JP2001335946A - Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 - Google Patents
Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法Info
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- JP2001335946A JP2001335946A JP2000152871A JP2000152871A JP2001335946A JP 2001335946 A JP2001335946 A JP 2001335946A JP 2000152871 A JP2000152871 A JP 2000152871A JP 2000152871 A JP2000152871 A JP 2000152871A JP 2001335946 A JP2001335946 A JP 2001335946A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部電極に付着した薄膜が容器内に剥がれ落
ちるのを防止し、且つ、装置の稼働率の低下を抑制でき
るＣＶＤ成膜装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、ペット
ボトル７の外側を囲むように配置された外部電極３と、
この外部電極３内に配置され、ペットボトル７の内部に
配置される内部電極９と、ペットボトルの内部に原料ガ
スを導入する原料ガス導入手段と、外部電極３の内部に
クリーニング用のガスを導入するガス導入手段と、外部
電極３に接続されたマッチングボックス１４と、このマ
ッチングボックスに接続された高周波電源１５と、を具
備する。ガス導入手段によりガスが外部電極内に導入さ
れ、高周波電源によりマッチングボックスを介して外部
電極に高周波出力が供給され、内部電極と外部電極の間
にプラズマを発生させることにより、内部電極に付着し
た薄膜を分解して除去する。
ちるのを防止し、且つ、装置の稼働率の低下を抑制でき
るＣＶＤ成膜装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、ペット
ボトル７の外側を囲むように配置された外部電極３と、
この外部電極３内に配置され、ペットボトル７の内部に
配置される内部電極９と、ペットボトルの内部に原料ガ
スを導入する原料ガス導入手段と、外部電極３の内部に
クリーニング用のガスを導入するガス導入手段と、外部
電極３に接続されたマッチングボックス１４と、このマ
ッチングボックスに接続された高周波電源１５と、を具
備する。ガス導入手段によりガスが外部電極内に導入さ
れ、高周波電源によりマッチングボックスを介して外部
電極に高周波出力が供給され、内部電極と外部電極の間
にプラズマを発生させることにより、内部電極に付着し
た薄膜を分解して除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、容器の内側に薄膜
を成膜するＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法であっ
て、クリーニング機構を備えたＣＶＤ成膜装置及びＣＶ
Ｄ成膜方法に関する。
を成膜するＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法であっ
て、クリーニング機構を備えたＣＶＤ成膜装置及びＣＶ
Ｄ成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion）成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等の
内側にＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜又はＳｉ含有Ｄ
ＬＣ膜等を成膜する装置である。ＤＬＣ膜は、炭素間の
ＳＰ3結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に
硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフ
ォロジを有する硬質炭素膜である。ＤＬＣ膜を成膜する
原料ガスとしては炭化水素系ガスを用い、Ｓｉ含有ＤＬ
Ｃ膜を成膜する原料ガスとしてはＳｉ含有炭化水素系ガ
スを用いる。
ion）成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等の
内側にＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜又はＳｉ含有Ｄ
ＬＣ膜等を成膜する装置である。ＤＬＣ膜は、炭素間の
ＳＰ3結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に
硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフ
ォロジを有する硬質炭素膜である。ＤＬＣ膜を成膜する
原料ガスとしては炭化水素系ガスを用い、Ｓｉ含有ＤＬ
Ｃ膜を成膜する原料ガスとしてはＳｉ含有炭化水素系ガ
スを用いる。
【０００３】従来のＣＶＤ成膜装置は真空チャンバーを
備え、この真空チャンバーは外部電極を有している。こ
の外部電極の内部には空間が形成されており、この空間
はコーティング対象のプラスチック容器であるペットボ
トルを収容するためのものである。外部電極はインピー
ダンス整合器（マッチングボックス）に接続されてお
り、マッチングボックスは同軸ケーブルを介して高周波
電源（ＲＦ電源）に接続されている。
備え、この真空チャンバーは外部電極を有している。こ
の外部電極の内部には空間が形成されており、この空間
はコーティング対象のプラスチック容器であるペットボ
トルを収容するためのものである。外部電極はインピー
ダンス整合器（マッチングボックス）に接続されてお
り、マッチングボックスは同軸ケーブルを介して高周波
電源（ＲＦ電源）に接続されている。
【０００４】外部電極内の空間には内部電極が差し込ま
れており、内部電極の先端は外部電極内の空間であって
外部電極内に収容されたペットボトルの内部に配置され
る。内部電極は、その内部が中空からなる管形状を有し
ている。内部電極の先端にはガス吹き出し口が設けられ
ている。内部電極の基端はガス導入手段に接続されてい
る。
れており、内部電極の先端は外部電極内の空間であって
外部電極内に収容されたペットボトルの内部に配置され
る。内部電極は、その内部が中空からなる管形状を有し
ている。内部電極の先端にはガス吹き出し口が設けられ
ている。内部電極の基端はガス導入手段に接続されてい
る。
【０００５】内部電極は接地されている。外部電極内の
空間は真空バルブを介して大気開放状態とされている。
また、外部電極内の空間は真空ポンプに接続されてい
る。
空間は真空バルブを介して大気開放状態とされている。
また、外部電極内の空間は真空ポンプに接続されてい
る。
【０００６】次に、上記ＣＶＤ成膜装置を用いて容器の
内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。
内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。
【０００７】まず、真空バルブを開いて真空チャンバー
内を大気開放する。これにより、空気が外部電極内の空
間に入り、真空チャンバー内が大気圧にされる。次に、
外部電極内の空間にペットボトルを収容する。この際、
内部電極はペットボトル内に挿入された状態になる。
内を大気開放する。これにより、空気が外部電極内の空
間に入り、真空チャンバー内が大気圧にされる。次に、
外部電極内の空間にペットボトルを収容する。この際、
内部電極はペットボトル内に挿入された状態になる。
【０００８】この後、真空バルブを閉じた後、真空ポン
プを作動させることにより、ペットボトル内を含む真空
チャンバー内が排気され、外部電極内の空間が真空とな
る。
プを作動させることにより、ペットボトル内を含む真空
チャンバー内が排気され、外部電極内の空間が真空とな
る。
【０００９】次に、ガス導入手段を用いて流量制御され
た炭化水素ガスをアース電位の内部電極を通してガス吹
き出し口から吹き出す。これにより、炭化水素ガスがペ
ットボトル内に導入される。そして、真空チャンバー内
とペットボトル内は、制御されたガス流量と排気能力の
バランスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力に保たれ
る。
た炭化水素ガスをアース電位の内部電極を通してガス吹
き出し口から吹き出す。これにより、炭化水素ガスがペ
ットボトル内に導入される。そして、真空チャンバー内
とペットボトル内は、制御されたガス流量と排気能力の
バランスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力に保たれ
る。
【００１０】この後、外部電極にマッチングボックスを
介して高周波電源（ＲＦ電源）からＲＦ出力を供給す
る。これにより、外部電極と内部電極間にプラズマを着
火する。このとき、マッチングボックスは、外部電極と
内部電極のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャ
パシタンスＣによって合わせている。これによって、ペ
ットボトル内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜
がペットボトルの内側に成膜される。
介して高周波電源（ＲＦ電源）からＲＦ出力を供給す
る。これにより、外部電極と内部電極間にプラズマを着
火する。このとき、マッチングボックスは、外部電極と
内部電極のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャ
パシタンスＣによって合わせている。これによって、ペ
ットボトル内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜
がペットボトルの内側に成膜される。
【００１１】次に、ＲＦ電源からのＲＦ出力を停止し、
原料ガスの供給を停止する。この後、真空チャンバー内
及びペットボトル内の炭化水素ガスを真空ポンプによっ
て排気する。この後、真空バルブを開いて真空チャンバ
ー内を大気開放し、前述した成膜方法を繰り返すことに
より、複数のペットボトル内にＤＬＣ膜が成膜される。
原料ガスの供給を停止する。この後、真空チャンバー内
及びペットボトル内の炭化水素ガスを真空ポンプによっ
て排気する。この後、真空バルブを開いて真空チャンバ
ー内を大気開放し、前述した成膜方法を繰り返すことに
より、複数のペットボトル内にＤＬＣ膜が成膜される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ＣＶＤ成膜装置において、ペットボトルの内面にＤＬＣ
膜を成膜すると、内部電極の外表面にもＤＬＣ膜が成膜
されてしまう。このため、複数のペットボトル内へのＤ
ＬＣ膜の成膜を繰り返していくと、内部電極の外表面に
成膜されたＤＬＣ膜の膜厚が徐々に厚くなり、その膜厚
がある厚さ（例えば５μｍ程度の厚さ）になると内部電
極から剥がれ落ちてしまう。この剥がれ落ちたＤＬＣ膜
はペットボトル内に落ち、その結果、ペットボトル内に
落ちたＤＬＣ膜によってそのペットボトルの中に成膜さ
れない部分が生じ、ガスバリア性を低下させ、不良品と
なってしまう。
ＣＶＤ成膜装置において、ペットボトルの内面にＤＬＣ
膜を成膜すると、内部電極の外表面にもＤＬＣ膜が成膜
されてしまう。このため、複数のペットボトル内へのＤ
ＬＣ膜の成膜を繰り返していくと、内部電極の外表面に
成膜されたＤＬＣ膜の膜厚が徐々に厚くなり、その膜厚
がある厚さ（例えば５μｍ程度の厚さ）になると内部電
極から剥がれ落ちてしまう。この剥がれ落ちたＤＬＣ膜
はペットボトル内に落ち、その結果、ペットボトル内に
落ちたＤＬＣ膜によってそのペットボトルの中に成膜さ
れない部分が生じ、ガスバリア性を低下させ、不良品と
なってしまう。
【００１３】一方、内部電極の外表面からＤＬＣ膜がペ
ットボトル内に剥がれ落ちることを防止するには次の方
法が考えられる。つまり、内部電極の外表面に成膜され
たＤＬＣ膜が剥がれ落ちる前であって、ある程度の本数
のペットボトル内にＤＬＣ膜を成膜した後に、ＣＶＤ成
膜装置を分解して内部電極を取り外し、ＤＬＣ膜が付着
している内部電極の外表面を作業者がヤスリで削る等し
て掃除する方法である。このように内部電極の外表面を
掃除すれば、ペットボトル内にＤＬＣ膜が剥がれ落ちる
ことを防止することができるはずである。
ットボトル内に剥がれ落ちることを防止するには次の方
法が考えられる。つまり、内部電極の外表面に成膜され
たＤＬＣ膜が剥がれ落ちる前であって、ある程度の本数
のペットボトル内にＤＬＣ膜を成膜した後に、ＣＶＤ成
膜装置を分解して内部電極を取り外し、ＤＬＣ膜が付着
している内部電極の外表面を作業者がヤスリで削る等し
て掃除する方法である。このように内部電極の外表面を
掃除すれば、ペットボトル内にＤＬＣ膜が剥がれ落ちる
ことを防止することができるはずである。
【００１４】このような方法を用いれば、ペットボトル
内にＤＬＣ膜が剥がれ落ちることは防止できる。しか
し、内部電極を掃除する毎に、稼動しているＣＶＤ成膜
装置を停止させなければならない上に、ＣＶＤ成膜装置
を分解して内部電極を掃除し、その後、ＣＶＤ成膜装置
を組み立てるといった作業にも長時間（例えば１日程
度）を要することになる。その結果、ＣＶＤ成膜装置の
稼働率が低下し、量産の障害となってしまう。
内にＤＬＣ膜が剥がれ落ちることは防止できる。しか
し、内部電極を掃除する毎に、稼動しているＣＶＤ成膜
装置を停止させなければならない上に、ＣＶＤ成膜装置
を分解して内部電極を掃除し、その後、ＣＶＤ成膜装置
を組み立てるといった作業にも長時間（例えば１日程
度）を要することになる。その結果、ＣＶＤ成膜装置の
稼働率が低下し、量産の障害となってしまう。
【００１５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、内部電極に付着した薄膜
が容器内に剥がれ落ちるのを防止し、且つ、装置の稼働
率の低下を抑制できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方
法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、内部電極に付着した薄膜
が容器内に剥がれ落ちるのを防止し、且つ、装置の稼働
率の低下を抑制できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方
法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、容器の内側に薄膜
を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、容器の外側を囲む
ように配置された外部電極と、この外部電極内に配置さ
れ、容器の内部に配置される内部電極と、容器の内部に
原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、上記外部電極
の内部にクリーニング用のガスを導入するガス導入手段
と、外部電極に接続されたマッチングボックスと、この
マッチングボックスに接続された高周波電源と、を具備
することを特徴とする。
め、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、容器の内側に薄膜
を成膜するＣＶＤ成膜装置であって、容器の外側を囲む
ように配置された外部電極と、この外部電極内に配置さ
れ、容器の内部に配置される内部電極と、容器の内部に
原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、上記外部電極
の内部にクリーニング用のガスを導入するガス導入手段
と、外部電極に接続されたマッチングボックスと、この
マッチングボックスに接続された高周波電源と、を具備
することを特徴とする。
【００１７】また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置におい
ては、上記ガス導入手段によりガスが上記外部電極内に
導入され、上記高周波電源によりマッチングボックスを
介して外部電極に高周波出力が供給され、上記内部電極
と外部電極の間にプラズマを発生させることにより、内
部電極に付着した薄膜を分解して除去することが可能で
ある。
ては、上記ガス導入手段によりガスが上記外部電極内に
導入され、上記高周波電源によりマッチングボックスを
介して外部電極に高周波出力が供給され、上記内部電極
と外部電極の間にプラズマを発生させることにより、内
部電極に付着した薄膜を分解して除去することが可能で
ある。
【００１８】上記ＣＶＤ成膜装置によれば、内部電極と
外部電極の間にプラズマを発生させ、内部電極に付着し
ている薄膜をアッシングにより除去できる。従って、内
部電極に付着した薄膜が剥がれて容器内に落ちることを
防止できる。また、ＣＶＤ成膜装置がこのようなクリー
ニング機構を有することにより、内部電極に付着した薄
膜を除去するためにＣＶＤ成膜装置を分解する必要がな
い。従って、ＣＶＤ成膜装置の稼働率の低下を抑制する
ことができる。
外部電極の間にプラズマを発生させ、内部電極に付着し
ている薄膜をアッシングにより除去できる。従って、内
部電極に付着した薄膜が剥がれて容器内に落ちることを
防止できる。また、ＣＶＤ成膜装置がこのようなクリー
ニング機構を有することにより、内部電極に付着した薄
膜を除去するためにＣＶＤ成膜装置を分解する必要がな
い。従って、ＣＶＤ成膜装置の稼働率の低下を抑制する
ことができる。
【００１９】また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置におい
ては、上記クリーニング用のガスは、酸素ガス、酸素ガ
スとアルゴンガスの混合ガス、フッ素系のエッチングガ
ス、及び、酸素ガスとフッ素系のエッチングガスの混合
ガスからなる群より選ばれた一つのガスであることも可
能である。なお、フッ素系のエッチングガスとしては、
例えばＣＨ2Ｆ2、ＣＦ4、ＳｉＦ6等を用いることも可能
である。
ては、上記クリーニング用のガスは、酸素ガス、酸素ガ
スとアルゴンガスの混合ガス、フッ素系のエッチングガ
ス、及び、酸素ガスとフッ素系のエッチングガスの混合
ガスからなる群より選ばれた一つのガスであることも可
能である。なお、フッ素系のエッチングガスとしては、
例えばＣＨ2Ｆ2、ＣＦ4、ＳｉＦ6等を用いることも可能
である。
【００２０】本発明に係るＣＶＤ成膜方法は、アース電
位の内部電極を容器の内部に配置し、この容器の外部に
外部電極を配置し、容器内に原料ガスを供給し、外部電
極に高周波出力を供給し、内部電極と外部電極の間に原
料ガス系プラズマを発生させることにより、容器の内面
に薄膜を成膜する第１工程と、この第１工程により内部
電極に付着した薄膜をアッシングにより除去する第２工
程と、を具備し、上記第２工程は、外部電極内にガスを
導入し、外部電極にエネルギーを供給し、内部電極と外
部電極の間にプラズマを発生させることにより、内部電
極に付着した薄膜を分解して除去する工程であることを
特徴とする。
位の内部電極を容器の内部に配置し、この容器の外部に
外部電極を配置し、容器内に原料ガスを供給し、外部電
極に高周波出力を供給し、内部電極と外部電極の間に原
料ガス系プラズマを発生させることにより、容器の内面
に薄膜を成膜する第１工程と、この第１工程により内部
電極に付着した薄膜をアッシングにより除去する第２工
程と、を具備し、上記第２工程は、外部電極内にガスを
導入し、外部電極にエネルギーを供給し、内部電極と外
部電極の間にプラズマを発生させることにより、内部電
極に付着した薄膜を分解して除去する工程であることを
特徴とする。
【００２１】また、本発明に係るＣＶＤ成膜方法におい
て、上記ガスは、酸素ガス、酸素ガスとアルゴンガスの
混合ガス、フッ素系のエッチングガス、及び、酸素ガス
とフッ素系のエッチングガスの混合ガスからなる群より
選ばれた一つのガスであることも可能である。なお、フ
ッ素系のエッチングガスとしては、例えばＣＨ2Ｆ2、Ｃ
Ｆ4、ＳｉＦ6等を用いることも可能である。
て、上記ガスは、酸素ガス、酸素ガスとアルゴンガスの
混合ガス、フッ素系のエッチングガス、及び、酸素ガス
とフッ素系のエッチングガスの混合ガスからなる群より
選ばれた一つのガスであることも可能である。なお、フ
ッ素系のエッチングガスとしては、例えばＣＨ2Ｆ2、Ｃ
Ｆ4、ＳｉＦ6等を用いることも可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。本発明の実施の形態によ
るＣＶＤ成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等
の内側にＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜等を成膜する装
置である。
実施の形態について説明する。本発明の実施の形態によ
るＣＶＤ成膜装置は、プラズマＣＶＤ法を用いて容器等
の内側にＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜等を成膜する装
置である。
【００２３】図１は、本発明の実施の形態によるＣＶＤ
成膜装置を模式的に示す構成図である。このＣＶＤ成膜
装置は真空チャンバー６を有し、この真空チャンバー６
は、導電性の蓋部５、絶縁部材４及び外部電極３から構
成されている。蓋部５の下には絶縁部材４が配置されて
おり、この絶縁部材４の下には外部電極３が配置されて
いる。この外部電極３は、上部電極２と下部電極１から
なり、上部電極２の下部に下部電極１の上部がＯリング
８を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されてい
る。また、外部電極３は絶縁部材４によって蓋部５と絶
縁されている。
成膜装置を模式的に示す構成図である。このＣＶＤ成膜
装置は真空チャンバー６を有し、この真空チャンバー６
は、導電性の蓋部５、絶縁部材４及び外部電極３から構
成されている。蓋部５の下には絶縁部材４が配置されて
おり、この絶縁部材４の下には外部電極３が配置されて
いる。この外部電極３は、上部電極２と下部電極１から
なり、上部電極２の下部に下部電極１の上部がＯリング
８を介して着脱自在に取り付けられるよう構成されてい
る。また、外部電極３は絶縁部材４によって蓋部５と絶
縁されている。
【００２４】外部電極３の内部には空間が形成されてお
り、この空間はコーティング対象のプラスチック容器で
あるペットボトル７を収容するためのものである。外部
電極内の空間は、そこに収容されるペットボトル７の外
形よりも僅かに大きくなるように形成されている。絶縁
部材４及び蓋部５には、外部電極内の空間につながる開
口部が設けられている。また、蓋部５の内部には空間が
設けられており、この空間は上記開口部を介して外部電
極内の空間につながっている。外部電極内の空間は、上
部電極２と下部電極１の間に配置されたＯリング８によ
って外部から密閉されている。
り、この空間はコーティング対象のプラスチック容器で
あるペットボトル７を収容するためのものである。外部
電極内の空間は、そこに収容されるペットボトル７の外
形よりも僅かに大きくなるように形成されている。絶縁
部材４及び蓋部５には、外部電極内の空間につながる開
口部が設けられている。また、蓋部５の内部には空間が
設けられており、この空間は上記開口部を介して外部電
極内の空間につながっている。外部電極内の空間は、上
部電極２と下部電極１の間に配置されたＯリング８によ
って外部から密閉されている。
【００２５】外部電極の下部電極１はインピーダンス整
合器（マッチングボックス）１４に接続されており、マ
ッチングボックス１４は同軸ケーブルを介して高周波電
源（ＲＦ電源）１５に接続されている。
合器（マッチングボックス）１４に接続されており、マ
ッチングボックス１４は同軸ケーブルを介して高周波電
源（ＲＦ電源）１５に接続されている。
【００２６】蓋部５の上部から蓋部内の空間、蓋部と絶
縁部材の開口部を通して、外部電極内の空間に内部電極
９が差し込まれている。即ち、内部電極９の基端は蓋部
５の上部に配置され、内部電極９の先端は外部電極内の
空間であって外部電極内に収容されたペットボトル７の
内部に配置される。
縁部材の開口部を通して、外部電極内の空間に内部電極
９が差し込まれている。即ち、内部電極９の基端は蓋部
５の上部に配置され、内部電極９の先端は外部電極内の
空間であって外部電極内に収容されたペットボトル７の
内部に配置される。
【００２７】内部電極９は、その内部が中空からなる管
形状を有している。内部電極９の先端にはガス吹き出し
口９ａが設けられている。内部電極９の基端には配管１
０の一方側が接続されており、この配管１０の他方側は
真空バルブ１６を介してマスフローコントローラー１９
の一方側に接続されている。マスフローコントローラー
１９の他方側は配管１１を介して原料ガス発生源２０に
接続されている。この原料ガス発生源２０は炭化水素ガ
ス等を発生させるものである。
形状を有している。内部電極９の先端にはガス吹き出し
口９ａが設けられている。内部電極９の基端には配管１
０の一方側が接続されており、この配管１０の他方側は
真空バルブ１６を介してマスフローコントローラー１９
の一方側に接続されている。マスフローコントローラー
１９の他方側は配管１１を介して原料ガス発生源２０に
接続されている。この原料ガス発生源２０は炭化水素ガ
ス等を発生させるものである。
【００２８】また、配管１０の他方側は配管２３に接続
されており、この配管２３は真空バルブ２４を介してマ
スフローコントローラー２５の一方側に接続されてい
る。マスフローコントローラー２５の他方側は酸素ボン
ベ等の酸素供給源（クリーニングガス供給源）２６に接
続されている。酸素供給源２６及びマスフローコントロ
ーラー２５等はＯ2クリーニング機構として作用する。
されており、この配管２３は真空バルブ２４を介してマ
スフローコントローラー２５の一方側に接続されてい
る。マスフローコントローラー２５の他方側は酸素ボン
ベ等の酸素供給源（クリーニングガス供給源）２６に接
続されている。酸素供給源２６及びマスフローコントロ
ーラー２５等はＯ2クリーニング機構として作用する。
【００２９】内部電極９は蓋部５を介して接地されてい
る。蓋部内の空間は配管１２の一方側に接続されてお
り、配管１２の他方側は真空バルブ１７を介して大気開
放状態とされている。また、蓋部内の空間は配管１３の
一方側に接続されており、配管１３の他方側は真空バル
ブ１８を介して真空ポンプ２１に接続されている。この
真空ポンプ２１は排気側に接続されている。
る。蓋部内の空間は配管１２の一方側に接続されてお
り、配管１２の他方側は真空バルブ１７を介して大気開
放状態とされている。また、蓋部内の空間は配管１３の
一方側に接続されており、配管１３の他方側は真空バル
ブ１８を介して真空ポンプ２１に接続されている。この
真空ポンプ２１は排気側に接続されている。
【００３０】次に、図１に示すＣＶＤ成膜装置を用いて
容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明す
る。
容器の内部にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明す
る。
【００３１】まず、真空バルブ１７を開いて真空チャン
バー６内を大気開放する。これにより、配管１２を通し
て空気が蓋部内の空間、外部電極内の空間に入り、真空
チャンバー６内が大気圧にされる。次に、外部電極の下
部電極１を上部電極２から取り外し、上部電極２の下側
から上部電極内の空間にペットボトル７を差し込み、設
置する。この際、内部電極９はペットボトル７内に挿入
された状態になる。次に、下部電極１を上部電極２の下
部に装着し、外部電極３はＯリング８によって密閉され
る。
バー６内を大気開放する。これにより、配管１２を通し
て空気が蓋部内の空間、外部電極内の空間に入り、真空
チャンバー６内が大気圧にされる。次に、外部電極の下
部電極１を上部電極２から取り外し、上部電極２の下側
から上部電極内の空間にペットボトル７を差し込み、設
置する。この際、内部電極９はペットボトル７内に挿入
された状態になる。次に、下部電極１を上部電極２の下
部に装着し、外部電極３はＯリング８によって密閉され
る。
【００３２】この後、真空バルブ１７を閉じた後、真空
バルブ１８を開き、真空ポンプ２１を作動させる。これ
により、ペットボトル７内を含む真空チャンバー内（外
部電極内の空間及び蓋部内の空間）が配管１３を通して
排気され、外部電極内が真空となる。
バルブ１８を開き、真空ポンプ２１を作動させる。これ
により、ペットボトル７内を含む真空チャンバー内（外
部電極内の空間及び蓋部内の空間）が配管１３を通して
排気され、外部電極内が真空となる。
【００３３】次に、真空バルブ１６を開き、原料ガス発
生源２０において炭化水素ガスを発生させ、この炭化水
素ガスを配管１１内に導入し、マスフローコントローラ
ー１９によって流量制御された炭化水素ガスを配管１０
及びアース電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９
ａから吹き出す。これにより、炭化水素ガスがペットボ
トル７内に導入される。そして、真空チャンバー内とペ
ットボトル内は、制御されたガス流量と排気能力のバラ
ンスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力（例えば０．０
５〜０．５Torr程度）に保たれる。
生源２０において炭化水素ガスを発生させ、この炭化水
素ガスを配管１１内に導入し、マスフローコントローラ
ー１９によって流量制御された炭化水素ガスを配管１０
及びアース電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９
ａから吹き出す。これにより、炭化水素ガスがペットボ
トル７内に導入される。そして、真空チャンバー内とペ
ットボトル内は、制御されたガス流量と排気能力のバラ
ンスによって、ＤＬＣ成膜に適した圧力（例えば０．０
５〜０．５Torr程度）に保たれる。
【００３４】この後、外部電極３にマッチングボックス
１４を介して高周波電源（ＲＦ電源）１５からＲＦ出力
（例えば１３．５６ＭＨｚ）を供給する。これにより、
外部電極３と内部電極９間にプラズマを着火する。この
とき、マッチングボックス１４は、外部電極と内部電極
のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタン
スＣによって合わせている。これによって、ペットボト
ル内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜がペット
ボトルの内側に成膜される。このときの成膜時間は数秒
程度と短いものとなる。
１４を介して高周波電源（ＲＦ電源）１５からＲＦ出力
（例えば１３．５６ＭＨｚ）を供給する。これにより、
外部電極３と内部電極９間にプラズマを着火する。この
とき、マッチングボックス１４は、外部電極と内部電極
のインピーダンスに、インダクタンスＬ、キャパシタン
スＣによって合わせている。これによって、ペットボト
ル内に炭化水素系プラズマが発生し、ＤＬＣ膜がペット
ボトルの内側に成膜される。このときの成膜時間は数秒
程度と短いものとなる。
【００３５】次に、ＲＦ電源１５からのＲＦ出力を停止
し、真空バルブ１６を閉じて原料ガスの供給を停止す
る。この後、真空バルブ１８を開き、真空チャンバー６
内及びペットボトル７内の炭化水素ガスを真空ポンプ２
１によって排気する。その後、真空バルブ１８を閉じ、
真空ポンプ２１を停止する。このときの真空チャンバー
内の真空度は５×１０-3Torr〜５×１０-2Torrである。
この後、真空バルブ１７を開いて真空チャンバー６内を
大気開放し、前述した成膜方法を繰り返すことにより、
複数のペットボトル内にＤＬＣ膜が成膜される。
し、真空バルブ１６を閉じて原料ガスの供給を停止す
る。この後、真空バルブ１８を開き、真空チャンバー６
内及びペットボトル７内の炭化水素ガスを真空ポンプ２
１によって排気する。その後、真空バルブ１８を閉じ、
真空ポンプ２１を停止する。このときの真空チャンバー
内の真空度は５×１０-3Torr〜５×１０-2Torrである。
この後、真空バルブ１７を開いて真空チャンバー６内を
大気開放し、前述した成膜方法を繰り返すことにより、
複数のペットボトル内にＤＬＣ膜が成膜される。
【００３６】上述したような方法で所定数のペットボト
ル（例えば１０本のペットボトル）それぞれの内部にＤ
ＬＣ膜を成膜した後、プラズマＯ2クリーニング機構を
用いて内部電極９の表面に付着したＤＬＣ膜をアッシン
グにより除去する。この後、前述した方法でペットボト
ル内にＤＬＣ膜を成膜する工程を再開する。
ル（例えば１０本のペットボトル）それぞれの内部にＤ
ＬＣ膜を成膜した後、プラズマＯ2クリーニング機構を
用いて内部電極９の表面に付着したＤＬＣ膜をアッシン
グにより除去する。この後、前述した方法でペットボト
ル内にＤＬＣ膜を成膜する工程を再開する。
【００３７】次に、上記アッシングの具体的方法につい
て説明する。真空チャンバー６からペットボトル７を取
り外した後、ペットボトルを収納しない状態で下部電極
１を上部電極２に装着し、外部電極３内をＯリング８に
よって密閉する。これにより、外部電極内の空間は何も
入れられていない状態になる。
て説明する。真空チャンバー６からペットボトル７を取
り外した後、ペットボトルを収納しない状態で下部電極
１を上部電極２に装着し、外部電極３内をＯリング８に
よって密閉する。これにより、外部電極内の空間は何も
入れられていない状態になる。
【００３８】次に、真空ポンプ２１を作動させることに
より、真空チャンバー内（外部電極内の空間及び蓋部内
の空間）が排気され、真空チャンバー内を真空とする。
次に、真空ポンプ２１を停止した後、真空バルブ２４を
開き、酸素供給源２６から供給された酸素ガスをマスフ
ローコントローラー２５によって流量制御する。そし
て、流量制御された酸素ガスを、配管２３，１０及びア
ース電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９ａから
吹き出す。これにより、酸素ガスが真空チャンバー内に
導入される。そして、真空チャンバー内は、制御された
酸素ガス流量と排気能力のバランスによって、アッシン
グに適した圧力に保たれる。
より、真空チャンバー内（外部電極内の空間及び蓋部内
の空間）が排気され、真空チャンバー内を真空とする。
次に、真空ポンプ２１を停止した後、真空バルブ２４を
開き、酸素供給源２６から供給された酸素ガスをマスフ
ローコントローラー２５によって流量制御する。そし
て、流量制御された酸素ガスを、配管２３，１０及びア
ース電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９ａから
吹き出す。これにより、酸素ガスが真空チャンバー内に
導入される。そして、真空チャンバー内は、制御された
酸素ガス流量と排気能力のバランスによって、アッシン
グに適した圧力に保たれる。
【００３９】この後、外部電極３にマッチングボックス
１４を介してＲＦ電源１５からＲＦ出力を供給する。こ
れにより、外部電極３と内部電極９間にＯ2プラズマを
着火し、Ｏ2プラズマを発生させる。この際、内部電極
の外表面に付着しているＤＬＣ膜はカーボンと水素から
なる膜であるため、下記式（１）の反応が起こり、その
ＤＬＣ膜がＯ2クリーニングにより酸素で分解されて除
去される。例えば、水素量が２５原子％のＤＬＣ膜で
は、 ２Ｃ4Ｈ＋９Ｏ2→８ＣＯ2＋Ｈ2Ｏ （１）
１４を介してＲＦ電源１５からＲＦ出力を供給する。こ
れにより、外部電極３と内部電極９間にＯ2プラズマを
着火し、Ｏ2プラズマを発生させる。この際、内部電極
の外表面に付着しているＤＬＣ膜はカーボンと水素から
なる膜であるため、下記式（１）の反応が起こり、その
ＤＬＣ膜がＯ2クリーニングにより酸素で分解されて除
去される。例えば、水素量が２５原子％のＤＬＣ膜で
は、 ２Ｃ4Ｈ＋９Ｏ2→８ＣＯ2＋Ｈ2Ｏ （１）
【００４０】次に、ＲＦ電源１５からのＲＦ出力を停止
し、真空バルブ２４を閉じて原料ガスの供給を停止す
る。次に、真空バルブ１８を開き、真空チャンバー６内
のＯ2、ＣＯ2、Ｈ2Ｏを真空ポンプ２１によって排気す
る。
し、真空バルブ２４を閉じて原料ガスの供給を停止す
る。次に、真空バルブ１８を開き、真空チャンバー６内
のＯ2、ＣＯ2、Ｈ2Ｏを真空ポンプ２１によって排気す
る。
【００４１】上記実施の形態によれば、ＣＶＤ成膜装置
にＯ2クリーニング機構を配置し、所定回数のＤＬＣ成
膜を実施した後に、Ｏ2クリーニングを行うことによ
り、内部電極９に付着したＤＬＣ膜が剥がれてペットボ
トル内に落ちることを防止することができる。従って、
従来のＣＶＤ成膜装置のようにペットボトル内に落ちた
ＤＬＣ膜によってそのペットボトルが不良品となること
がない。
にＯ2クリーニング機構を配置し、所定回数のＤＬＣ成
膜を実施した後に、Ｏ2クリーニングを行うことによ
り、内部電極９に付着したＤＬＣ膜が剥がれてペットボ
トル内に落ちることを防止することができる。従って、
従来のＣＶＤ成膜装置のようにペットボトル内に落ちた
ＤＬＣ膜によってそのペットボトルが不良品となること
がない。
【００４２】また、ＣＶＤ成膜装置にＯ2クリーニング
機構を配置しているため、従来のＣＶＤ成膜装置のよう
に装置を分解しなくても内部電極９に付着したＤＬＣ膜
をアッシングで除去することができる。従って、従来の
ＣＶＤ成膜装置では内部電極のクリーニングに１日必要
であったが、そのクリーニングに必要な時間を大幅に低
減することができる。具体的に実験したところ、１０回
のＤＬＣ成膜を実施した後に、ＤＬＣ成膜と同じ時間で
Ｏ2クリーニングを行うことにより、内部電極９の表面
に付着したＤＬＣ膜をきれいに剥離することができた。
機構を配置しているため、従来のＣＶＤ成膜装置のよう
に装置を分解しなくても内部電極９に付着したＤＬＣ膜
をアッシングで除去することができる。従って、従来の
ＣＶＤ成膜装置では内部電極のクリーニングに１日必要
であったが、そのクリーニングに必要な時間を大幅に低
減することができる。具体的に実験したところ、１０回
のＤＬＣ成膜を実施した後に、ＤＬＣ成膜と同じ時間で
Ｏ2クリーニングを行うことにより、内部電極９の表面
に付着したＤＬＣ膜をきれいに剥離することができた。
【００４３】尚、上記実施の形態では、酸素供給源２６
及びマスフローコントローラー２５等からなるＯ2クリ
ーニング機構を用いて内部電極９の表面に付着したＤＬ
Ｃ膜をアッシングにより除去しているが、クリーニング
用のガスとしては酸素ガスに限定されず、クリーニング
作用を有するものであれば他のガスを用いることも可能
であり、例えば、Ｏ2とＡｒの混合ガス、フッ素系のエ
ッチングガス、又は、Ｏ2ガスとフッ素系のエッチング
ガスの混合ガスを用いることも可能である。フッ素系の
エッチングガスとしては、例えばＣＨ2Ｆ2、ＣＦ4、Ｓ
ｉＦ6等を用いることも可能である。
及びマスフローコントローラー２５等からなるＯ2クリ
ーニング機構を用いて内部電極９の表面に付着したＤＬ
Ｃ膜をアッシングにより除去しているが、クリーニング
用のガスとしては酸素ガスに限定されず、クリーニング
作用を有するものであれば他のガスを用いることも可能
であり、例えば、Ｏ2とＡｒの混合ガス、フッ素系のエ
ッチングガス、又は、Ｏ2ガスとフッ素系のエッチング
ガスの混合ガスを用いることも可能である。フッ素系の
エッチングガスとしては、例えばＣＨ2Ｆ2、ＣＦ4、Ｓ
ｉＦ6等を用いることも可能である。
【００４４】すなわち、Ｏ2とＡｒの混合ガス、フッ素
系のエッチングガス、Ｏ2ガスとフッ素系のエッチング
ガスの混合ガスなどのガス供給源から供給されたクリー
ニング用のガスをマスフローコントローラー２５によっ
て流量制御し、このガスを、配管２３，１０及びアース
電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９ａから吹き
出させることにより、クリーニング用ガスが真空チャン
バー内に導入される。そして、真空チャンバー内をアッ
シングに適した圧力に保ち、外部電極３にマッチングボ
ックス１４を介してＲＦ電源１５からＲＦ出力を供給す
ることにより、外部電極３と内部電極９間にプラズマを
着火し、プラズマを発生させる。それにより、内部電極
の外表面に付着しているＤＬＣ膜が分解される。
系のエッチングガス、Ｏ2ガスとフッ素系のエッチング
ガスの混合ガスなどのガス供給源から供給されたクリー
ニング用のガスをマスフローコントローラー２５によっ
て流量制御し、このガスを、配管２３，１０及びアース
電位の内部電極９を通してガス吹き出し口９ａから吹き
出させることにより、クリーニング用ガスが真空チャン
バー内に導入される。そして、真空チャンバー内をアッ
シングに適した圧力に保ち、外部電極３にマッチングボ
ックス１４を介してＲＦ電源１５からＲＦ出力を供給す
ることにより、外部電極３と内部電極９間にプラズマを
着火し、プラズマを発生させる。それにより、内部電極
の外表面に付着しているＤＬＣ膜が分解される。
【００４５】また、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
原料ガス発生源としては、炭化水素ガスの発生源に限ら
れず、種々の発生源を用いることも可能であり、例えば
Ｓｉ含有炭化水素系ガスなどを用いることも可能であ
る。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
原料ガス発生源としては、炭化水素ガスの発生源に限ら
れず、種々の発生源を用いることも可能であり、例えば
Ｓｉ含有炭化水素系ガスなどを用いることも可能であ
る。
【００４６】また、本実施の形態では、内部に薄膜を成
膜する容器として飲料用のペットボトルを用いている
が、他の用途に使用される容器を用いることも可能であ
る。
膜する容器として飲料用のペットボトルを用いている
が、他の用途に使用される容器を用いることも可能であ
る。
【００４７】また、本実施の形態では、ＣＶＤ成膜装置
で成膜する薄膜としてＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜を
挙げているが、容器内に他の薄膜を成膜する際に上記Ｃ
ＶＤ成膜装置を用いることも可能である。
で成膜する薄膜としてＤＬＣ膜又はＳｉ含有ＤＬＣ膜を
挙げているが、容器内に他の薄膜を成膜する際に上記Ｃ
ＶＤ成膜装置を用いることも可能である。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、内
部電極と外部電極の間にプラズマを発生させ、内部電極
に付着している薄膜をアッシングにより除去できる。し
たがって、内部電極に付着した薄膜が容器内に剥がれ落
ちるのを防止し、且つ、装置の稼働率の低下を抑制でき
るＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供することが
できる。
部電極と外部電極の間にプラズマを発生させ、内部電極
に付着している薄膜をアッシングにより除去できる。し
たがって、内部電極に付着した薄膜が容器内に剥がれ落
ちるのを防止し、且つ、装置の稼働率の低下を抑制でき
るＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供することが
できる。
【図１】本発明の実施の形態によるＣＶＤ成膜装置を模
式的に示す構成図である。
式的に示す構成図である。
１…下部電極 ２…上部電極 ３…外部電極 ４…絶縁部材 ５…蓋部 ６…真空チャンバー ７…ペットボトル ８…Ｏリング ９…内部電極 ９ａ…ガス吹き出し口 １０，１１，１２，１３，２３…配管 １４…マッチングボックス（インピーダンス整合器） １５…高周波電源（ＲＦ電源） １６，１７，１８，２４…真空バルブ １９，２５…マスフローコントローラー ２０…原料ガス発生源 ２１…真空ポンプ ２６…酸素供給源（クリーニングガス供給源）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鹿毛 剛 東京都品川区西五反田１−27−２五反田富 士ビル三菱商事プラスチック株式会社内 (72)発明者 荒木 智幸 千葉県流山市大字西平井956番地の１株式 会社ユーテック内 (72)発明者 小林 巧 千葉県流山市大字西平井956番地の１株式 会社ユーテック内 Ｆターム(参考） 3E062 AA09 AC02 JA01 JA07 JB24 4K030 AA09 BA28 CA07 CA15 DA06 EA06 FA03
Claims (5)
- 【請求項１】 容器の内側に薄膜を成膜するＣＶＤ成膜
装置であって、 容器の外側を囲むように配置された外部電極と、 この外部電極内に配置され、容器の内部に配置される内
部電極と、 容器の内部に原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、 上記外部電極の内部にクリーニング用のガスを導入する
ガス導入手段と、 外部電極に接続されたマッチングボックスと、 このマッチングボックスに接続された高周波電源と、 を具備することを特徴とするＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項２】 上記ガス導入手段によりガスが上記外部
電極内に導入され、上記高周波電源によりマッチングボ
ックスを介して外部電極に高周波出力が供給され、上記
内部電極と外部電極の間にプラズマを発生させることに
より、内部電極に付着した薄膜を分解して除去すること
を特徴とする請求項１記載のＣＶＤ成膜装置。 - 【請求項３】 上記クリーニング用のガスは、酸素ガ
ス、酸素ガスとアルゴンガスの混合ガス、フッ素系のエ
ッチングガス、及び、酸素ガスとフッ素系のエッチング
ガスの混合ガスからなる群より選ばれた一つのガスであ
ることを特徴とする請求項１又は２記載のＣＶＤ成膜装
置。 - 【請求項４】 アース電位の内部電極を容器の内部に配
置し、この容器の外部に外部電極を配置し、容器内に原
料ガスを供給し、外部電極に高周波出力を供給し、内部
電極と外部電極の間に原料ガス系プラズマを発生させる
ことにより、容器の内面に薄膜を成膜する第１工程と、 この第１工程により内部電極に付着した薄膜をアッシン
グにより除去する第２工程と、 を具備し、 上記第２工程は、外部電極内にガスを導入し、外部電極
にエネルギーを供給し、内部電極と外部電極の間にプラ
ズマを発生させることにより、内部電極に付着した薄膜
を分解して除去する工程であることを特徴とするＣＶＤ
成膜方法。 - 【請求項５】 上記ガスは、酸素ガス、酸素ガスとアル
ゴンガスの混合ガス、フッ素系のエッチングガス、及
び、酸素ガスとフッ素系のエッチングガスの混合ガスか
らなる群より選ばれた一つのガスであることを特徴とす
る請求項４記載のＣＶＤ成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152871A JP2001335946A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152871A JP2001335946A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001335946A true JP2001335946A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18658232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000152871A Withdrawn JP2001335946A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001335946A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003086878A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Mitsubishi Shoji Plastics Corporation | Systeme et procede de formation d'un film dlc sur une surface interieure d'un contenant en plastique |
| WO2003102263A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-11 | Kirin Brewery Company, Limited | Appareil de fabrication d'un contenant en matiere plastique revetu d'un film a depot cda (carbone analogue au diamant) |
| WO2003104523A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | 三菱商事プラスチック株式会社 | Ｃｖｄ成膜装置に使用する原料ガス導入管の清掃方法及びその装置 |
| EP2127749A3 (en) * | 2008-04-15 | 2010-01-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Reaction cuvette for automatic analyzer and method of surface treatment for reaction cuvette |
| KR100976104B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2010-08-16 | 기린비루 가부시키가이샤 | Ｄｌｃ막 코팅 플라스틱 용기의 제조 장치 |
| WO2019201684A1 (de) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | Khs Corpoplast Gmbh | Vorrichtung zum beschichten von hohlkörpern mit mindestens einer beschichtungsstation sowie verfahren zum reinigen einer gaslanze |
| WO2021131480A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| EP3944286A1 (de) * | 2020-07-21 | 2022-01-26 | Krones Ag | Vorrichtung zum beschichten von behältnissen mit wechseleinrichtung und verfahren zum beschichten von behältnissen |
-
2000
- 2000-05-24 JP JP2000152871A patent/JP2001335946A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
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| JP7422540B2 (ja) | 2019-12-26 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| EP3944286A1 (de) * | 2020-07-21 | 2022-01-26 | Krones Ag | Vorrichtung zum beschichten von behältnissen mit wechseleinrichtung und verfahren zum beschichten von behältnissen |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |