CN1491419A - 高电导率聚苯胺组合物及其用途 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了从聚苯胺和碳纳米管形成的组合物，该组合物显示出提高的电导率并提出了在电子电路应用方面的用途。

Description

高电导率聚苯胺组合物及其用途
技术领域
本发明描述了从聚苯胺和碳纳米管形成的组合物，该组合物显示出提高的电导率并提供了在电子电路中新型应用方面的高效用。
背景技术
导电性聚合物是业内早就知道的，包括聚乙炔、聚吡咯、聚(对亚苯基)、及其衍生物。虽然在一些情况下显示出像金属一样的电导率，但高导电性聚合物在其实际应用方面一直受到限制，因为它们在使用中典型地是化学上不稳定的，而且是实际上不易驾驭的，既不适合于溶液加工也不适合于熔体加工。所有导电性聚合物都需要通常简称为掺杂的酸或氧化物官能度，才能达到其高电导率。
聚苯胺(PANI)从导电性聚合物中脱颖而出，就在于业内已知它是化学上稳定的而且易溶于惯常环境上友好的溶剂中，因而提供了采用业内普通手段来形成涂料、薄膜与片材、纤维、印刷图案等的可能性。
导电性PANI在Chiang等人Synthetic Metals，13(1986)，pp 193-205中有十分详细的描述。Chiang等人公开了许多PANI组合物，确认了有质子酸掺杂的翠绿亚胺氮碱盐作为最高导电性形式，其电导率为5S/cm。这个电导率仍然远低于某些其它导电性聚合物特征的102S/cm范围，该范围代表在电子学上普遍利用的实际阈限电导率。
Levon等人，Polymer 36，pp 2733ff((1995)和Ahiskog等人Synthetic Metals，69，pp 135 ff(1995)公开了该PANI氮碱盐在高温下通过与液体有机酸例如十二烷基苯磺酸(DBSA)化合的生成。
找到一条提高PANI的电导率同时保存其理想的化学稳定性和可加工性的通道，是颇具刺激性的。具体地说，一种显示出大约102S/cm的电导率的PANI组合物可能是一种在电子学上有重要应用的非常好的材料。
PANI与无机填料包括导电性填料例如石墨、金属纤维、和超导陶瓷组合是业内已知的，见例如Jen等人美国专利5,069,820。
碳纳米管是一种与俗称“Buckminster Fullenrene”的C60球形材料有关的、相对新的物质形式。虽然新，但碳纳米管已经因其非凡结构而诱发了许多兴趣，而且是商业上可得的。在Peter J、F、Harris，Carbon Nanotubes and Related Structures，Cambridge UniversityPress，Cambridge，UK(1999)中对它们有颇详细描述。
在Coleman等人Phys.Rev.B58(12)R7492ff(1998)、Chen等人Advanced Materials 12(7)522ff(2000)、和Yoshino等人FullereneSci.Tech.7(4)695ff(1999)中，公开了呈薄膜形式的导电聚合物与碳纳米管的复合材料。
Coleman等人同上引文公开了聚(对亚苯基亚乙烯基共2，5-二辛氧基间亚苯亚乙烯基)(PMPV)与用电弧程序生产的碳纳米管的复合材料。纳米管加残留烟灰的质量分数范围是大约0.5～35％。薄膜是从一种甲苯溶液旋涂到一个铂表面上的。已经表明，在约4％～约9％纳米管之间，电导率显示出六个数量级增加。
在Coleman等人同上引文中也公开了一种用PMMA制作类似复合材料的失败尝试。据说，这种失败是由于分子构象原因的结果。
Chen等人同上引文公开了纳米管与聚吡咯的复合薄膜。同时公开了薄膜和涂布纳米管。据显示，该纳米管提高了该聚吡咯的电导率。该薄膜是通过使各种基材暴露于吡咯与纳米管的一种溶液中、随后使吡咯在该基材原位电聚合、从而使该纳米管夹持在聚合物基体内而沉积的。Chen也采用了电弧生长的纳米管。
Yoshino等人同上引文公开了用化学蒸气沉积生产和精制的聚(3-己基噻吩)(PAT6)与纳米管的复合材料。将该纳米管分散在己烯中并与该聚合物的氯仿溶液混合。通过浇铸在一种石英板上形成薄膜。在约1％～约10％的体积分数之间观察到电导率约4个数量级变化，且渗滤阈限值估计在约5.9％。
在Ellis等人美国专利5,171,650中及其它地方，描述了彩色校样和印刷用激光热烧蚀影像转移技术。类似的方法目前正在商业应用于印刷和出版商务中。
发明内容
本发明提供一种组合物，包含翠绿亚胺聚苯胺的一种氮碱盐衍生物和碳纳米管。
本发明进一步提供电子电路，包含翠绿亚胺聚苯胺的一种氮碱盐衍生物和碳纳米管的导电通道。
本发明进一步提供一种从一个供体元件向一个与该供体元件相邻的受体基材上沉积导电通道的工艺，其中，该供体元件是一种层状结构，包含一个能部分地吸收激光辐射的支撑层、一个或多个加热层、和一个成像面漆转移层、和任选地一个推出层，该工艺包含
(a)使所述支撑层曝露于入射激光能量；
(b)使所述激光能量在所述一个或多个与该面漆相邻的、能吸收所述激光能量的加热层中转化成热量；
(c)施加到所述面漆上的所述热量足以使所述面漆的至少一部分转移到一个接受表面上；
其中，该面漆是一种导电性PANI/纳米管复合材料。
附图说明
图1显示用来在一种基材上形成电子学导电通道的激光沉积装置的示意图。
图2是一种使用计算机辅助软件产生的像素化影像。该影像是像本文中进一步描述的那样转换成像素图案的。
图3代表一幅显示一种电源与浚流的接通以及一种干预渠道的影像。
具体实施方式
本发明描述包含聚苯胺和碳纳米管的组合物，该组合物显示约102s/cm的电子电导率，同时保留聚苯胺理想的化学稳定性和溶液可加工性。本发明的组合物非常适用于制备成以溶液/分散液形式在基材上沉积的涂料。在一种较好实施方案中，采用这样沉积的涂料作为一种热影像转移介质，从而能够在电子电路中形成导电通道。
在本发明的实施中，PANI的翠绿亚胺形式，其中PANI是像Chiang等人同上引文中详细描述的那样由该单体的氧化型单元和还原型单元交替构成的，按照Chiang等人的方法用一种质子酸处理以形成一种氮碱盐。按照一种方法，使水不溶性翠绿亚胺分散于一种质子酸例如HCl水溶液中，随后干燥以形成一种导电性粉末。然而，较好的是使该翠绿亚胺碱与一种液体有机酸例如十二烷基苯磺酸(DBSA)化合以生成一种可溶于常用溶剂例如甲苯、二甲苯、及其它芳香族溶剂中的有机盐。为了达到高水平电导率，该翠绿亚胺碱应当与液体酸在80～150℃的温度化合。在该酸处于摩尔赤字的情况下，所有酸都在PANI碱单元的质子化中消耗掉，因而该体系由质子化的和未质子化的PANI构成单元组成。反之，在摩尔过量的酸的情况下，所有PANI碱都被质子化，且该混合物由质子化PANI和过量酸组成。过量酸提高了溶解度，但可能对电子性能产生有害影响。
业内人士将会知道，本发明的意外效果和效益也许不能用虽然生成的每一种质子化PANI来实现。在本发明的实践中发现，某些质子化PAN I组合物是高度有效的，而另一些则是低效的，如同以下的其具体
实施方案所示。
单壁的和多壁的纳米管都是业内已知的，而且其中任意一种都适用于本发明的实施。进而该纳米管末端存在的帽可以通过用氧化性酸(Tsang等人 Nature，372，(1994)1355)例如硝酸处理来减少，这不可避免地会产生用来使PANI质子化的表面酸。业内目前采用若干种方法来生产纳米管。无论采用哪一种方法，都较好的是该纳米管相对地没有沾污物质。较好的是90wt％以上的纯度。较好的是单壁纳米管。
业内人士将会理解，达到所要求电导率提高所需要的纳米管的确切浓度，除其它方面外，将取决于该PANI已被转化成氮碱盐的程度、所采用的特定纳米管、和目标电导率。在本发明的组合物中，0.5～30wt％的纳米管浓度是适用的，较好是1～10wt％的浓度、最好是1～5wt％的浓度。在低于0.5wt％的浓度，预期电导率的实际增加微不足道。预料30wt％以上的浓度会有害地影响该复合材料的物理性能。目前纳米管是昂贵的，采用多于达到所希望的电导率提高所需要的纳米管的最低数目是不理想的。
在本发明的实践中已经令人满意地发现的是通过使一种有机酸例如DBSA或DNNA的氮碱盐以约5～15wt％的浓度溶解于一种芳香族溶剂例如甲苯或二甲苯中，然后使该溶液与碳纳米管在相同或一种可混溶第二溶剂中的分散液混合，来形成本发明的复合材料。纳米管在该分散液中的浓度是约0.5～10wt％。该复合材料中纳米管与聚合物的重量比可以通过简单地控制所采用的溶液和分散液的相对数量来控制。已经发现该纳米管分散液在遭遇到室温下10～30分钟、较好20分钟的超声波搅拌之后达到令人满意的均匀度。在纳米管分散液与聚合物溶液合并之后，使它们遭遇2.5～10分钟、较好5分钟的超声波搅拌。然后，在混合之后，用业内已知的任何一种惯常方法，就可以将这样形成的分散液浇铸到一种基材上。一种较好的方法是将该混合物铺展到一种基材例如一种聚酯薄膜上，并使用一把刮刀产生一种厚度均匀的涂膜。然后使该涂膜遭遇真空提取以脱除溶剂，留下本发明复合材料的固体涂膜。
本发明复合材料的一种特别好的用途是作为电子电路中的导电通道，所述导电通道是通过激光热转移成像产生的。在激光热转移成像中，使用一种供体元件，从而在该供体元件暴露于一连串用来描述一种图案的激光脉冲时使一种影像转移到一种受体元件上，该图案赋予所转移影像以所希望的形式和分辨率。
该供体元件是一种层状结构，包含一个支撑层、较好一个可挠曲支撑层，一个加热层，和一个转移层。在一种实施方案中，该支撑层溅射涂装了一薄层金属，然后再用溶液涂装一层本发明的PANI/NT复合材料。
在使用中，该薄金属加热层吸收入射激光辐射使其转化成热量，从而引起靠近该激光入射点的任何有机物质的部分分解，这又将该PANI/NT层推进到一种受体基材上。该有机物质可以包括该聚合物基材、一种专为其迅速分解成气态副产物而选择的任选单独有机“排出层”和该PANI/NT转移层本身。正是该有机物质靠近该加热层的部分的分解产生迅速膨胀的气态低分子量成分，从而提供推进力把毗邻的PANI/NT层部分推进到接受元件上。该激光可以在该供体元件的整个涂布表面上扫描、按照一个预编程图案开关、从而在接受表面上形成一种高度准确影像。
激光热烧蚀转移成像是彩色校样和印刷业内众所周知的，详见例如Ellis等人美国专利No.5,171,650，该专利全文列为本文参考文献。一个完全令人惊讶的结果是，Ellis等人的方法通过用本发明的PANI/纳米管复合材料代替Ellis等人的着色层就能整个地适应导电性聚合物通道的生产。在本发明中，供体元件包含一种支撑基材(i)，一个能部分地吸收高功率激光辐射脉冲并迅速地把所述吸收的激光辐射在足够小面积范围内转化成热量从而使可接受分辨率的影像转移到接受表面上的层(ii)，一个基本上与所述辐射吸收层同域的成像面漆层(iii)，所述成像面漆层(iii)包含本发明的高导电性PANI/纳米管复合材料。在一种第二实施方案中，也包括一个专门度身订做的任选有机排出层，以期提高对激光脉冲的反应速度和准确度。
在本发明的实践中，所述辐射吸收层(ii)吸收以足以使载体面漆层(iii)转移到接受表面的速率施加的、和在足以使在接受表面上形成的影像具有足以达到意向目的的分辨率的狭窄范围内施加的入射激光能量。用这种方法可以容易地达到1μm的分辨率。
对于加热激光束来说，必须吸收进来的辐射。该金属层的光学吸收是至关重要的。如果该金属层太厚，则它会反射入射辐射；若它太薄，则它会透射辐射。进来辐射的最大吸收有一个最佳厚度。这决定于该特定金属层在该激光波长上的介电常数。在本发明的实践中，已经发现约10纳米厚度的Ni是令人满意的。
该接受表面是与该转移介质的成像面漆层直接且密切接触的。
在本发明的实践中，已经发现Mylar聚酯薄膜是本发明激光热转移介质的一种令人满意基材。其它适用基材将包括聚氯乙烯、聚丙烯和聚乙烯。对于该基材没有特别的限制，只是它们必须是聚合物的而且是对入射激光辐射透明的。
无需一个单独的有机排出层，只利用一个支撑层、一个加热层、和一个PANI/NT转移层就能达到令人满意的结果，其中，该加热层的界面发生部分分解而生成推进该PANI/NT所必需的气态分解产物。然而，较好有一个单独的有机排出层。
在本发明实践中较好的有机排出层中，较好使用聚合物、尤其分解温度在PANI/NT复合材料以下的聚合物。适用的聚合物包括聚碳酸酯例如聚碳酸丙二醇酯；有取代苯乙烯聚合物例如聚(α-甲基苯乙烯)；聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯，例如聚甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸丁酯；纤维素材料，例如纤维素乙酸酯丁酸酯和硝基纤维素；聚氯乙烯；聚(氯乙烯基氯)；聚缩醛；聚偏二氯乙烯；分解温度约200℃的聚氨酯；聚酯；聚原酸酯；丙烯腈和有取代丙烯腈聚合物；马来酸树脂；和以上的共聚物。也可以使用适用聚合物的混合物。该排出层的较好聚合物是聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯、硝基纤维素、聚(氯乙烯)(PVC)、和氯化聚(氯乙烯)(CPVC)。最好的是聚(氯乙烯)和氯化聚(氯乙烯)。在一些情况下令人满意的是采用该聚合物排出层兼作为支撑层，从而消除该供体元件结构中的一整层；然而，较好的是使用两个不同的层。虽然最佳安排将因特定应用的紧迫性而异，但一般来说该排出层和支撑层的总厚度应当在1～3μm的范围内。当采用一个单独的支撑层时，一个小于25μm的排出层是令人满意的，但要足以提供该PANI/NT层的充分烧蚀(该烧蚀区是0.2～0.3μm)。
其它材料可以作为添加剂存在于该排出层中，只要它们不干扰该层的基本功能即可。这样的添加剂的实例包括增塑剂、涂布助剂、流动添加剂、滑爽剂、防吸入剂、防静电剂、表面活性剂、以及已知要用于涂料配方中的其它药剂。在希望有这样的添加剂的本发明实施方案中，特别好的是有一个区别于PANI/NT复合材料本身的排出层。
该加热层较好吸收该入射激光辐射的20～40％，而且能支持该激光脉冲入射点温度的极快上升。在一种较好实施方案中，该加热层沉积在可挠曲排出层上。适用于该加热层的材料可以是无机的或有机的，而且可以固有地吸收该激光辐射，或者包括另外的激光辐射吸收性化合物。无机材料是较好的。
适用的无机材料包括过渡金属、金属、和非金属、其中包括化学元素周期表IIIa族、IVa族、Va族、VIa族、VIII族、IIIb族、和Vb族的元素、它们彼此的合金、以及它们与Ia族和IIa族元素的合金。碳是一种适用的非金属。金属是较好的。较好的金属包括Al、Cr、Sb、Ti、Bi、Zr、Ni、In、Zn、及其氧化物、低氧化物和适用合金。更好的是Al、Ni、Cr、Zr和C。最好的是Al、Ni、Cr、和Zr。
该加热层的厚度一般是约20～0.1μm、较好约50的Al和80的Cr。该金属层的特定厚度是根据在该激光波长上能提供最大吸收的厚度来选择的。因此，该金属厚度取决于每一种金属的比介电常数。
尽管较好的是有一个单一加热层，但也可以有不止一个加热层，而且这些不同层可以有相同或不同的组成，只要它们全都像以上所述那样发挥作用即可。所有加热层的总厚度应当在以上给出的范围内，即20～0.1μm。
这些加热层可以使用任何一种众所周知的薄金属层提供技术例如溅射、化学蒸气沉积、和电子束沉积来施用。
本发明的PANI/NT组合物是较好通过从甲苯或二甲苯的溶液浇铸、经由迈耶绕线棒涂布而在该金属涂层上沉积到范围为0.3～3μm、较好1μm的干膜厚度的。
这样形成的供体元件配置在该接受表面上，使该PANI/NT涂层能与该接受表面直接接触。然后，使该供体元件的相反表面遭遇到呈脉冲图案的激光照射，从而引起PANI/NT脱离该转移介质并以所希望的图案到达接受基材上。适用的激光照射包括以约1μs持续时间的脉冲输送、100mJ/cm2～400mJ/cm2的入射能流、780nm～850nm的波长范围的红外二极管激光照射。入射激光能流必须高到足以进行一个PANI/NT“脉冲”的排出，但不要高到引发该PANI/NT材料降解的程度。
适用的接受表面包括聚甲基丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯共聚物。该受体的典型涂层是涂布到一种聚酯基材上的甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、苯乙烯和聚己内酯的共聚物，也可以是自立的。
在一种较好的实施方案中，使用图案化的PANI/NT层作为一种塑料晶体管的源和浚流，其中，半导体、介电体和门将按顺序沉积，以完成该电路。
按照下列特定实施方案进一步说明本发明。
实施例1
该PANI-DBSA材料是UNIAX公司(美国加利福尼亚州圣巴巴拉)以9％固体甲苯溶液供应的。在1100℃的炉中通过一种金属/碳靶的脉冲式激光蒸发制造的单壁碳纳米管购自赖斯大学(RiceUniVersity)。该纳米管通过在硝酸、水和甲苯中漂洗精制到90％纯度以上。主要杂质是剩余的Ni/Co催化剂微粒。该碳纳米管的长度范围为0.2～2μm。
该纳米管以1.43wt％分散于甲苯中。该碳纳米管浆状物是通过向一个2盎司容器中添加0.286g碳纳米管和19.714g甲苯制备的。然后使该混合物遭遇到20分钟超声波搅拌同时保持该浆状物中的旋涡。将适量的浆状物添加到达到干薄膜中所希望的纳米管浓度所需要的特定量9％PANI/DBSA溶液中，并使混合物遭遇到5分钟超声波搅拌。将浆状物和DBSA/PANI溶液的数量调整如下以给出干薄膜中的所希望纳米管浓度。
表1实施例1样品
样品 9％DBSA/PANI的重量 1.43％纳米管/甲苯浆状物的重量 干薄膜中的纳米管％
对照 10 0 O
样品1A 11.0834 0.1748 0.25
样品1B 11.055 0.3496 0.5
样品1C 11.0277 0.5244 0.75
样品1D 11.000 0.6993 1.00
样品1E 10.972 0.8741 1.25
样品1F 10.944 1.0489 1.50
样品1G 10.916 1.2237 1.75
样品1H 10.888 1.3986 2.00
这些分散液使用一支溶液手涂薄膜业内众所周知的#4迈耶绕线棒涂到2”×3”显微镜用玻璃载片上，在60℃烘箱中风干45秒。涂布面积是1”×2”，薄膜厚度约4μm。厚度是用光学干涉仪法测定的。
使用一台Denton真空单元(Denton公司，美国新泽西州切里希尔)，经由一张铝掩膜，对这样制备的薄膜溅射一系列四个相距0.25”的1/16”×3”4000厚度银触点。用标准4探针测量技术测量该薄膜电阻率，其中，在两个外触点上施加一个电流，并测定跨两个内触点的电压。该电流是由一台Hewlett Packard 6234A双输出电源供给的，而且用一台静电计(Keithley 617)测定。电压是用一台Keithley万用表在两个内触点上测定的。电阻率p计算为
σ = 1 / ρ i × d V × A
式中ρ是电阻率(欧姆-cm)，V是在两个内触点上测定的电压，i是在两个外触点上测定的电流，d是两个内触点之间的间隔，A是从两个外触点之间的距离与该薄膜厚度之积确定的该薄膜横截面积。每种薄膜的电导率列于表2中并图示于图1中。
表2
样品 纳米管浓度 σ(S/cm)
对照 0 0.00018
样品1A 0.25 0.00025
样品1B 0.5 0.00017
样品1C 0.75 52
样品1D 1 62
样品1E 1.25 62.539
样品1F 1.5 39
样品1G 1.75 36.7
样品1H 2 44
比较例1
本实例中导电聚苯胺用途的2.60wt％溶液是通过使14.36g混合二甲苯(EM Science公司，纯度：98.5％)与0.9624gXICP-OS01(从孟山都公司得到的一种发展性导电聚苯胺溶液)混合制备的。XICP-OS01含有大约48.16wt％二甲苯、12.62wt％丁基溶纤剂、和41.4wt％导电性聚苯胺，其中，该氮碱盐是通过用二壬基萘甲酸(DNNA)处理PANI制备的。
将纳米管以1.43wt％分散于妥平醇中。该纳米管/妥平醇混合物在常温下遭遇到24小时超声波搅拌，然后与41.4％XICP-OS01溶液混合。PANI-XICP-OS01/NT分散液是以能给出纳米管/总固体浓度比为0、0.25、0.5、0.75、1、1.25、1.5、1.75、2、4、6、10、20的比例配制的，将40％涂布到2”×3”显微镜用载玻片上，在60℃风干30秒。
涂布面积是1”×2”。薄膜厚度是用光学干涉仪测定的。电阻率测定用银触点是使用一台Denton真空单元(Denton公司，美国新泽西州切里希尔)经由一张铝掩膜溅射到厚度4000。薄膜电阻率是按照实施例1的方法测定的。电阻率与纳米管浓度的关系见表3。
表3
样品 纳米管浓度(％) σ(S/cm)
对照 0 0.000306
样品CE1A 0.25 0.00048
样品CE1B 0.5 0.0068
样品CE1C 0.75 0.015
样品CE1D 1 0.114
样品CE1E 1.5 0.3698
样品CE1F 2 1.31
样品CE1G 2.5 1.27
样品CE1H 4 1.53
样品CE1I 6 1.08
样品CE1J 8 1.9
样品CE1K 10 1.87
样品CE1L 20 3.37
样品CE1M 40 27.53
实施例2
采用激光热烧蚀转移来产生一种有PANI/纳米管组合物的电子电路成分。
通过用电子束沉积法把一层10纳米厚金属镍涂布到400D Mylar上，形成了一个供体层。这样形成的Ni层显示出在830nm波长上有35％光透射。通过使用一支#4迈耶绕线棒给这样形成的Ni层涂布一层1μm厚度的、称为CE1J的比较例1组合物，形成一个转移层。
接受层的组成是用一支#4迈耶绕线棒从2％固体甲苯溶液涂布到400D Mylar上的一层1μm厚聚噻吩。该涂层风干30分钟。
图2中显示的影像是用计算机辅助设计软件产生的。把该影像转换成一种像素图案，各像素指定为要么“开”要么“关”，分别对应于要用于影像转移的激光的活化和钝化。
该影像是使用一种配备一个Spectrum Trendsetter ExposureUnit的、有5080DPI分辨率的Spectrum CREO Trendsetter(CREO-Scitex，加拿大温哥华)得到的，该单元包含一个能以830nm波长发射1μs脉冲的20瓦红外二极管激光器。该Spectrum CREOTrendsetter包含一个周长为91cm的81.2cm长转鼓。该受体元件和供体元件装进各自独立的盒中再放进该单元中。在曝光之前，该受体自动地从该盒转装到该转鼓上并由真空保持。然后，比该受体稍大的供体自动地从该盒转装并直接置于该受体上然后在所有四个边上由真空保持。
把图2的像素化影像装进该CREO单元的控制计算机中，然后按照有所希望图案的编程图案使该供体曝光。为了形成影像，该激光束用一个光阀分裂以形成一种240个5×2μm重叠像素的阵列。该激光头沿该转鼓转换并使每个像素开或关来形成该影像。该激光能流是可调整的7瓦，转鼓速度是150rpm。图2的尺度是宽5cm、高9cm。(2)显示5mm门、(4)显示2mm门、(6)显示1mm门。(8)显示20μ渠道。(10)显示1mm宽的源，(12)显示2mm宽的源，(14)显示5mm宽的源。
曝光之后，图2的影像以PANI/纳米管“墨”的形式转移到该受体上。图3是一幅显示源(16)、浚流(18)、和干预渠道(20)接通的影像。如所显示，渠道(20)是20μm宽的。

Claims (7)

1.一种组合物，包含一种翠绿亚胺聚苯胺的氮碱盐衍生物和碳纳米管。
2.权利要求1的组合物，其中，该纳米管是单壁的。
3.权利要求1的组合物，其中，该纳米管是多壁的。
4.一种电子电路，包含一个或多个翠绿亚胺聚苯胺的氮碱盐衍生物和碳纳米管的导电通道。
5.从一种供体元件向与该供体元件相邻的受体基材上沉积导电通道的工艺，其中，该供体元件是一种层状结构，包含一个支撑层、一个或多个能部分地吸收激光辐射的加热层、和一个成像面漆转移层、以及任选地一个排出层，该工艺包含：
(a)使所述支撑层暴露于入射激光能量；
(b)使所述激光能量在一个或多个与该面漆层相邻的并能吸收所述激光能量的加热层中转化成热量；
(c)施加到所述面漆层上的所述热量足以使所述面漆层的至少一部分转移到接受表面上；
其中，该面漆层是一种导电性PANI/纳米管复合材料。
6.权利要求5的工艺，其中，该加热层是碳。
7.权利要求5的工艺，其中，该加热层是一种金属并选自下列组成的一组：Al、Cr、Sb、Ti、Bi、Zr、Ni、In、Zn、及其氧化物、低氧化物和合金。
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