CN1681959A - 溅射靶及光记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种以硫化锌为主成分、且含有氮化物的膜折射率调整在2.0～2.7的范围的溅射靶以及使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。依据本发明，可得到一种以溅射形成薄膜之际，可减少溅射时所产生的粒子或结球，使得品质的变动少、批量生产率得以提升，且晶粒微细，体电阻值为5×10－2Ωcm以下、并具备85％以上的高密度的以硫化锌为主成分的溅射靶以及使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。

Description

溅射靶及光记录介质
技术领域
本发明涉及一种以溅射形成薄膜之际，可进行直流(DC)溅射、溅射时的电弧少、可减少因此而产生的粒子(粉尘)或结球，使得品质的差异少、批量生产率得以提升的以硫化锌为主成分的溅射靶以及使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。
背景技术
近年来，无须磁头即可进行记录、读取的高密度记录光盘技术被开发出，迅速地成为瞩目的焦点。此光盘中分为只读型、一写多读型、可擦写型的3种类，特别是一写多读型或可擦写型所使用的相变方式受到瞩目。使用相变型光盘进行记录、读取的原理简单说明如下。
相变光盘，是将基片上的记录薄膜以激光照射来加热升温，在该记录薄膜的结构产生结晶学上的相变(无定形<＝>结晶)来进行信息的记录、读取，更具体地说是检测因其相间光学常数的变化导致的反射率的变化来进行信息的读取。
上述相变是利用直径缩到1～数μm程度的激光的照射来进行。此时，例如1μm的激光束以10m/s的线速度通过时，光盘的特定点受光照射的时间为100ns，在此时间内必须进行上述相变以及反射率的检测。
另外，在实现上述结晶学上相变、亦即实现无定形与结晶的相变的时候，熔融与急冷不仅是在光盘的相变记录层、即使是在周边的介电体保护层或铝合金的反射膜也会被反复赋予。
有鉴于此种情况，相变光盘的Ge-Sb-Te系等的记录薄膜层的两侧以硫化锌-硅氧化物(ZnS·SiO2)系的高熔点介电体的保护层来夹持，进一步设置铝合金反射膜成为四层结构。
当中，反射层与保护层除了要求有增加无定形部与结晶部的吸收、反射率的差异大的光学功能以外，尚要求记录薄膜的耐湿性以及对于热变形的防止功能，进而是进行记录之际的热条件控制的功能(参见杂志[光学]26卷1号9～15页)。
如上所述，高熔点介电体的保护层必须对于升温与冷却所导致的热反复应力具有耐性，再者这些等热影响不致影响到反射膜或其他部位，且本身要薄，并呈现低反射率且有不致变质的强韧度。此意味着介电体保护层具有重要的作用。
上述介电体保护层通常以溅射法来形成。此溅射法所使用的原理，是使得正电极与负电极所构成的靶对向，在惰性气体环境气氛下在这些基片与靶之间施加高电压来产生电场，此时电离的电子与惰性气体冲撞形成等离子体，此等离子体中的阳离子会冲撞靶(负电极)表面将靶构成原子敲出，此飞出的电子会附着于对向的基片表面形成膜。
以往，上述保护层要求具有在可见光区的透过性、耐热性等，一般是使用ZnS-SiO2等的陶瓷靶来进行溅射，形成约500～约2000的薄膜。但是，这些材料由于靶的体电阻值高，所以无法借助直流(DC)溅射装置来成膜，通常是使用高频溅射(RF)装置。
但是，高频溅射(RF)装置不但装置本身昂贵，且溅射效率差，电力消耗量也在，控制复杂，成膜速度慢，缺点甚多。另外，为了提升成膜速度而施加高电力的情况下，基片温度会上升，会发生聚碳酸酯制基片的变形等问题。
另外，在上述硫化锌-硅氧化物(ZnS·SiO2)靶中所使用的SiO2，通常是使用4N以上的高纯度且平均粒径为0.1～20μm之物，在700～1200℃下烧结来制造。
在ZnS含有中SiO2的靶，利用溅射来成膜之际容易发生电弧，此会导致溅射时发生粒子(粉尘)与结球，造成成膜均匀性以及品质的降低，且生产率也劣化，此为问题所在。
作为以往的光盘保护膜已揭示者有以ZnO、In2O3或ZnO2中1种或2种以上为主成分，使其含有Al2O3及/或Ga2O3 0.1wt％～20wt％、ZrO2及/或TiO2 0.01wt％～5wt％而成的、被膜均匀性获得提升、拥有低反射率、于可见光区的高透过性的光盘保护膜(例如，参见以下专利文献1)。
另外，已揭示了由ZnS-SiO2-ZnO之三成分系材料所构成的光盘保护膜形成用溅射靶(例如，参见以下专利文献2)。
再者，已揭示了一种含有择自Nb2O3、V2O5、B2O3、SiO2、P2O5中至少1种的玻璃形成氧化物0.01～20重量％以及Al2O3或Ga2O30.01～20重量％，残部为择自In2O3、SnO2、ZnO中至少1种的氧化物的透光膜形成用溅射靶(例如，参见以下专利文献3)。
专利文献1：日本特开2000-195101号公报
专利文献2：日本特开2001-011615号公报
专利文献3：日本特开2000-119062号公报
发明内容
本发明的目的在于获得一种以溅射来形成薄膜之际，可减少加热对于基片的影响，可进行高速成膜，可调整出薄的膜厚，并可减少溅射时所产生的粒子(粉尘)或结球，使得品质的差异少、批量生产率得以提升，且晶粒微细而具备85％以上的密度的以硫化锌为主成分的溅射靶以及使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。
为了解决上述课题，经本发明者努力研究，结果，得到下述见解：若作为靶的添加成分使用氮化物，可降低体电阻值而可进行DC溅射，且无损作为保护膜的特性，再者可减少溅射时所产生的粒子或结球，膜厚均匀性亦可获得提升。
本发明基于此见解，提供：
1.一种溅射钯以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其特征在于：以硫化锌为主成分，且含有氮化物。
2.如上述1记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，在波长300～700nm中，溅射膜的折射率为2.0～2.7。
3.如上述1或2记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，氮化物是择自钛、锆、铬、铌、钽、铪、钒、钨、钼中至少1种金属的氮化物。
4.如上述3记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，作为氮化物进一步含有择自铝、硅、镓、锗中至少1种元素的氮化物。
5.如上述1～4各项记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，氮化物的总量以体积比计为10～50％。
6.如上述1～5各项记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其含有择自氧化铝、氧化硼、氧化磷、氧化锗、碱金属氧化物、碱土类金属氧化物以及氧化硅中至少1种的玻璃形成氧化物。
7.如上述6记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，玻璃形成氧化物相对于总量以摩尔比换算含有1～30％。
8.如上述1～7各项记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶本体中所存在的绝缘相或高电阻相的平均结晶粒径为5μm以下。
9.如上述1～8各项记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶本体中所存在的绝缘相或高电阻相含有硫化锌、氧化硅、氧化硼、氧化磷、氧化锗、碱金属氧化物、碱土类金属氧化物中的至少1种。
10.如上述1～9各项记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其相对密度为85％以上。
11.如上述1～10各项记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，体电阻值为5×10-2Ωcm以下。
12.如上述11记载的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶内的体电阻值的变动相对于平均值在±20％以内。
13.一种光记录介质，使用上述1～12记载的溅射靶而形成有以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜，其特征在于：溅射膜以稳定的无定形形态存在。
具体实施方式
本发明的溅射靶以硫化锌为主成分，且进一步含有过渡金属氮化物。由此，可具备与通常所使用的ZnS-SiO2同等的保护膜的特性，且可得到体电阻值5×10-2Ωcm以下的溅射靶，并可进行DC溅射。靶内的体电阻值的变动相对于平均值在±20％以内是优选的。由此，可形成特性均匀的以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜。
DC溅射，与上述RF溅射相比，具有成膜速度快、溅射效率好的优异的特征。另外，DC溅射装置价格便宜，控制容易，电力的消耗量也少，此为优点所在。
在波长300～700nm、优选450nm以下，溅射膜的折射率为2.0～2.7。如此，折射率可比通常的ZnS-SiO2(2.0～2.1)大，并可使得保护膜本身的膜厚变薄，所以可发挥生产率提升、防止基片加热的效果。
因此，通过使用本发明的溅射靶，可得到生产率提升、品质优异的材料，能以低廉的价格来稳定地制造出具有光盘保护膜的光记录介质，此为显著的效果所在。
溅射靶中氮化物的总量以体积比计为10～50％为佳。其理由在于，可得到所需的导电性，并可保持溅射膜的稳定的无定形性，且可维持ZnS本身的特性之故。
氮化物的总量以体积比计若未满10％，则无法有效地降低体电阻值，且膜的无定形性也不稳定，此为问题所在。再者，氮化物的总量的上限设定为50％。若超过50％，则膜特性与以往的ZnS-SiO2差异极大，故不优选。另外，更佳的范围以体积比计为20～40％。
作为氮化物，使用择自钛、锆、铬、铌、钽、钨、钼、铪、钒、铝、硅、镓、锗中至少1种金属的氮化物。
再者，于本发明的溅射靶中可含有玻璃形成氧化物。若含有玻璃形成氧化物，则无定形性可进一步稳定化，可将光学特性、热传导率等调整至与ZnS-SiO2同等程度，此为优点所在。
靶本体中所存在的绝缘相或高电阻相的平均结晶粒径以5μm以下为佳。由此，可得到抑制异常放电的效果。
再者，此靶本体中所存在的绝缘相或高电阻相，优选含有硫化锌、氧化硅、氧化硼、氧化磷、碱金属氧化物、碱土类金属氧化物中的至少1种。
再者本发明可得到相对密度85％以上、进而是90％以上的高密度的靶。由此，可进一步减少溅射时所产生的粒子(粉尘)或结球，使得品质的变动少、批量生产率得以提升。
于本发明的溅射靶的制造方法中，将硫化锌等的原料粉末均匀混合，采用热压或热等静压加压的方式，在温度900～1200℃下加热，在面压100kg/cm2以上的条件下烧结。
由此，可制造出烧结体的相对密度为85％以上、进而是90％以上、以四端子法所测得的体电阻值5×10-2Ωcm以下的以硫化锌为主成分的溅射靶。另外，本说明书中的体电阻值是以同样的测定法来测定。
本发明的以硫化锌为主成分的溅射靶的密度的提升，可达成以下显著的效果。亦即，可减少空孔、可减少溅射时的粒子或结球、再者可延长靶寿命。
另外，使用本发明的溅射靶所形成的溅射膜，能以稳定的无定形形态存在(亦即经300℃以上的退火处理后的膜中，以XRD峰强度测定无法确定结晶相)，显示优异的膜特性。
(实施例与比较例)
以下，基于实施例与比较例进行说明。另外，本实施例仅为发明之一例，本发明不因为这些实施例而受到限制。亦即，本发明仅受权利要求书范围所限制，而包括本发明所包含的实施例以外的各种变形。
(实施例1)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钛(TiN)40mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为90％。另外体电阻值为1.5×10-3Ωcm(表中以1.5E-3Ωcm表示，以下同)。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。
折射率为2.3，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
另外，折射率为在波长405nm(以下相同)的测定值，测定样品是制作6英寸大小的靶，以Ar气压0.5Pa、Ar流量100sccm、电力1000W的条件进行溅射，形成厚度1500的膜(以下的实施例与比较例是以同样的条件实施)。
(实施例2)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钛(TiN)50mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为85％。另外，体电阻值为1.2×10-3Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.4，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例3)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化铬(Cr2N)30mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。以此所得的主体的相对密度为95％。又，体电阻值为2.4×10-2Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.5，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例4)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钽(TaN)45mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为88％。另外，体电阻值为1.5×10-3Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.6，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例5)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化锆(ZrN)50mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为82％。另外，体电阻值为1.1×10-3Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.4，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例6)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化铌(NbN)40mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为88％。另外，体电阻值为8.5×10-3Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.5，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例7)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化铪(HfN)30mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为90％。另外，体电阻值为1.5×10-3Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.4，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例8)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钛(TiN)35mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为90％。另外，体电阻值为5.3×10-3Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.4，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例9)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钽(TaN)30mol％以及氮化铝(AlN)15mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为88％。另外，体电阻值为3.3×10-2Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.3，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例10)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化铬(Cr2N)30mol％以及氮化锗(Ge3N4)5mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为91％。另外，体电阻值为1.3×10-2Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.3，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例11)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钛(TiN)45mol％以及SiO25mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为85％。另外，体电阻值为4.2×10-2Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.2，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例12)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钛(TiN)40mol％以及(SiO2-1wt％Na2O)5mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为85％。另外，体电阻值为2.2×10-2Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.2，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(实施例13)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钛(TiN)35mol％以及(SiO2-15wt％Ba2O3)5mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1000℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为90％。另外，体电阻值为2.0×10-2Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果DC溅射可轻易进行，可得到具有优异特性的高密度的以ZnS为主成分的含导电性氧化物的相变型光盘保护膜形成用溅射靶。折射率为2.2，膜质为无定形(300℃以上的退火处理后)。
(比较例1)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钛(TiN)10mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为92％。另外，体电阻值超过1.0×101Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果进行DC溅射之际发生异常放电。由于此原因导致粒子(粉尘)与结球增加了。因此，比较例1的条件不仅成膜的均匀性与品质会下降，且有生产率变差的问题。
当TiN含有量少的情况下，作为相变型光盘保护膜形成用溅射靶并不合适。另外，折射率为2.2，膜质为结晶(300℃以上的退火处理后)。
(比较例2)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化锆(ZrN)3mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为95％。另外，体电阻值超过1.0×101Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果进行DC溅射之际发生异常放电。由于此原因导致粒子(粉尘)与结球增加了。因此，比较例1的条件不仅成膜的均匀性与品质会下降，且有生产率变差的问题。
当ZrN含有量少的情况下，作为相变型光盘保护膜形成用溅射靶并不合适。另外，折射率为2.3，膜质为结晶(300℃以上的退火处理后)。
(比较例3)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钽(TaN)10mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为95％。另外，体电阻值超过1.0×102Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果进行DC溅射之际发生异常放电。由于此原因导致粒子(粉尘)与结球增加了。因此，比较例1的条件不仅成膜的均匀性与品质会下降，且有生产率变差的问题。
当TaN含有量少的情况下，作为相变型光盘保护膜形成用溅射靶并不合适。另外，折射率为2.2，膜质为结晶(300℃以上的退火处理后)。
(比较例4)
在纯度4N(99.99％)的硫化锌(ZnS)粉中添加氮化钽(TaN)10mol％以及SiO2 10mol％，并均匀混合。
将此混合粉填充于石墨模具，在真空环境气氛中，以面压200kg/cm2、温度1100℃的条件进行热压。由此所得的主体的相对密度为90％。另外，体电阻值超过1.0×102Ωcm。
制作此主体所构成的靶，实施溅射试验，结果进行DC溅射之际发生异常放电。由于此原因导致粒子(粉尘)与结球增加了。因此，比较例1的条件不仅成膜的均匀性与品质会下降，且有生产率变差的问题。
当TaN含有量少的情况下，作为相变型光盘保护膜形成用溅射靶并不合适。另外，折射率为2.1，膜质为结晶(300℃以上的退火处理后)。
以上实施例1～13以及比较例1～4的组成及特性值示于表1。如上述实施例所示，以硫化锌为主成分并对其添加预定量过渡金属氮化物，则可降低体电阻值，使得DC溅射成为可能，且无损作为保护膜的特性，进而可以减少溅射时产生的粒子及结球，并具有膜厚均匀性提升的效果。
另外，上述实施例1～13显示了本发明的靶组成的代表例，但本发明所包含的其他靶组成亦能得到同样的结果。
相对于此，比较例1～4虽添加有氮化物，但因添加量不足所以体电阻值变高，于溅射之际会发生异常放电，此造成了粒子(粉尘)与结球增加，且损害作为相变型光盘保护膜的特性，这是问题所在。
由以上可知，本发明的以硫化锌为主成分的溅射靶，作为形成相变型光盘保护膜的靶极为有效。
表1
例     ZnSmol％   添加物mol％    密度(％) 体电阻Ωcm 溅射评价 折射率    膜质(退火后)
实施例1     60   TiN 40     90 1.5E-03   可DC   2.3   无定形
实施例2     50   TiN 50     85 1.2E-03   可DC   2.4   无定形
实施例3     70   Cr2N 30     95 2.4E-02   可DC   2.5   无定形
实施例4     55   TaN 45     88 1.5E-03   可DC   2.6   无定形
实施例5     50   ZrN 50     82 1.1E-03   可DC   2.4   无定形
实施例6     60   NbN 40     88 8.5E-03   可DC   2.5   无定形
实施例7     70   HfN 30     90 1.5E-03   可DC   2.4   无定形
实施例8 60   TiN 35Si3N4 5 90 5.3E-03 可DC 2.4 无定形
实施例9 55   TaN 30AlN 15 88 3.3E-02 可DC 2.3 无定形
实施例10 65   Cr2N 30Ge3N4 5 91 1.3E-02 可DC 2.3 无定形
实施例11 50   TiN 45SiO2 5 85 4.2E-02 可DC 2.2 无定形
实施例12 55   TiN 40SiO2-Na2O※15 85 2.2E-02 可DC 2.2 无定形
实施例13 60   TiN35mol％SiO2-B2O3 ※2 5 90 2.0E-02 可DC 2.2 无定形
比较例1     90   TiN 10     92 ＞1.0E+01   异常放电   2.2   结晶
比较例2     97   ZrN 3     95 ＞1.0E+01   异常放电   2.3   结晶
比较例3     90   TaN 10     95 ＞1.0E+02   异常放电   2.2   结晶
比较例4 80   TaN 10SiO2 10 90 ＞1.0E+02 异常放电 2.1 结晶
※1 SiO2-1wt％Na2O
※2 SiO2-15wt％B2O3
发明效果
本发明所具有的显著效果为：以溅射成膜之际，可进行DC溅射，并具有DC溅射的特征——控制容易、成膜速度可增快、可提升溅射效率。
另外，由于可提高折射率，所以使用此溅射靶可提高生产率，可得到膜质为无定形的品质优异的材料，能以低廉成本稳定地制造出具备光盘保护膜的光记录介质。
再者，可制造出一种减少溅射时所产生的粒子(粉尘)与结球，使得品质的差异少、批量生产率得以提升，且空孔少、晶粒微细，体电阻值为5×10-2Ωcm以下、并具备相对密度85％以上的高密度的以硫化锌为主成分的溅射靶，并可得到一种无损作为保护膜的特性，使用该溅射靶形成以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜的光记录介质。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.一种溅射钯以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其特征在于：以硫化锌为主成分，且含有氮化物。
2.如权利要求1所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，在波长300～700nm中，溅射膜的折射率为2.0～2.7。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，氮化物是择自钛、锆、铬、铌、钽、铪、钒、钨、钼中至少1种金属的氮化物。
4.如权利要求3所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，作为氮化物进一步含有择自铝、硅、镓、锗中至少1种元素的氮化物。
5.如权利要求1～4各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，氮化物的总量以体积比计为10～50％。
6.(删除)
7.(删除)
8.(修改后)如权利要求1～5各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶本体中所存在的硫化锌的绝缘相或高电阻相的平均结晶粒径为5μm以下。
9.(删除)
10.(修改后)如权利要求1～、及8各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其相对密度为85％以上。
11.(修改后)如权利要求1～5、8及10各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，体电阻值为5×10-2Ωcm以下。
12.如权利要求11所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶内的体电阻值的变动相对于平均值在±20％以内。
13.(修改后)一种光记录介质，使用权利要求1～5、8～12各项所述的溅射靶而形成有以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜，其特征在于：溅射膜以稳定的无定形形态存在。

Claims (13)

1.一种溅射钯以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其特征在于：以硫化锌为主成分，且含有氮化物。
2.如权利要求1所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，在波长300～700nm中，溅射膜的折射率为2.0～2.7。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，氮化物是择自钛、锆、铬、铌、钽、铪、钒、钨、钼中至少1种金属的氮化物。
4.如权利要求3所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，作为氮化物进一步含有择自铝、硅、镓、锗中至少1种元素的氮化物。
5.如权利要求1～4各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，氮化物的总量以体积比计为10～50％。
6.如权利要求1～5各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其含有择自氧化铝、氧化硼、氧化磷、氧化锗、碱金属氧化物、碱土类金属氧化物以及氧化硅中至少1种的玻璃形成氧化物。
7.如权利要求6所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，玻璃形成氧化物相对于总量以摩尔比换算含有1～30％。
8.如权利要求1～7各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶本体中所存在的绝缘相或高电阻相的平均结晶粒径为5μm以下。
9.如权利要求1～8各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶本体中所存在的绝缘相或高电阻相含有硫化锌、氧化硅、氧化硼、氧化磷、氧化锗、碱金属氧化物、碱土类金属氧化物中的至少1种。
10.如权利要求1～9各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其相对密度为85％以上。
11.如权利要求1～10各项所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，体电阻值为5×10-2Ωcm以下。
12.如权利要求11所述的溅射靶以及使用该靶形成以硫化锌为主成分的相变光盘保护膜的光记录介质，其中，靶内的体电阻值的变动相对于平均值在±20％以内。
13.一种光记录介质，使用权利要求1～12所述的溅射靶而形成有以硫化锌为主成分的相变型光盘保护膜，其特征在于：溅射膜以稳定的无定形形态存在。
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