CN1475015A - 具有内建自测功能的存储模块和存储部件 - Google Patents

具有内建自测功能的存储模块和存储部件 Download PDF

Info

Publication number
CN1475015A
CN1475015A CNA018189849A CN01818984A CN1475015A CN 1475015 A CN1475015 A CN 1475015A CN A018189849 A CNA018189849 A CN A018189849A CN 01818984 A CN01818984 A CN 01818984A CN 1475015 A CN1475015 A CN 1475015A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data
test data
memory
test
address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA018189849A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1319072C (zh
Inventor
����� Լ�������
约翰·哈尔伯特
兰迪·搏内拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of CN1475015A publication Critical patent/CN1475015A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1319072C publication Critical patent/CN1319072C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/12015—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising clock generation or timing circuitry
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/14—Implementation of control logic, e.g. test mode decoders
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C2029/0405—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals comprising complete test loop

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

一种具有内建自测功能的存储部件包括存储器阵列。输入/输出接口耦合到存储器阵列并具有反馈回路。提供控制器以向存储器阵列传输存储器阵列测试数据，以便储存存储器阵列测试数据，并从存储器阵列读取存储器阵列测试数据。还提供比较寄存器以便将传输到存储器阵列的存储器阵列测试数据与从存储器阵列读取的存储器阵列测试数据相比较。

Description

具有内建自测功能的存储模块和存储部件
发明背景
1、发明领域
本发明一般涉及存储系统，特别涉及具有内建自测功能的存储模块和存储部件，如存储器件或存储器缓冲器。
2、背景技术
集成电路器件如随机存取存储器(RAM)在制造期间通常经受器件检验测试。通常，设计这种检验测试以检测存储器阵列中的静态和动态缺陷。静态缺陷例如包括集成电路器件中的开路和短路缺陷。动态缺陷包括如产生计时灵敏缺陷的弱高导通或低导通晶体管等缺陷。
通常采用专用的集成电路器件测试器以进行制造检验测试。例如，这种集成电路器件测试器可用于对存储器阵列进行读/写检验周期测试。通常相对低速(例如20MHz)、低成本集成电路器件测试器足够用于检测存储器阵列中的静态缺陷。然而，需要极其昂贵的集成电路测试器来检测超高速存储器阵列中的动态缺陷。这种昂贵的高速集成电路测试器增加了这种器件的总制造成本。此外，对于包括大存储器阵列的集成电路器件，进行这种读/写测试所需要的周期时间与阵列的尺寸成比例增加。
为克服涉及测试集成电路器件的困难而做的尝试包括实现内建自测功能(BIST)电路。例如，集成电路高速缓冲存储器阵列可包含在存储器阵列上进行标准静态随机存取存储器(SRAM)13N March测试算法的电路。通常采用状态机随着采样数据输出的电路产生13N March测试算法并产生结果的信号。然后该信号再次与期望值比较以确定存储器阵列中是否存在缺陷。这种BIST电路通常在避免使用昂贵高速测试器的同时也能进行高速测试。
不幸的是，这些BIST例程一般只能对存储器阵列施加预编程的测试序列。随着这种存储器阵列的制造工艺的发展，制造测试技术人员通常研制了用于检测存储器阵列中的静态和动态缺陷的一种改进策略。
而且，这种用于检测缺陷的改进策略只能应用于将器件放入昂贵集成电路器件测试器中时进行的测试。因此，在不用昂贵测试器的情况下或在不重新设计电路器件的情况下，技术人员不能实现改进测试策略的优点。由于存储器技术的发展，特别是在窄的高速总线领域的发展(这通常以约1.6GHz的速度运行，用于与动态随机存取存储器(DRAM)一起使用)，为获得能以这种高操作频率测试存储模块或存储部件的高速测试器是很昂贵的。因此，昂贵高速硬件测试器的附加使用增加了确定硬件故障所需要的时间，更不必说大大增加了这些存储模块和存储部件的总制造成本。
附图说明
图1示出了根据本发明实施例的具有内建自测功能的存储模块；和
图2示出了根据本发明实施例的具有内建自测功能的存储部件。
具体实施方式
图1表示根据本发明实施例的具有内建自测功能(BIST)的存储模块。利用图1的存储模块100，不需要昂贵的外部高速测试器用于测试存储模块100。存储模块100如此构成，以便在不需要任何外部设备的情况下使用BIST。
图1中所示的存储模块100利用一组缓冲器130、140、150，以便提供与处理器部件如存储控制器(未示出)的接口，它们可能在不同于存储器件110、120如动态随机存取存储器(DRAM)器件的电压和/或频率下工作。在图1的实施例中，存储模块100采用了三个缓冲器结构：两个数据缓冲器1st130、2nd140、以及地址和指令缓冲器150。然而，第一与第二数据缓冲器130、140以及地址和指令缓冲器150可以安装到单个缓冲器件中，或者可同样使用附加的缓冲器部件。
在一个实施例中，内建自测功能(BIST)逻辑和电路结合了地址和指令缓冲器150。地址和指令缓冲器优选包括地址和指令发生器154，以便产生要传输给存储器件110、120用于测试的地址和指令以及测试数据，并且代替产生测试数据，BIST逻辑可利用从数据总线的存储控制器提取的已有数据作为测试数据。随着产生测试数据，地址和指令发生器154还产生比较测试数据，其用于将从存储器件110、120读取的测试数据与开始从地址和指令发生器154传输到存储器件110、120用于储存的测试数据(与比较测试数据相同)相比较。
在一个实施例中，由地址/指令发生器154产生的测试数据被传输到存储器件110、120并储存在其中。然后，从存储器件110读取被储存(写)在存储器件110、120中的测试数据并与比较测试数据相比较，该比较测试数据与测试数据相同也是由地址和指令发生器154产生的。可以在每一个数据缓冲器130、140中提供比较器145如“异或”(XOR)比较器，以便将从存储器件110、120读取的测试数据与由地址/指令发生器154提供的比较测试数据相比较。由比较器145确定该比较是否是匹配的或有失败的，然后结果优选传输给可设置在地址和指令缓冲器150内的测试结果/状态寄存器156。然后测试结果/状态寄存器156向外部器件如存储控制器提供测试状态或结果信号。由测试结果/状态寄存器156产生的测试状态/结果信号可利用两位信息组，表示例如下列状态：不能执行BIST(00)；执行BIST(01)；BIST无效(10)；BIST通过(11)。虽然图1示出了具有两个存储器件110、120的存储模块100，存储模块100不限于只有两个存储器件，可以采用任何合适数量的存储器件。
此外，不采用高速时钟信号进行测试，存储模块100可采用慢速时钟信号，只产生一个时钟，并利用在地址和指令缓冲器150中时钟倍增器152，以便倍增和向存储器件110、120分配时钟信号。因而，通过图1中所示的存储模块100，可独立于其它系统而测试存储模块100，并且不需要昂贵的高速测试器以测试存储器件110、120和在存储模块100本身内部的它们的连接。
图2表示根据本发明实施例的具有BIST的存储部件。如图2所示，BIST逻辑可完全设置在一个存储部件如缓冲器210和存储器件220内。即，每个存储部件可以独立于任何其它部件使用并对其自身进行测试。缓冲器210可以是地址和指令缓冲器150，或数据缓冲器130、140，如上面参照图1所述的。
BIST逻辑包括控制器260以进行BIST操作。控制器260优选接收时钟信号，并且还提供来自存储部件如缓冲器210或存储器件220的测试结果信号。与图1的地址和指令发生器154一样，控制器260适于产生测试数据并比较测试数据以测试缓冲器部件210的功能逻辑或存储器阵列250(这取决于存储部件的类型，例如缓冲器或存储器件)、或存储器件220。测试数据优选提供给功能逻辑或存储器阵列250，然后该测试数据传输到输入/输出接口230、240。测试数据还可以从控制器260直接传输到输入/输出接口230、240以测试输入/输出接口230、240。
输入/输出接口230、240设有反馈回路(loopback)，因而测试数据可以从输入/输出接点返回到比较寄存器270，以便比较来自输入/输出接口230、240的测试数据，最后达到测试功能逻辑或存储器阵列250的目的。控制器260适于产生比较测试数据并将其提供给比较寄存器270，以便比较寄存器270可比较从输入/输出接口230、240接收的测试数据与比较测试数据，从而确定是否匹配和测试是否成功。因而，比较寄存器270根据测试结果做出决定，并优选通过控制器260报告测试结果。比较寄存器270和控制器260可以在一单个器件内或公共电路内实现。
因此，通过采用带有BIST的存储部件如缓冲器210和存储器件220，在制造缓冲器210和存储器件220之后可进行本地自测试。然而，部件-级内建自测功能可以在制造和封装的各个阶段进行，包括在晶片探测阶段、在后封装期间、以及甚至在后组装期间。相应地，图2的存储部件210、220可以独立于其它部件进行测试，并且在测试存储部件210、220时不需要昂贵的高速测试器。
前面已经参照本发明的具体实施例进行了说明，应该理解在不脱离本发明的精神的情况下可以做很多修改。所附权利要求书趋于覆盖落入本发明的范围和精神范围内的这些修改。因此这里公开的实施例只是示意性的并不是限制性的，本发明的范围由所附权利要求书表示，而不是由前述说明表示，因此落入权利要求书的等效含义和范围内的所有修改都将包含在本发明。

Claims (53)

1、一种具有内建自测功能的存储部件，包括：
耦合到存储器阵列并具有反馈回路的输入/输出接口；
控制器，其向输入/输出接口传输输入/输出测试数据，并从输入/输出接口的反馈回路接收输入/输出测试数据；和
比较寄存器，将传输给输入/输出接口的输入/输出测试数据与从输入/输出接口接收的输入/输出测试数据进行比较。
2、根据权利要求1的存储部件，其中该存储部件是动态随机存取存储器(DRAM)。
3、根据权利要求1的存储部件，其中该存储部件是缓冲器。
4、根据权利要求3的存储部件，其中该缓冲器是地址和指令缓冲器。
5、根据权利要求3的存储部件，其中该缓冲器是数据缓冲器。
6、根据权利要求3的存储部件，其中该缓冲器是地址和指令以及数据缓冲器。
7、根据权利要求1的存储部件，其中比较寄存器根据传输给输入/输出接口的输入/输出测试数据与从该输入/输出接口接收的输入/输出测试数据的比较而产生一个测试结果。
8、根据权利要求1的存储部件，其中控制器适于向存储器阵列传输存储器阵列测试数据以在其中储存测试数据，并且从存储器阵列读取存储器阵列测试数据，以及比较寄存器适于将传输到存储器阵列的存储器阵列测试数据与从存储器阵列读取的存储器阵列测试数据相比较。
9、一种具有内建自测功能的存储部件，包括：
存储器阵列；
耦合到存储器阵列并具有反馈回路的输入/输出接口；
控制器，其向存储器阵列传输存储器阵列测试数据以储存存储器阵列测试数据，并从存储器阵列读取存储器阵列测试数据；和
比较寄存器，将传输给存储器阵列的的存储器阵列测试数据与从存储器阵列读取的存储器阵列测试数据进行比较。
10、根据权利要求9的存储部件，其中该存储部件是动态随机存取存储器(DRAM)。
11、根据权利要求9的存储部件，其中该存储部件是缓冲器。
12、根据权利要求11的存储部件，其中该缓冲器是地址和指令缓冲器。
13、根据权利要求11的存储部件，其中该缓冲器是数据缓冲器。
14、根据权利要求11的存储部件，其中该缓冲器是地址和指令以及数据缓冲器。
15、根据权利要求9的存储部件，其中比较寄存器根据传输给存储器阵列的存储器阵列测试数据与从存储器阵列读取的存储阵列测试数据的比较而产生一个测试结果。
16、一种测试具有内建自测功能的存储部件的方法，包括：
向具有反馈回路的输入/输出接口传输输入/输出测试数据；
从输入/输出接口的反馈回路接收输入/输出测试数据；和
将传输到输入/输出接口的输入/输出测试数据与从输入/输出接口接收的输入/输出测试数据相比较。
17、根据权利要求16的方法，其中该存储部件是动态随机存取存储器(DRAM)。
18、根据权利要求16的方法，其中该存储部件是缓冲器。
19、根据权利要求18的方法，其中该缓冲器是地址和指令缓冲器。
20、根据权利要求18的方法，其中该缓冲器是数据缓冲器。
21、根据权利要求18的方法，其中该缓冲器是地址和指令以及数据缓冲器。
22、根据权利要求16的方法，其中比较寄存器根据传输给输入/输出接口的输入/输出测试数据与从该输入/输出接口接收的输入/输出测试数据的比较而产生一个测试结果。
23、根据权利要求16的方法，还包括：
向存储器阵列传输存储器阵列测试数据；
在存储器阵列中储存存储器阵列测试数据；
从存储器阵列读取存储器阵列测试数据；和
将传输到存储器阵列的存储器阵列测试数据与从存储器阵列读取的存储器阵列测试数据相比较。
24、一种测试具有内建自测功能的存储部件的方法，包括：
向存储器阵列传输存储器阵列测试数据；
在存储器阵列中储存存储器阵列测试数据；
从存储器阵列读取存储器阵列测试数据；和
将传输到存储器阵列的存储器阵列测试数据与从存储器阵列读取的存储器阵列测试数据相比较。
25、根据权利要求24的方法，其中该存储部件是动态随机存取存储器(DRAM)。
26、根据权利要求24的方法，其中该存储部件是缓冲器。
27、根据权利要求26的方法，其中该缓冲器是地址和指令缓冲器。
28、根据权利要求26的方法，其中该缓冲器是数据缓冲器。
29、根据权利要求26的方法，其中该缓冲器是地址和指令以及数据缓冲器。
30、根据权利要求24的方法，其中比较寄存器根据传输给存储器阵列的存储器阵列测试数据与从存储器阵列读取的存储阵列测试数据的比较而产生一个测试结果。
31、一种具有内建自测功能的存储模块，包括：
至少一个存储部件；
适于向至少一个存储部件传输地址和指令数据以及测试数据的地址和指令缓冲器，其中地址和指令缓冲器包括寄存器以接收测试结果；和
至少一个数据缓冲器，以便从地址和指令缓冲器接收测试数据、从至少一个存储部件接收测试数据、并将从地址和指令缓冲器接收的测试数据与从该至少一个存储部件接收的测试数据相比较以便产生测试结果。
32、根据权利要求31的存储模块，其中地址和指令缓冲器以及数据缓冲器位于一个缓冲器芯片内。
33、根据权利要求31的存储模块，其中至少一个存储部件是动态随机存取存储器(DRAM)。
34、根据权利要求31的存储模块，其中地址和指令缓冲器包括时钟倍增器，以便接收时钟信号并使传输给至少一个存储部件和至少一个数据缓冲器的时钟信号倍增。
35、根据权利要求31的存储模块，其中地址和指令缓冲器包括地址和指令发生器以产生地址和指令数据。
36、根据权利要求31的存储模块，其中测试数据是通过存储控制器从数据总线获得的。
37、根据权利要求31的存储模块，其中寄存器从该至少一个数据缓冲器接收测试结果并作为以下状态之一报告测试结果：没有启动内建自测功能，启动内建自测功能，内建自测功能失败，以及内建自测功能通过。
38、根据权利要求31的存储模块，其中至少一个数据缓冲器利用异或(XOR)比较器将从地址和指令缓冲器接收的测试数据与从至少一个存储部件接收的测试数据相比较。
39、一种测试具有内建自测功能的存储模块的方法，该方法包括：
从地址和指令缓冲器向存储部件传输地址和指令数据以及测试数据；
从地址和指令缓冲器接收测试数据；
从存储部件接收测试数据；和
将从地址和指令缓冲器接收的测试数据与从存储部件接收的测试数据相比较，以便产生测试结果。
40、根据权利要求39的方法，其中在数据缓冲器中执行从地址和指令缓冲器接收测试数据、从存储部件接收测试数据以及比较测试数据。
41、根据权利要求40的方法，其中数据缓冲器以及地址和指令缓冲器位于一个缓冲器芯片内。
42、根据权利要求39的方法，其中存储部件是动态随机存取存储器(DRAM)。
43、根据权利要求39的方法，还包括：
通过地址和指令缓冲器的时钟倍增器接收时钟信号；
倍增时钟信号；和
向存储部件和数据缓冲器传输时钟信号。
44、根据权利要求39的方法，还包括：
从地址和指令缓冲器的地址和指令数据发生器产生地址和指令数据。
45、根据权利要求39的方法，还包括：
通过存储器控制器从数据总线获得测试数据。
46、根据权利要求39的方法，还包括：
在地址和指令缓冲器的寄存器中接收测试结果；和
作为以下状态之一报告来自寄存器的测试结果：没有启动内建自测功能，启动内建自测功能，内建自测功能失败，以及内建自测功能通过。
47、根据权利要求39的方法，其中将从地址和指令缓冲器接收的测试数据与从存储部件接收的测试数据相比较是通过利用异或(XOR)比较器的数据缓冲器执行的。
48、一种具有内建自测功能的存储模块，包括：
至少一个存储部件；
适于向至少一个存储部件传输地址和指令数据以及测试数据的地址和指令缓冲器，其中地址和指令缓冲器包括：
接收测试结果的寄存器，
接收时钟信号和倍增时钟信号用于传输的时钟倍增器，和
产生地址和指令数据的地址和指令发生器；和
至少一个数据缓冲器，以便从地址和指令缓冲器接收测试数据，从至少一个存储部件接收测试数据，以及将从地址和指令缓冲器接受的测试数据与从至少一个存储部件接收的测试数据相比较，由此产生测试结果。
49、根据权利要求48的存储模块，其中地址和指令缓冲器以及数据缓冲器位于一个缓冲器芯片内。
50、根据权利要求48的存储模块，其中该至少一个存储部件是动态随机存取存储器(DRAM)。
51、根据权利要求48的存储模块，其中测试数据是通过存储控制器从数据总线获得的。
52、根据权利要求48的存储模块，其中寄存器从至少一个数据缓冲器接收测试结果并作为以下状态之一报告测试结果：没有启动内建自测功能，启动内建自测功能，内建自测功能失败，以及内建自测功能通过。
53、根据权利要求48的存储模块，其中至少一个数据缓冲器利用异或(XOR)比较器将从地址和指令缓冲器接收的测试数据与从至少一个存储部件接收的测试数据相比较。
CNB018189849A 2000-09-18 2001-09-14 具有内建自测功能的存储模块和存储部件，以及相应的测试方法 Expired - Fee Related CN1319072C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/664,910 2000-09-18
US09/664,910 US6928593B1 (en) 2000-09-18 2000-09-18 Memory module and memory component built-in self test

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1475015A true CN1475015A (zh) 2004-02-11
CN1319072C CN1319072C (zh) 2007-05-30

Family

ID=24667948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB018189849A Expired - Fee Related CN1319072C (zh) 2000-09-18 2001-09-14 具有内建自测功能的存储模块和存储部件，以及相应的测试方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6928593B1 (zh)
CN (1) CN1319072C (zh)
AU (1) AU2001290935A1 (zh)
DE (1) DE10196635B4 (zh)
HK (1) HK1063264A1 (zh)
TW (1) TWI234784B (zh)
WO (1) WO2002025957A2 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102013274A (zh) * 2010-11-10 2011-04-13 无锡中星微电子有限公司 一种存储器的自检测电路和方法
CN101202914B (zh) * 2006-12-01 2012-01-11 汤姆森许可贸易公司 具有本地寄存器的处理元件阵列
CN1965372B (zh) * 2004-06-11 2012-03-21 三星电子株式会社 在测试模式设置操作下交接测试系统和嵌入式存储器的方法和装置
CN101105980B (zh) * 2006-07-11 2013-02-27 三星电子株式会社 具有自测试功能的存储器控制器及其测试方法
CN103198001A (zh) * 2013-04-25 2013-07-10 加弘科技咨询(上海)有限公司 能够自测pcie接口的存储系统及测试方法
CN103943152A (zh) * 2014-03-31 2014-07-23 西安华芯半导体有限公司 存储器的快速内建自测试系统及方法
CN104425040A (zh) * 2013-08-23 2015-03-18 辉达公司 用于测试存储器的方法和系统
CN105070321A (zh) * 2015-08-18 2015-11-18 珠海市一微半导体有限公司 存储器件的快速测试电路及方法
CN107305789A (zh) * 2016-04-21 2017-10-31 北京兆易创新科技股份有限公司 一种非挥发性存储器的自测试方法和装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10260184B4 (de) * 2002-12-20 2005-08-25 Infineon Technologies Ag Speichermodul mit einer Testeinrichtung
DE10300781B4 (de) * 2003-01-11 2014-02-06 Qimonda Ag Speicherbaustein, Testsystem und Verfahren zum Testen eines oder mehrerer Speicherbausteine
DE10317371A1 (de) * 2003-04-15 2004-11-11 Infineon Technologies Ag Daten-Interface-Schaltung und Verfahren zum Testen einer Daten-Interface-Schaltung
US7184916B2 (en) * 2003-05-20 2007-02-27 Cray Inc. Apparatus and method for testing memory cards
US7139957B2 (en) * 2003-06-30 2006-11-21 Intel Corporation Automatic self test of an integrated circuit component via AC I/O loopback
US7194670B2 (en) * 2004-02-13 2007-03-20 International Business Machines Corp. Command multiplier for built-in-self-test
DE102004043051A1 (de) * 2004-09-06 2006-03-30 Infineon Technologies Ag Loop-back-Verfahren zur Vermessung des Interface-Timings von Halbleiterspeichervorrichtungen unter Verwendung des Normal-Mode-Speichers
US7836372B2 (en) * 2007-06-08 2010-11-16 Apple Inc. Memory controller with loopback test interface
US7721175B2 (en) * 2007-08-21 2010-05-18 Micron Technology, Inc. System, apparatus, and method for memory built-in self testing using microcode sequencers
US8001434B1 (en) 2008-04-14 2011-08-16 Netlist, Inc. Memory board with self-testing capability
US8154901B1 (en) 2008-04-14 2012-04-10 Netlist, Inc. Circuit providing load isolation and noise reduction
US8386867B2 (en) 2009-07-02 2013-02-26 Silicon Image, Inc. Computer memory test structure
IT1397374B1 (it) 2009-12-30 2013-01-10 St Microelectronics Srl Soluzione integrata per l'individuazione dei componenti difettosi in dispositivi di memoria
US8543873B2 (en) * 2010-01-06 2013-09-24 Silicon Image, Inc. Multi-site testing of computer memory devices and serial IO ports
US8345558B2 (en) * 2010-02-02 2013-01-01 Juniper Networks, Inc. Packet-based memory test of a network device
JP2012027734A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Panasonic Corp メモリコントローラおよびメモリアクセスシステム
US9299400B2 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Intel Corporation Distributed row hammer tracking
US9564245B2 (en) 2013-12-26 2017-02-07 Intel Corporation Integrated circuit defect detection and repair
US9548137B2 (en) 2013-12-26 2017-01-17 Intel Corporation Integrated circuit defect detection and repair
US9959185B2 (en) * 2016-04-28 2018-05-01 United Microelectronics Corp. Memory system capable of generating notification signals
TWI776785B (zh) * 2022-04-07 2022-09-01 點序科技股份有限公司 裸晶測試系統及其裸晶測試方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4837785A (en) * 1983-06-14 1989-06-06 Aptec Computer Systems, Inc. Data transfer system and method of operation thereof
USRE34445E (en) 1985-01-18 1993-11-16 University Of Michigan Self-testing dynamic RAM
JP2882426B2 (ja) * 1991-03-29 1999-04-12 株式会社アドバンテスト アドレス発生装置
JPH0553924A (ja) * 1991-08-26 1993-03-05 Nec Corp 記憶装置の試験方式
US5815512A (en) * 1994-05-26 1998-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory testing device
US5638382A (en) * 1994-06-29 1997-06-10 Intel Corporation Built-in self test function for a processor including intermediate test results
US5613153A (en) 1994-10-03 1997-03-18 International Business Machines Corporation Coherency and synchronization mechanisms for I/O channel controllers in a data processing system
US5633878A (en) * 1995-01-20 1997-05-27 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Self-diagnostic data buffers
EP0744755A1 (en) * 1995-05-25 1996-11-27 International Business Machines Corporation Test method and device for embedded memories on semiconductor substrates
JPH0922393A (ja) * 1995-07-06 1997-01-21 Mitsubishi Electric Corp 通信機能を有するワンチップフラッシュメモリ装置
KR100492205B1 (ko) * 1996-04-30 2005-09-14 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 집적회로메모리디바이스의내장자가테스트구성
US5748640A (en) 1996-09-12 1998-05-05 Advanced Micro Devices Technique for incorporating a built-in self-test (BIST) of a DRAM block with existing functional test vectors for a microprocessor
US5961653A (en) 1997-02-19 1999-10-05 International Business Machines Corporation Processor based BIST for an embedded memory
US5815427A (en) * 1997-04-02 1998-09-29 Micron Technology, Inc. Modular memory circuit and method for forming same
US6286062B1 (en) * 1997-07-01 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Pipelined packet-oriented memory system having a unidirectional command and address bus and a bidirectional data bus
CA2212089C (en) 1997-07-31 2006-10-24 Mosaid Technologies Incorporated Bist memory test system
US5982681A (en) 1997-10-10 1999-11-09 Lsi Logic Corporation Reconfigurable built-in self test circuit
US6058056A (en) * 1998-04-30 2000-05-02 Micron Technology, Inc. Data compression circuit and method for testing memory devices
US5982684A (en) * 1998-05-28 1999-11-09 Intel Corporation Parallel access testing of a memory array
US6415403B1 (en) * 1999-01-29 2002-07-02 Global Unichip Corporation Programmable built in self test for embedded DRAM
US6477674B1 (en) * 1999-12-29 2002-11-05 Intel Corporation Method and apparatus for conducting input/output loop back tests using a local pattern generator and delay elements
JP4310878B2 (ja) 2000-02-10 2009-08-12 ソニー株式会社 バスエミュレーション装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1965372B (zh) * 2004-06-11 2012-03-21 三星电子株式会社 在测试模式设置操作下交接测试系统和嵌入式存储器的方法和装置
CN101105980B (zh) * 2006-07-11 2013-02-27 三星电子株式会社 具有自测试功能的存储器控制器及其测试方法
CN101202914B (zh) * 2006-12-01 2012-01-11 汤姆森许可贸易公司 具有本地寄存器的处理元件阵列
CN102013274B (zh) * 2010-11-10 2013-08-07 无锡中星微电子有限公司 一种存储器的自检测电路和方法
CN102013274A (zh) * 2010-11-10 2011-04-13 无锡中星微电子有限公司 一种存储器的自检测电路和方法
CN103198001B (zh) * 2013-04-25 2017-02-01 加弘科技咨询(上海)有限公司 能够自测pcie接口的存储系统及测试方法
CN103198001A (zh) * 2013-04-25 2013-07-10 加弘科技咨询(上海)有限公司 能够自测pcie接口的存储系统及测试方法
CN104425040A (zh) * 2013-08-23 2015-03-18 辉达公司 用于测试存储器的方法和系统
CN103943152A (zh) * 2014-03-31 2014-07-23 西安华芯半导体有限公司 存储器的快速内建自测试系统及方法
CN103943152B (zh) * 2014-03-31 2017-02-01 西安紫光国芯半导体有限公司 存储器的快速内建自测试系统及方法
CN105070321A (zh) * 2015-08-18 2015-11-18 珠海市一微半导体有限公司 存储器件的快速测试电路及方法
CN105070321B (zh) * 2015-08-18 2019-03-08 珠海市一微半导体有限公司 存储器件的快速测试电路及方法
CN107305789A (zh) * 2016-04-21 2017-10-31 北京兆易创新科技股份有限公司 一种非挥发性存储器的自测试方法和装置
CN107305789B (zh) * 2016-04-21 2020-08-07 北京兆易创新科技股份有限公司 一种非挥发性存储器的自测试方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE10196635B4 (de) 2011-06-16
WO2002025957A3 (en) 2002-07-11
WO2002025957A2 (en) 2002-03-28
DE10196635T1 (de) 2003-08-21
CN1319072C (zh) 2007-05-30
US6928593B1 (en) 2005-08-09
HK1063264A1 (en) 2004-12-17
TWI234784B (en) 2005-06-21
AU2001290935A1 (en) 2002-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1319072C (zh) 具有内建自测功能的存储模块和存储部件，以及相应的测试方法
US7284166B2 (en) Programmable multi-mode built-in self-test and self-repair structure for embedded memory arrays
US6658611B1 (en) Programmable built-in self-test system for semiconductor memory device
KR100328357B1 (ko) 개선된자동메모리테스터용용장성분석기
US6934900B1 (en) Test pattern generator for SRAM and DRAM
US7360116B2 (en) Built-in self test circuit
JPH09127206A (ja) 選択した障害に関する障害情報を捕捉する集積回路試験用の方法および組込み型自己試験装置
US20040230870A1 (en) Built-in self test system and method
US7251757B2 (en) Memory testing
CN101458971A (zh) 一种嵌入式存储器的测试系统及测试方法
KR19980064254A (ko) 모니터 및 테스터 모드를 가진 내장 자가 테스트 회로를 구비한집적 회로 메모리 장치
CN103617810A (zh) 嵌入式存储器的测试结构及方法
EP0092245A2 (en) Functional command for semiconductor memory
US6515922B1 (en) Memory module
JP2004510171A (ja) 集積回路デバイスをテストするシステム及び方法
WO2007114373A1 (ja) テスト方法、テストシステムおよび補助基板
US10650908B2 (en) Semiconductor device and system including the same
US20030120989A1 (en) Method and circuit to implement double data rate testing
US7152194B2 (en) Method and circuit for scan testing latch based random access memory
CN115691632B (zh) 测试控制系统和方法
US7137050B2 (en) Compression circuit for testing a memory device
KR100604888B1 (ko) 개선된 테스트 회로를 구비하는 집적회로 장치 및집적회로 장치 테스트 방법
US5566186A (en) Test control device
US8176370B2 (en) Method and system for direct access memory testing of an integrated circuit
US6158029A (en) Method of testing an integrated circuit having a memory and a test circuit

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1063264

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070530

Termination date: 20170914