CN1473329A - 溅射靶、其制造方法、以及形成了相变化型光盘保护膜的光记录媒体 - Google Patents

溅射靶、其制造方法、以及形成了相变化型光盘保护膜的光记录媒体 Download PDF

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Abstract

本发明涉及以硫化锌－二氧化硅为主成分的溅射靶，它通过使用比表面积为5－40m2/g、含有0.05－0.35重量％硫酸根(SO4)的硫化锌，并混入15摩尔％或更多的二氧化硅使其均匀分散来制作。本发明还涉及使用这样的靶形成了以硫化锌－二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体。可以得到用于形成以硫化锌－二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的高密度溅射靶的制造方法，所述的靶能够减少通过溅射形成膜时在溅射时产生的微粒(扬尘)和球粒，具有最小的品质变动，能够提高批量生产率，并且晶粒微细。

Description

溅射靶、其制造方法、以及形成了相变化型 光盘保护膜的光记录媒体
技术领域
本发明涉及溅射靶，它以硫化锌-二氧化硅为主成分，在通过溅射形成膜时它能够减少溅射时产生的微粒(扬尘)和球粒(nodule)，其密度高且品质变动最小，并且能够提高批量生产率，还涉及使用该靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，及该靶的制造方法。
背景技术
近年来，开发了不需要磁头就可读/写的高密度可记录光盘技术，该技术迅速引起人们关注。这种光盘分为只读型、一次写入型和可改写型三类。特别是在可改写型光盘中使用的相变化方法引入注目。以下简单说明采用这种相变化光盘记录/再生的基本原理。
相变化光盘是通过照射激光将衬底上的记录薄膜加热升温，使得在该记录薄膜的结构中产生结晶学相变化(无定形晶体)，进行信息的读/写。更具体地，信息的读是通过检测反射率的变化进行的。
上述的相变化是通过缩减至约1～数μm直径的激光束的照射来进行的。此时，例如1μm的激光束以10m/s的线速度通过时，光照射在光盘上确定点的时间是100ns，在此时间内必须进行上述相变化和反射率的检测。
另外，为实现上述结晶学相变化，即无定形与晶体间的相变化，不仅相变化记录层，而且周围的介质保护层和铝合金也将反复受到一次以上的熔融和急冷。
鉴于上面的内容，相变化光盘具有四层结构，其中，例如，用硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO2)高熔点介质等夹住Ge-Sb-Te记录薄膜层等，并进一步设置铝合金反射层。
其中，除要求反射层和保护层具有能够增加无定形部分与结晶部分的吸收并具有大的反射率差的光学功能外，还要求其具有防止记录薄膜的耐湿性或热引起的变形的功能，以及控制记录时的热条件的功能(参照杂志“光学”第26卷1号，9-15页)。
如上所述，高熔点介质保护层必须对加热和冷却引起的重复热应力具有耐性，必须不使这样的热作用影响反射膜或其它区域，并且还要求自身薄、反射率低、并且具有防止变质的强度。从这点上看，介质保护层起着重要的作用。
上述的介质保护层通常是通过溅射法形成。这种溅射法将正电极与负电极靶相对，并通过在惰性气氛下在它们的衬底与靶间施加高电压而产生电场。该溅射法利用的基本原理是：此时电离的电子与惰性气体发生碰撞而形成等离子体，该等离子体中的阳离子撞击靶(负电极)表面，将靶构成原子挤出，挤出的原子附着到相对的衬底表面上，从而在这里形成膜。
以往，由于要求上述的保护层在可见光波段具有透过性或耐热性等，因此为形成大约500至2000的薄膜，使用ZnS-SiO2等形成的陶瓷靶进行溅射。
这些材料通过高频溅射(RF)装置、磁控管溅射装置、或对靶材进行特殊处理后使用DC(直流)溅射装置等沉积。
通过将硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO2)形成的靶的晶粒微细化并且高密度化，可以使靶的溅射面变得均匀且平滑，从而产生减少微粒和球粒以及延长靶寿命的特性。众所周知，这样的结果是提高光盘的生产率。
然而，以往在ZnS-SiO2靶中使用的SiO2，具有4N以上的高纯度，以及0.1-20μm的平均粒径，通常是通过在800-1200℃的温度下烧结来制造。但是，在这种温度范围内，SiO2自身不发生变形，也不与ZnS发生反应。
因此，如上制造的ZnS-SiO2靶容易在ZnS和SiO2间形成空隙，当SiO2微细时，这变得更为显著，并且由于ZnS的致密化也因此受到阻碍，因此存在靶密度将下降的问题。
因此，以往为实现高密度化，必须使热压制造条件变为更高温、更高压。但是，例如，通过热压制作时，1个工序所需的时间将与温度的增加成比例增加，并且为保持与压力增加成比例的石墨模强度，必须增加外周的厚度并且减小负荷面积。结果是，存在每个热压批次的生产量将显著减少的问题。
相反，当增大热压装置并增大石墨模自身以避免生产量减少时，热压装置和石墨模的成本将增加。
由于上面的原因，以往不可能以低成本获得ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜用的高密度溅射靶。
因此，一般不得不使用低密度靶，但结果是，通过溅射形成膜时将产生微粒(扬尘)和球粒。这导致的问题是膜的均匀性和品质下降，生产率低下。
本发明的公开
本发明的目的是得到一种溅射靶，其具有98％的高密度，晶粒微细，以硫化锌-二氧化硅为主要成分，该靶能够减少通过溅射形成膜时，溅射时产生的微子(扬尘)和球粒，具有高密度且品质的变动最小，并且能够提高批量生产率，本发明的目的还在于得到使用该靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，及该靶的制造方法。
为实现上述目的，本发明人进行了广泛细致的研究，结果发现，通过调节硫化锌中所含的硫酸根(SO4)量及比表面积，可以减少空孔，即使微细化也容易实现高密度化，可以减少溅射时产生的微粒和球粒而无损作为保护膜的特性，也可以提高膜厚度的均匀性。
基于上述发现，本发明提供：
1.使用硫化锌粉末与二氧化硅粉末均匀混合并分散的粉体形成的溅射靶，及使用所述的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，其中，当硫酸根(SO4)量为0.05-0.35重量％的硫化锌和二氧化硅的中值粒径分别设为Aμm和Bμm，二氧化硅的混合比设为M摩尔％时，在0.1μm＜A＜10μm、0.5μm＜B＜15μm、15摩尔％≤M的范围内满足1.4≤B/A；并且当设比表面积分别为Cm2/g、Dm2/g，二氧化硅的混合比为M摩尔％时，在5m2/g≤C≤40m2/g、0.5m2/g≤D≤15m2/g及15摩尔％≤M的范围内，满足3.5≤C/D；当设粒径A换算的比表面积为Em2/g时，15≤C/E；以及当设粒径B换算的比表面积为Fm2/g时，D/F≤5；
2.上述第1项所述的溅射靶，及使用所述的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，其特征在于，在靶的体相中存在的二氧化硅的平均粒径为10μm或更小；
3.上述第1或第2项所述的溅射靶，及使用所述的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，其特征在于，相对密度为98％或更高；
4.溅射靶的制造方法，其特征在于，使用硫化锌粉末与二氧化硅粉末均匀混合并分散的粉体，通过热压或热等静压形成靶，其中，当硫酸根(SO4)量为0.05-0.35重量％的硫化锌和二氧化硅的中值粒径分别设为Aμm和Bμm，二氧化硅的混合比设为M摩尔％时，在0.1μm＜A＜10μm、0.5μm＜B＜15μm、15摩尔％≤M的范围内满足1.4≤B/A；并且当设比表面积分别为Cm2/g、Dm2/g，二氧化硅的混合比为M摩尔％时，在5m2/g≤C≤40m2/g、0.5m2/g≤D≤15m2/g及15摩尔％≤M的范围内，满足3.5≤C/D；当设粒径A换算的比表面积为Em2/g时，15≤C/E；以及当设粒径B换算的比表面积为Fm2/g时，D/F≤5
5.上述第4项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在靶的体相中存在的二氧化硅的平均粒径为10μm或更小；
6.上述第4或第5项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，相对密度为98％或更高；
7.上述第4-6各项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，热压是通过至少在升温中或最高温度保持中将环境气氛真空化进行的。
另外，在上面的说明中，设0.1μm＜A＜10μm，这是因为如果A为0.1μm或更低，由于聚集的发生及密度的低下等造成生产率下降，并且因为如果A为10μm或更高，将难以实现目标的高密度化。
设0.5μm＜B＜15μm，这是因为如果B为0.5μm或更低，难以实现目标的高密度化，并且因为如果B为15μm或更高，微粒和球粒的产生将增加。如果C小于5m2/g，将难以实现目标的高密度化，如果C大于40m2/g，则由于产生聚集及密度的低下将使生产率低下。因此，设定5m2/g≤C≤40m2/g。
如果D小于0.5m2/g，微粒和球粒的产生将增加，并且如果D大于15m2/g，将难以实现目标的高密度化。因此，设定0.5m2/g≤D≤15m2/g的范围。
实施本发明的最佳方式
本发明的以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶是通过混合硫化锌粉末与二氧化硅粉末使其均匀分散，然后将其烧结制成的，其中，当硫酸根(SO4)量为0.05-0.35重量％的硫化锌和二氧化硅的中值粒径分别设为Aμm和Bμm，二氧化硅的混合比设为M摩尔％时，在0.1μm＜A＜10μm、0.5μm＜B＜15μm、15摩尔％≤M的范围内满足1.4≤B/A；并且当设比表面积分别为Cm2/g、Dm2/g，二氧化硅的混合比为M摩尔％时，在5m2/g≤C≤40m2/g、0.5m2/g≤D≤15m2/g及15摩尔％≤M的范围内，满足3.5≤C/D；当设粒径A换算的比表面积为Em2/g时，15≤C/E；以及当设粒径B换算的比表面积为Fm2/g时，D/F≤5。这样，就得到了相对密度为98％或更高的溅射靶。
这种以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶密度的增加，可通过减少空孔而使晶粒微细化，并且使靶的溅射面均匀且平滑。因此，具有可以减少溅射时的微粒和球粒，并且可以延长靶寿命的效果。
上面的结果是，通过使用本发明的以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶，可以增加形成了相变化型光盘保护膜的光记录媒体的生产率，可以得到品质优良的材料。
另外，通过使靶的体相中存在的二氧化硅的平均粒径为10μm或更低，可以进一步改善上述特性。
对于以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶的制造方法，可以通过热压或热等静压制备上述的硫化锌粉末和二氧化硅粉末。
对于热压，通过借由至少在升温中或最高温度保持中将环境气氛真空化进行热压可以容易地制作高密度靶。
此时，对于硫化锌原料，为制作具有极少空孔的高密度靶不再需要以脱气为目的的300℃或更高温度的热处理。
如上所述，通过规定硫化锌的比表面积及原料中所含的硫酸根(SO4)的比较简单的方法，产生的显著效果是：不改变靶品质(晶粒或结晶相)，就可以在热压或HIP的通常批量生产条件(温度、压力、气氛)下，制作高密度且空孔少的靶。
实施例和比较例
以下基于实施例和比较例说明本发明。这些实施例仅是举例，因此本发明无论如何不受限制。即，本发明不是只受专利权利要求范围的限制，而是也应包括本发明的实施例以外的各种变形。(实施例1)
将纯度为4N(99.99％)、BET法测定的比表面积为20m2/g(粒径换算的比表面积为0.5m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.2重量％、粒径(中值)为3μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N(99.99％)、BET法测定的比表面积为0.8m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、粒径(中值)为10μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1000℃。这样得到的靶的相对密度为98.0％。
SiO2晶粒的平均粒径为10μm或更小。另外，在ZnS与SiO2间的表面上几乎不能确认有空孔。结果是，得到了用于形成ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜的优良的高密度溅射靶。(实施例2)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为10m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.11重量％、粒径(中值)为5μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为0.9m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、粒径(中值)为10μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1000℃。这样得到的靶的相对密度为98.5％。
SiO2晶粒的平均粒径为10μm或更小。另外，在ZnS与SiO2间的表面上几乎不能确认有空孔。结果是，得到了用于形成ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜的优良的高密度溅射靶。(实施例3)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为30m2/g(粒径换算的比表面积为1.5m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.35重量％、粒径(中值)为1μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为0.9m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、粒径(中值)为10μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1000℃。这样得到的靶的相对密度为99.0％。
SiO2晶粒的平均粒径为10μm或更小。另外，在ZnS与SiO2间的表面上几乎不能确认有空孔。结果是，得到了用于形成ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜的优良的高密度溅射靶。(实施例4)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为7m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.15重量％、粒径(中值)为5μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为1.3m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、粒径(中值)为9μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为98.5％。
SiO2晶粒的平均粒径为10μm或更小。另外，在ZnS与SiO2间的表面上几乎不能确认有空孔。结果是，得到了用于形成ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜的优良的高密度溅射靶。(实施例5)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为10m2/g(粒径换算的比表面积为0.5m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.12重量％、粒径(中值)为3μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为2.5m2/g(粒径换算的比表面积为0.5m2/g)、粒径(中值)为5μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为99.5％。
SiO2晶粒的平均粒径为10μm或更小。另外，在ZnS与SiO2间的表面上几乎不能确认有空孔。结果是，得到了用于形成ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜的优良的高密度溅射靶。(实施例6)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为20m2/g(粒径换算的比表面积为0.5m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.22重量％、粒径(中值)为3μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为1.8m2/g(粒径换算的比表面积为0.5m2/g)、粒径(中值)为6μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为98.5％。
SiO2晶粒的平均粒径为10μm或更小。另外，在ZnS与SiO2间的表面上几乎不能确认有空孔。结果是，得到了用于形成ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜的优良的高密度溅射靶。(实施例7)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为30m2/g(粒径换算的比表面积为1.5m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.25重量％、粒径(中值)为1μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为0.7m2/g(粒径换算的比表面积为0.2m2/g)、粒径(中值)为11μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为99.4％。
SiO2晶粒的平均粒径为10μm或更小。另外，在ZnS与SiO2间的表面上几乎不能确认有空孔。结果是，得到了用于形成ZnS-SiO2相变化型光盘保护膜的优良的高密度溅射靶。(实施例1-7的总结)
如上面的实施例1-7所示，通过调整硫酸根(SO4)的量，并在本发明范围内规定硫化锌粉末与二氧化硅粉末中值粒径及比表面积两方面，可以稳定制造相对密度为98％或更高的以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶。这些条件特别重要。结果如表1所示。(比较例1)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为10m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.7重量％、粒径(中值)为5μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为0.5m2/g(粒径换算的比表面积为0.1m2/g)、粒径(中值)为20μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1000℃。这样得到的靶的相对密度为85.0％。
SiO2晶粒的平均粒径为20μm。另外，在ZnS与SiO2间的表面上确认有大量空孔。结果是，得到了密度低下的溅射靶。条件与结果如表1所示。(比较例2)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为8m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.45重量％、粒径(中值)为5μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为0.7m2/g(粒径换算的比表面积为0.2m2/g)、粒径(中值)为12μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为96.0％。硫酸根(SO4)量的增加对密度的低下有大的影响。条件与结果如表1所示。(比较例3)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为9m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.21重量％、粒径(中值)为5μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为2.5m2/g(粒径换算的比表面积为0.5m2/g)、粒径(中值)为5μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为94.0％。条件与结果如表1所示。(比较例4)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为4m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.18重量％、粒径(中值)为5μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为1.6m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、粒径(中值)为8μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为92.0％，显著下降。条件与结果如表1所示。(比较例5)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为2.5m2/g(粒径换算的比表面积为0.2m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.2重量％、粒径(中值)为8μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为2.3m2/g(粒径换算的比表面积为0.5m2/g)、粒径(中值)为5μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为88.0％，显著下降。条件与结果如表1所示。(比较例6)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为20m2/g(粒径换算的比表面积为0.3m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.18重量％、粒径(中值)为5μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为5.0m2/g(粒径换算的比表面积为0.4m2/g)、粒径(中值)为7μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为93.5％，密度低。条件与结果如表1所示。(比较例7)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为2.5m2/g(粒径换算的比表面积为0.2m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.17重量％、粒径(中值)为8μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为0.7m2/g(粒径换算的比表面积为0.2m2/g)、粒径(中值)为12μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为93.1％，密度低。条件与结果如表1所示。(比较例8)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为30m2/g(粒径换算的比表面积为1.5m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.25重量％、粒径(中值)为1μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为8.8m2/g(粒径换算的比表面积为1.8m2/g)、粒径(中值)为1.5μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为90.3％，密度低。条件与结果如表1所示。(比较例9)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为2.4m2/g(粒径换算的比表面积为0.1m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.11重量％、粒径(中值)为10μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为0.2m2/g(粒径换算的比表面积为0.2m2/g)、粒径(中值)为14μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为95.5％，密度低。条件与结果如表1所示。(比较例10)
将纯度为4N、BET法测定的比表面积为45m2/g(粒径换算的比表面积为0.2m2/g)、硫酸根(SO4)量为0.3重量％、粒径(中值)为6μm的硫化锌(ZnS)粉末、与纯度为4N、BET法测定的比表面积为12m2/g(粒径换算的比表面积为6.8m2/g)、粒径(中值)为0.4μm的二氧化硅粉末以对ZnS为20摩尔％的比例均匀混合。
将该混合粉末填充到石墨模中，在下面条件下进行热压：真空气氛、压力150kgf/cm2、温度1100℃。这样得到的靶的相对密度为84.0％，密度显著降低。条件与结果如表1所示。(实施例与比较例的总结)
如上面的实施例和比较例所示，通过将硫化锌中所含的硫酸根(SO4)量以及硫化锌和二氧化硅的中值粒径和比表面积规定在本发明范围内，产生的效果是：可以减少空孔、高密度化；即，即使微细化也可容易获得98％或更高的相对密度，无损作为保护膜的特性，并且可以减少溅射时产生的微粒和球粒，并且也可以提高膜厚的均匀性。
对于在本发明范围以外的比较例1-10，存在的问题是：密度极端降低，溅射时产生微粒(扬尘)和球粒，并且作为相变化型光盘保护膜的特性受到损害。
               表1本发明的实施例和比较例
  SO4％ZnS   AμmZnS  BμmSiO2   SiO2％ B/A计算 B/A规定  Cm2/gZnS  Dm2/gSiO2  C/D计算 C/D规定 粒径A换算的比表面积E   C/E计算 C/E规定 粒径B换算的比表面积F   D/F计算   D/F规定   靶密度％  SO4   A   B  B/A  C/D  C/E  D/F
本申请   0.05-0.35  0.1＜A＜10  0.5＜B＜15   15≤M  5≤C≤40  0.5≤D≤15
实施例1   0.2     3     10   20   3.3   ≥1.4   20     0.8   25.0 ≥3.5     0.5   40.6   ≥15     0.3   2.9   ≤5   98.0   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
实施例2   0.11     5     10   20   2.0   ≥1.4   10     0.9   11.1 ≥3.5     0.3   33.8   ≥15     0.3   3.3   ≤5   98.5   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
实施例3   0.35     1     10   20   10.0   ≥1.4   30     0.9   33.3 ≥3.5     1.5   20.3   ≥15     0.3   3.3   ≤5   99.0   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
实施例4   0.15     5     9   20   1.8   ≥1.4   7     1.3   5.4 ≥3.5     0.3   23.7   ≥15     0.3   4.3   ≤5   98.5   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
实施例5   0.12     3     5   20   1.7   ≥1.4   10     2.5   4.0 ≥3.5     0.5   20.3   ≥15     0.5   4.6   ≤5   99.5   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
实施例6   0.22     3     6   20   2.0   ≥1.4   20     1.8   11.1 ≥3.5     0.5   40.6   ≥15     0.5   4.0   ≤5   98.5   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
实施例7   0.25     1     11   20   11.0   ≥1.4   30     0.7   42.9 ≥3.5     1.5   20.3   ≥15     0.2   2.8   ≤5   99.4   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
比较例1   0.7     5     20   20   4.0   ≥1.4   10     0.5   20.0 ≥3.5     0.3   33.8   ≥15     0.1   3.7   ≤5   85.0   ×   ○   ×   ○   ○   ○   ○
比较例2   0.45     5     12   20   2.4   ≥1.4   8     0.7   11.4 ≥3.5     0.3   27.1   ≥15     0.2   3.1   ≤5   96.0   ×   ○   ○   ○   ○   ○   ○
比较例3   0.21     5     5   20   1.0   ≥1.4   9     2.5   3.6 ≥3.5     0.3   30.5   ≥15     0.5   4.6   ≤5   94.0   ○   ○   ○   ×   ○   ○   ○
比较例4   0.18     5     8   20   1.6   ≥1.4   4     1.6   2.5 ≥3.5     0.3   13.5   ≥15     0.3   4.7   ≤5   92.0   ○   ○   ○   ○   ×   ×   ○
比较例5   0.2     8     5   20   0.6   ≥1.4   2.5     2.3   1.1 ≥3.5     0.2   13.5   ≥15     0.5   4.2   ≤5   88.0   ○   ○   ○   ×   ×   ×   ○
比较例6   0.18     5     7   20   1.4   ≥1.4   20     5.0   4.0 ≥3.5     0.3   67.7   ≥15     0.4   12.8   ≤5   93.5   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ×
比较例7   0.17     8     12   20   1.5   ≥1.4   2.5     0.7   3.6 ≥3.5     0.2   13.5   ≥15     0.2   3.1   ≤5   93.1   ○   ○   ○   ○   ○   ×   ○
比较例8   0.25     1     1.5   20   1.5   ≥1.4   30     8.8   3.4 ≥3.5     1.5   20.3   ≥15     1.8   4.8   ≤5   90.3   ○   ○   ×   ○   ×   ○   ○
比较例9   0.11     10     14   20   1.4   ≥1.4   2.4     0.2   12.0 ≥3.5     0.1   16.2   ≥15     0.2   1.0   ≤5   95.5   ○   ×   ○   ○   ○   ○   ○
比较例10   0.3     6     0.4   20   0.1   ≥1.4   45     12.0   3.8 ≥3.5     0.2  182.7   ≥15     6.8   1.8   ≤5   84.0   ○  ○   ×   ×   ○   ○   ○
本发明效果
本发明产生的效果是：提供以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶，它能够减少通过溅射形成膜时在溅射时产生的微粒(扬尘)和球粒，具有最小的品质变动，能够提高批量生产率，并具有98％或更高的相对密度。另外，无损作为保护膜的特性的情况下，通过使用这样的靶可以得到形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体。

Claims (7)

1.使用硫化锌粉末与二氧化硅粉末均匀混合并分散的粉体形成的溅射靶，及使用所述的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，其中，当硫酸根(SO4)量为0.05-0.35重量％的硫化锌和二氧化硅的中值粒径分别设为Aμm和Bμm，二氧化硅的混合比设为M摩尔％时，在0.1μm＜A＜10μm、0.5μm＜B＜15μm、15摩尔％≤M的范围内满足1.4≤B/A；并且当设比表面积分别为Cm2/g、Dm2/g，二氧化硅的混合比为M摩尔％时，在5m2/g≤C≤40m2/g、0.5m2/g≤D≤15m2/g及15摩尔％≤M的范围内，满足3.5≤C/D；当设粒径A换算的比表面积为Em2/g时，15≤C/E；以及当设粒径B换算的比表面积为Fm2/g时，D/F≤5。
2.权利要求1所述的溅射靶，及使用所述的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，其特征在于，在靶的体相中存在的二氧化硅的平均粒径为10μm或更小。
3.权利要求1或2所述的溅射靶，及使用所述的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体，其特征在于，相对密度为98％或更高。
4.溅射靶的制造方法，其特征在于，使用硫化锌粉末与二氧化硅粉末均匀混合并分散的粉体，通过热压或热等静压形成靶，其中，当硫酸根(SO4)量为0.05-0.35重量％的硫化锌和二氧化硅的中值粒径分别设为Aμm和Bμm，二氧化硅的混合比设为M摩尔％时，在0.1μm＜A＜10μm、0.5μm＜B＜15μm、15摩尔％≤M的范围内满足1.4≤B/A；并且当设比表面积分别为Cm2/g、Dm2/g，二氧化硅的混合比为M摩尔％时，在5m2/g≤C≤40m2/g、0.5m2/g≤D≤15m2/g及15摩尔％≤M的范围内，满足3.5≤C/D；当设粒径A换算的比表面积为Em2/g时，15≤C/E；以及当设粒径B换算的比表面积为Fm2/g时，D/F≤5。
5.权利要求4所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，在靶的体相中存在的二氧化硅的平均粒径为10μm或更小。
6.权利要求4或5所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，相对密度为98％或更高。
7.权利要求4-6各项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，热压是通过至少在升温中或最高温度保持中将环境气氛真空化进行的。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100364132C (zh) * 2005-08-11 2008-01-23 上海交通大学 用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070099332A1 (en) * 2005-07-07 2007-05-03 Honeywell International Inc. Chalcogenide PVD components and methods of formation
US9011292B2 (en) 2010-11-01 2015-04-21 Nike, Inc. Wearable device assembly having athletic functionality

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0665725A (ja) * 1992-08-18 1994-03-08 Dowa Mining Co Ltd 光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法
JPH1121664A (ja) * 1997-06-30 1999-01-26 Dowa Mining Co Ltd 相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法
JPH11229128A (ja) * 1998-02-18 1999-08-24 Mitsubishi Materials Corp 光記録保護膜の製造方法
JPH11278936A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光記録膜用保護膜のための焼結体の製造方法
JP4250686B2 (ja) * 1998-05-28 2009-04-08 東ソー株式会社 スパッタリングターゲット
JPH11350121A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Mitsubishi Materials Corp 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP4244402B2 (ja) * 1998-06-15 2009-03-25 東ソー株式会社 光記録保護膜用スパッタリングターゲット
JP2000026960A (ja) * 1998-07-10 2000-01-25 Toray Ind Inc 光記録媒体の製造方法
JP3972279B2 (ja) * 1998-08-31 2007-09-05 三菱マテリアル株式会社 記録および消去可能な光記録媒体の相変化記録膜を保護するための光記録媒体誘電保護膜
JP3358599B2 (ja) * 1998-10-08 2002-12-24 東ソー株式会社 焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法
JP4137254B2 (ja) * 1998-11-12 2008-08-20 帝人株式会社 透明導電積層体の製造方法
JP2000234168A (ja) * 1998-12-07 2000-08-29 Japan Energy Corp 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP3468136B2 (ja) * 1998-12-18 2003-11-17 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2000219962A (ja) * 1999-01-29 2000-08-08 Mitsubishi Materials Corp 光記録保護膜形成用高強度スパッタリングターゲット
JP2000297363A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2001152325A (ja) * 1999-11-19 2001-06-05 Mitsubishi Materials Corp 高速成膜が可能な光記録媒体誘電体保護層形成用導電性焼結スパッタリングターゲット材
JP2002294439A (ja) * 2001-01-23 2002-10-09 Tosoh Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2002266069A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Nikko Materials Co Ltd ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法
JP2002309368A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光記録保護膜形成用焼結体ターゲット材及びその製造方法
JP4807679B2 (ja) * 2001-09-21 2011-11-02 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット焼結用粉末

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100364132C (zh) * 2005-08-11 2008-01-23 上海交通大学 用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料

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