CN1542957A - 半导体器件 - Google Patents

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Abstract

一种功率元件封装(100)包括半导体芯片(7)、散热组件(1、4)、制模树脂组件(11)、控制信号的引线端子(8)以及大电流的引线端子(9，10)。在散热组件的受热表面(1p)上，设置了绝缘层(2)以及导电层(3)。控制信号的引线端子经由导电层与半导体芯片的栅极(7g)电气连接。半导体芯片的发射极(7e)经由焊接组件(6)而与受热表面的非绝缘部分(1p)电气连接。

Description

半导体器件
技术领域
本发明涉及一种用于三相逆变器电路等中的半导体器件。
背景技术
在用于驱动汽车电机的逆变器电路中使用的半导体功率元件是作为与制模树脂相结合的电子元件封装(packet)来实现的，其中功率元件夹在散热组件的散热板之间(参考JP-A-2001-156225或美国专利-2003/0132530 A1)。所述功率元件包括作为具有代表性的功率元件的IGBT(绝缘栅双极晶体管)。当利用焊接剂将所述功率元件的发射极或集电极直接与所述散热板、或者经由隔片与所述散热板相连时，IGBT的功率元件夹在所述散热板之间。这里，所述散热板起到了大电流通路的作用。所述功率元件的栅极(控制电极)与控制信号的引线端子电气连接，所述控制信号经由焊线从所述制模树脂中向外伸出。所述功率元件由此作为功率元件封装来构造。组装多个所述功率元件封装以构成逆变器电路模块。
此外，建议增加散热板的尺寸，以便进一步减小功率元件封装的热阻。此建议涉及在连接结构方面的问题，其中如上文所解释的，功率元件利用焊线而与引线端子相连，以便控制功率元件的信号。这里，为了维护连接的可靠性，要求线的长度最多为10毫米。在树脂制模期间，10毫米以上的线的长度潜在地涉及相邻线相互接触或者焊线破损的问题。利用所述焊线的连接结构因此是不适宜增加散热的尺寸。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种适用于增加散热尺寸的树脂制模的半导体器件。
为实现上述目的，提供了以下这种半导体器件。提供了这样一种半导体开关元件的器件，所述器件包括两个表面，即第一和第二表面。在第一表面上暴露有第一电极；在第二表面上暴露有第二电极；并且在控制电极暴露表面上设置有控制电极，其中所述控制电极暴露表面是第一和第二表面的其中一个。如此来提供这样两个散热组件，其中将所述元件设置在所述两个散热组件之间。所述两个散热组件分别与第一和第二电极电气连接。两个散热组件的每个均具有一个内表面，所述内表面比其他表面更接近于所述元件。制模树脂组件填充两个散热组件之间的空间。在两个散热组件的至少一个内表面上形成有绝缘层。在所述绝缘层上形成导电层，并且与所述控制电极以及从所述制模树脂组件中伸出的输入部分电气连接。此外，第一和第二电极的其中一个与形成有绝缘层的内表面的非绝缘部分电气连接，其中在所述非绝缘部分上不形成绝缘层。
此结构允许半导体封装的半导体开关元件通过顶部和底部表面被冷却。具体来讲，在此结构中，在散热组件的内表面上形成绝缘层，然后在所述绝缘层上形成导电层。此导电层起到了中间布线的作用，所述中间布线存在于半导体芯片和作为引线端子的信号终端之间，所述引线端子从制模树脂组件中向外伸出。此结构适用于这样一种情况，其中散热组件变大，并且半导体开关元件的控制电极和散热组件的外围表面之间的距离变长的情况。换句话说，通过适当地设计所述导电层，在半导体芯片和信号终端之间的电连接更容易具有安全性。
附图说明
本发明的上述及其他目的、特征和优点将通过以下参考附图作出的详细说明而变得更加明显。在所述附图中：
图1是依照本发明第一实施例的功率元件封装的示意性结构的剖面图；
图2是图1中的主体部分的放大图；
图3是示出绝缘层和半导体芯片之间的相对位置的平面视图；
图4是依照本发明第二实施例的功率元件封装的示意性结构的剖面图；
图5是第二实施例的功率元件封装的等效电路图；
图6是依照本发明第三实施例的功率元件封装的示意性结构的剖面图；
图7是第三实施例的功率元件封装的分解平面视图；
图8是本发明的第四实施例的功率元件封装的剖面图；
图9是本发明的第五实施例的功率元件封装的剖面图；
图10是本发明的第六实施例的功率元件封装的剖面图；
图11是本发明的第七实施例的功率元件封装的剖面图；以及
图12是本发明第八实施例的功率元件封装的剖面图。
具体实施方式
(第一实施例)
本发明涉及作为半导体器件的功率元件封装。参见图1，本发明第一实施例的功率元件封装100是这样一种封装，其中半导体开关元件7(在下文中称为“半导体芯片”)夹在散热组件1、4之间并且与它们合为整体。举例来说，此功率元件封装100构成用于无刷电动机的三相逆变器电路的一部分。所述半导体芯片7例如包括IGBT(绝缘栅双极晶体管)或功率MOSFET。与诸如电动机的电感负载相连的IGBT与续流二极管(图1中未示出)并行连接。
所述功率元件封装100包括半导体芯片7、散热组件1、4、制模树脂组件11、控制信号的引线端子8以及用于大电流的引线端子9、10。所述半导体芯片7经由焊接组件5、6与散热组件1、4电气连接。在散热组件1的受热表面1p上，设置了绝缘层2以及导电层3。控制信号的引线端子8经由导电层3与半导体芯片7的栅极7g电气连接。
如图2中扩大的主体部分所示，薄板形状的半导体芯片7具有位于其自身第一表面的暴露的栅极7g以及暴露的发射极7e(或源极)，并且在相对的第二表面中具有集电极7c(或漏极)。对栅极7g、发射极7e以及集电极7c施加表面处理，所述表面处理诸如用于利用焊接剂而增强湿润的镍金电镀。除栅极7g和发射极7e以外，半导体芯片7的第一表面还具有非暴露区，所述非暴露区域由诸如聚酰亚胺树脂的绝缘保护薄膜7a涂覆。相比之下，第二表面具有大于所述发射极7e的暴露的集电极7c。
如上文所解释的，如夹入半导体7那样来设置一对散热组件1、4。半导体7的发射极7e经由焊接组件6与该散热组件对的散热组件1电气连接。相比之下，集电极7c经由焊接组件5与另一个散热组件4电气连接。就焊接组件5、6而论，它们的焊料量如此进行控制以便使焊接组件涂覆集电极7c和发射极7e的整个表面。作为导电连接组件的焊料可以替换为已知的银铜焊料。
所述散热组件1、4具有压缩的或平板形状；均具有内受热面1p、4p以及外散热面1q、4q，两者都基本上是平面并且彼此平行的。受热面1p、4p的尺寸以及散热面1q、4q的尺寸远大于半导体芯片7的那些表面的尺寸。这样增加了冷却能力，由此以便将功率元件封装100的热阻控制为较小。所述散热组件1、4最好是由从一组铜、钨、钼和铝中选出的纯金属或者合金形成，其中所述合金主要由根据导热性以及导电性从所述组中选出的金属组成。
此外，制模树脂组件11被形成以便覆盖或者涂覆半导体芯片7的外侧，并且填充由所述发热组件1、4形成的空间。所述制模树脂组件11例如由环氧树脂形成。所述散热组件4与从制模树脂组件11向外伸出的大电流的引线端子10合为整体时，同时所述散热组件1与用于从制模树脂组件11向外伸出的大电流的引线端子9合为整体，如图1所示。
将所述半导体芯片7沿横向(图1中的从右-向左的方向)设置在接近中间位置的散热组件之间；因此，到制模树脂组件11的外围的距离相对较长。在半导体芯片7的栅极7g和控制信号的引线端子8之间的丝焊由此存在可靠性的问题。这里，所述丝焊用于从所述引线端子8向栅极7g提供控制信号(沟道转换信号)。
本发明中，所述导电层3起到了栅极7g和引线端子8之间的中继布线的作用；经由所述绝缘层2在散热组件1的受热组件1p上形成所述导电层3。控制信号的引线端子8是条状的或者是诸如铜或者铜合金的高导电性金属材料的线性组件。
如图1、2所示，所述半导体芯片7的第一表面上，其中所述暴露的栅极7g面对所述导电层3。栅极7g的暴露区W1与导电层3重叠，而发射极7e的暴露区W2与散热组件1的部分(非隔离部分)重叠，其中在所述发热组件1上没有形成绝缘层2。换句话说，所述焊接组件13直接地将栅极7g与所述导电层3连接；位于散热组件1的非绝缘部分的焊接组件6直接地将发射极7e与所述散热组件1连接。
图3中示出了半导体芯片7和绝缘层2的相对位置，其中所述绝缘层2在所述散热组件1上形成。所述绝缘层2具有用于容纳焊接组件6的开口2p。如图3所示，半导体芯片7的发射极7e的区域在开口2p的范围之内。换句话说，在如图3所示的俯视图中，开口2p的区域围绕发射极7e的区域。这样可通过焊接组件6最大限度地保证导热性和导电性。此外，当执行回流焊接时，这样可限制焊料从开口2p向外流出。此外，半导体芯片7的表面由绝缘保护薄膜7a覆盖，所述绝缘保护薄膜7a与焊料相比不那么湿润，因此当执行回流焊接时，可防止焊料从开口2p的区域溢出。
所述绝缘层2由耐热树脂形成，优选的是，所述耐热树脂具有比回流焊接中可达到的温度(在具有代表性的铅浇焊中近似260℃)中更高的耐热温度(热分解启动温度)。这从回流焊接或者老化绝缘损坏期间、按照阻止绝缘损坏的观点来看是必须的。具体来说，聚酰胺树脂是用于绝缘层2的适当的材料。为了确保绝缘，所述绝缘层2的厚度要大于10μm。绝缘层2通过将树脂膜附着在散热组件1的受热表面1p上来形成，其中在所述树脂膜中先前形成有开口2p。
所述导电层3最好由高导电性材料的图形布线来形成，其中所述高导电性材料诸如铜或者铜合金。所述图形布线可相对容易地在绝缘层上形成，因此能够减少生产成本。导电层3的厚度需要大于20μm，以便保证与焊料的适当的连接。所述导电层3通过将铜箔附在绝缘层2上、然后图形蚀刻所述铜箔以形成图案来形成。另外，还可以通过制模金属电镀(pattern metal plating)来形成。
将焊接组件6的厚度控制在回流焊接后80到150μm。当所述厚度超过150μm时，对焊料量的控制变得极为困难，这可能会引起栅极7g和发射极7e之间的短路。此外，半导体芯片7被潜在地固定，以便半导体芯片7相对于散热组件1、4很大程度地倾斜，从而使得焊接组件6的厚度最好是从80到150μm，如图2所示。
如图1所示，经由导电层3电连接栅极7g的控制信号的引线端子8的一端从制模树脂组件11的外围伸出。相比之下，另一端被包容在制模树脂组件11之内，并且经由焊接组件12与所述导电层电气连接。所述导电层3和引线端子8可以是预先集成的，并且导电层3可以是到栅极7g的输入部分。此外，除了所述控制信号之外，引线端子有时用于温度检测、参考电压检测或者电流检测，为了精简的目的而省略其描述。
如上文所解释的，在功率元件封装100中，除去焊线将导致图1中沿垂直方向的空间减小。具体而言，插入到半导体芯片7和散热组件4之间的隔片可以被去除。这种隔片用于产生焊线经过的空间。不插入隔片将会增强从半导体芯片7到任何一个散热组件1、4的导热性，并且增强半导体芯片7和任一的散热组件1、4之间的相对位置的精确度。此外，借此不必需要昂贵的丝焊焊机。此外，使用适当的工具允许回流焊接一次完成。
此外，当提供了绝缘层2和导电层3时，诸如IC、电阻或者电容器的部件14也可以设置在绝缘层2上，如图1中的虚线所示。在俯视图中，当使绝缘层2围绕半导体芯片7这样来设置绝缘层2时，可以方便地获得用于所述部件的区域。
(第二实施例)
如图4所示，第二实施例的功率元件封装101具有如下结构：其中图1中所示的两个功率元件封装100被组合。这里，图5中所示的两个上下支臂由单个封装构成。同均具有单独的半导体芯片的两个封装比较起来，由于减小了部件的数目，因此这种结构尽可能地降低了成本。此外，这种结构更加易于当制造逆变器模块时、将所述功率元件封装彼此组装。这里，图4中没有示出所述续流二极管。用于这种实施例的大多数的说明与第一实施例相同，以便下面仅描述与第一实施例的差异。
所述功率元件封装101包括一对半导体芯片7x、7y，它们具有彼此等效的电路；分别对应于半导体芯片7x、7y的单独的散热组件21、22；两个所述半导体芯片7x、7y所共用的散热组件20；覆盖芯片7x、7y的外侧、填充由散热组件20、21、22构成的空间的制模树脂组件23。所述散热组件21、22可以由相同组件形成。如此设置半导体芯片7x和半导体芯片7y，以便使这两者在图4中彼此水平地远离，从而使得它们决不会在图4中垂直地重叠。
使用所述焊接组件24、25将设置在散热组件20、21之间的所述半导体芯片7x直接与散热组件20、21相连接。相比之下，使用焊接组件28、29将设置在所述散热组件20、22之间的半导体芯片7y直接地与散热组件20、22相连接。这里，设置所述半导体芯片7y以便将半导体芯片7y的前后表面与半导体芯片7x的前后表面相反。换句话说，相对于半导体芯片7x的前后表面(或者第一和第二表面)的顶部和底部关系与半导体芯片7y的那些相反。因此，将半导体芯片7x的发射极经由散热组件20与半导体7y的集电极电气连接，以便将两个IGBT串联连接。栅极、发射极和集电极的形成结构相当于图2中的那些相应部分。
如图5所示，当三相逆变器电路由并行连接的功率元件封装101来形成时，半导体芯片7x、7y共用的散热组件20起到了与诸如电动机的负载相连的中间电极的作用。这种结构减少了中间电极所产生的寄生电感，以便借此减小噪声或者脉冲中断(off-surge)。
共用的散热组件20具有内受热表面20p和外导热面20q。在受热表面20p上，设置有绝缘层36和导电层38。所述绝缘层36具有开口36s、36t，在所述开口中形成有焊接组件25、29。在面对散热组件20的表面上，所述半导体芯片7x具有栅极，其中所述栅极的暴露的栅极区域被覆盖并且使用焊接组件27与导电层38电气连接。
所述散热组件21、22分别具有内受热表面21p、22p和外导热面21q、22q。在散热组件22的受热表面22p上，设置有绝缘层37和导电层39。所述绝缘层37具有开口37p，在所述开口中形成有焊接组件28。在与散热组件22相连的表面上，所述半导体芯片7y具有栅极，所述栅极的暴露的栅极区域被覆盖并且使用焊接组件30与导电层39电气连接。
上述导电层38、39分别经由焊接组件26、31与控制信号引线端子34、35的末端连接；控制信号引线端子34、35的其他末端分别从制模树脂组件23中向外伸出。每个散热组件20、21、22与大电流导线终端(未示出)合为整体。
(第三实施例)
如图6所示，第三实施例的功率元件封装102具有这样一种结构，其中较大尺寸的散热组件甚至可以利用丝焊来设置。这里，所述功率元件封装102包括半导体芯片7；夹入所述半导体芯片7的散热组件50、51；覆盖芯片7的外侧并且填充由所述散热组件50、51构成的空间的制模树脂组件45。将所述散热组件50、51分别与大电流的导线终端53、54合为整体。
在其与栅极暴露的表面相反的表面上，将所述半导体芯片7经由焊接组件41直接地与散热组件50相连接。在栅极被暴露的表面上，所述半导体芯片7经由隔片57和焊接组件46、47与所述散热组件51连接。所述焊接组件47连接隔片57和散热组件51，而所述焊接组件46连接所述半导体芯片7和隔片57。
所述散热组件50、51分别具有内受热表面50p、51p和外散热面50q、51q。在散热组件50的受热表面50p上，设置有绝缘层55。所述绝缘层55具有开口55s，在所述开口中，可以接纳所述半导体芯片。借此设置所述绝缘层55，以便在根据上文图6中的俯视图中，所述绝缘层55看来象是围绕所述半导体芯片7。
在所述绝缘层55上，形成有导电层56。在与散热组件50面对的表面相反的表面上形成有半导体芯片7的栅极7g(参考图2)。所述栅极7g经由焊线44与导电层56的端面连接；导电层56的其他端面经由焊线43与控制信号的引线端子40连接。引线端子40从制模树脂组件45的外围伸出。在此结构中，可以将焊线43、44在这样一个长度范围内形成，所述长度可以确保使用追加连接长度的所述导电层56的连接的可靠性。此外，控制信号的引线端子40可以容易地从制模树脂组件45向外扩展。
图7示出了功率元件封装102的分解平面视图；换句话说，并行地设置多个等效的半导体芯片7、7以便由树脂来制模和集成。这种结构适合于换接更大的电流。这里，所述制模树脂组件45固定和集成单独的半导体开关元件7、7以及散热组件50、51。
如图7所示，单独的半导体芯片7、7公用散热组件50、51。同样地设置两个芯片7、7的前后(发射极和集电极)表面，并且设置这两个表面以便如图7中的平面视图中所示那样来定位。换句话说，相对于两个芯片7、7的前后表面的顶部和底部关系是相同的。因此，并行地连接两个半导体芯片7、7。在散热组件50上形成的绝缘组件55具有开口55s、55t，所述开口的数目与制模树脂组件45集成的半导体芯片7、7的数目相同。
经由所述栅极7g、7g从控制信号的单个引线端子40将控制信号提供给所述半导体芯片7、7。具体而言，与所述引线端子40连接的导电层56分支，以便将所述控制信号提供给半导体芯片7、7，所述半导体芯片的数目(在此实施例中是两个)大于引线端子40的数目。换句话说，在所述封装内控制信号线分支。
此外，设置在导电层56上的电阻62、62用作平衡电阻，所述平衡电阻用于防止由于半导体芯片7、7之间的偏差而在转换速度方面的差异，并且用于使操作稳定。假定将多个半导体芯片7、7并行地互相连接以便集成为一个封装。这里，采用本发明的、将绝缘层和导电层形成在散热组件上的结构，能够易于提供电阻62、62。此外，图7中所示发射极7Ke是参考电压电极，用于与焊线67、67、导电层64、焊线69和引线端子60电气连接以便检测参考电压。
此外，如图7所示，像围绕半导体芯片7、7那样来形成绝缘层55，它具有大量空间以为他用。布线图的导电层56、64因此可以适当地修改。举例来说，引线端子40、60从所述制模树脂组件45的扩展方向可以得以区别。此外，能足以获得用于所述电阻62、62的空间。
(第四实施例)
使用图8与第一实施例相比较来说明作为第四实施例的功率元件封装103。这里，散热组件1、4具有孔20；将聚酰胺树脂21施加在散热组件1、4和制模树脂组件11之间。这种特征用于增强散热组件1、4和制模树脂组件11之间的粘附力。这些特征还能应用于第二和第三实施例。
(第五实施例)
利用图9与第一实施例相比来说明将作为第五实施例的功率元件封装104。这里，散热组件1具有凸状部分(或者伸出部分)1w，该部分经由焊接组件6与半导体芯片7连接。此外，焊接组件13位于半导体芯片7的控制终端和导电层3之间；所述焊接组件6位于半导体芯片7的主电极和所述散热组件1之间。这种结构能够严格地控制焊接组件6、13的数量，防止焊料从半导体芯片7的初级电极流出。因此，在焊接过程中的不良部分能被减少并且能增强可操作性。这种特征还能应用于第二实施例。
(第六实施例)
使用图10与第一实施例相比来说明作为第六实施例的功率元件封装105。这里，将输出电流的引线端子9、10连同控制信号的引线端子8一起设置在封装105的相同的一侧。取决于封装装的类型，更适宜的是，所述封装的相同侧具有电流输出的引线端子9、10以及控制信号的引线端子8。此特征还能应用于第二和第三实施例。
(第七实施例)
使用图11与第一实施例相比来说明作为第七实施例的功率元件封装106。这里，电流输出的引线端子9、10以及控制信号的引线端子8被弯曲以便适合于表面安装。此特征还能应用于第二和第三实施例。
(第八实施例)
使用图12与第一实施例相比来说明作为第八实施例的功率元件封装107。将散热组件1、4向外分别与绝缘层22、23相连接。然后将所述绝缘层22、23向外分别与金属层24、25相连接。通常，如此来安装本发明的封装，以便使其散热组件邻近冷却单元，这需要散热组件和冷却单元之间是绝缘的。在此实施例中，此绝缘物预先在封装上形成作为绝缘层22、23。此外，诸如铜之类的金属层24、25起绝缘层22、23的保护层的作用。此特征还能应用于第二和第三实施例。
对于本领域技术人员来说显而易见的是，根据本发明的上述实施例可以作出各种改变。然而，本发明的范围应该由以下的权利要求来确定。

Claims (18)

1.一种半导体器件(100)包括：
包括第一和第二表面的两个表面的半导体开关元件(7)的元件(7)，其中第一电极(7e、7c)被暴露在第一表面之上，第二电极(7e、7c)被暴露在第二表面之上，并且控制电极(7g)被暴露在控制电极暴露表面上，所述控制电极暴露表面是第一和第二表面的其中一个；
将所述元件置在其间的两个散热组件(1、4)，其中所述两个散热组件分别与第一和第二电极电气连接，其中两个散热组件中的每个都具有内表面(1p、4p)和外表面(1q、4q)，其中所述内表面比所述外表面更接近所述元件；
填充两个散热组件之间的空间的制模树脂组件(11)；
在两个散热组件的内表面的至少一个上形成的绝缘层(2)；以及
在所述绝缘层上形成的导电层(3)，并且所述导电层与控制电极和从所述制模树脂组件伸出的输入部分(8)电气连接，
其中第一和第二电极的其中一个与形成有绝缘层的内表面的非绝缘部分(1p)电气连接，其中在非绝缘部分上不形成绝缘层。
2.如权利要求1所述的半导体器件(100)，其中
所述元件的控制电极暴露表面面对所述导电层。
3.如权利要求2所述的半导体器件(100)，其中
利用导电性连接组件(13)将所述控制电极与所述导电层重叠和电气连接，并且
其中暴露在控制电极暴露表面上的第一和第二电极中的一个(7e)利用导电性连接组件(6)与所述内表面的非绝缘部分重叠和电气连接。
4.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件(100)，其中
所述输入部分包括控制信号的引线端子(8)，并且
其中引线端子的第一末端从制模树脂组件中伸出，同时利用导电性连接组件(12)将引线端子的第二末端与所述导电层重叠和电气连接。
5.如权利要求1到4中任一项所述的半导体器件(100)，其中
所述导电层包括由铜和铜合金的至少一种形成的图形布线(3)。
6.如权利要求1到5中任一项所述的半导体器件(100)，其中
所述绝缘层由耐热树脂(2)形成。
7.如权利要求1、2、4、5和6中任一项所述的半导体器件(100)，
其中
暴露在控制电极暴露表面上的第一和第二电极的一个(7e)与所述内表面的非绝缘部分重叠，
其中所述非绝缘部分作为绝缘层的开口(2p)而形成，如此使得在俯视时，非绝缘部分的区域(2p)围绕第一和第二电极的一个的区域(W2)，所述第一和第二电极暴露在控制电极暴露表面上，并且
其中暴露在控制电极暴露表面上的第一和第二电极的其中一个与所述内表面的非绝缘部分电气连接。
8.如权利要求1所述的半导体器件(101)，其中
所述元件包括第一(7x)和第二(7y)元件，这两个元件均具有彼此等效的电路，
其中两个散热组件的第一散热组件(21、22)包括用于第一元件的确定的第一散热组件(21)，以及用于第二元件的给定的第一散热组件(22)，其中两个散热组件的第二散热组件(20)是第一和第二元件共用的，
其中所述制模树脂组件(23)将第一和第二元件以及第一和第二散热组件固定为一体，
其中，沿第一和第二元件表面的方向，在其间以一间隙(23)来设置第一和第二元件以便第一元件的表面不与第二元件的表面重叠，其中关于第一元件的第一和第二表面的顶部和底部关系与第二元件的相反，其中第一和第二元件彼此电气串联连接，
其中所述非绝缘部分包括在第二散热组件的内表面(20p)上形成的第一非绝缘部分，以及在所述的给定的第一散热组件的内表面(22p)上形成的第二非绝缘部分，
其中第一元件的控制电极利用导电性连接组件(27)与在第二散热组件之上形成的导电层(38)重叠和电气连接，其中暴露在第一元件的控制电极暴露表面上的第一和第二电极的其中一个利用导电性连接组件(25)与第二散热组件的第一非绝缘部分重叠和电气连接，其中暴露在与第一元件的控制电极暴露表面相反的表面上的第一和第二电极的其中一个使用导电性连接组件(24)而与所述确定的第一散热组件电气连接，
其中使用导电性连接组件(30)将第二元件的控制电极与在给定的第一散热组件上形成的导电层(39)重叠和电气连接，其中暴露在第二元件的控制电极暴露表面上的第一和第二电极的其中一个利用导电性连接组件(28)与所述给定的第一散热组件的第二非绝缘部分重叠和电气连接，其中暴露在与第二元件的控制电极暴露表面相反的表面上的第一和第二电极的其中一个使用导电性连接组件(29)而与第二散热组件电气连接，并且
其中第二散热组件包括与具有电感性负载的负载相连接的中间电极。
9.如权利要求1所述的半导体器件(102)，其中
所述导电层(56)使用焊线(44)而与元件(7)的控制电极电气连接，
其中所述输入部分(40)包括控制信号的引线端子(40)，
其中所述引线端子的第一末端从制模树脂组件(45)中伸出，同时所述引线端子的第二末端使用焊线(43)而与导电层电气连接，并且
其中所述焊线由制模树脂组件覆盖。
10.如权利要求9所述的半导体器件(102)，其中
所述元件是多个元件(7、7)的其中一个，
其中沿元件表面的方向在其间以一定间隙来设置多个元件，如此使得一个元件的表面不与相邻元件的表面相重叠，
其中相对于多个元件的第一和第二表面的顶部和底部关系是相同的，以便使多个元件互相并行地电气连接，并且
其中多个元件经由导电层(56)与至少一个引线端子(40)电气连接，其中所述导电层分支到所述多个元件，如此使得多个元件的数目大于引线端子的数目。
11.如权利要求1所述的半导体器件(103)，其中
两个散热组件的至少一个包括孔组件(20)，在所述孔组件中能够设置制模树脂组件(11)，并且
其中将聚酰胺树脂(21)施加到两个散热组件的至少一个的给定表面，所述定给表面可以与制模树脂组件直接接触。
12.如权利要求1所述的半导体器件(104)，其中
所述元件的控制电极暴露表面面对导电层(3)，
其中利用导电性连接组件(13)将控制电极与导电层重叠和电气连接，
其中暴露在控制电极暴露表面上的第一和第二电极中的一个利用导电性连接组件(6)与所述内表面的非绝缘部分(1W)重叠和电气连接，并且
其中非绝缘部分从形成绝缘层(2)的部分伸出。
13.如权利要求1所述的半导体器件(100、105)，还包括：
第一引线端子(10)，其第一末端与两个散热组件的第一散热组件(4)电气连接、并且其第二末端从制模树脂组件(11)中向外伸出；
第二引线端子(9)，其第一末端与两个散热组件的第二散热组件(1)电气连接、并且其第二末端从制模树脂组件中向外伸出；以及
第三引线端子(8)，其包括在输入部分中，其中第三引线端子的第一末端从制模树脂组件向外伸出，同时利用导电性连接组件(12)将第三引线端子的第二末端与所述导电层(3)重叠和电气连接。
14.如权利要求13所述的半导体器件(100)，其中
第一和第二引线端子从制模树脂组件的确定一侧向外伸出，并且
其中所述第三引线端子从制模树脂组件的给定一侧向外伸出，所述给定的一侧面不同于所述确定的一侧。
15.如权利要求13所述的半导体器件(105)，其中
所述第一、第二和第三引线端子从制模树脂组件的一侧向外伸出。
16.如权利要求13所述的半导体器件(106)，其中
从制模树脂组件中伸出的第一、第二和第三引线端子的三个第一末端被弯曲，以便适合于表面安装。
17.如权利要求1所述的半导体器件(107)，其中
两个散热组件(1、4)的至少一个向外与附加的绝缘层(22、23)连接，并且
其中所述附加的绝缘层然后向外与附加的导电层(24，25)连接。
18.如权利要求1所述的半导体器件(100)，其中输入部分包括在导电层中。
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