JP2000178726A - 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JP2000178726A JP2000178726A JP10360706A JP36070698A JP2000178726A JP 2000178726 A JP2000178726 A JP 2000178726A JP 10360706 A JP10360706 A JP 10360706A JP 36070698 A JP36070698 A JP 36070698A JP 2000178726 A JP2000178726 A JP 2000178726A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザーを用いて情報の記録および消去を行
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための、カルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体
からなる高出力スパッタリングを行っても割れが発生し
ない機械的強度の優れた光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットを提供する。 【解決手段】 カルコゲン化亜鉛素地中に平均粒径が
０．０００５〜０．１μｍの範囲内にありかつ比表面積
値が５０〜１５０ｍ2 ／ｇの範囲内にある無定型二酸化
ケイ素粉末が分散している光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット。
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための、カルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体
からなる高出力スパッタリングを行っても割れが発生し
ない機械的強度の優れた光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットを提供する。 【解決手段】 カルコゲン化亜鉛素地中に平均粒径が
０．０００５〜０．１μｍの範囲内にありかつ比表面積
値が５０〜１５０ｍ2 ／ｇの範囲内にある無定型二酸化
ケイ素粉末が分散している光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザーを用い
て情報の記録および消去を行う相変化型光ディスクなど
の保護膜を形成するためのカルコゲン化亜鉛−二酸化ケ
イ素焼結体からなる光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットに関するものであり、特に高出力スパッ
タリングを行っても割れ発生のない光記録媒体保護膜形
成用スパッタリングターゲットに関するものである。
て情報の記録および消去を行う相変化型光ディスクなど
の保護膜を形成するためのカルコゲン化亜鉛−二酸化ケ
イ素焼結体からなる光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットに関するものであり、特に高出力スパッ
タリングを行っても割れ発生のない光記録媒体保護膜形
成用スパッタリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いて情報の記録および消去
を行う相変化型光ディスクなどの保護膜を形成するため
のスパッタリングターゲットとして、純度：９９．９９
９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９９．９９９重量
％以上のカルコゲン化亜鉛からなり、相対密度が９０％
以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲットを
用いることは知られている（特開平６−６５７２５号公
報参照）。この従来の光記録媒体保護膜形成用スパッタ
リングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の
カルコゲン化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量
％以上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し
均一に混合して、得られた混合粉末を加圧後焼結するこ
とにより製造することも知られている。
を行う相変化型光ディスクなどの保護膜を形成するため
のスパッタリングターゲットとして、純度：９９．９９
９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９９．９９９重量
％以上のカルコゲン化亜鉛からなり、相対密度が９０％
以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲットを
用いることは知られている（特開平６−６５７２５号公
報参照）。この従来の光記録媒体保護膜形成用スパッタ
リングターゲットは、純度：９９．９９９重量％以上の
カルコゲン化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量
％以上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％添加し
均一に混合して、得られた混合粉末を加圧後焼結するこ
とにより製造することも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、光記録媒体の製
造効率を向上させるために大型の光記録媒体保護膜形成
用スパッタリングターゲットを用いて高出力スパッタリ
ングすることにより高速で効率良く光記録媒体保護膜を
形成し、それによって光ディスクの生産効率の向上およ
びコスト削減を行おうとしている。しかし、従来のカル
コゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる大型の光記
録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを用いて
高出力スパッタリングを行うとターゲットに割れ発生し
（以下、スパッタリング中にターゲットに割れ発生する
現象を「スパッタ割れ」という）、そのために高出力ス
パッタリングを行うことはできなかった。また、従来の
カルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットは、曲げ応
力に対する強度（抗折強度）が不足しているところか
ら、ターゲットの大型化には限界があった。
造効率を向上させるために大型の光記録媒体保護膜形成
用スパッタリングターゲットを用いて高出力スパッタリ
ングすることにより高速で効率良く光記録媒体保護膜を
形成し、それによって光ディスクの生産効率の向上およ
びコスト削減を行おうとしている。しかし、従来のカル
コゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる大型の光記
録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを用いて
高出力スパッタリングを行うとターゲットに割れ発生し
（以下、スパッタリング中にターゲットに割れ発生する
現象を「スパッタ割れ」という）、そのために高出力ス
パッタリングを行うことはできなかった。また、従来の
カルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットは、曲げ応
力に対する強度（抗折強度）が不足しているところか
ら、ターゲットの大型化には限界があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
高出力スパッタリングを行ってもスパッタ割れがなくか
つ高い抗折強度を有する大型の光記録媒体保護膜形成用
スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった結
果、（ａ）カルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体から
なるターゲットの抗折強度および高出力スパッタリング
時のスパッタ割れの発生は、カルコゲン化亜鉛素地中に
に分散している二酸化ケイ素粉末の形態および形状が大
きく影響を及ぼし、従来の光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットのカルコゲン化亜鉛素地中に分散
している二酸化ケイ素粉末は結晶状態の二酸化ケイ素粉
末であったが、これを無定型（アモルファス）状態の二
酸化ケイ素粉末に代えると、高出力スパッタリングを行
ってもスパッタ割れが発生することはなく、従来よりも
高い抗折強度を有するターゲットを得ることができる、
（ｂ）前記無定型（アモルファス）状態の二酸化ケイ素
粉末は、微細になるほど作りやすく、したがって、カル
コゲン化亜鉛素地中に分散している二酸化ケイ素粉末は
平均粒径：０．０００５〜０．１μｍの超微細無定型
（アモルファス）二酸化ケイ素粉末であることが一層好
ましい、などの知見を得たのである。
高出力スパッタリングを行ってもスパッタ割れがなくか
つ高い抗折強度を有する大型の光記録媒体保護膜形成用
スパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった結
果、（ａ）カルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体から
なるターゲットの抗折強度および高出力スパッタリング
時のスパッタ割れの発生は、カルコゲン化亜鉛素地中に
に分散している二酸化ケイ素粉末の形態および形状が大
きく影響を及ぼし、従来の光記録媒体保護膜形成用スパ
ッタリングターゲットのカルコゲン化亜鉛素地中に分散
している二酸化ケイ素粉末は結晶状態の二酸化ケイ素粉
末であったが、これを無定型（アモルファス）状態の二
酸化ケイ素粉末に代えると、高出力スパッタリングを行
ってもスパッタ割れが発生することはなく、従来よりも
高い抗折強度を有するターゲットを得ることができる、
（ｂ）前記無定型（アモルファス）状態の二酸化ケイ素
粉末は、微細になるほど作りやすく、したがって、カル
コゲン化亜鉛素地中に分散している二酸化ケイ素粉末は
平均粒径：０．０００５〜０．１μｍの超微細無定型
（アモルファス）二酸化ケイ素粉末であることが一層好
ましい、などの知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）カルコゲン化亜鉛素地中に無定
型二酸化ケイ素粉末が分散している組織を有する光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、（２）カ
ルコゲン化亜鉛素地中に超微細無定型二酸化ケイ素粉末
が分散している組織を有する光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲット、（３）カルコゲン化亜鉛素地
中に平均粒径：０．０００５〜０．１μｍの超微細無定
型二酸化ケイ素粉末が分散している組織を有する光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を
有するものである。
たものであって、（１）カルコゲン化亜鉛素地中に無定
型二酸化ケイ素粉末が分散している組織を有する光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、（２）カ
ルコゲン化亜鉛素地中に超微細無定型二酸化ケイ素粉末
が分散している組織を有する光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲット、（３）カルコゲン化亜鉛素地
中に平均粒径：０．０００５〜０．１μｍの超微細無定
型二酸化ケイ素粉末が分散している組織を有する光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を
有するものである。
【０００６】前記カルコゲン化亜鉛素地中に分散する無
定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末は、比表面積値
が５０〜１５０ｍ2 ／ｇの範囲内にあることが好まく、
さらに比表面積値が５０〜１５０ｍ2 ／ｇでかつ平均粒
径：０．０００５〜０．１μｍの超微細無定型二酸化ケ
イ素粉末が一層好ましい。したがって、この発明は、
（４）前記カルコゲン化亜鉛素地中に分散している二酸
化ケイ素粉末は、比表面積値：５０〜１５０ｍ2 ／ｇの
二酸化ケイ素粉末である（１）、（２）または（３）記
載の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、に特徴を有するものである。
定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末は、比表面積値
が５０〜１５０ｍ2 ／ｇの範囲内にあることが好まく、
さらに比表面積値が５０〜１５０ｍ2 ／ｇでかつ平均粒
径：０．０００５〜０．１μｍの超微細無定型二酸化ケ
イ素粉末が一層好ましい。したがって、この発明は、
（４）前記カルコゲン化亜鉛素地中に分散している二酸
化ケイ素粉末は、比表面積値：５０〜１５０ｍ2 ／ｇの
二酸化ケイ素粉末である（１）、（２）または（３）記
載の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、に特徴を有するものである。
【０００７】この発明でにおいてカルコゲン化亜鉛と
は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）ま
たはテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）であり、この中でも硫化
亜鉛（ＺｎＳ）が最も好ましい。
は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）ま
たはテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）であり、この中でも硫化
亜鉛（ＺｎＳ）が最も好ましい。
【０００８】この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲットは、平均粒径：４〜６μｍの市販の
純度：９９．９９９重量％以上を有するカルコゲン化亜
鉛粉末に対し、比表面積値：５０〜１５０ｍ2 ／ｇ（一
層好ましくは、７０〜１２０ｍ2 ／ｇ）を有する純度：
９９．９９９重量％以上の無定型（アモルファス）二酸
化ケイ素粉末を１０〜３０ｍｏｌ％添加し、これらを均
一に混合して得られた混合粉末をホットプレスすること
により製造することが好ましい。前記無定型（アモルフ
ァス）二酸化ケイ素粉末は、微細であるほど作りやすい
ところから、平均粒径：０．０００５〜０．１μｍの超
微細無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末を使用す
ることが好ましく、平均粒径：０．００５〜０．０５μ
ｍの超微細無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末を
使用することが一層好ましい。
タリングターゲットは、平均粒径：４〜６μｍの市販の
純度：９９．９９９重量％以上を有するカルコゲン化亜
鉛粉末に対し、比表面積値：５０〜１５０ｍ2 ／ｇ（一
層好ましくは、７０〜１２０ｍ2 ／ｇ）を有する純度：
９９．９９９重量％以上の無定型（アモルファス）二酸
化ケイ素粉末を１０〜３０ｍｏｌ％添加し、これらを均
一に混合して得られた混合粉末をホットプレスすること
により製造することが好ましい。前記無定型（アモルフ
ァス）二酸化ケイ素粉末は、微細であるほど作りやすい
ところから、平均粒径：０．０００５〜０．１μｍの超
微細無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末を使用す
ることが好ましく、平均粒径：０．００５〜０．０５μ
ｍの超微細無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末を
使用することが一層好ましい。
【０００９】前記ホットプレスは、真空またはＡｒガス
雰囲気中、圧力：１５０〜３００ｋｇｆ／ｃｍ2 、温
度：８５０〜９５０℃（好ましくは、９００〜９５０
℃）、３〜５時間保持し、この保持温度から冷却速度：
１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却することにより無定型
二酸化ケイ素粉末が結晶化しない条件で行われる。
雰囲気中、圧力：１５０〜３００ｋｇｆ／ｃｍ2 、温
度：８５０〜９５０℃（好ましくは、９００〜９５０
℃）、３〜５時間保持し、この保持温度から冷却速度：
１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却することにより無定型
二酸化ケイ素粉末が結晶化しない条件で行われる。
【００１０】この様にして製造したホットプレス焼結体
からなるこの発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、抗折強度が大きところから直径を大
きくすることができ、さらに高出力スパッタリングを行
ってもターゲットに割れが発生しにくいところから成膜
効率を一層向上させることができる。この発明の光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットのカルコゲ
ン化亜鉛素地中に分散する無定型二酸化ケイ素粉末は、
原料粉末として添加した無定型二酸化ケイ素粉末の比表
面積値および平均粒径と同じ値を示す。これは、この発
明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
の組織をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）またはこれより一
層高解像度を有するＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により
確認することができる。
からなるこの発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、抗折強度が大きところから直径を大
きくすることができ、さらに高出力スパッタリングを行
ってもターゲットに割れが発生しにくいところから成膜
効率を一層向上させることができる。この発明の光記録
媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットのカルコゲ
ン化亜鉛素地中に分散する無定型二酸化ケイ素粉末は、
原料粉末として添加した無定型二酸化ケイ素粉末の比表
面積値および平均粒径と同じ値を示す。これは、この発
明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
の組織をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）またはこれより一
層高解像度を有するＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により
確認することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施例１ ＺｎＳ粉末に含まれるガスを除去する目的で市販の純
度：９９．９９９重量％以上有するＺｎＳ粉末をＡｒ雰
囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、６５０
℃で１時間保持の熱処理を施すことにより、純度：９
９．９９９重量％以上、平均粒径：４μｍを有するＺｎ
Ｓ原料粉末を作製した。さらに、表１に示される平均粒
径および比表面積値を有し純度：９９．９９９重量％以
上有するレオロシールの超微細無定型ＳｉＯ2 粉末を用
意した。これらＺｎＳ原料粉末と超微細無定型ＳｉＯ2
粉末を表１に示される割合になるように配合し、この配
合粉末をエタノールと共にポリポットの中に入れ、１時
間湿式混合してスラリーとし、得られた混合粉末のスラ
リーを乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その
後、軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表１に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表１に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＳ素地中に超微細無定型Ｓ
ｉＯ2 粉末が分散している組織を有する円盤状の本発明
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜７を作製した。
度：９９．９９９重量％以上有するＺｎＳ粉末をＡｒ雰
囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、６５０
℃で１時間保持の熱処理を施すことにより、純度：９
９．９９９重量％以上、平均粒径：４μｍを有するＺｎ
Ｓ原料粉末を作製した。さらに、表１に示される平均粒
径および比表面積値を有し純度：９９．９９９重量％以
上有するレオロシールの超微細無定型ＳｉＯ2 粉末を用
意した。これらＺｎＳ原料粉末と超微細無定型ＳｉＯ2
粉末を表１に示される割合になるように配合し、この配
合粉末をエタノールと共にポリポットの中に入れ、１時
間湿式混合してスラリーとし、得られた混合粉末のスラ
リーを乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その
後、軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表１に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表１に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＳ素地中に超微細無定型Ｓ
ｉＯ2 粉末が分散している組織を有する円盤状の本発明
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット（以
下、本発明ターゲットという）１〜７を作製した。
【００１２】さらに、比較のために、平均粒径：１２μ
ｍ、比表面積値：７．５ｍ2 ／ｇを有し純度：９９．９
９９重量％以上有する結晶ＳｉＯ2 粉末を用意し、この
結晶ＳｉＯ2 粉末を前記ＺｎＳ原料粉末に対して表１に
示される割合になるように配合し混合して混合粉末を作
製し、この混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、
Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表１に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表１に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＳ素地中に結晶ＳｉＯ2 粉
末が分散している組織を有する円盤状の従来光記録媒体
保護膜形成用スパッタリングターゲット（以下、従来タ
ーゲットという）１を作製した。
ｍ、比表面積値：７．５ｍ2 ／ｇを有し純度：９９．９
９９重量％以上有する結晶ＳｉＯ2 粉末を用意し、この
結晶ＳｉＯ2 粉末を前記ＺｎＳ原料粉末に対して表１に
示される割合になるように配合し混合して混合粉末を作
製し、この混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、
Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表１に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表１に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＳ素地中に結晶ＳｉＯ2 粉
末が分散している組織を有する円盤状の従来光記録媒体
保護膜形成用スパッタリングターゲット（以下、従来タ
ーゲットという）１を作製した。
【００１３】このようにして得られた本発明ターゲット
１〜７のＺｎＳ素地中に均一分散する超微細無定型Ｓｉ
Ｏ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量は、ホッ
トプレス前の表１に示される超微細無定型ＳｉＯ2 粉末
の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであった。
また、従来ターゲット１のＺｎＳ素地中に均一分散する
結晶ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量
は、ホットプレス前の表１に示される結晶ＳｉＯ2 粉末
の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであった。
このことは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により確認す
ることができた。
１〜７のＺｎＳ素地中に均一分散する超微細無定型Ｓｉ
Ｏ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量は、ホッ
トプレス前の表１に示される超微細無定型ＳｉＯ2 粉末
の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであった。
また、従来ターゲット１のＺｎＳ素地中に均一分散する
結晶ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量
は、ホットプレス前の表１に示される結晶ＳｉＯ2 粉末
の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであった。
このことは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により確認す
ることができた。
【００１４】これら本発明ターゲット１〜７および従来
ターゲット１の抗折強度を測定し、その結果を表１に示
したのち、これらターゲットをモリブデン製の冷却用バ
ッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジ
ウムろう材にてハンダ付けし、これを高周波マグネトロ
ンスパッタリング装置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2 ）、 の条件でスパッタを行い、ターゲットにスパッタ割れが
発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表１に示
した。
ターゲット１の抗折強度を測定し、その結果を表１に示
したのち、これらターゲットをモリブデン製の冷却用バ
ッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリジ
ウムろう材にてハンダ付けし、これを高周波マグネトロ
ンスパッタリング装置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2 ）、 の条件でスパッタを行い、ターゲットにスパッタ割れが
発生したか否かを目視にて観察し、その結果を表１に示
した。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１に示される結果から、本発明ターゲッ
ト１〜７は従来ターゲット１に比べて、抗折強度が高
く、さらに高出力の高周波マグネトロンスパッタを行っ
てもスパッタ割れが発生しないことが分かる。
ト１〜７は従来ターゲット１に比べて、抗折強度が高
く、さらに高出力の高周波マグネトロンスパッタを行っ
てもスパッタ割れが発生しないことが分かる。
【００１７】実施例２ ＺｎＳｅ粉末に含まれるガスを除去する目的で市販の純
度：９９．９９９重量％以上有するＺｎＳｅ粉末をＡｒ
雰囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、６５
０℃で１時間保持の熱処理を施すことにより、純度：９
９．９９９重量％以上、平均粒径：４μｍを有するＺｎ
Ｓｅ原料粉末を作製した。さらに、表２に示される平均
粒径および比表面積値を有し純度：９９．９９９重量％
以上有するレオロシールの超微細無定型ＳｉＯ2 粉末を
用意した。これらＺｎＳｅ原料粉末と無定型ＳｉＯ2 粉
末を表２に示される割合になるように配合し、この配合
粉末をエタノールと共にポリポットの中に入れ、１時間
湿式混合してスラリーとし、得られた混合粉末のスラリ
ーを乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その
後、軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表２に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表２に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＳｅ素地中に無定型ＳｉＯ
2 粉末が分散している組織を有する円盤状の本発明ター
ゲット８〜１４を作製した。
度：９９．９９９重量％以上有するＺｎＳｅ粉末をＡｒ
雰囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、６５
０℃で１時間保持の熱処理を施すことにより、純度：９
９．９９９重量％以上、平均粒径：４μｍを有するＺｎ
Ｓｅ原料粉末を作製した。さらに、表２に示される平均
粒径および比表面積値を有し純度：９９．９９９重量％
以上有するレオロシールの超微細無定型ＳｉＯ2 粉末を
用意した。これらＺｎＳｅ原料粉末と無定型ＳｉＯ2 粉
末を表２に示される割合になるように配合し、この配合
粉末をエタノールと共にポリポットの中に入れ、１時間
湿式混合してスラリーとし、得られた混合粉末のスラリ
ーを乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その
後、軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表２に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表２に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＳｅ素地中に無定型ＳｉＯ
2 粉末が分散している組織を有する円盤状の本発明ター
ゲット８〜１４を作製した。
【００１８】さらに、比較のために、平均粒径：１０μ
ｍ、比表面積値：８．０ｍ2 ／ｇを有し純度：９９．９
９９重量％以上有する結晶ＳｉＯ2 粉末を用意し、この
結晶ＳｉＯ2 粉末を前記ＺｎＳｅ原料粉末に対して表２
に示される割合になるように配合し混合し、得られた混
合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲
気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、表２に示さ
れる温度および時間保持することよりホットプレスし、
次いで表２に示される冷却速度で冷却することによりホ
ットプレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工
することにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法
を有しＺｎＳｅ素地中に結晶ＳｉＯ2 粉末が分散してい
る組織を有する円盤状の従来ターゲット２を作製した。
ｍ、比表面積値：８．０ｍ2 ／ｇを有し純度：９９．９
９９重量％以上有する結晶ＳｉＯ2 粉末を用意し、この
結晶ＳｉＯ2 粉末を前記ＺｎＳｅ原料粉末に対して表２
に示される割合になるように配合し混合し、得られた混
合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲
気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、表２に示さ
れる温度および時間保持することよりホットプレスし、
次いで表２に示される冷却速度で冷却することによりホ
ットプレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工
することにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法
を有しＺｎＳｅ素地中に結晶ＳｉＯ2 粉末が分散してい
る組織を有する円盤状の従来ターゲット２を作製した。
【００１９】このようにして得られた本発明ターゲット
８〜１４のＺｎＳｅ素地中に均一分散する超微細無定型
ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量は、
ホットプレス前の表２に示される超微細無定型ＳｉＯ2
粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであっ
た。また、従来ターゲット２のＺｎＳｅ素地中に均一分
散する結晶ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および
分散量は、ホットプレス前の表２に示される結晶ＳｉＯ
2 粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであ
った。このことは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により
確認することができた。
８〜１４のＺｎＳｅ素地中に均一分散する超微細無定型
ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量は、
ホットプレス前の表２に示される超微細無定型ＳｉＯ2
粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであっ
た。また、従来ターゲット２のＺｎＳｅ素地中に均一分
散する結晶ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および
分散量は、ホットプレス前の表２に示される結晶ＳｉＯ
2 粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じであ
った。このことは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により
確認することができた。
【００２０】これら本発明ターゲット８〜１４および従
来ターゲット２の抗折強度を測定し、その結果を表２に
示したのち、これらターゲットをモリブデン製の冷却用
バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリ
ジウムろう材にてハンダ付けし、これを高周波マグネト
ロンスパッタリング装置にセットし、実施例１と同じ条
件のスパッタを行い、ターゲットにスパッタ割れが発生
したか否かを目視にて観察し、その結果を表２に示し
た。
来ターゲット２の抗折強度を測定し、その結果を表２に
示したのち、これらターゲットをモリブデン製の冷却用
バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイリ
ジウムろう材にてハンダ付けし、これを高周波マグネト
ロンスパッタリング装置にセットし、実施例１と同じ条
件のスパッタを行い、ターゲットにスパッタ割れが発生
したか否かを目視にて観察し、その結果を表２に示し
た。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２に示される結果から、本発明ターゲッ
ト８〜１４は従来ターゲット２に比べて、抗折強度が高
く、さらに高出力の高周波マグネトロンスパッタを行っ
てもスパッタ割れが発生しないことが分かる。
ト８〜１４は従来ターゲット２に比べて、抗折強度が高
く、さらに高出力の高周波マグネトロンスパッタを行っ
てもスパッタ割れが発生しないことが分かる。
【００２３】実施例３ ＺｎＴｅ粉末に含まれるガスを除去する目的で市販の純
度：９９．９９９重量％以上有するＺｎＴｅ原料粉末を
Ａｒ雰囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、
６５０℃で１時間保持の熱処理を施すことにより、純
度：９９．９９９重量％以上、平均粒径：６μｍを有す
るＺｎＴｅ粉末を作製した。さらに、表３に示される平
均粒径および比表面積値を有し純度：９９．９９９重量
％以上有するレオロシールの超微細無定型ＳｉＯ2 粉末
を用意した。これらＺｎＴｅ粉末と無定型ＳｉＯ2 粉末
を表３に示される割合になるように配合し、この配合粉
末をエタノールと共にポリポットの中に入れ、１時間湿
式混合してスラリーとし、得られた混合粉末のスラリー
を乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その後、
軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填し、
Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表３に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表３に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＴｅ素地中に無定型ＳｉＯ
2 粉末が分散している組織を有する円盤状の本発明ター
ゲット１４〜２１を作製した。
度：９９．９９９重量％以上有するＺｎＴｅ原料粉末を
Ａｒ雰囲気中で昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱し、
６５０℃で１時間保持の熱処理を施すことにより、純
度：９９．９９９重量％以上、平均粒径：６μｍを有す
るＺｎＴｅ粉末を作製した。さらに、表３に示される平
均粒径および比表面積値を有し純度：９９．９９９重量
％以上有するレオロシールの超微細無定型ＳｉＯ2 粉末
を用意した。これらＺｎＴｅ粉末と無定型ＳｉＯ2 粉末
を表３に示される割合になるように配合し、この配合粉
末をエタノールと共にポリポットの中に入れ、１時間湿
式混合してスラリーとし、得られた混合粉末のスラリー
を乾燥することによりエタノールを蒸発させ、その後、
軽く解砕を行った後、ホットプレスの黒鉛型に充填し、
Ａｒガス雰囲気中において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、表３に示される温度および時間保持することより
ホットプレスし、次いで表３に示される冷却速度で冷却
することによりホットプレス体を作製し、このホットプ
レス体を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚
さ：５ｍｍの寸法を有しＺｎＴｅ素地中に無定型ＳｉＯ
2 粉末が分散している組織を有する円盤状の本発明ター
ゲット１４〜２１を作製した。
【００２４】さらに、比較のために、平均粒径：１０μ
ｍ、比表面積値：８．０ｍ2 ／ｇを有し純度：９９．９
９９重量％以上有する結晶ＳｉＯ2 粉末を用意し、この
結晶ＳｉＯ2 粉末を前記ＺｎＴｅ粉末に対して表３に示
される割合になるように配合し混合し、得られた混合粉
末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中
において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、表３に示される
温度および時間保持することよりホットプレスし、次い
で表３に示される冷却速度で冷却することによりホット
プレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工する
ことにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有
しＺｎＴｅ素地中に結晶ＳｉＯ2 粉末が分散している組
織を有する円盤状の従来ターゲット３を作製した。
ｍ、比表面積値：８．０ｍ2 ／ｇを有し純度：９９．９
９９重量％以上有する結晶ＳｉＯ2 粉末を用意し、この
結晶ＳｉＯ2 粉末を前記ＺｎＴｅ粉末に対して表３に示
される割合になるように配合し混合し、得られた混合粉
末をホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中
において圧力：２５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、表３に示される
温度および時間保持することよりホットプレスし、次い
で表３に示される冷却速度で冷却することによりホット
プレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工する
ことにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有
しＺｎＴｅ素地中に結晶ＳｉＯ2 粉末が分散している組
織を有する円盤状の従来ターゲット３を作製した。
【００２５】このようにして得られた本発明ターゲット
１４〜２１のＺｎＴｅ素地中に均一分散する超微細無定
型ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量
は、ホットプレス前の表３に示される超微細無定型Ｓｉ
Ｏ2 粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じで
あった。また、従来ターゲット２のＺｎＴｅ素地中に均
一分散する結晶ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値お
よび分散量は、ホットプレス前の表３に示される結晶Ｓ
ｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じ
であった。このことは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）に
より確認することができた。
１４〜２１のＺｎＴｅ素地中に均一分散する超微細無定
型ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および分散量
は、ホットプレス前の表３に示される超微細無定型Ｓｉ
Ｏ2 粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じで
あった。また、従来ターゲット２のＺｎＴｅ素地中に均
一分散する結晶ＳｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値お
よび分散量は、ホットプレス前の表３に示される結晶Ｓ
ｉＯ2 粉末の平均粒径、比表面積値および配合量と同じ
であった。このことは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）に
より確認することができた。
【００２６】これら本発明ターゲット１４〜２１および
従来ターゲット３の抗折強度を測定し、その結果を表３
に示したのち、これらターゲットをモリブデン製の冷却
用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイ
リジウムろう材にてハンダ付けし、これを高周波マグネ
トロンスパッタリング装置にセットし、実施例１と同じ
条件のスパッタを行い、ターゲットにスパッタ割れが発
生したか否かを目視にて観察し、その結果を表３に示し
た。
従来ターゲット３の抗折強度を測定し、その結果を表３
に示したのち、これらターゲットをモリブデン製の冷却
用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のイ
リジウムろう材にてハンダ付けし、これを高周波マグネ
トロンスパッタリング装置にセットし、実施例１と同じ
条件のスパッタを行い、ターゲットにスパッタ割れが発
生したか否かを目視にて観察し、その結果を表３に示し
た。
【００２７】
【表３】
【００２８】表３に示される結果から、本発明ターゲッ
ト１４〜２１は従来ターゲット３に比べて、抗折強度が
高く、さらに高出力の高周波マグネトロンスパッタを行
ってもスパッタ割れが発生しないことが分かる。
ト１４〜２１は従来ターゲット３に比べて、抗折強度が
高く、さらに高出力の高周波マグネトロンスパッタを行
ってもスパッタ割れが発生しないことが分かる。
【００２９】
【発明の効果】上述のように、カルコゲン化亜鉛素地中
に無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末が分散した
この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングター
ゲットは、抗折強度が高いところから従来よりも大型に
成形することができ、また高出力スパッタを行ってもス
パッタ割れが発生しないので従来よりも効率良く相変化
型光ディスクなどの保護膜を形成することができ、した
がって光ディスクの生産効率の向上およびコスト削減を
行うことができて光メディア産業の発展に大いに貢献し
得るものである。
に無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末が分散した
この発明の光記録媒体保護膜形成用スパッタリングター
ゲットは、抗折強度が高いところから従来よりも大型に
成形することができ、また高出力スパッタを行ってもス
パッタ割れが発生しないので従来よりも効率良く相変化
型光ディスクなどの保護膜を形成することができ、した
がって光ディスクの生産効率の向上およびコスト削減を
行うことができて光メディア産業の発展に大いに貢献し
得るものである。
【００３０】なお、この発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、カルコゲン化亜鉛素地中に無定型（ア
モルファス）二酸化ケイ素粉末以外に結晶質の二酸化ケ
イ素粉末が一部分散している光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットもこの発明の範囲に含まれるも
のであり、その場合は、結晶質の二酸化ケイ素粉末の分
散量は無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末の分散
量より多くなってはならない。
るものではなく、カルコゲン化亜鉛素地中に無定型（ア
モルファス）二酸化ケイ素粉末以外に結晶質の二酸化ケ
イ素粉末が一部分散している光記録媒体保護膜形成用ス
パッタリングターゲットもこの発明の範囲に含まれるも
のであり、その場合は、結晶質の二酸化ケイ素粉末の分
散量は無定型（アモルファス）二酸化ケイ素粉末の分散
量より多くなってはならない。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA37 AA55 AA56 BA14 CA04 GA29 4K029 BA41 BD00 DC05 DC09 5D121 AA04 EE03 EE10 EE14
Claims (7)
- 【請求項１】 カルコゲン化亜鉛素地中に無定型二酸化
ケイ素粉末が分散している組織を有することを特徴とす
る光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 カルコゲン化亜鉛素地中に超微細無定型
二酸化ケイ素粉末が分散している組織を有することを特
徴とする光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項３】 カルコゲン化亜鉛素地中に平均粒径：
０．０００５〜０．１μｍの超微細無定型二酸化ケイ素
粉末が分散している組織を有することを特徴とする光記
録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 前記カルコゲン化亜鉛素地中に分散して
いる二酸化ケイ素粉末は、比表面積値：５０〜１５０ｍ
2 ／ｇの二酸化ケイ素粉末であることを特徴とする請求
項１、２または３記載の光記録媒体保護膜形成用スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項５】 前記カルコゲン化亜鉛素地中に前記無定
型二酸化ケイ素粉末が１０〜３０ｍｏｌ％分散している
ことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の光記
録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項６】 前記カルコゲン化亜鉛は、硫化亜鉛、セ
レン化亜鉛またはテルル化亜鉛であることを特徴とする
請求項１、２、３、４または５記載の光記録媒体保護膜
形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６記載
のスパッタリングターゲットを用いて形成した光記録媒
体保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36070698A JP3468136B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36070698A JP3468136B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000178726A true JP2000178726A (ja) | 2000-06-27 |
| JP3468136B2 JP3468136B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=18470568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36070698A Expired - Fee Related JP3468136B2 (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468136B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072910A1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Zns-sio2 sputtering target and optical recording medium having zns-sio2 phase-change type optical disc protective film formed through use of that target |
| JP2009150001A (ja) * | 2001-09-21 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| WO2014120485A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Applied Materials, Inc. | Doped zinc target |
| US9567665B2 (en) | 2010-07-29 | 2017-02-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same |
| US9605339B2 (en) | 2010-12-21 | 2017-03-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film and process for production thereof |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP36070698A patent/JP3468136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072910A1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Nikko Materials Company, Limited | Zns-sio2 sputtering target and optical recording medium having zns-sio2 phase-change type optical disc protective film formed through use of that target |
| JP2009150001A (ja) * | 2001-09-21 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| US9567665B2 (en) | 2010-07-29 | 2017-02-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same |
| US9605339B2 (en) | 2010-12-21 | 2017-03-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film and process for production thereof |
| WO2014120485A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Applied Materials, Inc. | Doped zinc target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3468136B2 (ja) | 2003-11-17 |
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