CN1603923A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置，其实现EL显示装置的高品质化。本发明于基板100，形成有设置在各像素的开关元件TFT110，以及在覆盖TFT110的绝缘膜上，形成与TFT110为绝缘，且能将穿过由ITO等所构成的阴极86而射入的光线予以反射的反射层44。而且形成具有与阴极86相同的工作函数，且以ITO等透明导电材料构成的阳极80，且与TFT110连接。透过该构造，得以通过阳极80、阴极86能以较佳的对称性交流驱动有机元件层88。且阳极80及TFT110通过高融点金属所构成的连接用金属层42而确实予以连接。

Description

显示装置及其制造方法
本发明是本申请人于2002年12月27日申请的中国申请号为02159604.2的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及具备反射机能的反射型，或半透过型显示装置。
背景技术
因液晶显示装置(下称LCD)具有薄型与低耗电特征，故现在广泛地被使用于计算机监视器，及携带式信息机器等的监视器。而该LCD是在一对基板间封入液晶，通过分别形成在基板上的电极，来控制位于其间的液晶配向而进行显示。唯因与CRT(阴极射线管)显示器或电场发光(EL)显示器等不同，在原理上不能由本身发光，因而需要对观察者提供显示影像的光源。
因此，对于透过型LCD，对形成于基板的电极采用透明电极，且在液晶显示面板后方或侧方配置光源，由液晶面板控制该光源光线的透过量，而在黑暗的周围中，也能完成明亮的显示。唯因常时点亮光源以进行其显示作业，故无法避免电力消耗，且在白昼屋外等外光相当强烈的环境下，有无法充分确保其对比的特性。
一方面，在反射型LCD中，采用太阳或室内灯等外光作为光源，将射入液晶面板的该周围光线，由形成在非观察面侧的基板的反射电极予以反射。然后，将射入液晶层并由反射电极反射的光，通过在各像素控制来自液晶面板的射出光量以进行显示。如上述，在反射型LCD采用外光为光源，若无外光即无法看到显示，但不似透过型LCD，并无因光源的消耗电力，因而，电力的消耗极少。且于屋外等周围明亮时，也可获得充分的对比。但于该种反射型LCD中，在色再现性及显示亮度等一般显示品质上，有较透过型LCD不具充分的显示问题。
另方面，对机器的低耗电化要求逐渐加强的状况下，因该耗电较少的反射型LCD较透过型LCD为有利，因此被尝试用于携带式机器的高精细监视用途等，并加紧进行提高显示品质等的研发。
图8表示在各像素具备薄膜晶体管(TFT)的习用主动矩阵型的反射型LCD一像素的的平面构造(第一基板侧)，而于图9中，表示沿该图8C-C线位置的反射型LCD的概略剖面构造。
反射型LCD以相隔所定间隙予以贴合的第一基板100与第二基板200间，封入液晶层300。第一及第二基板的100、200使用玻璃基板或塑料基板，而至少在本例示中，是在配置在观察面侧的第二基板200上采用透明基板。
在第一基板100的液晶侧面上，是在各像素形成薄膜晶体管(TFT；Thin Film Transistor)110。在该TFT110主动层120的例如漏极区域，通过形成于层间绝缘膜134的接触孔，连接于向各像素供应资料信号的资料线136，而在源极区域，通过贯穿层间绝缘膜134及平坦化绝缘膜138所形成的接触孔，连接于形成在各像素个别图案的第一电极(像素电极)150。
上述第一电极150，使用具有反射机能的Al、Ag等，且于该反射电极150上，形成控制液晶层300初期配向的配向膜160。
在与第一基板100相对配置的第二基板200的液晶侧，于彩色显示装置时，形成彩色滤光片(R、G、B)210，且在彩色滤光片210上，使用铟、锡氧化物(ITO)等透明导电材料形成作为第二电极的透明电极250。并在该透明电极250上形成与第一基板侧同样的配向膜260。
反射型LCD具如上述的构成，将射入液晶面板，由反射电极150反射、再由液晶面板射出的光量，由各像素予以控制，以进行所需显示。
发明内容
在LCD中，不限于反射型，为防止残影对液晶系以交流电压予以驱动。在透过型LCD中，要求第一基板上的第一电极及第二基板上的第二电极任何一方均为透明，该两电极材料均是采用ITO。因此，于液晶的交流驱动时、该第一及第二电极得以互用「正」「负」电压的大致相同条件施加于液晶。
但，如上述图9，在第一电极150使用由金属材料形成的反射电极，而在第2电极250使用ITO等透明金属氧化材料为透明电极的反射型LCD中，因驱动条件关系，有发生显示闪烁(flicker)状况或液晶的残影现象。此种现象例如在以最近报告的临界闪烁频率(critical flickingfrequency，CFF)以下驱动液晶时尤为显著。所谓CFF以下的驱动，作于LCD中，为实现更加低耗电化的目的，将液晶的驱动频率(第一及第二电极的相对区域中，对其分别形成各像素的液晶(液晶容量)的资料写入频率)尝试使用以低于例如NTSC规格等的规定基准60Hz，即可由目视感觉闪烁的CFF以下(如40Hz至30Hz)频率来驱动。唯将习用反射型液晶面板的各像素以该CFF以下的频率予以驱动时，即发现上述闪烁状况及液晶的残影问题尤为显著，以致使显示品质大幅的降低。
申请人就图8、图9所示反射型LCD的闪烁及液晶残影发生原因探究的结果、判定为第一及第二电极对上述液晶层300的非对称性电气性质为原因之一。该非对称性系起因于用在第2电极250的ITO等透明金属氧化物的工作函数为4.7至5.2eV程度，而用于第一电极150的Al等金属的工作函数为4.2至4.3eV程度，的差距过大。该工作函数的差异，以同一电压施加于各电极时，实际上会通过配向膜160、260而于液晶界面激起电荷差。然后，由在液晶配向膜界面激起的、该电荷差使液晶层内的杂质离子等偏向于一方电极侧，该结果，致使残留DC电压储存于液晶层300。且在液晶驱动频率愈低时，该残留DC影响液晶愈大，致使闪烁状况及液晶的残影问题尤为显著，因而，在CFF以下的驱动实质上有其困难。
另外，于反射型LCD，向来有在第一及第二电极使用如透过型LCD的ITO，而在第一基板外侧(液晶的非相对侧)另设反射板。但是，若于第一基板外侧设置反射板时，将使光路延长透明第一电极150及透明第一基板的厚度，而容易发生因视差招致的显示品质下降。因此，被要求为高显示品质的显示器用反射型LCD，是以反射电极作为像素电极，若如上述将驱动频率降低，则会发生闪烁现象，因此，无法为低耗电化而降低该驱动频率。
为解决上述问题，本发明将第一及第二电极对液晶层的电气特性予以弄成一致，其目的在实现解除闪烁及视差影响，具有高显示品质、低耗电化机能的显示装置。
为实现上述目的，本发明是由基板、形成在该基板上的第一电极与第二电极、以及在该第一电极与第二电极之间形成的有机元件层所构成，并进行各并像素的显示的显示装置，其中，上述基板另外具有：于各像素设置的开关元件；及在覆盖于上述开关元件的绝缘膜上，形成与上述开关元件绝缘，且可将由第二电极侧射入的光线予以反射的反射层，而上述第一电极是由直接覆盖上述反射层而形成的透明导电材料所构成，且以电气性连接于上述开关元件。
在上述基板侧中，配置具有与第二电极同样特性的透明第一电极，且配置在该第一电极的下层，层间绝缘膜或平坦化绝缘膜等绝缘膜之上形成并与各像素的开关元件为绝缘的反射层，即可通过第一电极及第二电极对有机元件层予以良好的对称性驱动。尤其是，即使将各像素的驱动频率设定在低于例如60Hz时，也可进行不会发生闪烁现象等的高品质显示。
于本发明的另一个方案的上述显示装置，系于覆盖上述开关元件的上述绝缘膜形成接触孔，并在该孔内形成连接用金属层，且将上述开关元件与上述第一电极通过该连接用金属层予以电气连接。
本发明的另一个方案，是在上述显示装置中的上述连接用金属层，至少在与上述第一电极的接触面，使用高融点金属材料。
而于本发明的再一个方案，是在上述显示装置中、使上述第一电极的上述透明导电材料的工作函数、上述第二电极的透明导电材料的工作函数差，为0.5eV以下。
本发明的又一个方案中，是由基板、形成在该基板上的第一电极与第二电极、以及在该第一电极与第二电极之间形成的有机元件层而构成的显示装置的制造方法中，于上述基板上形成薄膜晶体管，覆盖上述薄膜晶体管形成至少一层绝缘膜，且于对应上述绝缘膜的上述薄膜晶体管主动层的区域形成接触孔，而于上述接触孔区域形成连接用金属层，且覆盖上述绝缘膜及上述连接用金属层上，形成反射材料层，并在上述连接用金属层上以外的所定像素区域实施残留该材料层的图案化，以形成反射层，再覆盖上述反射层及上述连接用金属层，形成由透明导电材料所构成的第一电极，通过上述连接用金属层将上述第一电极电气连接上述薄膜晶体管。
如上述，在基板侧配置第一电极的构成中，通过使连接用金属层存在于薄膜晶体管与第一电极间，而于第一电极的下层形成上述反射层的图案时，得防止薄膜晶体管的电极，或主动层等的劣化，因而，得以确实将形成于反射层上的第一电极与薄膜晶体管予以连接。
附图说明
图1为有关本发明实施形态的主动矩阵型的反射型LCD的第一基板侧的概略平面构成图。
图2为沿图1A-A线位置的反射型LCD的概略剖面构造图。
图3为沿图1A-A线位置的反射型LCD的其它概略剖面构造图(A)。
图4为沿图1A-A线位置的反射型LCD的其它概略剖面构造图(B)。
图5为有关本发明实施形态的主动矩阵型的半透过型LCD的第一基板侧的概略平面构成图。
图6为沿图5B-B线位置的半透过型LCD的概略剖面构造图。
图7为本发明的主动矩阵型有机EL显示器的概略剖面构造图。
图8为习用主动矩阵型的反射型LCD的第一基板侧的一部分的平面构成图。
图9为沿图8C-C线位置的习用反射型LCD的概略剖面构造图。
〖图号说明〗
20      主动层(p-Si层)       30      栅极绝缘膜
32      栅极电极(栅极线)     34      层间绝缘膜
36、37  漏极电极(资料线)     38、39  平坦化绝缘膜
40、41  源极电极             42、43  连接用金属层
44      反射层               46      自然氧化膜
50      第一电极             60、260 配向膜
80      阳极(第一电极)       82      空穴输送层
83      发光层               84      电子输送层
86      阴极(第二电极)       88      有机元件层
90      有机EL元件           100     第一基板
110     TFT                  120     主动层
134     层间绝缘层           136     资料线
138     平坦化绝缘膜         150     第一电极
160    配向膜           200    第二基板
210    彩色滤光片       250    第二电极(透明)
300    液晶层
具体实施方式
兹将本发明的较佳实施形态(下称实施形态)就该附图予以说明如下：
图1为有关本实施形态作为反射型LCD的反射型主动矩阵LCD的第一基板侧的一部分平面构成。图2系表示沿图1A-A线位置的LCD的概略剖面构造。于主动矩阵型LCD中，系在显示区域内设置矩阵状的复数个像素，且对各像素设有TFT等开关元件。该开关元件系以每一像素形成于第一及第二基板的一方(例如；形成于第一基板100侧)，且在该开关元件连接以个别图案形成的像素电极(第一电极)50。
在第一及第二基板100、200使用玻璃等透明基板，而于与第一基板100相对的第二基板200侧，系与习用一样，于彩色型时，形成彩色滤光片210，且系于该彩色滤光片210上形成由透明导电材料所构成的第二电极250。第二电极250的透明导电材料，系采用IZO(IndiumZinc Oxide)或ITO等。又于主动矩阵型，该第二电极250系形成作为对各像素的共同电极。又于该第二电极250上，形成由聚亚醯胺(polyimide)等构成的配向膜260。
对如上述构成的第二基板侧，在本实施形态中，系采用对第一基板侧的液晶层300具同样电气特性的电极构造。具体上，如图2所示，系于第一基板100上的配向膜下方不配置如习用的反射电极，而由类似于第二电极250工作函数的材料(即如；IZO或ITO等)形成与第二电极250同样由透明导电材料所构成的第一电极50。然后，为作成反射型LCD，在该第一电极50下层形成反射来自第二基板的入射光的反射层44。
通过将使用于第一电极50的材料相同于第二电极250的材料，对于液晶层300，由于同一工作函数的电极，系介配向膜60、260配置于其间，因而，可通过第一电极50及第二电极250而得以良好对称性对液晶层300进行交流驱动。唯于第一电极50及第二电极250，即使该工作函数不是完全相同，但是只要能使液晶层300达到极近似于良好对称性驱动的数值即可。例如；若将两电极的工作函数差订为0.5eV以下，则液晶的驱动频率为上述CFF以下时，也无闪烁及液晶残影现象，得为高品质的显示。
为满足该条件的第一电极50及第二电极250，例如可由IZO(工作函数4.7至5.2eV)形成第一电极，而以ITO(工作函数4.7至5.0eV)形成第二电极，或以相反的配置。关于材料的选择上，可考虑透过率、图案化精度等制程上的特性、制造成本等，分别选择使用于各电极的材料。
反射层44系将Al、Ag或该合金(本实施形态中为Al-Nd合金)等反射特性优异的材料，至少用于该表面侧(液晶层侧)。也得仅用Al等的金属材料单独层为反射层44。也可设置Mo等高融点金属层为与平坦化绝缘膜38相接的底部层。若形成该底部层、则可提高反射层44与平坦化绝缘膜38的密着性而能提高元件可靠度。又于图2的构成中，系于平坦化绝缘膜38的各像素区域内形成所需角度的倾斜面。再覆盖该平坦化绝缘膜38堆积反射层44，使于反射层44表面也形成同样倾斜面。若能以最佳角度、位置形成该倾斜面，即可由各像素将外光予以聚光射出，因而，能使显示器在其正面位置的显示亮度提高。当然。该倾斜面的存在也可不为必需。
反射层44如上述，系由Al等导电性材料予以构成，但与堆积在反射层44上的第一电极50为电气上的绝缘。该为绝缘的理由，是在第一电极50的材料使用IZO或ITO等时，系以溅镀(sputtering)方式成膜，亦即，该由Al等形成的反射层44在曝露于溅镀环境中时，于其表面发生氧化反应，由自然氧化膜予以覆盖。因而，于本实施形态中，不像习用反射型LCD将该反射层44利用为驱动液晶的第一电极，而是将形成于反射层44上的透明导电层作为第一电极50，对液晶层300施加对应于显示内容的电压。
唯因，最近有所谓具有光透过及反射两机能的半透过型LCD的提案，该半透过型与透过型一样，先将ITO等像素电极予以形成后，以覆盖该透明电极的一部分区域，堆积Al等反射电极而构成。在该半透过型LCD中，若由基板侧依序堆积透明电极层/反射电极层，即可将两电极层连接成具1个像素电极的机能。但如上述，是在液晶层侧配置反射电极，因而，由于与第二电极的工作函数差异，而会有无法对液晶层300进行良好对称性驱动的问题产生。更为提高电气上的对称性，虽可考虑反向堆积电极顺序，唯于上述反射电极使用的Al、Ag是金属材料，在其表面上容易形成自然氧化膜，尤于形成该金属层后，在形成透明导电材料层的溅镀等的曝露中，会被自然氧化膜覆盖其表面，而造成金属层与透明电极的绝缘。因此、仅以改变电极的堆积顺序，无法于第一基板侧利用透明电极驱动液晶，结果也无法在第一基板侧与第二基板侧取得对液晶的一致电气特性。
对此，在本实施形态是将反射层44对第一电极50及TFT110的任何方予以绝缘，且将连接用金属层42介存于第一电极50及TFT110(如TFT110的源极电极40)间，因而，得以将第一电极50及TFT110予以确实连接。而且在第一基板侧，也与第二基板侧一样，可通过配置在邻近于液晶层，且由透明导电材料所构成的第一电极50，得以驱动液晶。
因此，为连接第一电极50及TFT110，于本实施形态中采用的上述金属层42的所需条件为：
(i)能与IZO或ITO等所构成的第一电极50形成电气连接。
(ii)在TFT110中，如图2所示，设置Al等的源极电极40时，得以能与该源极电极40形成电气触接，而于省略源极电极40时，可与半导体(在此为多晶硅)主动层形成电气连接。
(iii)于每一像素的个别形状形成图案化的反射层44时，不致为该反射层44的蚀刻液去除，等等。
上述金属层42，以使用Mo、Ti、Cr等高融点金属材料为宜。
兹将能确实连接本实施形态的第一电极50其所对应的TFT110的构造，及实现该构造的制造方法说明如下：
TFT110采用顶栅(top-gate)型，且主动层20使用非晶硅(a-Si)以激光退火获得多晶化的多晶硅(p-Si)。当然不限定TFT110为顶栅型多晶硅，也得为底栅型(bottom gate)，而且主动层也可采用非晶硅。在TFT110的主动层20的源·漏极区域20s、20d掺杂的杂质，也得为n导电型、或p导电型中的任何一种，唯于本实施形态中，系掺杂磷等n导电型杂质，采用n-ch型的TFT110。
TFT110的主动层20是由栅极绝缘膜30覆盖，且于栅极绝缘膜30上形成由Cr等构成的，兼用为栅极线的栅极电极32。然后，于形成后该栅极电极32，以该栅极电极为屏蔽，在主动层20进行上述杂质的掺杂作业，形成源·漏极区域20s、20d及未掺杂部分的沟道区域20c。其次，覆盖该TFT110全部，形成层间绝缘膜34，并于该层间绝缘膜34形成接触孔后，形成电极材料，通过该接触孔，分别将上述多晶硅主动层20的源极区域20s连接于源极电极40，而将漏极区域20d连接于漏极电极36。又于本实施形态，漏极电极36系兼用为供应对应显示内容的资料信号给各TFT110的资料线。另一方面，源极电极40连接于如后述像素电极的第一电极50。
形成源极电极40及漏极电极36后，以丙烯酸树脂等树脂材料覆盖整个基板形成平坦化绝缘膜38，又于形成源极电极40的区域形成接触孔，在该处形成连接用金属层42，以将源极电极40及该金属层42予以连接。使用Al等作为源极电极40时，若采用Mo等金属材料作为金属层42，则和源极电极40的连接可获得良好的欧姆接触。也可如图3所示，省略源极电极40，此时，金属层42与TFT110的硅主动层20连接，而Mo等金属可与该半导体材料间建立欧姆接触。
在堆积·图案连接用金属层42之后，由构成反射层44的Al-Nd合金，或Al等的反射特性优异材料，以蒸镀或溅镀方式积层在整个基板。堆积成的反射材料，至少以不妨碍金属层42与之后形成的第一电极50的触接，且以不残存在TFT110源极区域附近(金属层42的形成区域)方式，予以蚀刻去除，而于各像素形成如图1所示的图案化反射层44。而且为防止于TFT110(尤为沟道区域20c)照射光线而发生泄漏电流，且为尽量扩大可反射的区域(即、显示区域)，在本实施形态中，如图1所示，积极地将反射层44形成于TFT110的沟道上方区域。
而于图案化该反射层44时，上述由Mo等金属所构成的金属层42具备充分的厚度(例如0.2μm)，及对蚀刻液的充分耐蚀性。因此，在将金属层42上的反射层44，以蚀刻去除后，也不会完全去除该金属层42，而得以残留在接触孔内。又因，通常于源极电极40等部分使用与反射层44同样的材料(如Al等)，故若上述金属层42不存在时，则源极电极40将会被反射层44的蚀刻液侵蚀而发生断线等现象。但，可如本实施形态般设置金属层42，使反射层44得以耐图案化，而能维持与源极电极40的良好电气接触。
于反射层44的图案化后，通过溅镀作业将透明导电层堆积及覆盖于包括反射层44的整个基板。此时、如上述，由Al等所构成的反射层44表面，虽被绝缘性自然氧化膜(参照图3的符号46)覆盖，但Mo等高融点金属虽曝露于溅镀作业环境中，其表面也不致以氧化。因此，在接触区域中曝露于外的金属层42，得以与堆积在该金属层42上的第一电极用透明导电层间，具有良好的欧姆接触。又因透明导电层系于成膜后，如图1所示，在各像素进行独立形状的图案化，因而可得像素电极(第一电极)50。又于各像素区域形成第一电极50后，即由聚亚醯胺等形成覆盖整个基板的配向膜60，以完成第一基板侧的构造。之后，将已形成配向膜260的第二基板200与该第一基板100，以一定的间隙分隔，将基板周边部分予以贴合，封入液晶完成液晶显示装置。
本实施形态的金属层42，如图4所示，源极电极41虽具有由Mo等高融点金属层包夹Al层的多层构造，但也能维持与源极电极41的良好连接。而于图4所示的源极电极41(兼用为资料线的漏极电极亦同)是由主动层20侧，以Mo层41a/Al层41b/Mo层41c般依序堆积构成。且通过于多晶硅所构成的主动层20侧形成Mo层41a，而得以防止Si原子在Al层41b中的移动所发生的主动层缺陷，另外因于最上层形成Mo层41c，即使历经接触形成、金属层42形成·蚀刻制程等，也能维持与金属层42间的良好电气连接。当然地，在本实施形态中金属层42，是使用与源极电极41最上层相同的Mo等，因而，能获得与图4所示源极电极41非常良好的连接。
本实施形态的金属层42，可具备如图4所示源极电极41的多层构造。该金属层42的多层构造，例如可采用由下层依序堆积Mo等高融点金属层/Al等导电层/Mo等高融点金属层的三层构造，或Al等导电层/Mo等高融点金属层的两层构造。采用该多层金属层42时，配置在下方的源极电极40可如图4的上述多层构造，也得为使用Al等的单层构造。若于图3所示的金属层43，直接触接于主动层20时，金属层43也可采用与上述同样的3层或两层构造。而于任何一种状态下，该金属层42、43需承受得住反射层44的蚀刻作业，且在形成该第一电极50时，得不在表面形成绝缘膜，并能安定地维持其电气连接性，且至少于接触第一电极50的表面侧，由高融点金属形成为宜。
其次，就半透过型LCD说明于后：
上述是以反射层44形成在1像素区域内的大致整个区域的反射型LCD为事例予以说明的。但本发明不仅适用于反射型也可适用在的外的半透过型LCD。
图5为该半透过型主动矩阵LCD的一像素平面构造。图6为沿图5B-B线位置的LCD概略剖面构造。在上述图1及图2所示的反射型LCD中，反射层44形成于一像素区域内的大致整个区域(与TFT的触接区域除外)。但在图5及图6所示的半透过型LCD中，于一像素内形成有堆积反射层44及透明第一电极50的反射区域，及去除反射层44，仅存透明第一电极50的光透过区域。
在该半透过型LCD中，将第一电极50配置于较反射层44更靠近于液晶层侧，反射层44系通过自然氧化膜65与形成在其上方的第一电极50绝缘，又为不妨碍TFT110与第一电极50的触接，而由该区域予以去除。因此，在该半透过型LCD，通过工作函数近似的第一电极50及第二电极250，分别包夹配向膜于其间将可以极对称性的交流驱动液晶层300，而且，通过对应周围光线的强度等切换其光源即可进行反射显示及透过显示的任何一种。
上述，就具有反射层44的反射或半透过型LCD予以说明。但也可将有关本发明的开关元件(TFT)、连接用金属层、反射层及透明第一电极的构成适用于电场发光(electroluminecence，EL)显示器，将反射机能设于透明第一电极下部，即可将该第一电极与下层的TFT确实连接。图7为表示有关本实施形态的主动矩阵型EL显示器各像素的部分剖面构造者。
在图7的EL显示器所采用的元件，使用有机化合物的有机EL元件90为发光材料，在阳极80及阴极86间形成有机元件层88。而于有机元件层88具备至少含有有机发光机能分子的发光层83，且由有机化合物的特性、发光色等可构成单层、双层、3层或更为多层的构造。在图7的事例中，有机元件层88系由配置于基板100侧的阳极80侧起，依序形成空穴输送层82/发光层83/电子输送层84。发光层83系与阳极80一样，于各像素分别形成图案，而空穴输送层82及电子输送层84与阴极86一样，是以全像素共同方式形成。又于邻接像素间绝缘各阳极80，且在阳极80的边缘区域，为防止与上层的阴极86的短路，在邻接像素的阳极间区域形成平坦化绝缘膜39。
如上述构成的有机EL元件90，将由阳极80注入的空穴，及由阴极86注入的电子在发光层83再结合时，激励有机发光分子，于其回归基底状态时放光。该有机EL元件90为一种电流驱动式发光元件。阳极80即需对有机元件层88具有充分的空穴注入机能，因而，多使用工作函数较高的ITO、IZO等透明导电材料。因此，通常是将发光层83的光线经由透明的阳极80侧，穿透透明基板100射于外部。但，在图7所示的主动矩阵型有机EL显示器，可由阴极侧射出光线。
上述图7的显示器，采用为驱动上述有机EL元件90的TFT110、金属层42、反射层44，以及有机EL元件90的阳极80，是采用如图2所示的上述TFT110、金属层42、反射层44，及第一电极50一样的构成。因此，在阳极80使用透明导电材料时，于阳极80下层，可设置与该阳极80绝缘的由Al或Al-Nd合金等反射性优异的材料构成的反射层44。为此，有机EL元件90的阴极86，也可使用与阳极80同样的ITO及IZO等透明导电材料，或使用可透过光线厚薄的Al、Ag等金属材料予以形成(可设置开口部)，即容易实现将来自发光层83的光线，由阴极86侧向外部射出的顶部发射(top-emission)型构造。也就是，如图7所示，在阳极80下层配置反射层44，将进入阳极80侧的光线，以反射层44予以反射，即可将在发光层83获得的光线，由阴极86侧射出。
[发明的效果]
如上说明，本发明即使于如EL显示装置等有必要在基板侧形成反射层时，也得以将具有同等特性的第一及第二电极配置在相对于有机元件层为同等的位置。因此，得将有机元件层以良好的对称性予以交流驱动。为此，即使将各像素的驱动频率设定于CFF以下，也不至于发生闪烁或液晶的残影现象而能进行高品质的显示。

Claims (6)

1.一种显示装置，是由基板、形成在该基板上的第一电极与第二电极、以及在该第一电极与第二电极之间形成的有机元件层所构成，并进行各像素的显示的显示装置，其特征在于：
上述基板另外具备：
于各像素设置的开关元件，及
在覆盖于上述开关元件的绝缘膜上，形成与上述开关元件绝缘，且可将由第二电极侧射入的光线予以反射的反射层，而上述第一电极是由直接覆盖上述反射层而形成的透明导电材料所构成，且以电气连接于上述开关元件。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：于覆盖上述开关元件的上述绝缘膜所形成的接触孔内形成有连接用金属层，且将上述开关元件与上述第一电极通过该连接用金属层予以电气连接。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：上述连接用金属层至少在与上述第一电极的接触面上使用高融点金属材料。
4.如权利要求1至3中任何一项所述的显示装置，其特征在于：上述第一电极的上述透明导电材料的工作函数、与上述第二电极的透明导电材料的工作函数差，为0.5eV以下。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于：各像素的驱动频率低于60Hz。
6.一种显示装置的制造方法，该显示装置是由基板、形成在该基板上的第一电极与第二电极、以及在该第一电极与第二电极之间形成的有机元件层所构成，其特征在于：于上述基板上形成薄膜晶体管，覆盖上述薄膜晶体管形成至少一层绝缘膜，且于对应上述绝缘膜的上述薄膜晶体管主动层的区域形成接触孔，而于上述接触孔区域形成连接用金属层，且覆盖上述绝缘膜及上述连接用金属层上，形成反射材料层，并在上述连接用金属层上以外的所定像素区域实施残留该材料层的图案化，予以形成反射层，再覆盖上述反射层及上述连接用金属层，形成由透明导电材料所构成的第一电极，通过上述连接用金属层，将上述第一电极电气连接至上述薄膜晶体管。
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