CN1524270A - Dram及dram的刷新方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可以减少刷新时的访问损失时间的DRAM。这种DRAM在进行通常的访问的同时可对别的存储体进行刷新，可以象SRAM一样处理该DRAM。该DRAM包括指示执行刷新的执行指示单元；指定待刷新的存储单元的存储体编号的存储体指定单元；指定在指定的存储体内进行刷新的存储单元的行地址的地址指定单元。

Description

DRAM及DRAM的刷新方法
技术领域
本发明涉及具有存储体(bank)的DRAM以及具有存储体的DRAM的刷新方法。
背景技术
在DRAM中，除了RAS-Only＝Refresh(通常的刷新)之外，还有利用RT(刷新计时器)和RAC(行地址计数器)在定期地更新行地址的同时顺序进行刷新的方法。图4示出其结构图。在存储体数量多时，RAC指示待刷新的存储体地址R-bank及行地址R-row。从RAC输出的存储体地址R-bank输入到BS(存储体选择器)，行地址R-row输入到RS(行选择器)。输入到BS中的是已经输入到AI(地址输入)的待访问的存储体地址bank，而输入到RS中的是已经输入到AI的待访问的行地址row。
从BS输出存储体地址R-bank或bank，从RS输出行地址R-row或row。bank及row的输出和R-bank和R-row的输出的选择，由RT指示。RT包含计时器电路，以规定的时间间隔指示R-bank及R-row输出。此指示，也发送到CE(列启用)，其中已经输入有输入到AI的列地址。在指示R-bank及R-row的输出期间，CE暂时中止列地址co1umn的输出。
待访问的存储体、行地址、列地址、待刷新的存储体地址、行地址中的某一个送到存储阵列。因为切换的是对整个芯片为公共的存储体和行地址，每次只能访问一个存储体。即使是不能访问的存储体很多，也不能同时对其进行刷新。在进行刷新时，不进行通常的读写访问，优先进行刷新。在刷新时，存储器的可用性降低，数据传输率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以减少刷新时的访问损失时间的DRAM。这种DRAM在进行通常的访问的同时可对别的存储体进行刷新。于是可以用DRAM置换SRAM。
本发明的DRAM关键之处为这是一种访问以存储体编号、行地址和列地址指定的存储单元的DRAM(动态随机存储器)，其构成包括：指示执行刷新的执行指示单元；指定待刷新的存储单元的存储体编号的存储体指定单元；指定在指定的存储体内进行刷新的存储单元的行地址的地址指定单元；以及在执行指示单元发出刷新执行指示时，对存储体指定单元指定的存储体内的由地址指定单元指定的行地址的存储单元进行刷新的执行单元。
另外，本发明的DRAM的刷新方法的关键之处为这是一种通过指定存储体编号、行地址和列地址来访问存储单元的DRAM(动态随机存储器)刷新方法，其构成包括：指示执行刷新的执行指示步骤；指定待刷新的存储单元的存储体编号的存储体指定步骤；指定在被指定的存储体内进行刷新的存储单元的行地址的地址指定步骤；以及在指示刷新执行时，对指定的存储体内的指定的行地址的存储单元进行刷新的执行步骤。
附图说明
图1为示出本发明的DRAM的一构成例的框图。
图2为示出图1所示的ZLC的一构成例的电路图。
图3为示出图2的电路动作的定时图。
图4为示出现有的DRAM的一构成例的框图。
具体实施方式
下面根据附图对本发明的DRAM及DRAM的刷新方法的实施方式予以详细说明。
如图1所示，本发明的DRAM 10的构成包括：指示刷新执行的RTE(刷新计时器&启用：执行指示单元)；指定待刷新的存储体编号的BAC(存储体地址计数器：存储体指定单元)；指定在指定的存储体内待刷新的存储体单元的行地址的ZLC(Z线计数器：地址指定单元)；在从RTE发出执行刷新的指示时，对在BAC内指定的存储体内的由ZLC指定的行地址的存储体单元进行刷新的执行单元。
在BAC中包含：保持待刷新的存储体单元的存储体编号的保持单元；在从RTE发出执行刷新的指示时，更新由保持单元保持的存储体编号的单元。
ZLC中包含：针对每个存储体保持待刷新的存储体单元的行地址的保持单元；在从RTE发出执行刷新的指示时，更新由保持单元保持的行地址的单元。
上述的执行单元包含：用作检测待访问的存储体编号和待刷新的存储体编号的一致性的单元的BCRBI(存储体比较&刷新存储体指示器)；用作根据存储体编号的一致性选择待访问的行地址或待刷新的行地址的单元的ZLS(Z线选择器)；以及在选择待刷新的行地址时暂时停止列地址指定的单元CP(列预译码器)。
本发明的DRAM 10的作用是藉助包含于存储体内的ZLS进行待访问的行地址和待刷新的行地址的选择。在ZLS中输入来自ZLC的待刷新的行地址及来自RP(行预译码器)的待访问的行地址。在CP中输入待访问的列地址。ZLC保持待刷新的行地址，在每次执行刷新时更新所保持的行地址。RP、CP可以保持行地址、列地址。
输入到RP、CP的行地址、列地址，是从AI(存储体、行&列地址输入)发送的。输入到AI的存储体编号发送到各个存储体，执行对该编号的存储体的访问。输入到AI的存储体编号还被送到BCRBI。在BCRBI中输入来自RTE的指示执行刷新的信号和来自BAC的指示待刷新的存储体的信号。BCRBI检测待访问的存储体和待刷新的存储体的一致性。存储体一致性的检测结果发送到各个存储体的ZLC和CP。
在不能检测存储体的一致性时，分别指定待刷新的存储体和待访问的存储体。在待刷新的存储体中，信号输入到ZLC及CP中，CP暂时中止列地址的输出，ZLS指定保持于ZLC中的行地址，进行刷新。在访问的存储体中，访问由从BP经ZLS输出的行地址和从CP输出的列地址指定的存储单元。
在检测存储体的一致性时，指示对同一存储体进行访问和刷新。ZLS，选择待刷新的列地址，CP的列地址输出暂时中止，进行刷新。在刷新进行期间，待访问行地址、列地址保持于RP、CP中。在刷新结束时，从RP、CP输出待访问的行地址、列地址，ZLS选择待访问的行地址进行访问。BCRBI，将检测一致性这一点通知存储器控制器。
如图2及图3所示，Pedecoder(预译码器)利用2位的TC，做成4根Z线，此4根Z线中只有一根变为高电平。如果地址增加一位计数，由低位的2地址产生的Z线的高电平移动到邻接的高位Z线。通过在每次刷新时使Z线的高电平移动而作为计数器使用。
图2示出低位的4位，其中前提是其结构相同，数目与必需的行地址位数一样。因为Reset应该将计数器初始化为开始地址，作为地址从何处开始都可以，作为各2位的最高位的Z01/11及Z23/11锁定为高电平。最低位2位的ZLC，在每次刷新时计数，其更高位只有在最高位处于高电平时计数。
在图3中，PH1’及PH2’的动作使Z23/00-11只有在作为其低位的最高位的Z01/11处于高电平时计数。所以，Z01/11及Z23/11的初始值选为高电平。PH2及PH2’，PH1及PH1’分别为起锁定功能和传输功能的Non-overlap的时钟，如图4所示，高电平，在最低位2位的预译码器的0、1中，从Z01/11开始，在每次刷新时向着Z01/00及Z01/01计数。其上的位2、3，只在Z01/11为高电平时，从Z2/11向Z23/00计数。
在上述方式中，待刷新的存储体及待刷新的定时是在存储器芯片中确定，但这些也可以设置于控制器内使待刷新的存储体和为读写而访问的存储体互相不冲突即可。
其次，对采用这种DRAM的刷新方法予以说明。指定待刷新的存储体的信号和从外部访问的存储体编号、行地址、列地址，分别送到应该刷新或访问的存储体。对于由AI指定的存储体的访问和由BAC指定的存储体的刷新同时进行。
如果待刷新的存储体和待访问的存储体相同，则在该存储体中优先进行刷新。从BCRBI通知存储器控制器，访问的执行延迟一个周期。在执行刷新期间，行地址、列地址锁定在RP及CP中。如果刷新结束，就立即访问已经锁定的地址。
这样，就可以同时平行进行刷新和通常的访问。如果待刷新的存储体和待访问的存储体重合，则顺序进行刷新及访问。此时，通知存储器控制器，访问的执行延迟一个周期。在刷新后，对同一存储体连续进行访问之际，其访问的定时也分别延迟一个周期。刷新对通常的访问的影响，可以抑制为时间损失最少，即由刷新引起的访问延迟只有一个周期。如果存储体数目多，因为刷新和从外部访问同一存储体的几率降低，可以在使数据传输率的损失几乎为零的情况下进行刷新。
刷新与访问几乎可以同时进行，从外部可以看不到刷新动作。由于看起来像是没有进行刷新，所以可以与SRAM同样对待。
以上针对本发明的DRAM及DRAM的刷新方法以实施例进行了说明，但本发明不限定于此。本发明，在不脱离本发明的精神的范围内本领域技术人员根据其知识可以实现具有多种改进、修改和变型的实施方式。
根据本发明，可以使刷新与通常的访问同时进行。可以改善由通常的刷新动作引起的数据传输率的降低。使得从外部看不到刷新动作，可以将其与SRAM同样看待，可以与SRAM进行置换。

Claims (7)

1.一种DRAM，该DRAM是一种访问以存储体编号、行地址和列地址指定的存储单元的DRAM(动态随机存储器)，包括：
指示执行刷新的执行指示单元；
指定待刷新的存储单元的存储体编号的存储体指定单元；
指定在指定的存储体内进行刷新的存储单元的行地址的地址指定单元；以及
在执行指示单元指示进行刷新时，对存储体指定单元指定的存储体内的由地址指定单元指定的行地址的存储单元进行刷新的执行单元。
2.如权利要求1所述的DRAM，其中上述存储体指定单元包括：保持待刷新的存储单元的存储体编号的保持单元；在从上述执行指示单元指示执行刷新时，更新由上述保持单元保持的存储体编号的单元；
上述地址指定单元包括：对每个存储体保持待刷新的存储单元的行地址的保持单元；在从上述执行指示单元指示执行刷新时，更新由上述保持单元保持的行地址的单元。
3.如权利要求1或2所述DRAM，其中上述执行单元包含：检测待访问的存储体编号和待刷新的存储体编号的一致性的单元；根据存储体编号的一致性选择待访问的行地址或待刷新的行地址的单元；以及在选择待刷新的行地址时暂时停止列地址指定的单元。
4.一种通过指定存储体编号、行地址和列地址来访问存储单元的DRAM(动态随机存储器)刷新方法，包括：
指示执行刷新的执行指示步骤；
指定待刷新的存储单元的存储体编号的存储体指定步骤；
指定在指定的存储体内进行刷新的存储单元的行地址的地址指定步骤；以及
在指示执行刷新时，对指定的存储体内的指定的行地址的存储单元进行刷新的执行步骤。
5.如权利要求4所述的DRAM的刷新方法，其中上述存储体指定步骤的构成包括：在指示执行刷新时从保持待刷新的存储体单元的存储体编号的存储体编号保持单元读出所保持的存储体编号的步骤；和在上述读出之后，更新由存储体编号保持单元保持的存储体编号的步骤；
上述地址指定步骤包括：在指示执行刷新时从保持待刷新的存储单元的行地址的地址保持单元读出所保持的行地址的步骤；和在上述读出之后，更新由地址保持单元保持的行地址的步骤。
6.如权利要求4所述的DRAM的刷新方法，其中上述执行步骤包含：检测待访问的存储体编号和待刷新的存储体编号的一致性的步骤；根据存储体编号的一致性选择待访问的行地址或待刷新的行地址的步骤；以及在选择待刷新的行地址时暂时停止列地址指定的步骤。
7.如权利要求6所述DRAM的刷新方法，其中上述选择步骤包含：在选择待刷新的行地址之后进行刷新的步骤；在上述刷新之后选择待访问的行地址进行访问的步骤；以及将对行地址的访问延迟通知存储器控制器的步骤。
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