装置 |
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JP2008218369A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-09-18 | Tokyo Institute Of Technology | 表面処理装置 |
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JP2008218369A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-09-18 | Tokyo Institute Of Technology | 表面処理装置 |
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