TW588205B - Display device and method for making the same - Google Patents

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Kazuhiro Inoue
Norio Koma
Shinji Ogawa
Tohru Yamashita
Nobuhiko Oda
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Sanyo Electric Co
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Description

588205 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域] 本發明係有關具備反射機能之反射型，或半透過型顯 示裝置者。 [先前技術] 因液晶顯示裝置（下稱LCD)具有薄型與低耗電特徵， 故現在廣泛地被使用於電腦監視器，及攜帶式資訊機器等 之監視器。而該LCD係於一對基板間封入液晶，藉由分別' 形成在基板上的電極，來控制位於其間的液晶配向而進行 顯示。唯因與CRT(陰極射線管）顯示器或電場發光（EL)顯 不器等不同，在原理上不能由本身發光，因而需要對觀疚 者提供顯示影像的光源。
明電 面板 完成 故無 境下 光作 觀察 層並 板的 外光 LCD 因此，於透過型LCD ’係對形成於基板的電極採用透 極，且在液晶顯示面板後方或側方配置光源，由液曰 控制該光源光線之透過量，而在黑暗的周圍中； 明亮的顯示：唯因常時點亮光源以進行其顯示作業， 法Ϊ ί I C Ϊ，且在白晝屋外等外光相當強烈的環 ，有無法充刀確保其對比的特性。 ~方面，在反射剞I α ρ ΑM λ 中係採用太陽或室内燈等外 為光源’將射入液Θ而扣ώΑ # m ^ y r使此从 日日面板的该周圍光線，由形成在非 面側之基板的反射電極子、 戸 i GΦ^ , 予反射。然後，將射入液晶 射屮氺旦以谁， 9 在各像素控制來自液晶面 射出先里以進仃顯示。如上述， 為光源，若無外光即盔半县在反射孓LCD係採用 ^ m ^ ^ ^ 1 P…、法看到顯示，但不似透過型 並無因光源的消杯雷七 m 月粍電力，因而，電力的消耗極少。
發明說明⑵ 五、 且於尸 及1至外等周圍明亮時，亦可獲得充分的對比。但於該種 a射型T rx 上， 中，在色再現性及顯示亮度等一般顯示品質 有較透過型LCD不具充分的顯示問題。 因_另方面，對機器之低耗電化要求逐漸加強的狀況下， 各二&電較少的反射型LCD係較透過型LCD為有利，因此被 ^於攜帶式機器之高精細監視用途等，並加緊進行提 升顯示品質等的研發。 第8圖係表示在各像素具備薄膜電晶體（TFT)之習用主 動矩陣型的反射型LCD—像素之之平面構造（第1基板側）， 而於第9圖中，表示沿該第8圖c-c線位置的反射型LCD之概 略剖面構造。 反射型LCD係以相隔所定間隙予以貼合的第1基板丨〇 〇 與第2基板2 0 0間，封入液晶層3 〇 〇。第1及第2基板的丨〇 〇、 2 0 0係使用玻璃基板或塑膠基板，而至少在本例示中，係 於配置在觀察面側之第2基板2 0 0上採用透明基板。 在第1基板1 0 0的液晶側面上，係於各像素形成薄膜電 晶體（TFT;ThinFilmTransistor)110。在該TFT110主動 層120之例如汲極區域，係藉由形成於層間絕緣膜134之接 觸孔，連接於向各像素供應資料信號之資料線136，而在 源極區域，係藉由貫穿層間絕緣膜134及平坦化絕緣膜138 所形成的接觸孔’連接於形成太欠你主 , 、 條％办戍在各像素個別圖案的第1電 極（像素電極）1 5 0。 ^ 上述第1電極1 50，# #用目士 cη 乐便用具有反射機能的A 1、A g答， 且於該反射電極1 5 0上，形成批制、六曰a π Λ、u 々成控制液晶層3 〇 〇初期配向的配
314242.ptd
^8205 向心:r) ^ 在 彩色_ 彩色濾 科形成 上形成 與第1基板1 0 0相對配置的第2基板2 0 0之液晶側，於 示裝置時，係形成彩色濾光片（R、G、B) 2 1 0，且在 光片210上，使用銦、錫氧化物（ΙΤ0)等透明導電材 作為第2電極的透明電極2 5 0。並在該透明電極2 5 0 與第1基板側同樣的配向膜2 6 0。 反射反射型LCD係具如上述之構成’將射入液晶面板，由 予電極1 5 〇反射、再由液晶面板射出的光量，由各像素 以控制，以進行所需顯示。 μ L發明内容] 流電壓 在LCD中，不限於反射型，為防止殘影對液晶係以交 壓予以驅動。在透過型LCD*，係要求第i基板上 電極及第2基板上的第2電極任何一方皆為透明，該兩第 =料皆係採用〖TO。因此，於液晶的交流驅動時、該 ，2電極係得以互用「正」「負」電壓之大致相 她加於液晶。 十 但，如上述第9圖，在第1電極150係使用由金屬材料 办成的反射電極，而在第2電極2 5 0使用I TO等透明金屬氧 化材料為透明電極的反射型LCD中，因驅動條件關係，有 發生顯示閃爍（flicker)狀況或液晶的殘影現象。此種現 象例如在以最近報告的臨界閃爍頻率（c r i t i c a 1 f 1丨e k . f requency，CFF)以下驅動液晶時尤為顯著。所謂CFF以=8 的驅動，作於LCD中，為達成更加低耗電化的目的，將液 晶之驅動頻率（与第1及第2電極之相對區域中，對其分別
314242.ptd 第10頁 588205 五、發明說明（4) ' ' —----- 形成各像素之液晶（液晶容量）的資料寫入頻 以低於例如NTSC規格等之規定基準6〇Hz，即 旨6式使用 覺閃燦的CFF以下（如40Hz至30Hz)頻率來驅動。唯目？感 反射型液晶面板的各像素以該CFF以下之頻率早、 時’即發現上述閃燦狀況及液晶的殘影問題尤翱 致使顯示品質大幅的降低。 申請人就第8、9圖所示反射型LCD的閃爍及液a 發生原因探究之結果、判定為第i及第2電極對上述^ 夜晶 3 0 0之非對稱性電氣性質為原因之一。該非對稱性係起因曰 於用在第2電極2 50之ITO等透明金屬氧化物的工作函數為 4· 7至5. 2eV程度，而用於第1電極150的A1等金屬之工作〃函 數為4· 2至4· 3eV程度，之差距過大。該工作函數的差異， 係以同一電壓施加於各電極時，實際上會藉由配向膜” 1 6 0、2 6 0而於液晶界面激起電荷差。然後，由在液晶配向 膜界面激起的、該電何差使液晶層内的雜質離子等偏向於 一方電極側，該結果，致使殘留DC電壓儲存於液晶層 3 0 0。且在液晶驅動頻率愈低時，該殘留d c影響液晶愈 大，致使閃爍狀況及液晶的殘影問題尤為顯著，因而，在 CFF以下之驅動實質上有其困難。 又於反射型LCD，向來有在第1及第2電極使用如透過 型LCD的I TO，而在第1基板外側（液晶的非相對側）另設反 射板者。但，若於第1基板外側設置反射板時，將使光路 延長透明第1電極1 5 0及透明第1基板的厚度，而容易發生 因視差招致的顯示品質下降。因此，被要求為高顯示品質
314242.ptd 第11頁 588205 五、發明說明（5) 的顯示器用反射型LCD，係以反射電極作為像素電極，若 如上述將驅動頻率降低，則會發生閃爍現象，因此，無法 為低耗電化而降低該驅動頻率。 為解決上述問題，本發明係將第1及第2電極對液晶層 之電氣特性予以弄成一致，其目的在實現解除閃燦及視差 影響，具有高顯示品質、低耗電化機能的顯示裝置。 為達成上述目的，本發明係在；具有第1電極之第1基 板，與具備第2電極之第2基板間，封入構成液晶層進行各 並像素顯示之顯示裝置，其中，上述第1基板，係具有： 設置於每像素的開關元件；在覆蓋於上述開關元件之絕緣 膜上，形成與上述開關元件為絕緣，且可將由第2基板側 射入的光線反射於液晶層的反射層，而上述第1電極，係 以直接覆蓋在上述反射層所形成之透明導電材料構成，且 電氣性連接於上述開關元件。 在上述第1基板側中，於液晶層側配置具有與第2基板 之第2電極同樣特性的透明第1電極，且在該第1電極之下 層，層間絕緣膜或平坦化絕緣膜等絕緣膜之上，形成並配 置與各像素之開關元件為絕緣的反射層，即可藉由第1電 極及第2電極對液晶層予以良好的對稱性驅動。尤於將各 像素之液晶層驅動頻率設定在低於例如6 0 Hz時，可進行不 會發生閃爍現象等的高品質顯示。 又於本發明的其他態樣之上述顯示裝置，係於覆蓋上 述開關元件之上述絕緣膜形成接觸孔，並在該孔内形成連 接用金屬層，且將上述開關元件與上述第1電極藉由該連
314242.ptd 第12頁 588205 五、發明說明（6) 接用金屬層予以電氣連接。 再於本發明的其他態樣，係於上述顯示裝置中之上述 連接用金屬層，至少係在與上述第1電極之接觸面，使用 高融點金屬材料。 而於本發明的再一其他態樣，係於上述顯示裝置中、 使上述第1電極之上述透明導電材料的工作函數、與形成 在上述第2基板液晶層側之上述第2電極之透明導電材料的 工作函數差，為0. 5eV以下。 又於本發明的其他態樣中，係於具備第1電極之第1基 板，與具備第2電極之第2基板間封入液晶層而構成顯示裝 置之製造方法中，係於上述第1基板上形成薄膜電晶體， 覆蓋上述薄膜電晶體至少形成一層絕緣膜，且於對應上述 絕緣膜之上述薄膜電晶體主動層的區域，形成接觸孔，而 於上述接觸孔區域形成連接用金屬層，且於覆蓋上述絕緣 膜及上述連接用金屬層上，形成反射材料層，在上述連接 用金屬層上以外之所定像素區域形成殘留該材料層之圖案 化反射層，再覆蓋上述反射層，及上述連接用金屬層，形 成由透明導電材料所構成之第1電極，藉由上述連接用金 屬層將上述第1電極電氣連接上述薄膜電晶體。 如上述，在液晶側配置第1電極的構成中，藉由使連 接用金屬層存在於薄膜電晶體與第1電極間，而於第1電極 的下層形成上述反射層之圖案時，得防止薄膜電晶體之電 極，或主動層等的劣化，因而，得以確實將形成於反射層 上之第1電極與薄膜電晶體予以連接。
314242.ptd 第13頁 588205 五、發明說明（7) ~~ ----- [實施方式] 兹將本發明之較佳實施形態（下稱實施形態）就 予以說明如下： 7 口 第1圖為有關本實施形態作為反射型LCD的反射型主 矩陣LCD的第1基板側之一部分平面構成。第2圖係表示沿 第1圖，Α-Α線位置的LCD之概略剖面構造。於主動矩陣型l⑶ 中，係在顯示區域内設置矩陣狀之複數個像素，且對各像 素a又有TFT4開關元件。該開關元件係以每一像素形成於 第1及第2基板之一方（例如；形成於第1基板i 〇 〇側），且在 该開關元件連接以個別圖案形成之像素電極（第1電 極）5 0 〇
在第1及第2基板1 0 0、2 0 0使用玻璃等透明基板，而於 與第1基板1 0 0相對的第2基板2 0 0側，係與習用一樣，於彩 色型時，形成彩色濾光片2 1 0，且係於該彩色濾光片2 j 〇上 形成由透明導電材料所構成之第2電極2 5 0。第2電極2 5 0之 透明導電材料’係採用IZO(Indium Zinc Oxide)或ITO 等。又於主動矩陣型，該第2電極2 5 0係形成作為對各像素 的共同電極。又於該第2電極2 5 0上，形成由聚亞醯胺 (polyimide)等構成的配向膜260。 對如上述構成之第2基板側，在本實施形態中，係採 用對第1基板側之液晶層3 0 0具同樣電氣特性的電極構造。 具體上，如第2圖所示，係於第1基板1 〇 〇上之配向膜下方 不配置如習用的反射電極，而由類似於第2電極2 5 0工作函 數的材料（即如；IZ0或IT0等）形成與第2電極25 0同樣由透
314242.ptd 第 14 頁 588205 五、發明說明（8) 明導電材料所構成之第丨電極5〇。然後， 之反射層4 4。 藉由將使用於第1電極5 0的材料相间 ，對於液晶層3 0 0,由於同一工作第2電 LCD，在該第1電極5〇下層形成反射來自第為作成反射型 2基板的入射光 :置數的第以， 材料 配向膜60、26 0配置於其間，因而 .疋烛，係介 ，極250而得以良好對稱性對液晶=弟旧極5〇及第 唯於第1電極50及第2電極25〇， 父流驅動。 相同，但是口 |处处― 丨災巧工作函數不是完全 % % ^ it Sp -τ '之晶層3 〇 〇達到極近似於良好對稱性 以下，目，丨、、广B M ，右將兩電極之工作函數差訂為0· 乃&旦之日日之驅動頻率為上述CFF以下時，亦盔閃爍 及液晶殘影現象，得為高品質的顯示。 方”，、⑽ 顺的第1電極5°及第2電極25°，例如可由 Γ ^ 5 0 vt f 5· 2eV^ ^ ^ , ITO(x ^ 歎4 ·(至5 · 0 e V )形成繁？雷搞 + 的選# ±，γ 4 ^ i $以相反的配置。關於材料
^ J号慮透過率、圖案仆拌硌辇制加U ΛΑ & U 製造成本等，分別選搓#闲Μ，化知度寻製私上的特性、 “二二另j 4擇使用於各電極的材料。 射層44係將A卜Ag或該合金（太每 合金）等反射特性優異的材料，、' ^貝她形態中為M—Nd 側）。亦得僅用A1#之金屬=料用於該表面側（液晶層 μ 〇 ^ ^ ,fi Λ Λ Λ Λ ^ ^ ^4 4 ° ^ Η可提升反射層44與平坦化絕緣膜 :::者性而能提升元件可靠度。又於第2圖的構成中， …坦化絕緣膜38之各像素區域内形成所需角度
314242.ptd 588205 五、發明說明（9) 面。再覆蓋該平坦化絕緣膜3 8堆積反射層4 4，使於反射層 44表面亦形成同樣傾斜面。若能以最佳角度、位置形成該 傾斜面，即可由各像素將外光予以聚光射出，因而，能使 顯示器在其正面位置的顯示亮度提升。當然。該傾斜面的 存在亦可不為必需。 反射層4 4如上述，係由A 1等導電性材料予以構成，但 係與堆積在反射層4 4上之第1電極5 0為電氣上的絕緣。該 為絕緣的理由，係於第1電極50的材料使用I Z0或I T0等 時，係以濺鍍（sputter ing)方式成膜，亦即，該由A1等形 成的反射層4 4在曝露於濺鍍環境中時，於其表面發生氧化 反應，由自然氧化膜予以覆蓋。因而，於本實施形態中， 不像習用反射型LCD將該反射層44利用為驅動液晶之第1電 極，而是將形成於反射層44上的透明導電層作為第1電極 5 0，對液晶層3 0 0施加對應於顯示内容的電壓。 唯因，最近有所謂具有光透過及反射兩機能的半透過 型LCD的提案，該半透過型係與透過型一樣，先將IT〇等像 素電極予以形成後，以覆蓋該透明電極的一部分區域，堆 積A 1等反射電極而構成者。在該半透過型LCD中，若由基 板側依序堆積透明電極層/反射電極層，即可將兩電極層 連接成具1個像素電極的機能。但如上述，係於液晶層側 配置反射電極，因之，由於與第2電極的工作函數差異， 而會有無法對液晶層3 0 〇進行良好對稱性驅動的問題產 生。更為&升電軋上的對稱性，雖可考慮反向堆積電極順 序’唯於上述反射電極使用的A 1、A g系金屬材料，在其表
314242.ptd 第16頁 588205 五、發明說明（10) 面上容易形成自然氧化膜，尤於形成該金屬層後，在形成 透明導電材料層之濺鍍等的曝露中，會被自然氧化膜覆蓋 其表面’而造成金屬層與透明電極的絕緣。因此、僅以改 變電極的堆積順序，無法於第1基板側利用透明電極驅動 液晶’結果亦無法在第1基板側與第2基板側取得對液晶的 一致電氣特性。 對此’於本實施形態係將反射層4 4對第1電極5 0及 T F T 1 1 0的任何方予以絕緣，且將連接用金屬層4 2介存於第 1電極5 0及TFT110 (如TFT110之源極電極40)間，因而，得 以將第1電極50及TFT 1 10予以確實連接。又在第1基板側， 亦與第2基板側一樣，可藉由配置在鄰近於液晶層，且係 由透明導電材料所構成之第1電極5 〇，得以驅動液晶。 因此’為連接第1電極50及TFT1 10，於本實施形態中 採用的上述金屬層4 2之所需條件為： (1 )能與IZO或ITO等所構成之第1電極5〇形成電氣連接 者。 (1 1 )在TFT 1 1 0中，如第2圖所示，設置A丨等之源極電 極4 0時’得能與該源極電極4 〇形成電氣觸接，而於省略源 極電極40時’可與半導體（在此為多晶矽）主動層形成電氣 連接者。 士 （丨丨i )於母一像素之個別形狀形成圖案化的反射層4 4 日守’不致為或反射層4 4的姓刻液去除，等等。 上述金屬層42，係以使用M〇、Ti、Cr等高融點金屬材 料為宜。
314242.ptd 第17頁 588205 五、發明說明（11) 兹將能確實連接本實施形態之第1電極5 〇其所對廉 TFT 11 0之構造，及實現該構造的製造方法說明如下·〜 TFT11 0係採用頂閘（t〇p_gate)型，且主動層2〇係使用 非晶矽（a-Si)以雷射光退火獲得多晶化的多晶矽（丨 當然不限定TFT 1 1 〇為頂閘型多晶矽，亦得為底閘型 (bottom gate)，而且主動層亦可採用非晶矽。在丄〇 的主動層20之源•汲極區域2〇s、2〇樣雜的雜質，亦得為 η導電型、或p導電型中之任何一種，唯於本實施形態中， 係摻雜磷等η導電型雜質，採用n ch型的tftii〇。 TFT1 1 0的主動層2〇係由閘極絕緣膜3〇覆蓋，且於閘極 絕緣膜30上形成由以等構成的，㈣為閘極線的問極電極 二2。，後紅於形成後該閘極電㈣，α該閘極電極為遮 P衫Ϊ, M20進行上述雜質之摻雜作業，形成源•沒極 二八：雜部分的通道區域2〇C。其次，覆蓋 升:成接觸：；，形成層間絕緣膜34 ’並於該層間絕緣膜34 夕S放ΐ ®形成電極材料，藉由該接觸孔，分別將上 將ί = F竹^曰2〇之源極區域2〇5連接於源極電極40,而 將〉及極&域2 0 d遠接於、ά is +、 mno的資料Π ::顯示内容之資料信號給各 像素電極之第丨電極5。 源極電極40係連接於如後述 r材:3^電極4°及汲極電極36後，以丙稀酸樹脂等樹 二40:ΐ F二基板形成平坦化絕緣膜38，又於形成源極 電極斷域形成接觸孔’在該處形成連接用金屬層42,
314242.ptd 第18頁 588205 五、發明說明（12) 以將源極電極4 0及該金屬層 極電極40時，若採用Mo等金 極電極4 0之連接可獲得良好 示’省略源極電極4 0，此時 動層20連接，而Mo等金屬可 觸。 4 2予以連接。使用A 1等作為源 屬材料作為金屬層4 2，則和源 的歐姆接觸。亦可如第3圖所 ’金屬層4 2係與τ F T 1 1 0之石夕主 與该半導體材料間建立歐姆接 44夕t 屬層42之後，係'由構成反射層 44之Al_Nd合金，或Α1等之反射特性優異材料以墓鍍或 濺鍍方式積層在整個基板。堆積成的反射材料，至少係以 不妨礙金屬層42與之後形成之第1電極5〇的觸接，且以不 殘存在TFT1 10源極區域附近（金屬層42之形成區域）方式， 予以I虫刻去除’而於各像素形成如第1圖所示之圖案化反 射層4 4。復為防止於T F T 1 1 0 (尤為通道區域2 〇 c )照射光線 而發生洩漏電流，且為儘量擴大可反射的區域（即、顯示 ^域）’在本貫施形悲中’係如弟1圖所不’積極地將反射 層44形成於TFT 1 10之通道上方區域。 而於圖案化該反射層44時，上述由Mo等金屬所構成的 金屬層4 2係具備充分的厚度（例如〇 · 2// m )，及對姓刻液的 充分耐钱性。因此，在將金屬層4 2上之反射層4 4，以餘刻 去除後，亦不會完全去除該金屬層42，而得以殘留在接角蜀 孔内。又因，通常係於源極電極4 0等部分使用與反射層4 4 同樣的材料（如A 1等），故若上述金屬層4 2不存在時，則源 極電極4 0將會被反射層4 4之蝕刻液侵蝕而發生斷線等現 象。但，可如本實施形態般設置金屬層4 2，使反射層4 4得
314242.ptd 第19頁 588205 五、發明說明（13) 以耐圖案化，而能維持與源極電極4 〇之良好電氣接觸 又於反射層44之圖案化後，藉由濺鍍作業將透明導 層堆積及覆蓋於包括反射層44之整個基板。此時、如电 述，由A 1等所構成的反射層44表面，雖被絕緣性自然f 膜（參照第3圖之符號46)覆蓋，但Mo等高融點金屬雖曝羊· 於濺鍍作業環境中，其表面也不致以氧化。因此，在"' 路 區域中曝露於外的金屬層42，得與堆積在該金屬層42 ^ 第1電極用透明導電層間，具有良好的歐姆接觸/又 < 明導電層係於成膜後，如第1圖所示，在各像素進行獨2 形狀的圖案化’因而可得像素電極（第1電極）Μ。又於各 像素區域形成第1電極5 0後，即由聚亞醯胺等形成覆蓋整 個基板的配向膜6 0 ’以完成第1基板側的構造。之後、，將 已形成配向膜2 6 0的第2基板2 0 0與該第1基板ι〇〇，以一定 的間隙分隔’將基板周邊部分予以貼合，封入液晶完成液 晶顯示裝置。 本實施形態之金屬層42,如第4圖所示，源極電極41 雖具有由Mo等高融點金屬層包夾A丨層的多層構造，但亦能 維持與源極電極41的良好連接。而於第镧9所示之源極電 極41 (兼用為資料線的汲極電極亦同）係由主動層2 〇側，以 層41a/Al層41b/Mo層41c般依序堆積構成。且曰藉由於多 ^矽所構成之主動層20側形成Mo層41a，而得以^止“原 I在A1層41b中之移動所發生的主動層缺陷，復因於最上 曰，成Mo層41c’即使歷經接觸形成、金屬層42形成•蝕 J製程等，亦能維持與金屬層42間的良好電氣連接。當然
第20頁 588205 五、發明說明（14) __ ，在本實施形態中金屬層42,係 咱同的Mo等，因而，能獲得盥、 -、源極電極4 1最上 地 層相同的Mo等，因而，能獲得與第 轉-源極電極4 1最_ 常良好之連接。 ° #示源極電極4 1非 本實施形態的金屬層4 2，可具 極41之多層構造。該金屬層42之^声^第4圖所示源極電 下層依序堆積Mo等高融點金屬層/AiS #t造，例如可採用由 金属層之三層構造，或A1等導電声m =電層/Mo等高融點 兩層構造者。採用該多層金屬層:Μ〇專高融點金屬層之 電極40可如第4圖之上述多層構^造，^’曰配置在下方的源極 層構造。若於第3圖所示之金屬芦、:為使用A1等之單 時，金屬層43亦可採用與上述^檨直接觸接於主動層 而於任何—種狀態下，該金屬層42;々3層或兩層構造。 44之蝕刻作業，且在形 43需承受得住反射層 成絕緣膜，並能 = ”極5 0時，得不在表面形 筮1雷β ς n t &地1 1隹持其電氣連接μ Β 5 , 第電二50的表面側，☆高融點金屬形成二 接觸 八=:就半透過型LCD說明於後.’’、、且。 域的形成在1像素區域内之大致整㈣ 反射型亦可例予以說明者。但本發明不僅適用於 楚㈣，適用在之外之半透過型LCD。 為该半透過型主動矩陣Lcd的 -* τ 第6圖係沿第_ β t^孓王動包早的—像素平面構造。 1及第2圖所干，^随位置的LCD概略剖面構造。在上述第 區域内之::if射型lcd中，反射層44係形成於一像素 第5及第域（與TFT之觸接區域除外）者。但在 斤不之半透過型LCD中，係於一像素内形成有 588205 五、發明說明（16) ~~------- 光層83係與陽極80一樣，於每像素分別形成圖案，而 輸送層82及電子輸送層84係與陰極86一樣，係以全像素二 同方式形成。又於鄰接像素間絕緣各陽極8 〇，且在極只、 之邊緣區域，為防止與上層之陰極86的短路，在鄰接像 之陽極間區域形成平坦化絕緣膜3 9。 ’、 如上述構成之有機EL元件90,係將由陽極8〇注入的電 洞，及由陰極86注入的電子在發光層83再結合時，激勵有 機發光分子，於其回歸基底狀態時放光者。該有機阢元件 9 0為一種電流驅動式發光元件。陽極8 〇即需對有 88具有充分的電洞注入機能…，多使用= 的I TO、I ZO等透明導電材料。因此，通常係將發光層8 3之 光線經由透明的陽極8 0側，穿透透明基板i 〇 〇射於外部。 但，在第7圖所示之主動矩陣型有機EL顯示器，可由陰極 側射出光線。 = 上述第7圖之顯示器，係採用為驅動上述有機EL元件 9 0的TFT110、金屬層42、反射層44，以及有機EL元件9〇之 陽極80，係採用如第2圖所示之上述TFT110、金屬層42、 反射層4 4，及第1陽極5 0—樣的構成。因此，在陽極8 〇使 用透明導電材料時，於陽極80下層，可設置與該陽極80絕 緣的由A 1或A 1 - N d合金等反射性優異的材料構成的反射層 44。為此，有機EL元件9 0之陰極8 6，亦可使用與陽極8 〇同 樣的I T 0及I Z 0等透明導電材料，或使用可透過光線厚薄的 A1、Ag等金屬材料予以形成（可設置開口部），即容易實現 將來自發光層8 3之光線，由陰極8 6側向外部射出之頂部發
314242.ptd 第23頁 588205 五、發明說明（17) 射（top-emission)型構造。也就是，如第7圖所示，在陽 極8 0下層配置反射層4 4，將進入陽極8 0側之光線，以反射 層4 4予以反射，即可將在發光層8 3獲得的光線，由陰極8 6 側射出。 [發明的效果] 如上說明，本發明即使於如反射型或半透過型LCD等 有必要在其一方基板側形成反射層時，亦得以具有同等特 性的第1及第2電極，對液晶層配置為同等位置。因此，得 將液晶以良好的對稱性予以交流驅動。為此，即將液晶之 驅動頻率設定於CFF以下，亦不致於發生閃爍或液晶的殘 影現象而能進行高品質的顯示。
314242.ptd 第24頁 588205 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖有關本發明實施形態之主動矩陣型之反射型LCD 的第1基板側之概略平面構成圖。 第2圖沿第1圖A-A線位置的反射型LCD之概略剖面構造 圖。 第3圖沿第1圖A-A線位置的反射型LCD之其他概略剖面 構造圖（A )。 第4圖沿第1圖A-A線位置的反射型LCD之其他概略剖面 構造圖（B )。 第5圖有關本發明實施形態之主動矩陣型之半透過型 LCD的第1基板側之概略平面構成圖。 第6圖沿第5圖B-B線位置的半透過型LCD之概略剖面構 造圖。 第7圖為本發明之主動矩陣型有機EL顯示器之概略剖 面構造圖。 第8圖為習用主動矩陣型的反射型LCD之第1基板側的 一部分之平面構成圖。 第9圖沿第8圖C-C線位置的習用反射型LCD之概略剖面 構造圖。 2 0 主動層（p 3 2 閘極電極 3 6、3 7汲極電極 4 0、4 1源極電極 -Si層） 30 (閘極線） 34 (資料線） 38、 42、 閘極絕緣膜 層間絕緣膜 39 平坦化絕緣膜 4 3 連接用金屬層
314242.ptd 第25頁 588205
圖式簡單說明 44 反射層 46 自然氧化膜 50 第1電極 60 ^ 2 6 0配向膜 80 陽極（第1電極 ) 82 電洞輸送層 83 發光層 84 電子輸送層 86 陰極（第2電極 ) 88 有機元件層 90 有機EL元件 100 第1基板 110 TFT 120 主動層 134 層間絕緣層 136 資料線 138 平坦化絕緣膜 150 第1電極 160 配向膜 200 第2基板 210 300 彩色濾光片 液晶層 250 第2電極（透明） 314242.ptd 第26頁

Claims (1)

  1. - - / - * >ψβ 5?8205 I;號 91135787 修一 7T;TW利範圍 1· 一種顯示裝置，係於具備第i電極（50)之第i基板（1〇〇) ，與具備第2電極（ 2 5 0 )之第2基板（2〇〇)間，封入液晶 層（ 3 0 0 )予以構成並進行各像素顯示之顯示裝置，其 中， 〃 上述第1基板（1 0 0 )，係另具備： 於每像素設置有開關元件（丨i 0)，及 上、=蓋：=Λ元件之絕緣膜（⑷上，形成與 身+ ι二i S …、矣巴緣，且可將由第2基板（2 0 0 )側 射入的光線反射於液晶層（3 0 0 )的反射層（44)，而 ^述第1電極（50)，係由直接覆蓋丄述反射層（44) 而形成之透明導電材料所構成，且 以電氣連接於上述開關元件（丨丨〇 )者。 2.如申請專利範圍請記載之顯示裝置，其中，係於， 内彤：f ί覆盍上述開關元件之上述絕緣膜之接觸孔 極# ί Ϊ Ϊ f金屬層，且將上述開關元件與上述第1電 精由戎連接用金屬層，予以電氣連接 •如申請專利範圍第2項記載之顯示裝置，其中， 觸面"VI連用接金屬層，至少係在與上述第1電極之接 使用馬融點金屬材料者。 4·如申請專利範圍第丨項至第3項中任 裝置，其中， 1 j項纪載之顯不 形成ΪΪΪ丄電極之上述透明導電材料的工作函數、與 電第2基板液晶層側之上述第2電極之透明導 材枓的工作函數差，為0· 5eV以下者。
    588205 修正 案號 91135787 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第4項記載之液晶顯示裝置，其中，於 各像素之液晶層驅動頻率，係低於6 0 Η z者。 6. —種顯示裝置之製造方法，係於具備透明第1電極之第 1基板，與具備透明第2電極之第2基板間，封入液晶層 予以構成顯示裝置之製造方法中，係於， 上述第1基板上形成薄膜電晶體， 覆蓋上述薄膜電晶體至少形成一層絕緣膜，且於 對應上述絕緣膜之上述薄膜電晶體主動層的區域，形 成接觸孔，而於 上述接觸孔區域形成連接用金屬層，且 覆蓋上述絕緣膜及上述連接用金屬層上，形成反 射材料層，並在上述連接用金屬層上以外之所定像素 區域實施殘留該材料層之圖案化，予以形成反射層， 再覆蓋上述反射層，及上述連接用金屬層，形成由透 明導電材料所構成之第1電極，藉由上述連接用金屬 層，將上述第1電極電氣連接至上述薄膜電晶體者。
    314242.ptc 第2頁 2003.09.24. 028
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4123832B2 (ja) 2002-05-31 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2004053896A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Sharp Corp 表示装置
CN100340900C (zh) * 2003-12-02 2007-10-03 瀚宇彩晶股份有限公司 反射式双屏幕液晶显示面板
KR100741966B1 (ko) * 2004-01-27 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR100579192B1 (ko) * 2004-03-11 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의제조방법
JP2005285395A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Fujitsu Display Technologies Corp 配線構造並びにそれを備えた表示装置用基板及び表示装置
JP4637831B2 (ja) * 2004-03-29 2011-02-23 富士フイルム株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置
KR100579194B1 (ko) * 2004-05-28 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법
KR100704258B1 (ko) 2004-06-02 2007-04-06 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치 및 전자 기기
KR100611756B1 (ko) * 2004-06-18 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR100573154B1 (ko) * 2004-06-26 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US7554260B2 (en) * 2004-07-09 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film
JP4817730B2 (ja) * 2004-07-09 2011-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8217396B2 (en) * 2004-07-30 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region
KR100685414B1 (ko) 2004-11-05 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그의 제조방법
KR100600883B1 (ko) 2004-11-11 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
FR2882423B1 (fr) * 2005-02-22 2007-03-30 Saint Gobain Structure lumineuse plane ou sensiblement plane
KR101219035B1 (ko) * 2005-05-03 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TW200641465A (en) * 2005-05-20 2006-12-01 Sanyo Epson Imaging Devices Co Display device
TWI341948B (en) * 2005-05-20 2011-05-11 Epson Imaging Devices Corp Display device
US7429753B2 (en) 2005-05-20 2008-09-30 Sanyo Electric Co., Ltd. Display device
DE602006004419D1 (de) * 2005-10-18 2009-02-05 Semiconductor Energy Lab Flüssigkristallanzeige und elektronisches Gerät
TWI301729B (en) * 2005-12-02 2008-10-01 Au Optronics Corp Dual emission display
JP2007183452A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Epson Imaging Devices Corp 半透過型液晶表示装置
JP4655942B2 (ja) * 2006-01-16 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
CN100398628C (zh) * 2006-06-05 2008-07-02 南京师范大学 阻燃剂三(溴代苯氧基)氰尿酸酯的合成方法
KR100810640B1 (ko) * 2007-03-07 2008-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP5428142B2 (ja) * 2007-09-11 2014-02-26 カシオ計算機株式会社 表示パネルの製造方法
US20090091254A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Lg.Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
TWI381771B (zh) * 2007-12-11 2013-01-01 Tpo Displays Corp 頂部發光主動式矩陣電激發光裝置
CN101466178B (zh) * 2007-12-18 2012-07-18 奇美电子股份有限公司 顶部发光主动式矩阵电激发光装置
JP2010080341A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置
KR101084198B1 (ko) * 2010-02-24 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
CN102960069B (zh) * 2010-07-27 2015-09-02 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示面板及其制造方法
JP5708152B2 (ja) * 2011-03-31 2015-04-30 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
CN103926760B (zh) * 2013-01-14 2017-08-25 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板
CN103346267A (zh) * 2013-06-24 2013-10-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 有源矩阵有机电致发光显示器件
CN103715230B (zh) * 2013-12-31 2018-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种透明oled器件及其显示装置
USRE48695E1 (en) * 2013-12-31 2021-08-17 Beijing Visionox Technology Co., Ltd. Transparent OLED device and display device employing same
CN107535033B (zh) * 2015-04-16 2019-08-16 夏普株式会社 有机电致发光装置
KR20170036876A (ko) * 2015-09-18 2017-04-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7084913B2 (ja) * 2017-03-21 2022-06-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器
WO2020105433A1 (ja) * 2018-11-20 2020-05-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器
KR20220033650A (ko) * 2020-09-09 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 반사 전극 및 이를 포함하는 표시 장치
US11810907B2 (en) * 2021-01-27 2023-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pixel structure for displays

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5414442A (en) * 1991-06-14 1995-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
CN1244891C (zh) * 1992-08-27 2006-03-08 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器
US5592190A (en) * 1993-04-28 1997-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus and drive method
JPH07321328A (ja) * 1994-05-27 1995-12-08 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ駆動液晶表示装置およびその製法
JP3116761B2 (ja) * 1994-12-29 2000-12-11 日本ビクター株式会社 液晶表示装置
JPH09113931A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Sharp Corp 液晶表示装置
TW409194B (en) * 1995-11-28 2000-10-21 Sharp Kk Active matrix substrate and liquid crystal display apparatus and method for producing the same
JP3191085B2 (ja) * 1996-01-29 2001-07-23 株式会社日立製作所 反射型液晶表示素子および液晶表示装置
JPH1054995A (ja) * 1996-06-06 1998-02-24 Pioneer Electron Corp 反射型液晶表示装置
US6104450A (en) * 1996-11-07 2000-08-15 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and methods of manufacturing and driving same
US5764324A (en) * 1997-01-22 1998-06-09 International Business Machines Corporation Flicker-free reflective liquid crystal cell
JPH10333168A (ja) * 1997-06-04 1998-12-18 Toshiba Corp 液晶表示装置および液晶表示システム
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JPH1197182A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp 発光ディスプレイパネル
JPH11109406A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置とその製造方法
JP3380482B2 (ja) * 1997-12-26 2003-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
WO1999053369A1 (fr) * 1998-04-08 1999-10-21 Seiko Epson Corporation Afficheur a cristaux liquides et dispositif electronique
US6693698B2 (en) * 1998-07-22 2004-02-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
US6236440B1 (en) * 1998-07-22 2001-05-22 U.S. Philips Corporation Display device in which one of the two electrodes of a pixel is coated with a dipole material to equalize the electrode work functions
DE69923425T2 (de) * 1998-07-27 2005-07-07 Seiko Epson Corp. Anordnung von kugelförmigen Abstandshaltern in der Dichtung einer elektooptischen Anzeige zur Verhinderung von Schäden an darunterliegenden Leiterbahnen
EP1074874A4 (en) * 1999-02-23 2004-07-28 Citizen Watch Co Ltd LIQUID CRYSTAL DISPLAY
TWI251697B (en) * 1999-05-26 2006-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display element and producing method thereof
KR100312328B1 (ko) * 1999-08-06 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 반사투과형 액정 표시장치
JP3670577B2 (ja) * 2000-01-26 2005-07-13 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP4278834B2 (ja) * 2000-06-02 2009-06-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置とその製造方法
JP3824889B2 (ja) * 2000-07-14 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板及び液晶装置、並びにこれらの製造方法
JP2002162645A (ja) * 2000-09-14 2002-06-07 Sony Corp 半透過型液晶表示装置
KR100397399B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2002365664A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP2005092122A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Nec Corp 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

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US20060262254A1 (en) 2006-11-23

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