KR20040030506A - 고전도성 폴리아닐린 조성물 및 그의 용도 - Google Patents

고전도성 폴리아닐린 조성물 및 그의 용도 Download PDF

Info

Publication number
KR20040030506A
KR20040030506A KR10-2003-7010713A KR20037010713A KR20040030506A KR 20040030506 A KR20040030506 A KR 20040030506A KR 20037010713 A KR20037010713 A KR 20037010713A KR 20040030506 A KR20040030506 A KR 20040030506A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
pani
nanotubes
sample
topcoat
Prior art date
Application number
KR10-2003-7010713A
Other languages
English (en)
Inventor
그라시엘라 베아트리즈 블란체트-핀처
Original Assignee
이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 filed Critical 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Publication of KR20040030506A publication Critical patent/KR20040030506A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C08K3/041—Carbon nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/02—Polyamines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
    • H01B1/127—Intrinsically conductive polymers comprising five-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polypyrroles, polythiophenes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
    • H01B1/128—Intrinsically conductive polymers comprising six-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polyanilines, polyphenylenes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

본 발명은 향상된 전도성을 나타내고 전자회로 분야에서의 용도를 제공하는, 폴리아닐린 및 탄소 나노튜브로부터 형성된 조성물을 기술한다.

Description

고전도성 폴리아닐린 조성물 및 그의 용도 {High Conductivity Polyaniline Compositions and Uses Therefor}
전도성 중합체는 오래 전부터 당업계에 공지되어 왔으며, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리(파라-페닐렌) 및 이들의 유도체가 포함된다. 일부 경우에는 금속과 같은 전도성을 나타내나, 고전도성 중합체는 일반적으로 사용시 불안정하고 실질적으로 가공이 어렵고 용액 또는 용융 가공에 부적합하여 실용적인 적용이 제한되어 왔다. 모든 전도성 중합체는 높은 전도성을 달성하기 위하여 통상적으로 도핑 (doping)으로서 언급되는 산 또는 산화물 관능성을 필요로 한다.
폴리아닐린 (PANI)은 화학적으로 안정하고 통상의 환경친화적인 용매에 쉽게 용해되므로 코팅물, 필름 및 시트, 섬유, 인쇄된 패턴 등의 제조시 당업계에 공지된 일반적인 수단을 사용할 수 있다는 점에서 우수한 전도성 중합체이다.
전도성 PANI는 문헌 [Chiang et al, Synthetic Metals, 13 (1986), pp. 193-205]에 매우 상세히 기술되어 있다. 치앙 (Chiang) 등은 수많은 PANI 조성물을 개시하였으며, 전도성이 5 S/cm인, 양성자산으로 도핑된 에메랄딘 질소 염기 염이 가장 전도성이 높은 형태라는 것을 확인하였다. 이 전도성은 다른 특정 전도성 중합체의 특징으로서 전자산업에서 폭넓은 유용성을 위한 실용적인 임계 전도성을 나타내는 102S/cm 범위보다 훨씬 낮다.
문헌 [Levon et al, Polymer 36, pp 2733ff (1995) and Ahiskog et al, Synthetic Metals, 69, pp 135ff (1995)]은 도데실벤젠술폰산 (DBSA)과 같은 액체 유기산과의 배합에 의한, 승온에서의 PANI 질소 염기 염의 형성을 개시하였다.
PANI의 바람직한 화학안정성 및 가공성을 보존하면서 PANI의 전도성을 향상시키기 위한 방법을 찾으려는 상당한 유인이 있다. 구체적으로, 약 102S/cm의 전도성을 나타내는 PANI 조성물은 전자산업에서 중요한 적용을 위해 매우 바람직한 재료이다.
PANI를 흑연, 금속 섬유 및 초전도성 세라믹을 포함하는 무기 충전제와 배합하는 것은 당업계에 공지되어 있다 (예를 들어, 젠 (Jen) 등의 미국 특허 제5,069,820호를 참조할 것).
탄소 나노튜브는 "벅민스터 풀러렌 (Buckminster Fullerene)"으로 널리 알려진 C60에 관련된 비교적 신규 형태의 재료이다. 신규한 동시에, 탄소 나노튜브는 그것의 보기 드문 구조로 인해 많은 관심을 이끌어냈으며, 상업적으로 입수가능하다. 이것은 문헌 [Carbon Nanotubes and Related Structures, by Peter J. F. Harris, Cambridge University Press, Cambridge, UK (1999)]에 상당히 상세하게 기술되어 있다.
전도성 중합체 및 탄소 나노튜브의 필름형 복합체가 문헌 [Coleman et al, Phys. Rev. B 58 (12) R7492ff (1998), Chen et al, Advanced Materials 12 (7) 522ff (2000), 및 Yoshino et al, Fullerene Sci. Tech. 7 (4) 695ff (1999)]에 개시되어 있다.
콜맨 (Coleman) 등의 상기 문헌은 전기 아크법으로 제조한 탄소 나노튜브 및 폴리(p-페닐렌비닐렌-코-2,5-디옥톡시-m-페닐렌비닐렌) (PMPV)의 복합체를 개시하였다. 나노튜브와 잔류 수트 (soot)의 질량 분율은 약 0.5 내지 35％ 범위이다. 필름은 톨루엔 용액으로부터 백금 표면 상에 스핀코팅하였다. 전도성은 약 4％의 나노튜브 및 약 9％의 나노튜브 사이에 6 차수의 크기 증가를 나타내는 것으로 나타났다.
콜맨 등의 상기 문헌은 또한 PMMA를 사용한 유사 복합체의 제조에 실패하였음을 기술하고 있다. 이 실패는 분자의 형태적 요인으로 의한 것으로 언급되어 있다.
첸 (Chen) 등의 상기 문헌은 나노튜브와 폴리피롤의 복합체 필름을 개시한다. 필름 및 코팅된 나노튜브가 모두 개시되어 있다. 나노튜브는 폴리피롤의 전도성을 향상시키는 것으로 나타났다. 필름은 다양한 기재를 피롤 및 나노튜브의 용액에 노출시킨 후, 기재 상에서 피롤을 동일반응계내 전기중합시킴으로써 침착시켰으며, 따라서 나노튜브를 중합체 매트릭스 내부에 가두었다. 첸은 또한 아크-성장 (arc-grown) 나노튜브를 사용하였다.
요시노 (Yoshino) 등의 상기 문헌은 화학증착법에 의해 형성하고 정제한 폴리(3-헥실티오펜) (PAT6)과 나노튜브의 복합체를 개시하였다. 나노튜브를 헥센 중에 분산시키고 중합체의 클로로포름 용액과 혼합하였다. 필름은 석영판 위에 캐스팅함으로써 형성하였다. 체적 분율 약 1％ 및 약 10％ 사이에 약 4 차수의 전도성 크기 변화가 관찰되었고, 퍼컬레이션 (percolation) 임계값은 약 5.9％인 것으로 평가되었다.
색상 교정 및 인쇄를 위한 레이저 열 제거 상 전이 기술은 엘리스 (Ellis) 등의 미국 특허 제5,171,650호 및 다른 문헌에 기술되어 있다. 유사한 방법이 현재 인쇄 및 출판 산업에 상업적으로 사용되고 있다.
<발명의 요약>
본 발명은 에메랄딘 폴리아닐린의 질소 염기 염 유도체 및 탄소 나노튜브를 포함하는 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 에메랄딘 폴리아닐린의 질소 염기 염 유도체 및 탄소 나노튜브로 이루어진 전도 통로를 포함하는 전자회로를 제공한다.
본 발명은 또한
(a) 지지층을 입사 레이저 에너지에 노출시키고,
(b) 전도성 PANI/나노튜브 복합체인 톱코트와 접촉하고 상기 레이저 에너지를 흡수하는 하나 또는 복수의 가열층(들)에서 상기 레이저 에너지를 열로 전환시키는 것을 포함하며,
(c) 상기 톱코트에 적용된 상기 열은 상기 톱코트의 적어도 일부를 리시빙 (receiving) 표면으로 전이시키기에 충분한,
지지층, 레이저 방사선을 부분적으로 흡수할 수 있는 하나 또는 복수의 가열층, 상형성 톱코트 전이층, 및 임의로는 방출층을 포함하는 층상 구조물인 도너 (donor) 부재로부터 도너 부재에 접촉된 리시버 (receiver) 기재 위로 전도 통로를 침착시키는 방법을 제공한다.
본 발명은 향상된 전도성을 나타내고 전자회로의 신규한 적용에 높은 유용성을 제공하는, 폴리아닐린 및 탄소 나노튜브로부터 형성된 조성물을 기술한다.
도 1은 기재 위에 전기 전도 통로를 형성하기 위해 사용한 레이저 침착 장치의 도식이다.
도 2는 컴퓨터 제어 소프트웨어를 사용하여 생성한 픽셀화된 상이다. 이 상을 본원에서 더 기술되는 바와 같이 픽셀의 패턴으로 번역하였다.
도 3은 소스 (source) 및 드레인 (drain) 및 개재된 채널을 보여주는 확대 상을 나타낸다.
본 발명은 폴리아닐린의 화학안정성 및 용액 가공성을 보유하면서 약 102S/cm의 전기 전도성을 나타내는, 폴리아닐린 및 탄소 나노튜브를 포함하는 조성물을 기술한다. 본 발명의 조성물은 기재 상에 용액/분산액 형태로 침착되는 코팅물로 제조하기에 매우 적합하다. 바람직한 실시양태에서, 이렇게 침착된 코팅물을 열 상 전이 매질로서 사용함으로써, 전자회로의 전도 통로를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시에서, 치앙 등의 상기 문헌에 기술된, PANI가 교호하는 산화 형태 및 환원 형태의 단량체 단위로 이루어지는, PANI의 에메랄딘 형태를 치앙 등의 방법에 따라 양성자산으로 처리하여 질소 염기 염을 형성한다. 한 방법에 따라, 수불용성 에메랄딘 염기를 HCl과 같은 양성자산에 분산시킨 후, 건조시켜 전도성 분말을 형성한다. 그러나, 에메랄딘 염기를 액체 유기산, 예를 들어 도데실벤젠술폰산 (DBSA)과 배합하여 톨루엔, 크실렌 및 다른 방향족 용매와 같은 공통 용매에 용해될 수 있는 유기 염을 형성하는 것이 바람직하다. 고도의 전도성을 얻기 위해, 에메랄딘 염기를 80 내지 150℃의 온도에서 액체 산과 배합하여야 한다. 산의 몰량이 부족할 경우, 모든 산은 PANI 염기 단위의 양성자화에 소비되어, 계는 양성자화 및 비양성자화 PANI 구성 단위를 포함하게 된다. 반대로, 산의 몰량이 과도할 경우, 모든 PANI 염기가 양성자화되며, 혼합물은 양성자화된 PANI 및 잉여 산을 포함하게 된다. 잉여 산은 용해성을 촉진시키나, 전자 특성에 해로운 효과를 가질 수 있다.
그러나, 당업계의 숙련자는 본 발명의 예상치 못한 효과 및 이익이 형성된 모든 양성자화 PANI에서 달성되지는 않을 수 있다는 것을 알 것이다. 이하 본원의 특정 실시양태에서 나타나는 바와 같이, 본 발명의 실시에서 특정한 양성자화 PANI 조성물은 고도로 효과적인 반면, 다른 것들은 비효과적이라는 것이 밝혀졌다.
단일벽 및 다중벽 나노튜브가 당업계에 공지되어 있으며, 둘 다 본 발명의 실시에 적합하다. 또한, 튜브의 말단에 존재하는 캡 (cap)을 질산과 같은 산화성 산으로 처리하여 환원시킬 수 있으며 [Tsang et al, Nature, 372, (1994) 1355], 이것은 필연적으로 PANI을 양성자화시키는데 사용되는 표면 산 잔기를 생성한다. 나노튜브의 제조를 위해 당업계에서 사용되는 몇몇 방법들이 있다. 사용되는 방법에 상관없이, 탄소 나노튜브는 불순물이 상대적으로 없는 것이 바람직하다. 90중량％를 넘는 순도가 바람직하다. 단일벽 나노튜브가 바람직하다.
당업계의 숙련자는 요구되는 전도성의 증가를 달성하기 위해 필요한 나노튜브의 정확한 농도는 무엇보다도 PANI가 질소 염기 염으로 전환되는 정도, 사용되는 특정 나노튜브 및 목적 전도성에 따라 달라질 것이라는 점을 알 것이다. 본 발명의 조성물에서, 0.5 내지 30 중량％의 나노튜브 농도가 적합하며, 1 내지 10 중량％의 농도가 바람직하며, 1 내지 5 중량％의 농도가 가장 바람직하다. 0.5％ 미만의 농도에서는 실용적인 전도성의 증가가 거의 예상되지 않는다. 30％를 넘는 농도는 복합체의 물성에 부정적으로 영향을 줄 것으로 예상된다. 현재, 나노튜브는 고가이며, 목적하는 전도성의 향상을 달성하기 위해 필요한 최소치보다 많은 나노튜브를 사용하는 것은 바람직하지 않다.
DBSA 또는 DNNA와 같은 유기산의 질소 염기 염을 톨루엔 또는 크실렌과 같은 방향족 용매 중에 약 5 내지 15 중량％로 용해시킨 후, 용액을 동일하거나 또는 혼화성인 제2의 용매 중 탄소 튜브의 분산액과 혼합하여 복합체를 형성하는 것이 본 발명의 실시에서 만족스러운 것으로 밝혀졌다. 분산액 중 나노튜브의 농도는 약 0.5 내지 10 중량％이다. 복합체 중 나노튜브 대 중합체의 중량비는 사용되는 용액 및 분산액의 상대적인 양을 조절함으로써 간단히 조절할 수 있다. 나노튜브의 분산액은 실온에서 10 내지 30분, 바람직하게는 20분 동안 초음파 교반 후, 만족스러운 균질성을 달성하는 것으로 밝혀졌다. 나노튜브 분산액 및 중합체 용액을 배합한 후, 이것을 2.5 내지 10분, 바람직하게는 5분 동안 초음파 교반시킨다. 혼합후, 이렇게 형성된 분산액을 당업계에 공지된 임의의 통상의 방법을 사용하여 기재 위에 캐스팅할 수 있다. 바람직한 방법은 혼합물을 폴리에스테르 필름과 같은 기재 위에 펴고, 닥터 블레이드를 사용하여 균일한 두께의 코팅물을 생성하는 것이다. 이어서, 코팅물을 진공 추출하여 용매를 제거하고, 본 발명의 복합체로 이루어진 고상 코팅물을 남긴다.
본 발명의 복합체의 특히 바람직한 한 용도는 전자회로의 전도 통로로서의 용도이며, 상기 전도 통로는 레이저 열 전이 상형성법으로 생성된다. 레이저 열 전이 상형성법에서, 사용되는 도너 부재는 전이된 상에 목적하는 형태 및 해상도를 부여하는 패턴을 기술하는 연속적인 레이저 펄스에 노출시에 상을 리시버 부재에 전이시킨다.
도너 부재는 지지층, 바람직하게는 가요성 지지층, 가열층 및 전이층을 포함하는 층상 구조물이다. 한 실시양태에서, 지지층을 금속 박층으로 스퍼터-코팅하며, 이것을 다시 본 발명의 PANI/NT 복합체의 층으로 용액 코팅한다.
사용시, 얇은 금속 가열층은 입사 레이저 방사선을 흡수하여 그것을 열로 전환시킴으로써 레이저 입사 점에 인접한 임의의 유기 물질을 부분적으로 분해시키고, 이에 의해 PANI/NT 층을 리시버 기재 위로 추진한다. 유기 물질은 중합체 물질, 기상 부산물로의 신속한 분해성으로 인해 특별히 선택되는 임의적인 별도의 "방출층", 및 PANI/NT 전이층을 포함할 수 있다. 가열층에 인접한 유기 물질의 부분의 분해로 인해 인접한 PANI/NT 층 부분을 리시버 부재로 추진하는 추진력을 제공하는 신속하게 팽창하는 기상 저분자량 성분이 생성된다. 레이저를 도너 부재의코팅된 표면을 가로질러 스캐닝함으로써, 리시빙 표면 위에 고정밀도의 상을 형성할 수 있다.
레이저 열 제거 전이 상형성법은 예를 들어 그 전문이 본원에 참고문헌으로 인용되는 엘리스 등의 미국 특허 제5,171,650호에 기술된 바와 같이 색상 교정 및 인쇄 업계에 널리 공지되어 있다. 엘리스 등의 방법에서 착색층 대신 본 발명의 PANI/나노튜브 복합체를 치환함으로써, 엘리스 등의 방법을 그대로 중합체 전도 통로를 생성하는데 적용할 수 있다는 것은 매우 놀랍다. 본 발명에서, 도너 부재는 지지 기재 (i), 고에너지 레이저 방사선 펄스를 부분적으로 흡수하고, 허용가능한 해상도의 상을 리시빙 표면으로 전이시킬 수 있도록 상기 흡수된 레이저 방사선을 충분히 작은 면적의 경계 내에서 열로 전환시킬 수 있는 층 (ii), 상기 방사선 흡수 층과 본질적으로 동일공간에 걸치며, 본 발명의 고전도성 PANI/나노튜브 복합체를 포함하는 상형성 톱코트 (iii)을 포함한다. 제2 실시양태에서, 특수하게 적합화된 임의적인 유기 방출층이 또한 레이저 펄스에 대한 반응의 속도 및 정확도를 향상시키기 위해 포함될 수 있다.
본 발명의 실시에서, 상기 방사선 흡수 층 (ii)는, 캐리어 톱코트 (iii)을 리시빙 표면으로 전이시키기에 충분한 비율로 적용되고 리시빙 표면 위에 형성되는 상이 의도한 목적을 위한 충분한 해상도를 갖도록 충분히 좁은 경계 내로 적용되는 입사 레이저 에너지를 흡수한다. 이 방법에서 1 마이크로미터의 해상도를 쉽게 얻을 수 있다.
가열을 위한 레이저 빔은 입사되는 방사선이 흡수되어야 한다. 금속 층의광학 흡수도가 중요하다. 금속 층이 너무 두꺼울 경우에는 금속 층은 입사 방사선을 반사할 것이고, 너무 얇을 경우에는 방사선을 투과시킬 것이다. 입사되는 방사선의 최대 흡수를 위한 최적의 두께가 있다. 이것은 레이저 파장에 대한 특정 금속 층의 유전 상수에 의해 결정된다. 본 발명의 실시에서, 약 10 나노미터의 Ni이 만족스러운 것으로 밝혀졌다.
리시빙 표면은 전이 매질의 상형성 톱코트에 직접 친밀하게 접촉한다.
본 발명의 실시에서, 마일라 (Mylar, 등록상표) 폴리에스테르 필름이 본 발명의 레이저 열 전이 매질로서 만족스러운 기재임이 밝혀졌다. 다른 적합한 기재로는 폴리비닐클로라이드, 폴리프로필렌 및 폴리에틸렌이 포함될 것이다. 중합체이고 입사 레이저 방사선에 대해 투과성이어야 한다는 것을 제외하곤 기재에 대한 특별한 제한은 없다.
만족스러운 결과는 별도의 유기 방출층이 없이, 지지층, 가열층 및 PANI/NT 전이층만을 사용하여 달성할 수 있으며, 이 때 가열층에서의 계면이 부분적으로 분해되어 PANI/NT를 추진하는데 필요한 기상 분해 산물을 형성한다. 그러나, 별도의 유기 방출층이 바람직하다.
중합체, 특히 분해 온도가 PANI/NT 복합체보다 낮은 중합체가 본 발명의 실시에 바람직한 유기 방출층으로서 사용하기에 바람직하다. 적합한 중합체로는 폴리프로필렌 카르보네이트와 같은 폴리카르보네이트; 폴리(알파-메틸스티렌)과 같은 치환 스티렌 중합체; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리부틸메타크릴레이트와 같은 폴리아크릴레이트 및 폴리메타크릴레이트 에스테르; 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트 및 니트로셀룰로오스와 같은 셀룰로오스계 재료; 폴리비닐 클로라이드; 폴리(클로로비닐 클로라이드); 폴리아세탈; 폴리비닐리덴 클로라이드; 분해 온도가 약 200℃인 폴리우레탄; 폴리에스테르; 폴리오르토에스테르; 아크릴로니트릴 및 치환 아크릴로니트릴 중합체; 말레산 수지; 및 상기 중합체들의 공중합체가 포함된다. 적합한 중합체들의 혼합물도 또한 사용할 수 있다. 방출층으로서 바람직한 중합체는 폴리아크릴레이트 및 폴리메타크릴레이트 에스테르, 니트로셀룰로오스, 폴리(비닐 클로라이드) (PVC) 및 염화 폴리(비닐 클로라이드) (CPVC)이다. 폴리(비닐 클로라이드) 및 염화 폴리(비닐 클로라이드)가 가장 바람직하다. 일부 경우, 중합체 방출층을 또한 지지층으로서 사용함으로써 도너 부재 구조물에서 하나의 전체 층을 제거하는 것이 만족스러우나, 2개의 상이한 층을 사용하는 것이 바람직하다. 최상의 배열은 특정 적용의 요건에 따라 달라지겠으나, 일반적으로 방출층 및 지지층의 총 두께는 1 내지 3 마이크로미터 범위이어야 한다. 별도의 지지층을 사용할 경우, 25 마이크로미터 미만의 방출층이 만족스러우나, PANI/NT 층의 적당한 제거를 제공하기에 충분할 필요가 있다 (제거 영역은 0.2 내지 0.3 마이크론임).
방출층의 본질적 기능을 저해하지 않는 한, 다른 재료들이 방출층 중 첨가제로서 존재할 수 있다. 이러한 첨가제의 예로는 가소제, 코팅 조제, 흐름 첨가제, 미끄럼제, 흐림방지제 (antihalation agent), 대전방지제, 계면활성제 및 코팅물의 제조에 사용되는 것으로 공지된 다른 것들이 포함된다. 이러한 첨가제가 요구되는 본 발명의 실시양태에서는 PANI/NT 복합체와 별개인 방출층이 있는 것이 특히 바람직하다.
가열층은 바람직하게는 입사 레이저 방사선의 20 내지 40％를 흡수하며, 레이저 펄스의 입사 점에서 매우 신속한 온도의 상승을 일으킬 수 있다. 바람직한 실시양태에서, 가열층은 가요성 방츨층 위에 침착된다. 가열층에 적합한 재료는 무기물 또는 유기물일 수 있으며, 고유적으로 레이저 방사선을 흡수할 수 있거나 또는 부가적인 레이저 방사선 흡수 화합물을 포함할 수 있다. 무기 재료가 바람직하다.
적합한 무기 재료로는 원소주기율표의 IIIa족, IVa족, Va족, VIII족, IIIb족 및 Vb족의 원소를 포함하는 전이 금속, 금속 및 비금속, 이들 서로의 알로이 (alloy) 및 이들과 Ia 및 IIa족의 알로이일 수 있다. 바람직한 비금속은 탄소이다. 금속이 바람직하다. 바람직한 금속으로는 Al, Cr, Sb, Ti, Bi, Zr, Ni, In, Zn 및 이들의 산화물, 아산화물 및 적합한 알로이가 포함된다. Al, Ni, Cr, Zr 및 C가 보다 바람직하다. Al, Ni, Cr 및 Zr이 가장 바람직하다.
가열층의 두께는 일반적으로 약 20 옹스트롬 내지 0.1 마이크로미터이고, 바람직하게는 Al의 경우 약 50 옹스트롬이고, Cr의 경우 80 옹스트롬이다. 금속 층의 특정 두께는 레이저 파장의 최대 흡수를 제공하는 두께를 기준으로 선택한다. 따라서, 금속 두께는 각 금속의 특정 유전 상수에 따라 달라진다.
가열층은 하나인 것이 바람직하지만, 가열층이 하나보다 많은 것도 가능하며, 층들이 모두 상기한 바와 같이 기능하는 한, 동일하거나 또는 상이한 조성을 가질 수 있다. 모든 가열층의 총 두께는 상기 범위, 즉 20 옹스트롬 내지 0.1 마이크로미터이어야 한다.
가열층(들)은 임의의 널리 공지된 금속 박층 제공 기술, 예를 들어 스퍼터링, 화학증착법 및 전자 빔 침착을 사용하여 적용할 수 있다.
본 발명의 PANI/NT 조성물을 바람직하게는 톨루엔 또는 크실렌으로부터 용액 캐스팅하고 메이어 (Meyer) 막대를 사용하여 0.3 내지 3 마이크론 범위, 바람직하게는 1 마이크론의 건조 필름 두께로 적용함으로써 금속 코팅물 위에 침착된다.
이와 같이 형성된 도너 부재를 리시빙 표면 위에 배치하여, PANI/NT 코팅물을 리시버 표면에 직접 접촉시킨다. 이어서, 도너 부재의 반대 표면을 레이저 방사선에 펄스의 패턴으로 노출시켜, PANI/NT를 전이 매질로부터 리시버 기재 위로 목적하는 패턴으로 방출시킨다. 적합한 레이저 방사선으로는 약 1 마이크로초로 지속되는 펄스로 전달되는 100 mJ/cm2내지 400 mJ/cm2의 입사 플루언스에서 파장이 780 nm 내지 850 nm 범위인 적외선 다이오드 레이저 방사선을 포함한다. 입사 레이저 플루언스는 PANI/NT "펄스"의 방출을 일으키기에 충분히 높아야 하나, PANI/NT 재료의 분해가 개시될 정도로 높아서는 안된다.
적합한 리시빙 표면으로는 폴리메타크릴레이트 및 폴리메타크릴레이트 공중합체가 포함된다. 리시버의 전형적인 코팅물은 폴리에스테르 기재 위에 코팅된 메틸 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트 및 글리시딜 메타크릴레이트의 공중합체, 스티렌 및 폴리카프로락톤이거나 또는 유리되어 있을 수 있다.
바람직한 실시양태에서, PANI/NT의 패턴화 층을 플라스틱 트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용하며, 이 때 반도체 및 유전체 게이트 (gate)를 연속으로 침착하여 회로를 완성한다.
본 발명은 아래의 특정 실시양태에 따라 추가로 기술된다.
<실시예 1>
PANI-DBSA 재료는 유니악스 코포레이션 (UNIAX Corporation, 미국 캘리포니아주 산타 바바라 소재)로부터 톨루엔 중 9％ 고상물 용액으로 공급되었다. 1100℃의 퍼니스에서 금속/탄소 타켓의 펄스화 레이저 기화에 의해 제조한 단일벽 탄소 나노튜브를 라이스 대학 (Rice University)으로부터 구입하였다. 나노튜브를 질산, 물 및 톨루엔 중에서 수세하여 90％보다 높은 순도로 정제하였다. 주된 불순물은 남아있는 Ni/Co 촉매 입자이었다. 탄소 나노튜브의 길이는 0.2 내지 2 마이크론 범위이었다.
나노튜브를 톨루엔 중에 1.43 중량％로 분산시켰다. 탄소 나노튜브 0.286 g 및 톨루엔 19.714 g을 2 온스 용기에 넣어 탄소 나노튜브 슬러리를 제조하였다. 이어서, 혼합물을 슬러리로 와동시키면서 20분 동안 초음파 교반하였다. 적당한 양의 슬러리를 건조 필름에서 요망되는 나노튜브 농도를 달성하는데 필요한 특정량의 9％ PANI/DBSA 용액에 첨가하고, 혼합물을 5분 동안 초음파 교반하였다. 슬러리 및 DSBA/PANI 용액을 다음과 같이 조정하여 목적하는 나노튜브를 얻었다.
실시예 1 시료
시료 9％ DSBA/PANI의 중량 톨루엔 중 1.43％ 나노튜브 슬러리의 중량 건조 필름 중 나노튜브(％)
대조시료 10 0 0
시료 1A 11.0834 0.1748 0.25
시료 1B 11.055 0.3496 0.5
시료 1C 11.0277 0.5244 0.75
시료 1D 11.000 0.6993 1.00
시료 1E 10.972 0.8741 1.25
시료 1F 10.944 1.0489 1.50
시료 1G 10.916 1.2237 1.75
시료 1H 10.888 1.3986 2.00
용액으로부터의 수동식 필름 코팅용으로 당업계에 널리 공지되어 있는 #4 메이어 막대를 사용하여, 상기 분산액들을 2"×3" 유리 현미경 슬라이드 상에 코팅하고, 60℃ 오븐에서 45초 동안 공기 건조시켰다. 코팅된 면적은 1"×2"이었고, 필름은 두께는 약 4 마이크론이었다. 두께는 광학 간섭계로 측정하였다.
덴톤 (Denton) 진공 장치 (덴톤 인크. (Denton, Inc.), 미국 뉴저지주 체리 힐 소재)를 사용하여, 상기 제조한 필름 위에, 0.25" 이격된 3" 4000Å 두께의 은 점접 (contact)으로 된 4개의 1/16" 라인을 알루미늄 마스크를 통해 스퍼터링하였다. 2개의 바깥쪽 접점에 전류를 가하고 2개의 안쪽 접점 사이의 전압을 측정하는 표준 4-프로브 측정 기술을 사용하여 필름 저항을 측정하였다. 전류는 휼렛 팩카드 (Hewlett Packard) 6234A 2중 출력 전력 공급 장치로 공급하였고, 전위계 (키틀리 (Keithley) 617)를 사용하여 측정하였다. 전압은 2개의 안쪽 접점에서 키틀리 멀티미터를 사용하여 측정하였다. 저항 ρ은 하기 수학식 1과 같이 측정된다.
상기 식에서, ρ은 저항 (ohm-cm)이고, V는 안쪽 접점에서 측정된 전압이고,i는 2개의 바깥쪽 접점에서의 전류이고, d는 안쪽 접점 사이의 간격이고, A는 바깥쪽 접점들 사이의 거리와 필름 두께를 곱하여 측정한 필름의 단면적이다. 각 필름의 전도성을 표 2에 나타내고, 도 1에 그래프로 도시하였다.
시료 NT 농도 σ (S/cm)
대조시료 0 0.00018
시료 1A 0.25 0.00025
시료 1B 0.5 0.00017
시료 1C 0.75 52
시료 1D 1 62
시료 1E 1.25 62.539
시료 1F 1.5 39
시료 1G 1.75 36.7
시료 1H 2 44
<비교예 1>
본 실시예에서 사용된 2.60 중량％의 전도성 폴리아닐린 용액은 혼합 크실렌 (EM 사이언스 (EM Science), 순도: 98.5％) 14.36 g, 몬산토 캄파니 (Monsanto Company)로부터 입수한 발색 (developmental) 전도성 폴리아닐린 용액인 XICP-OSO1 0.9624 g과 혼합하여 제조하였다. XICP-OSO1은 크실렌 약 48.16 중량％, 부틸 셀로솔브 12.62 중량％ 및 전도성 폴리아닐린 41.4 중량％를 함유하였으며, 질소 염기 염은 PANI를 디노닐나프탈렌산 (DNNA)으로 처리하여 제조하였다.
나노튜브를 터피놀 (turpinol) 중에 1.43 중량％로 분산시켰다. 나노튜브/터피놀 혼합물을 상온에서 24시간 동안 초음파 교반한 후, XICP-OSO1의 41.4 중량％ 용액과 혼합하였다. PANI-XICP-OSO1 분산액은 나노튜브/총 고상물 농도 비가 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1, 1.25, 1.5, 1.75, 2, 4, 6, 10 및 40％가 되도록 제조하였고, 2"×3" 유리 현미경 슬라이드 위에 코팅하고, 60℃에서 30초 동안 공기 건조시켰다.
코팅된 면적은 1"×2"이었다. 필름 두께는 광학 간섭계로 측정하였다. 저항 측정을 위한 은 점접을 덴톤 진공 장치 (덴톤 인크. 미국 뉴저지주 체리 힐 소재)를 사용하여 알루미늄 마스크를 통해 4000Å의 두께로 스퍼터링하였다. 필름 저항은 실시예 1의 방법에 따라 측정하였다. 나노튜브 농도에 대한 저항을 표 3에 나타내었다.
시료 NT 농도 (％) σ (S/cm)
대조시료 0 0.000306
시료 CE1A 0.25 0.00048
시료 CE1B 0.5 0.0068
시료 CE1C 0.75 0.015
시료 CE1D 1 0.114
시료 CE1E 1.5 0.3698
시료 CE1F 2 1.31
시료 CE1G 2.5 1.27
시료 CE1H 4 1.53
시료 CE1I 6 1.08
시료 CE1J 8 1.9
시료 CE1K 10 1.87
시료 CE1L 20 3.37
시료 CE1M 40 27.53
<실시예 2>
레이저 열 제거 전이법을 사용하여 PANI/나노튜브 조성물을 갖는 전자회로 부품을 제조하였다.
도너 층은 400D 마일라 (등록상표) 위에 전자-빔 침착으로 10 나노미터 두께의 금속 니켈을 코팅하여 형성하였다. 이렇게 형성된 Ni 층은 830 nm의 파장에서 35％의 광학 투과율을 나타내었다. 전이층은 이와 같이 형성된 Ni 층에 두께가 1 마이크로미터인, CE1J로 명시된 비교예 1의 조성물의 층을 #4 메이어 막대로 코팅하여 형성하였다.
리시빙 층은 #4 메이어 막대를 사용하여 톨루엔 중 고상물 2％의 용액으로부터 400D 마일라 (등록상표) 위에 코팅된 1 마이크로미터의 폴리티오펜 층으로 이루어졌다. 코팅물을 30분 동안 공기 건조시켰다.
도 2에 나타낸 상은 컴퓨터 제어 디자인 소프트웨어를 사용하여 생성하였다. 이 상을 각각 상 전이에 사용될 레이저의 활성화 및 비활성화에 상응하는 "온 (on)" 또는 "오프 (off)"로 명시되는 픽셀의 패턴으로 변역하였다.
830 나노미터의 파장에서 1 마이크로초의 펄스를 방출하는 20 와트 적외선 다이오드 레이저를 포함하는 스펙트럼 트렌드세터 노출 장치 (Spectrum Trendsetter Exposure Unit)가 장착된 5080 DPI 해상도의 스펙트럼 CREO 트렌드세터 (CREO-사이텍스 (CREO-Scitex), 캐나다 벤쿠버 소재)를 사용하여 상을 얻었다. 스펙트럼 CREO 트랜드세터는 원주가 91 cm인 81.2 cm 길이의 드럼을 포함하였다. 리시버 및 도너 부재를 분리된 카세트에 로딩하고, 이것을 노출 장치 내에 위치시켰다. 노출 전에, 리시버를 자동으로 카세트로부터 드럼으로 로딩하고 진공에 의해 고정시켰다. 이어서, 리시버보다 약간 더 큰 도너를 카세트로부터 지동으로 로딩하여 리시버의 상부에 직접 위치시키고 4개의 모든 연부에서 진공으로 고정하였다.
도 2의 픽셀화된 상을 CREO 장치의 제어 컴퓨터에 로딩한 후, 도너를 프로그램된 패턴에 따라 목적하는 패턴으로 노출시켰다. 상을 형성하기 위해, 레이저 빔을 광 밸브로 분리하여 240개의 5×2 마이크로미터 중첩 픽셀을 형성하였다. 레이저 헤드를 드럼을 따라 번역하였고, 각 픽셀은 켜지거나 (on) 또는 꺼지면서 (off) 상을 형성하였다. 레이저 플루언스를 7 와트로 조정가능하였고, 드럼 속도는 150 rpm이었다. 도 2의 스케일은 폭이 5 cm이고, 높이가 9 cm이다. 5 mm 게이트가 (2)에 나타나 있고, 2 mm 게이트가 (4)에 나타나 있고, 1 mm 게이트가 (6)에 나타나 있다. 20 μ 채널이 (8)에 나타나 있다. 1 mm 폭의 소스가 (10)에 나타나 있고, 2 mm 폭의 소스가 (12)에 나타나 있고, 5 mm 폭의 소스가 (14)에 나타나 있다.
노출 후, 도 2의 상은 PANI/나노튜브 "잉크"의 형태로 리시버에 전이되었다. 도 3은 소스 (16), 드레인 (18) 및 개재 채널 (20)의 확대 상을 나타낸다. 채널 (20)은 폭이 20 마이크로미터로 나타났다.

Claims (7)

  1. 에메랄딘 폴리아닐린의 질소 염기 염 유도체 및 탄소 나노튜브를 포함하는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 나노튜브가 단일벽으로 된 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 나노튜브가 다중벽으로 된 조성물.
  4. 에메랄딘 폴리아닐린의 질소 염기 염 유도체 및 탄소 나노튜브로 이루어진 전도 통로 하나 이상을 포함하는 전자회로.
  5. (a) 지지층을 입사 레이저 에너지에 노출시키고,
    (b) 전도성 PANI/나노튜브 복합체인 톱코트와 접촉하고 상기 레이저 에너지를 흡수하는 하나 또는 복수의 가열층(들)에서 상기 레이저 에너지를 열로 전환시키는 것을 포함하며,
    (c) 상기 톱코트에 적용된 상기 열은 상기 톱코트의 적어도 일부를 리시빙 표면으로 전이시키기에 충분한,
    지지층, 레이저 방사선을 부분적으로 흡수할 수 있는 하나 또는 복수의 가열층, 상형성 톱코트 전이층, 및 임의로는 방출층을 포함하는 층상 구조물인 도너 부재로부터 도너 부재에 접촉된 리시버 기재 위로 전도 통로를 침착시키는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 가열층이 탄소인 방법.
  7. 제5항에 있어서, 가열층이 금속이고, Al, Cr, Sb, Ti, Bi, Zr, Ni, In, Zn 및 이들의 산화물, 아산화물 및 알로이로 구성된 군 중에서 선택되는 것인 방법.
KR10-2003-7010713A 2001-02-16 2002-02-12 고전도성 폴리아닐린 조성물 및 그의 용도 KR20040030506A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26953601P 2001-02-16 2001-02-16
US60/269,536 2001-02-16
PCT/US2002/005486 WO2002080195A1 (en) 2001-02-16 2002-02-12 High conductivity polyaniline compositions and uses therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040030506A true KR20040030506A (ko) 2004-04-09

Family

ID=23027682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-7010713A KR20040030506A (ko) 2001-02-16 2002-02-12 고전도성 폴리아닐린 조성물 및 그의 용도

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7033525B2 (ko)
EP (1) EP1360700A1 (ko)
JP (1) JP2004526033A (ko)
KR (1) KR20040030506A (ko)
CN (1) CN1491419A (ko)
WO (1) WO2002080195A1 (ko)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070208243A1 (en) * 2002-01-16 2007-09-06 Nanomix, Inc. Nanoelectronic glucose sensors
US8154093B2 (en) 2002-01-16 2012-04-10 Nanomix, Inc. Nano-electronic sensors for chemical and biological analytes, including capacitance and bio-membrane devices
US7955559B2 (en) 2005-11-15 2011-06-07 Nanomix, Inc. Nanoelectronic electrochemical test device
US7351357B2 (en) * 2002-03-01 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Printing of organic conductive polymers containing additives
EP1370489B1 (en) * 2002-03-14 2014-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite materials comprising polycarbonate and single-wall carbon nanotubes
US7522040B2 (en) * 2004-04-20 2009-04-21 Nanomix, Inc. Remotely communicating, battery-powered nanostructure sensor devices
US7547931B2 (en) * 2003-09-05 2009-06-16 Nanomix, Inc. Nanoelectronic capnometer adaptor including a nanoelectric sensor selectively sensitive to at least one gaseous constituent of exhaled breath
US20070048180A1 (en) * 2002-09-05 2007-03-01 Gabriel Jean-Christophe P Nanoelectronic breath analyzer and asthma monitor
US7312095B1 (en) * 2002-03-15 2007-12-25 Nanomix, Inc. Modification of selectivity for sensing for nanostructure sensing device arrays
US7948041B2 (en) * 2005-05-19 2011-05-24 Nanomix, Inc. Sensor having a thin-film inhibition layer
US20070114573A1 (en) * 2002-09-04 2007-05-24 Tzong-Ru Han Sensor device with heated nanostructure
US20060263255A1 (en) * 2002-09-04 2006-11-23 Tzong-Ru Han Nanoelectronic sensor system and hydrogen-sensitive functionalization
WO2004024428A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-25 The Trustees Of The University Pennsylvania Carbon nanotubes: high solids dispersions and nematic gels thereof
US7195036B2 (en) * 2002-11-04 2007-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Thermal micro-valves for micro-integrated devices
US7285591B2 (en) 2003-03-20 2007-10-23 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Polymer-nanotube composites, fibers, and processes
US9234867B2 (en) 2003-05-16 2016-01-12 Nanomix, Inc. Electrochemical nanosensors for biomolecule detection
CN100533770C (zh) * 2003-07-17 2009-08-26 松下电器产业株式会社 场效应型晶体管及其制造方法
US7375369B2 (en) * 2003-09-08 2008-05-20 Nantero, Inc. Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films
US20070065974A1 (en) * 2003-09-12 2007-03-22 Masashi Shiraishi Method for producing a field effect semiconductor device
WO2005114324A2 (en) * 2004-03-23 2005-12-01 University Of Dayton Coatings containing nanotubes, methods of applying the same and substrates incorporating the same
JP4761436B2 (ja) * 2004-03-31 2011-08-31 三菱レイヨン株式会社 カーボンナノチューブ含有重合体、これからなる塗膜を有する複合体、およびそれらの製造方法
US7358291B2 (en) 2004-06-24 2008-04-15 Arrowhead Center, Inc. Nanocomposite for enhanced rectification
US7781047B2 (en) 2004-10-21 2010-08-24 Eastman Kodak Company Polymeric conductor donor and transfer method
KR20060047144A (ko) * 2004-11-15 2006-05-18 삼성에스디아이 주식회사 카본나노튜브, 이를 포함한 전자 방출원 및 이를 구비한전자 방출 소자
US7582534B2 (en) 2004-11-18 2009-09-01 International Business Machines Corporation Chemical doping of nano-components
KR100661116B1 (ko) * 2004-11-22 2006-12-22 가부시키가이샤후지쿠라 전극, 광전 변환 소자 및 색소 증감 태양 전지
CN1333013C (zh) * 2004-12-15 2007-08-22 中国科学院化学研究所 导电聚苯胺与碳纳米管复合的电磁屏蔽复合膜及其制法
US7414313B2 (en) * 2004-12-22 2008-08-19 Eastman Kodak Company Polymeric conductor donor and transfer method
US7630029B2 (en) * 2005-02-16 2009-12-08 Industrial Technology Research Institute Conductive absorption layer for flexible displays
US20060188721A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Eastman Kodak Company Adhesive transfer method of carbon nanotube layer
US7535462B2 (en) * 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
US7593004B2 (en) * 2005-06-02 2009-09-22 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US7645497B2 (en) * 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US7410825B2 (en) * 2005-09-15 2008-08-12 Eastman Kodak Company Metal and electronically conductive polymer transfer
US8264137B2 (en) * 2006-01-03 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Curing binder material for carbon nanotube electron emission cathodes
US8679630B2 (en) * 2006-05-17 2014-03-25 Purdue Research Foundation Vertical carbon nanotube device in nanoporous templates
US7796123B1 (en) 2006-06-20 2010-09-14 Eastman Kodak Company Touchscreen with carbon nanotube conductive layers
CN101192492B (zh) * 2006-11-22 2010-09-29 清华大学 透明导电膜的制备方法
WO2008091135A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Elpani Co., Ltd. Conductive polymer composition for radiographic imaging
US9487877B2 (en) * 2007-02-01 2016-11-08 Purdue Research Foundation Contact metallization of carbon nanotubes
DE102007018540A1 (de) * 2007-04-19 2008-10-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrisch leitfähige und transparente Zusammensetzung
US7879678B2 (en) * 2008-02-28 2011-02-01 Versatilis Llc Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby
TWI419233B (zh) * 2008-04-09 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 圖案化金屬層製作方法
KR101580318B1 (ko) * 2008-05-14 2015-12-28 삼성전자주식회사 나노 금속 결합용 단량체, 전도성 고분자 복합체 및 그의제조방법
US20100118243A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Debasis Majumdar Polymeric conductive donor and transfer method
US8715981B2 (en) 2009-01-27 2014-05-06 Purdue Research Foundation Electrochemical biosensor
US8872154B2 (en) * 2009-04-06 2014-10-28 Purdue Research Foundation Field effect transistor fabrication from carbon nanotubes
CN102471051B (zh) 2009-08-07 2014-06-11 纳诺米克斯公司 基于磁性碳纳米管的生物检测
US20110151153A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polymeric conductive donor
FI125151B (fi) * 2010-03-05 2015-06-15 Canatu Oy Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi
CN102311615A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 西门子公司 用于制备光电子器件的薄膜、其制备方法和光电子器件
GB201015027D0 (en) 2010-09-10 2010-10-20 Ineos Norge Holdings As Polymer composition and method of making the same
GB2493698B (en) * 2011-08-08 2018-02-28 Univ Nottingham Trent Surface plasmon resonance in thin films
CN103450681A (zh) * 2013-08-31 2013-12-18 西北工业大学 一种镀镍螺旋碳纳米管/聚苯胺复合电磁屏蔽材料的制备方法
WO2019212060A1 (ja) * 2018-05-02 2019-11-07 日精エー・エス・ビー機械株式会社 ブロー成形装置
CN113019447B (zh) * 2021-03-05 2022-03-18 华东理工大学 一种核壳结构的聚苯胺包覆酚醛树脂催化剂及其制备方法

Family Cites Families (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1313569A (en) 1919-08-19 wilks and p
US127747A (en) 1872-06-11 Improvement in apparatus for operating steam-engines
US571129A (en) 1896-11-10 Macher
US1063456A (en) 1913-06-03 William E Looney Rotary multiple-cylinder four-cycle engines.
US1324534A (en) 1919-12-09 Engine
US1321046A (en) 1919-11-04 Bevolviitg-cylindeb
US349775A (en) 1886-09-28 Device for converting motion
US574762A (en) 1897-01-05 eowbotha m
US1132581A (en) 1915-03-23 Automobil Construktions Ges M B H Deutsche Method of operating combustion-engines.
US1307045A (en) 1919-06-17 Utoiawa
US593248A (en) 1897-11-09 Carriage or cycle motor
US1321045A (en) 1919-11-04 Opposed revolving-cylinder internal-combustion motor
US897963A (en) 1908-09-08 David E Clayton Pump.
US749864A (en) 1904-01-19 james
US1312234A (en) 1919-08-05 carlson
US227319A (en) 1880-05-04 tegnander
US1316679A (en) 1919-09-23 Lubricating system fob rotary engines
US174590A (en) 1876-03-07 Improvement in valve-gears for direct-acting engines
US1053799A (en) 1913-02-18 Frederick M Eslick Reciprocating engine.
US344593A (en) 1886-06-29 Steam-engine
US600971A (en) 1898-03-22 singer
US1293733A (en) 1919-02-11 John F Duby Rotary explosive-engine.
US1324520A (en) 1919-12-09 Internal-combustion engine
US367029A (en) 1887-07-26 Steam-engine
US657409A (en) 1900-02-21 1900-09-04 Alexander H Gould Rotary engine.
US669234A (en) 1900-03-05 1901-03-05 John T Fuhrmann Motor.
US697649A (en) 1900-06-07 1902-04-15 James A Mclean Rotary explosive-engine.
US980491A (en) 1901-02-01 1911-01-03 Rockaway Automobile Company Rotary-cylinder explosion-engine.
US706320A (en) 1901-05-09 1902-08-05 James A Jenney Steam-engine.
US706494A (en) 1901-06-05 1902-08-05 Simeon F Pierce Motive-power engine.
US766410A (en) 1903-11-19 1904-08-02 Marshall Alger Motor.
US771037A (en) 1904-01-30 1904-09-27 Michael Beck Explosive rotary engine.
US782597A (en) 1904-04-15 1905-02-14 Edward Cheshire Equalizing mechanism for air-compressors.
US815911A (en) 1904-05-04 1906-03-20 Arthur H Eddy Ammonia-pump.
US848665A (en) 1904-05-12 1907-04-02 Levi W Lombard Rotary explosion-engine.
US839300A (en) 1905-05-15 1906-12-25 Ingolf C Kleppe Rotary gas-engine.
US851293A (en) 1905-06-07 1907-04-23 George Lehberger Engine or motor.
US818609A (en) 1906-02-09 1906-04-24 Eduard Buetikofer Motor-cycle.
US998363A (en) 1906-06-25 1911-07-18 George W Morgan Jr Gas-engine.
US850295A (en) 1906-12-15 1907-04-16 Progressive Co2 Power Company Motor.
US868497A (en) 1907-01-08 1907-10-15 Charles E Smith Motor.
US893038A (en) 1907-01-15 1908-07-14 Octave Vadam Air-pump for inflating pneumatic tires.
US972966A (en) 1907-01-21 1910-10-18 Martin L Williams Internal-combustion engine.
US928715A (en) 1907-03-01 1909-07-20 Thomas R Thurber Engine.
US1142367A (en) 1907-04-29 1915-06-08 Hermann Reiche Internal-combustion engine.
US893181A (en) 1907-09-30 1908-07-14 Walter G Macomber Rotary engine.
US947008A (en) 1907-11-16 1910-01-18 Ora W Williams Rotary explosive-engine.
US968969A (en) 1907-12-03 1910-08-30 Craven Robert Ord Rotary engine.
US933316A (en) 1908-09-02 1909-09-07 Walter G Macomber Internal-combustion rotary engine.
US945232A (en) 1909-05-01 1910-01-04 Sherren Bruce Douglas Harding Internal-combustion engine.
US999047A (en) 1909-10-04 1911-07-25 George Lehberger Engine or motor.
US1206800A (en) 1910-12-21 1916-12-05 Charles F Batt Engine.
US1042018A (en) 1911-04-05 1912-10-22 Walter G Macomber Rotary engine.
US1038537A (en) 1911-06-14 1912-09-17 Albert J Dexter Gas-engine.
US1076807A (en) 1911-07-17 1913-10-28 Olof A Anderson Internal-combustion engine.
US1215434A (en) 1911-10-18 1917-02-13 H L F Trebert Rotary Motor Co Inc Internal-combustion engine.
US1033701A (en) 1911-10-30 1912-07-23 Leon Joseph Guitard Rotary explosion-engine.
US1050456A (en) 1912-02-08 1913-01-14 William C Dillman Explosive-engine.
US1104539A (en) 1912-02-17 1914-07-21 Craven Robert Ord Rotary engine.
US1080123A (en) 1912-07-10 1913-12-02 Don E Pratt Internal-combustion engine.
US1076179A (en) 1912-07-19 1913-10-21 Hugh H Whitehead Mechanical movement.
US1097150A (en) 1912-08-09 1914-05-19 Louis Vallez Rotary combustion-engine for aerial machines.
US1132161A (en) 1912-10-28 1915-03-16 George Cassady Mechanism for the conversion of reciprocating into rotary motion.
US1065604A (en) 1912-11-29 1913-06-24 Thomas J Gray Fluid-motor.
US1189477A (en) 1913-01-27 1916-07-04 Abel Peytoureau Internal-combustion engine.
US1177609A (en) 1913-03-27 1916-04-04 William E Post Means for converting motion.
US1087861A (en) 1913-10-18 1914-02-17 George Henry Alexander Fluid-operated rotary prime mover.
US1136363A (en) 1913-11-03 1915-04-20 William Burton Pepper Hydraulic transmission.
US1275494A (en) 1913-11-12 1918-08-13 Storle Engine Company Internal-combustion engine.
US1170918A (en) 1914-06-03 1916-02-08 Charles Lundy Valve structure.
US1328261A (en) 1914-07-02 1920-01-20 Blankenburg Wilhelm Alber Carl Machine with rotary and self-controlling cylinders
US1147313A (en) 1914-11-09 1915-07-20 George Eiermann Internal-combustion engine.
US1207846A (en) 1914-11-27 1916-12-12 Robert Daniel Bradford Rotary and reciprocating internal-combustion engine.
US1183470A (en) 1915-03-01 1916-05-16 Alfred Lee Explosion-engine.
US1261111A (en) 1915-04-07 1918-04-02 William Robert Fasey Mechanism for converting reciprocatory into rotary motion.
US1204892A (en) 1915-04-27 1916-11-14 Macomber Motors Company Rotary engine.
US1226789A (en) 1915-04-27 1917-05-22 Macomber Motors Company Muffler.
US1183777A (en) 1915-05-05 1916-05-16 D F Horgan Internal-combustion engine.
US1209995A (en) 1915-05-24 1916-12-26 Craven Robert Ord Rotary explosive-engine.
US1229009A (en) 1915-06-07 1917-06-05 Joseph F Allison Pumping-engine.
US1219377A (en) 1915-07-07 1917-03-13 George H Shaw Rotating motor.
US1277964A (en) 1915-08-13 1918-09-03 Thomas T Lovelace Rotary motor.
US1177126A (en) 1915-08-23 1916-03-28 Franz Miller Engine.
US1181463A (en) 1915-10-07 1916-05-02 Roland W Smith Internal-combustion engine.
US1298191A (en) 1915-10-08 1919-03-25 William Robert Fasey Engine.
US1202598A (en) 1916-01-03 1916-10-24 John Simpson Mechanical movement.
US1228101A (en) 1916-04-08 1917-05-29 James H Mcevoy Rotary internal-combustion engine.
US1222475A (en) 1916-04-19 1917-04-10 Charles W Sears Rotary internal-combustion engine.
US1250709A (en) 1916-06-29 1917-12-18 William T Kirkman Jr Rotary engine.
US1289424A (en) 1916-08-25 1918-12-31 Charles F Faupel Engine.
US1255664A (en) 1916-12-15 1918-02-05 Alexander P Syger Internal-combustion engine.
US1256382A (en) 1917-02-19 1918-02-12 James F Scott Internal-combustion engine.
US1276346A (en) 1917-04-04 1918-08-20 Edward G Gould Rotary engine.
US1252436A (en) 1917-09-17 1918-01-08 Us Airplane And Engine Company Engine.
US1282179A (en) 1918-02-20 1918-10-22 Tracy E Brackett Engine.
US1282180A (en) 1918-02-20 1918-10-22 Tracy F Brackett Engine.
US1283575A (en) 1918-04-13 1918-11-05 World Gas Engine Company Engine.
US1332756A (en) 1918-05-09 1920-03-02 Lemma J Root Rotary internal-combustion engine
US1291531A (en) 1918-07-08 1919-01-14 Thomas S James Construction of internal-combustion engines.
US5069820A (en) * 1987-08-07 1991-12-03 Allied-Signal Inc. Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline
US5171650A (en) * 1990-10-04 1992-12-15 Graphics Technology International, Inc. Ablation-transfer imaging/recording
JPH0710992A (ja) * 1993-06-04 1995-01-13 Neste Oy 加工可能な導電性ポリマー材料およびその製造方法
US5766819A (en) * 1995-11-29 1998-06-16 E. I. Dupont De Nemours And Company Donor elements, assemblages, and associated processes with flexible ejection layer(s) for laser-induced thermal transfer
JP3409232B2 (ja) * 1995-12-27 2003-05-26 日東電工株式会社 導電性樹脂成形体とその製造方法
WO1998042782A1 (fr) * 1997-03-24 1998-10-01 Ichiro Sugimoto Articles moules de plastique electroconducteur et leur procede de fabrication
US6703163B2 (en) * 1998-03-31 2004-03-09 Celanese Ventures Gmbh Lithium battery and electrode
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
AUPQ064999A0 (en) * 1999-05-28 1999-06-24 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Patterned carbon nanotube films

Also Published As

Publication number Publication date
US20040065970A1 (en) 2004-04-08
JP2004526033A (ja) 2004-08-26
WO2002080195A1 (en) 2002-10-10
US7247354B2 (en) 2007-07-24
US7033525B2 (en) 2006-04-25
US20060219984A1 (en) 2006-10-05
EP1360700A1 (en) 2003-11-12
CN1491419A (zh) 2004-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040030506A (ko) 고전도성 폴리아닐린 조성물 및 그의 용도
Blanchet et al. Polyaniline nanotube composites: A high-resolution printable conductor
US7351357B2 (en) Printing of organic conductive polymers containing additives
US8440383B2 (en) Metal compositions, thermal imaging donors and patterned multilayer compositions derived therefrom
Hu et al. Flexible organic light-emitting diodes with transparent carbon nanotube electrodes: problems and solutions
US20060057290A1 (en) Patterning carbon nanotube coatings by selective chemical modification
US7727578B2 (en) Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
JP5558594B2 (ja) 有機発光ダイオードデバイスのためのパターニング及び処理方法
US20070246689A1 (en) Transparent thin polythiophene films having improved conduction through use of nanomaterials
JP2005089738A (ja) カーボンナノチューブ分散溶液およびカーボンナノチューブ分散体
JP2010505640A (ja) ドナー要素、およびナノ粒子層の熱転写方法
KR20050037502A (ko) 물질을 패턴에 따라 플라즈마 처리 표면에 전달하기 위한방법 및 물질
WO2008010981A2 (en) A process for enhancing the resolution of a thermally transferred pattern
MXPA05004331A (es) Impresion por transferencia termica de elementos organicos emisores de luz de pantalla.
JP2007534780A (ja) ポリアニリンおよびカーボンナノチューブを含有する絶縁ポリマー
TW200950607A (en) Substrate and negative imaging method for providing transparent conducting patterns
TWI360721B (en) Patterning an electroconductive layer on a support
JP4491098B2 (ja) 低温で導電性ポリチオフェン層を形成するための方法
JP2004055546A (ja) 針状支持体上の導電性ポリマー
Nitta et al. Preparation of PDOT: PSS transparent conductive film using ink-jet printing
WO2015080493A1 (ko) 열전사필름 및 이를 사용하여 제조된 유기전계발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid