CN1578850A - 用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶和该靶的制造方法以及用该靶形成保护膜的光记录媒体 - Google Patents

用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶和该靶的制造方法以及用该靶形成保护膜的光记录媒体 Download PDF

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Abstract

本发明涉及用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶中，其特征在于：该靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤素时在30ppm以下。能稳定而低成本地制造出具有微细结晶粒，具有97％以上的高密度的用来形成晶相变化型光记录媒体保护膜的靶的同时，通过防止或抑制该靶上的色斑等变色，使成品率提高，并通过使用该溅射靶进行溅射使光记录媒体的质量提高。

Description

用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶和该靶的制造方法 以及用该靶形成保护膜的光记录媒体
技术领域
本发明涉及可防止或抑制用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶上的色斑等变色，因而可提高采用该靶进行溅射的光记录媒体的质量，以及可提高该靶以及光记录媒体保护膜的成品率的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶以及该靶的制造方法以及用该靶形成保护膜的光记录媒体。而只要不特意注明，说明书中所述的％以及ppm分别表示“wt(重量)％”、“wt(重量)ppm％”。
背景技术
近年来开发出不用磁头即可记录与再生的高密度记录光盘(光记录媒体)，对此的关心也迅速高涨。该光盘可分为再生专用型、补录型、重复使用型三种，尤以补录型或重复使用型中的晶相变化方式引人注目。下面简要介绍一下采用该晶相变化型光盘的记录与再生原理。
晶相变化光盘是靠激光的照射使基板上的记录薄膜加热升温，使该记录薄膜的结构发生晶相变化(无结晶结晶)来记录与再生信息的，更为具体地说，是通过检测其由晶相间的光学常数的变化引起的反射率的变化进行信息再生的。
上述的晶相变化可通过照射聚焦成直径为1～数μm左右的激光照射来进行。这种情况下，例如当1μm的激光光束以10m/s的线速通过时，光线照射到光盘上的某个点的时间为100ns，需要在该时间内进行上述晶相变化与反射率的检测。
此外，在实现上述晶相变化即无结晶相与结晶相之间的相变化的过程中，熔融与急冷不仅表现在光盘的晶相变化记录层上，同时也反复作用于其周边的介质保护层及铝合金反射膜。
也正是出于上述原因，相变化光盘通常采用在Ge-Sb-Te系等记录薄膜层的两侧设置ZnS·SiO2等高融点介质保护层，然后再设置一层铝合金反射膜的四层结构。
对其中的反射层与保护层，除要求其具有使无结晶部分与结晶部分的吸收增大，反射率的差大的光学功能之外，还要求其具有防止记录薄膜受潮及热变形的功能以及控制记录时的加热条件的功能(参照《光学》杂志26卷1号9～15页)。
这就要求高融点的介质保护层对因升温与冷却引起的反复出现的热应力的改变具有良好的耐受性，同时还不能使上述热影响到反射膜以及其它地方，而且其自身还必须具有薄、低反射率、不变质的韧性。从这个意义上说，介质保护层具有重要作用。
上述介质保护层通常采用溅射法来形成。此种溅射法的原理是：使由正电极与负电极构成的溅射靶彼此相对，在惰性气体气氛下，在这些基板与靶间施加高电压，使之产生电场，此时即形成因电离的电子与惰性气体彼此撞击产生的等离子体，该等离子体中的阳离子撞击靶(负电极)表面，使一部分靶的构成原子脱落，该飞溅出的原子附着到对面的基板表面即形成膜。
由于要求上述保护层具有可视光区域的透光性及耐热性，因而以往通常使用由硫化锌和硅氧化物(ZnS-SiO2)  的复合体构成的靶进行溅射，形成500～2000左右的薄膜。
上述材料使用高频溅射(RF)装置、磁控管溅射装置或对靶材实施特殊处理之后用DC(直流)溅射装置成膜。
其特征在于：通过使由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的靶的结晶颗粒细微化及高密度化，即可使靶的溅射面均匀而平滑，减少微粒及大颗粒，同时还可延长靶的使用寿命。其结果，可提高光盘的生产性能。
然而，当制作现用的由硫化锌为母相的与硅氧化物的复合体构成的溅射靶时，却发现上述原料中含有的某些杂质会使溅射靶出现色斑等变色。存在于溅射靶上的上述变色部分有可能使光学吸收区域发生变化，尤其是在形成溅射膜的情况下，会在保护膜上产生缺陷。
正因如此，此种溅射靶不能使用，由于变色的溅射靶本身成为废品，因而溅射靶的成品率很低。
此外还证明：原料中存在很多水分的情况下，在进行热压时粉末很容易从石墨制的模具中漏出，此种漏粉易引起溅射靶出现破裂以及模具破损，使成品率显著下降。
发明内容
本发明的目的在于能稳定而低成本地制造出具有微细结晶粒，具有97％以上的高密度的用来形成晶相变化型光记录媒体保护膜的同时，通过防止或抑制该溅射靶上的色斑等变色，使成品率提高，并通过使用该溅射靶进行溅射使光记录媒体的质量提高。
为了解决上述课题，经本发明人等锐意研究的结果，获得以下实际认知：通过减少及调整硫化锌和硅氧化物的原料以及溅射靶中含有的水分等杂质，即可防止或抑制该溅射靶的色斑等变色，并可因此而防止溅射靶破裂及模具破损，使制造成品率显著提高。
本发明根据该实际认知提供：
1、一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤元素时在30ppm以下。
2、一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤元素时在10ppm以下。
3、根据上述1或2所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，其特征在于：靶中含有的卤化物或卤元素为氯化物或氯元素。
4、一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中的至少一种以上的总量换算为碳元素时在300ppm以下。
5、根据上述1至3中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳元素时在300ppm以下。
6、一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在500ppm以下。
7、根据上述1至5中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在500ppm以下。
8、一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的水分量在500ppm以下。
9、根据上述1至7中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的水分量在500ppm以下。
10、一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的卤化物或卤元素中至少一种以上的总量换算为卤元素时在40ppm以下的原料进行烧结。
11、根据上述10所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，其特征在于：卤化物或卤元素是氯化物或氯元素。
12、一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳元素时在500ppm以下的原料进行烧结。
13、根据上述10或11所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用绕结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳原素时在500ppm以下的原料进行烧结。
14、一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在2000ppm以下的原料进行烧结。
15、根据上述10至13中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在2000ppm以下的原料进行烧结。
16、一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌和硅氧化物的原料中含有的水分量或加热重量减少量在4000ppm以下的原料进行烧结。
17、根据上述10至15中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅化氧化物的原料中含有的水分量或加热重量减少量在4000ppm以下的原料进行烧结。
18、根据上述10至17中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体的构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：硫化锌或硅氧化物的原料或它们的混合粉的体积密度为0.3～0.8g/cm3。
19、根据上述10至18中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体的构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：在把硫化锌以及硅氧化物均匀分散混合之后，在真空或惰性气体气氛中以300～700℃的温度进行脱气，或把热压设定为真空气氛，在300～700℃的升温工序期间进行脱气。
20、根据上述1至19中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶及其制造方法，其特征在于：其相对密度为97％以上，平均结晶粒径在10μm以下。
21、一种光记录媒体，其特征在于：形成上述1至9或20中的任一项所述的溅射靶形成光记录媒体保护膜。
具体实施方式
当制造用来形成本发明的光记录媒体保护膜的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶时，使用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤元素时在40ppm以下的原料进行烧结。
这样可把烧结后的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量控制在换算为卤元素时在30ppm以下。最好控制在换算为卤元素时在10ppm以下。
通过限制卤化物或卤元素含量的此种特殊限制，即可有效防止由该卤化物或卤元素引起的溅射靶的色斑及变色。
此外，作为溅射靶中含有的卤化物或卤元素，氯化物或氯元素问题尤为严重，因而最好将此限制在上述含量范围之内。
此外，当制造用来形成本发明的光记录媒体保护膜的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶时，使用把烧结前的硫化锌及硅氧化物的原料中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中的至少一种以上的总量控制在换算为碳元素时在500ppm以下的原料进行烧结。
这样即可将由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量控制在换算为碳元素时在300ppm以下。
这样一来，通过对碳化物、碳酸化合物或碳元素含量的特殊限制，即可防止由该碳化物、碳酸化合物或碳元素引起的溅射靶的色斑及变色。并且，通过同时限制上述卤化物或卤元素的含量，即可更有效地防止溅射靶的色斑及变色。
此外，当制造用来形成本发明的光记录媒体保护膜的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶时，使用把烧结前的硫化锌及硅氧化物的原料中含有的硫酸化合物的总量控制在换算为硫酸根时在2000ppm以下的原料进行烧结。
这样即可把由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶中含有的硫酸化合物的总量控制在换算为硫酸根时在500ppm以下。
通过对硫酸化合物含量的此种特殊限制，即可有效防止由该硫酸化合物引起的溅射靶的色斑即变色，并在限制该硫酸化合物的同时，通过对上述卤化物或卤元素的含量以及或者对碳化物、碳酸化合物或碳元素含量进行限制即可更为有效地防止溅射靶的色斑及变色。
此外，当制造用来形成本发明的光记录媒体保护膜的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶时，使用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的水分量或加热重量减少量在4000ppm以下的原料进行烧结。尤其是水分或加热重量减少量最好在2000ppm以下。
这样即可将由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶中含有的尤其是水分含量控制在500ppm以下。
通过对水分含量的此种特殊限制，即可有效防止由该硫酸化合物引起的溅射靶的色斑及变色。
当烧结原料中水分含量大的情况下，也存在热压时粉末容易从石墨制的模具中漏出的问题。该粉末泄漏会导致溅射靶的破裂及模具的破损，是使制造成品率进一步恶化的原因。而在本发明之中，通过如上所述对水分的限制，具有可减少此类问题的显著效果。
并在限制该水分含量的同时，通过限制上述卤化物或卤元素的含量，碳化物、碳酸化合物或碳元素的含量，碳酸化合物的含量，即可更为有效地防止溅射靶的色斑及变色。
此外，硫化锌及硅氧化物的原料或这些原料的混合粉的体积密度最好为0.3～0.8g/cm3。当体积密度不足0.3g/cm3时热压成形时的模具内的成形体的变位量加大，因而会更多地受到侧面摩擦的影响，使成形体的密度变化加大。
另一方面，若体积密度超过0.8g/cm3在热压成形时的升温过程中产生的挥发成分的挥发性变差，因而会在挥发成分压力达到临界值的地方，从最容易挥发的缝隙夹带着粉末朝外喷出。这样即产生了粉末泄漏。此外正如上述，当挥发成分残留在溅射靶内时会产生色素沉着等变色。为了尽量减少上述影响，因而把体积密度设定在0.3～0.8g/cm3，而理想的体积密度最好设定在0.4～0.7g/cm3之间。
在进行上述烧结时，最好把硫化锌及硅氧化物均匀分散混合之后，在真空或惰性气体气氛下以300～700℃的温度进行脱气，或把热压设定真空氛围，在300～700℃的升温工序中进行脱气。
这样即可获得相对密度97％以上，平均结晶粒径为10μm以下的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶。
用以上方法获得的溅射靶质量稳定，不发生色斑及变色，可显著提高溅射靶以及形成光记录媒体保护膜的光记录媒体的制造成品率。
此外，使用上述方法获得的溅射靶形成光记录媒体保护膜的光记录媒体，具有下述特征：在该保护膜上不会发生光学性吸收区域改变之类的光学问题，可保持良好质量标准。
用来形成本发明的光记录媒体保护膜的溅射靶的包含在硫化锌中的硅氧化物的成分最好为1～50mol％。本发明的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶可达到相对密度97％以上。
本发明还包含使用上述溅射靶形成晶相变化型光盘保护膜的光记录媒体。
实施例及比较例
下面根据实施例及比较例进行说明。而本实施例终久不过是其中一例，并不受该例的限制。也就是说，本发明仅受权利要求范围的限制，其中包含本发明的实施例之外的种种变形。
(实施例1)
使用除卤元素外纯度4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS粉末和SiO2粉末之中卤化物与卤元素成分总量分别含有10ppm。
把该混合粉填充到石墨模具中，以Ar气氛、表面压力200kg/cm2、1000℃的温度条件进行热压，形成块状体。由此而获得的靶的相对密度为99％。
然后进行抽样检测，用GDMS分析卤化物及卤化元素成分的结果，总量为10ppm。在把该块状体加工成靶形状之后的表面上没有黄色及灰褐色的色斑及色素沉着，呈现出均匀的乳白色。
(实施例2)
使用除碳元素以外纯度4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS粉末和SiO2粉末中，ZnS粉末含有总量为200ppm的碳元素成分，SiO2粉末含有总量为50ppm的碳元素成分。
把该混合粉填充到石墨模具中，以Ar气氛、表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压，形成块状体。由此而获得的靶的相对密度为98％。
然后进行抽样检测，用GDMS分析碳元素成分的结果，总量为200ppm。在把该块状体加工成靶形状之后的表面上没有黄色及灰褐色的色斑及色素沉着，呈现出均匀的乳白色。
(实施例3)
使用除硫酸根以外纯度为4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS粉末和SiO2粉末之中，ZnS粉末含有总量为1500ppm的硫酸根，SiO2粉末含有总量为10ppm的硫酸根。
把该混合粉末填充到石墨模具中，以Ar气气氛，表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压，形成块状体。由此获得的靶的相对密度为98％。
然后进行抽样检测，分析硫酸根的结果，总量为200ppm。在把该块状体加工成靶形状之后的表面上没有黄色及灰褐色的色斑及色素沉着，呈现出均匀的乳白色。
(实施例4)
使用除硫酸根、水分之外纯度为4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2在ZnS粉末和SiO2粉末中，ZnS粉末含有1500ppm的硫酸根、3000ppm的水分，SiO2粉末含有10ppm的硫酸根、500ppm的水分。
把该混合粉填充到石墨模具中，以Ar气气氛、表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压，形成块状体。由此获得的靶的相对密度为98％。
然后进行抽样检测，分析硫酸根的结果为100ppm，分析水分的量结果总量为100ppm。把该块状体加工成靶形状之后的表面上没有黄色及灰褐色的色斑及色素沉着，呈现出均匀的乳白色。
(实施例5)
使用除卤元素、碳元素、硫酸根、水分之外纯度4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。ZnS粉末中含有10ppm的卤元素、100ppm的碳元素、1500ppm的硫酸根、1500ppm的水分，在SiO2粉末中含有10ppm的卤元素、50ppm的碳元素、10ppm的硫酸根、300ppm的水分。
把上述原料混合后填充到石墨模具中，以Ar气气氛、表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此得到的靶的相对密度为99％。
然后进行抽样检测，结果为卤元素10ppm、碳元素150ppm、硫酸根150ppm、水分100ppm。在把该块状体加工成靶形状之后的表面上没有黄色及灰褐色的色斑及色素沉着，呈现出均匀的乳白色。
(比较例1)
使用除卤化素之外纯度4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS和SiO2粉末之中，ZnS粉末含有总量为100ppm的卤化物与卤元素成分，SiO2粉末含有总量为50ppm的卤化物与卤元素成分。
把该混合粉填充到石墨模具中，以Ar气气氛、表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此获得的靶的相对密度为96％。
然后进行抽样检测，用GDMS分析卤化物及卤元素，结果总量为100ppm。在把该块状体加工成靶形状之后的表面上产生了灰褐色的色斑及色素沉着。
(比较例2)
使用除碳元素外纯度4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS和SiO2粉末之中，ZnS粉末含有总量为500ppm的碳元素成分，SiO2粉末含有总量为100ppm的碳元素成分。
把该混合粉填充到石墨模具中，以Ar气气氛、表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压，形成块状体。由此而获得的靶的相对密度为95％。
然后进行抽样检测，用GDMS分析碳元素成分，结果总量为600ppm。在把该块状体加工成靶形状之后的表面上产生了黑色的色斑及色素沉着。
(比较例3)
使用除硫酸根之外纯度4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS粉末和SiO2粉末之中，ZnS粉末含有总量为4000ppm的硫酸根，SiO2粉末含有总量为10ppm的硫酸根。
把该混合粉填充到石墨模具中，以Ar气气氛、表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压，形成块状体。由此而获得的靶的相对密度为95％。
然后进行抽样检测，分析硫酸根的结果，总量为800ppm。在把该块体加工成靶形状之后的表面上产生了深黄色的色斑及色素沉着。
(比较例4)
使用除硫酸根及水分之外纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS粉末和SiO2粉末之中，ZnS粉末含有5000ppm的硫酸根、8000ppm的水分，SiO2粉末含有10ppm的硫酸根、5000ppm的水分。
把该混合粉填充到石墨模具中，以Ar气气氛，表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压，形成块状体。此时在热压期间发生了喷粉，因而靶板破裂。
从破裂的溅射靶的一部分上取样检测，分析硫酸根的结果，含量为1000ppm，分析水分量的结果，含量为1000ppm。把该破裂的靶的一部分加工之后观察其表面，结果产生了深黄色的色斑及色素沉着。
(比较例5)
使用除卤元素、碳元素、硫酸根、水分之外纯度4N(99.99％)以上的硫化锌(ZnS)粉末和二氧化硅(SiO2)粉末，以相对于ZnS 20mol％的比例混合SiO2。在ZnS粉末中含有40ppm的卤元素、600ppm的碳元素、4000ppm的硫酸根、7000ppm的水分，在SiO2粉末中含有20ppm的卤元素、150ppm的碳元素、30ppm的硫酸根、1000ppm的水分。
混合上述原料后，把该混合粉填充到石墨模具之中，以Ar气气氛、表面压力200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。此时在热压期间产生了喷粉，因而靶板破裂。所得到的靶的相对密度为93％。
从破裂的溅射靶的一部分上进行取样分析的结果，卤元素为50ppm、碳元素为800ppm、硫酸根为1000ppm、水分量为800ppm。在将此加工后的表面上产生了深黄色和灰褐色的色斑及色素沉着。
从以上可知，使用实施例中所示的发明范围内的硫化锌及硅氧化物的原料粉末，通过制作适量限定作为杂质的卤化物或卤元素的含量、碳化物、碳酸化合物或碳元素的含量、硫酸化合物的含量、水分量的靶，即可防止或抑制用来形成光记录媒体保护膜的靶的色斑等变色。
与之相反，正如比较例中所示，确认了以下事实：当作为杂质的卤化物或卤元素的含量，碳化物的含量、碳酸化合物或碳元素的含量，硫酸化合物的含量，水分量超出本发明范围时，即会在靶的表面出现色斑与色素沉着，尤其是在水分含量过多的情况下，存在着发生溅射靶破裂及模具破裂事故的问题。
发明效果
本发明在用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶及该靶的制造方法以及使用该靶形成保护膜的光记录媒体方面具有下述卓越效果：可防止或抑制用来形成光记录媒体保护膜的靶的色斑等变色，使采用该靶的溅射得到的光记录媒体的质量得以提高，提高该靶以及光记录媒体保护膜时的制造成品率。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤元素时在30ppm以下。
2.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤元素时在10ppm以下。
3.根据权利要求1或2所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，其特征在于：靶中含有的卤化物或卤元素为氯化物或氯元素。
4.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中的至少一种以上的总量换算为碳元素时在300ppm以下。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳元素时在300ppm以下。
6.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在500ppm以下。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在500ppm以下。
8.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的水分量在500ppm以下。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的水分量在500ppm以下。
10.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的卤化物或卤元素中至少一种以上的总量换算为卤元素时在40ppm以下的原料进行烧结。
11.根据权利要求10所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：卤化物或卤元素是氯化物或氯元素。
12.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳元素时在500ppm以下的原料进行烧结。
13.根据权利要求10或11项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用绕结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳原素时在500ppm以下的原料进行烧结。
14.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在2000ppm以下的原料进行烧结。
15.根据权利要求10至13中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在2000ppm以下的原料进行烧结。
16.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌和硅氧化物的原料中含有的水分量或加热重量减少量在4000ppm以下的原料进行烧结。
17.根据权利要求10至15中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅化氧化物的原料中含有的水分量或加热重量减少量在4000ppm以下的原料进行烧结。
18.根据权利要求10至17中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体的构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：硫化锌或硅氧化物的原料或它们的混合粉的体积密度为0.3～0.8g/cm3。
19.根据权利要求10至18中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体的构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：在把硫化锌以及硅氧化物均匀分散混合之后，在真空或惰性气体气氛中以300～700℃的温度进行脱气，或把热压设定为真空气氛，在300～700℃的升温工序期间进行脱气。
20.根据权利要求1至19中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶及其制造方法，其特征在于：其相对密度为97％以上，平均结晶粒径在10μm以下。
21.一种光记录媒体，其特征在于：使用权利要求1至9或20中的任一项所述的溅射靶形成光记录媒体保护膜。

Claims (21)

1.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤元素时在30ppm以下。
2.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的卤化物或卤元素中的至少一种以上的总量换算为卤元素时在10ppm以下。
3.根据权利要求1或2所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，其特征在于：靶中含有的卤化物或卤元素为氯化物或氯元素。
4.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中的至少一种以上的总量换算为碳元素时在300ppm以下。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳元素时在300ppm以下。
6.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在500ppm以下。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在500ppm以下。
8.一种用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的水分量在500ppm以下。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，在由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的溅射靶之中，其特征在于：该靶中含有的水分量在500ppm以下。
10.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的卤化物或卤元素中至少一种以上的总量换算为卤元素时在40ppm以下的原料进行烧结。
11.根据权利要求10所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶，其特征在于：卤化物或卤元素是氯化物或氯元素。
12.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳元素时在500ppm以下的原料进行烧结。
13.根据权利要求10或11项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用绕结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的碳化物、碳酸化合物或碳元素中至少一种以上的总量换算为碳原素时在500ppm以下的原料进行烧结。
14.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在2000ppm以下的原料进行烧结。
15.根据权利要求10至13中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅氧化物的原料中含有的硫酸化合物的总量换算为硫酸根时在2000ppm以下的原料进行烧结。
16.一种由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌和硅氧化物的原料中含有的水分量或加热重量减少量在4000ppm以下的原料进行烧结。
17.根据权利要求10至15中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：用烧结前的硫化锌以及硅化氧化物的原料中含有的水分量或加热重量减少量在4000ppm以下的原料进行烧结。
18.根据权利要求10至17中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体的构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：硫化锌或硅氧化物的原料或它们的混合粉的体积密度为0.3～0.8g/cm3。
19.根据权利要求10至18中的任一项所述的由硫化锌和硅氧化物的复合体的构成的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶的制造方法，其特征在于：在把硫化锌以及硅氧化物均匀分散混合之后，在真空或惰性气体气氛中以300～700℃的温度进行脱气，或把热压设定为真空气氛，在300～700℃的升温工序期间进行脱气。
20.根据权利要求1至19中的任一项所述的用来形成光记录媒体保护膜的溅射靶及其制造方法，其特征在于：其相对密度为97％以上，平均结晶粒径在10μm以下。
21.一种光记录媒体，其特征在于：使用权利要求1至9或20中的任一项所述的溅射靶形成光记录媒体保护膜。
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